JPH03191542A - フィルムキャリアテープの製造方法 - Google Patents
フィルムキャリアテープの製造方法Info
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- JPH03191542A JPH03191542A JP33206989A JP33206989A JPH03191542A JP H03191542 A JPH03191542 A JP H03191542A JP 33206989 A JP33206989 A JP 33206989A JP 33206989 A JP33206989 A JP 33206989A JP H03191542 A JPH03191542 A JP H03191542A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 14
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 7
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフィルムキャリア半導体装置に使用されるフィ
ルムキャリテープの製造方法に間する。
ルムキャリテープの製造方法に間する。
従来のフィルムキャリアテープの製造方法は、ソリッド
・ステート・テクノロジー（Ｓｏｌｉｄ ＳｔａｔｅＴ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）日本版１９７８年、１１月号、３
３〜３５頁に紹介されているＢ−ＴＡＢと呼ばれるバン
プ付フィルムキャリアテープがある。
・ステート・テクノロジー（Ｓｏｌｉｄ ＳｔａｔｅＴ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）日本版１９７８年、１１月号、３
３〜３５頁に紹介されているＢ−ＴＡＢと呼ばれるバン
プ付フィルムキャリアテープがある。
第３図（ａ）〜（ｄ）は従来のフィルムキャリアテープ
の製造方法を説明するための工程順に示したフィルムキ
ャリアテープの断面図及び平面図である。
の製造方法を説明するための工程順に示したフィルムキ
ャリアテープの断面図及び平面図である。
第３図（ａ＞に示すように、銅等の金属箔１゜の両面に
所定のパターンを有するフォトレジスト膜２ｇをフォト
リソグラフィー技術を用いて形成する。
所定のパターンを有するフォトレジスト膜２ｇをフォト
リソグラフィー技術を用いて形成する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、金属箔１゜の両面か
らフォトレジストＦ’ｌＡ ２ ｇをマスクとして金属
箔１０をそれぞれの面を金属箔１０の厚さの半分の深さ
までエツチングし、バンプ６及びり−ド４ａを形成する
。
らフォトレジストＦ’ｌＡ ２ ｇをマスクとして金属
箔１０をそれぞれの面を金属箔１０の厚さの半分の深さ
までエツチングし、バンプ６及びり−ド４ａを形成する
。
次に、第３図（ｃ）、（ｄ）に示すように、フォトレジ
ストＭ２ｇを除去した後、リード４ａ及びバンプ６を含
む金属箔１０全体に半導体チップとのボンディング性を
向上させるため金等に代表される金属層５を形成し、位
置決め用のスプロケットホール７及びリード４ａ及び半
導体チップが入るデバイスホール９を持つフィルムキャ
リアテープを構成する。
ストＭ２ｇを除去した後、リード４ａ及びバンプ６を含
む金属箔１０全体に半導体チップとのボンディング性を
向上させるため金等に代表される金属層５を形成し、位
置決め用のスプロケットホール７及びリード４ａ及び半
導体チップが入るデバイスホール９を持つフィルムキャ
リアテープを構成する。
又、他の技術としてナショナル・テクニカル・レポート
（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒ
ｔ）第３１巻、第３号、１９８５年、６月号、１１６〜
１２４頁に紹介されているように、転写バンプと呼ばれ
、ガラス基板上に電気めっきにより形成したバンプをフ
ィルムキャリテープのリードにボンディングし、バンプ
をリードに転写することにより形成していた。
（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒ
ｔ）第３１巻、第３号、１９８５年、６月号、１１６〜
１２４頁に紹介されているように、転写バンプと呼ばれ
、ガラス基板上に電気めっきにより形成したバンプをフ
ィルムキャリテープのリードにボンディングし、バンプ
をリードに転写することにより形成していた。
上述した従来のフィルムキャリアテープの製造方法は金
属箔のみの一層であるため電気選別が不可能であるとい
う欠点がある。
属箔のみの一層であるため電気選別が不可能であるとい
う欠点がある。
又、転写バンブは、バンプを基板上にめっきする必要が
あること及びバンプをリードに転写するためのボンディ
ングが必要であること、さらにこれらを行うための装置
が必要であり、コスト高となる欠点がある。
あること及びバンプをリードに転写するためのボンディ
ングが必要であること、さらにこれらを行うための装置
が必要であり、コスト高となる欠点がある。
本発明の目的は、電気的選別が可能で、特別な生産装置
を必要とせず、低コストでバンプを形成できるフィルム
キャリアテープの製造方法を提供することにある。
を必要とせず、低コストでバンプを形成できるフィルム
キャリアテープの製造方法を提供することにある。
本発明のフィルムキャリアテープの製造方法は、耐熱性
樹脂からなる絶縁フィルムの表面に選択的に凹部を形成
する工程と、前記凹部を含む前記絶縁フィルムの表面に
無電解めっき法により第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層の表面にフォトレジスト膜を形成して
パターニングし、前記フォトレジスト膜をマスクとして
めっき法により前記第１の金属層上に前記凹部の深さよ
りも厚い膜厚の第２の金属層を形成してバンプを有する
リード及び電気選別用パッドを形成する工程と、前記フ
ォトレジスト膜を除去した後前記第２の金属層をマスク
として前記第１の金属層をエツチング除去する工程と、
前記絶縁フィルムを選択的にエツチングしてデバイスホ
ール及びスブロケッＩ・ホールを形成する工程とを含ん
で構成される。
樹脂からなる絶縁フィルムの表面に選択的に凹部を形成
する工程と、前記凹部を含む前記絶縁フィルムの表面に
無電解めっき法により第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層の表面にフォトレジスト膜を形成して
パターニングし、前記フォトレジスト膜をマスクとして
めっき法により前記第１の金属層上に前記凹部の深さよ
りも厚い膜厚の第２の金属層を形成してバンプを有する
リード及び電気選別用パッドを形成する工程と、前記フ
ォトレジスト膜を除去した後前記第２の金属層をマスク
として前記第１の金属層をエツチング除去する工程と、
前記絶縁フィルムを選択的にエツチングしてデバイスホ
ール及びスブロケッＩ・ホールを形成する工程とを含ん
で構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示したフィルムキャリアテープの部分
断面図及び平面図である。
るための工程順に示したフィルムキャリアテープの部分
断面図及び平面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、ポリイミド系樹脂等
の耐熱性樹脂からなる絶縁フィルム１の表面にバンプを
形成するべき部分に開口を有するフォトレジスト膜２ａ
をフォトリソグラフィー技術により形成する０次いで、
フォトレジスト膜２ａを形成した絶縁フィルム１の裏面
全面にフォトレジスト膜２ｂを形成する０次に、フォト
レジスト膜２ａ、２ｂをマスクとして、ヒドラジン等の
エツチング液にて絶縁フィルム１をエツチングし１５〜
２０μｍの深さの凹部１３を形成する。
の耐熱性樹脂からなる絶縁フィルム１の表面にバンプを
形成するべき部分に開口を有するフォトレジスト膜２ａ
をフォトリソグラフィー技術により形成する０次いで、
フォトレジスト膜２ａを形成した絶縁フィルム１の裏面
全面にフォトレジスト膜２ｂを形成する０次に、フォト
レジスト膜２ａ、２ｂをマスクとして、ヒドラジン等の
エツチング液にて絶縁フィルム１をエツチングし１５〜
２０μｍの深さの凹部１３を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜２
ａ、２ｂを除去し、凹部１３を含む絶縁フィルム１の表
面に銅等の金属層３を１μｍ程度の厚さに無電解めっき
法により堆積する９次に、金属層３の上にリード及び電
気選別用パッド及びめっき用配線等を形成するためのパ
ターンを有するフォトレジスト膜２Ｃを選択的に形成し
、金属層３を陰極として電気めっき法により、銅等の金
属層４を約４０μｍの厚さに堆積し、リード及び電気選
別用パッドの金属パターン層を形成する。
ａ、２ｂを除去し、凹部１３を含む絶縁フィルム１の表
面に銅等の金属層３を１μｍ程度の厚さに無電解めっき
法により堆積する９次に、金属層３の上にリード及び電
気選別用パッド及びめっき用配線等を形成するためのパ
ターンを有するフォトレジスト膜２Ｃを選択的に形成し
、金属層３を陰極として電気めっき法により、銅等の金
属層４を約４０μｍの厚さに堆積し、リード及び電気選
別用パッドの金属パターン層を形成する。
この時、絶縁膜１の凹部１３に金属層４の段差が出来る
が凹部１３の深さに対してめっき層の膜厚が大きく、又
、電気めっき時に四部１３に電流集中が発生するため最
終的に凹部の上に平坦な金属層４が形成できる。
が凹部１３の深さに対してめっき層の膜厚が大きく、又
、電気めっき時に四部１３に電流集中が発生するため最
終的に凹部の上に平坦な金属層４が形成できる。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト膜２
ｃを除去し、金属層４をマスクとして、金属層３をエツ
チング除去し、バンプ６を備えたり一部４ａを形成する
。次に、デバイスホール及びスプロケットホールを形成
するためのパターンを有するフォトレジスト膜２ｄを金
属層４を含む絶縁フィルム１の両面に形成する。
ｃを除去し、金属層４をマスクとして、金属層３をエツ
チング除去し、バンプ６を備えたり一部４ａを形成する
。次に、デバイスホール及びスプロケットホールを形成
するためのパターンを有するフォトレジスト膜２ｄを金
属層４を含む絶縁フィルム１の両面に形成する。
次に、第１図（ｄ）、（ｅ）に示すように、フォ１〜レ
ジス）〜膜２ｄをマスクとして絶縁膜１をヒドラジン等
のエツチング液によりエツチング除去してデバイスホー
ル９及びスプロケットポール７を形成する１次に、めっ
き用配線１１を用いた電気めっきにより、金属膜４の上
に金等の金属層５を形成する。次に、フォトレジスト膜
２ｄを除去し、金属層５を形成するために用いためっき
用配線１１をパンチにより打抜いて切断するパンチ穴１
２を形成し、各リード４ａを電気的に独立させフィルム
キャリアテープを構成させる。
ジス）〜膜２ｄをマスクとして絶縁膜１をヒドラジン等
のエツチング液によりエツチング除去してデバイスホー
ル９及びスプロケットポール７を形成する１次に、めっ
き用配線１１を用いた電気めっきにより、金属膜４の上
に金等の金属層５を形成する。次に、フォトレジスト膜
２ｄを除去し、金属層５を形成するために用いためっき
用配線１１をパンチにより打抜いて切断するパンチ穴１
２を形成し、各リード４ａを電気的に独立させフィルム
キャリアテープを構成させる。
尚本実施例でめっき用配線１１及びパンチ穴１２は必ず
しも必要ではなく、第３の金属膜を無電解めっきで行な
えば良い。
しも必要ではなく、第３の金属膜を無電解めっきで行な
えば良い。
又、本実施例ではリードをめっき法を用い、フォトレジ
スト膜をマスクとして選択成長で形成していたが、先に
めっき法にて全面に第２の金属層を形成した後、フォト
レジスト膜により選択的に第２の金属層をエツチングす
ることによりリードを形成する事もできる。この場合、
第１の金属層をエツチングする工程が不要で工程が簡略
化できる。
スト膜をマスクとして選択成長で形成していたが、先に
めっき法にて全面に第２の金属層を形成した後、フォト
レジスト膜により選択的に第２の金属層をエツチングす
ることによりリードを形成する事もできる。この場合、
第１の金属層をエツチングする工程が不要で工程が簡略
化できる。
又、さらに本実施例では第１の金属層の形成を無電解め
っきにより形成していたが蒸着法やスパッタ法を用いる
事も可能である。
っきにより形成していたが蒸着法やスパッタ法を用いる
事も可能である。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための工程順に示したフィルムキャリアテープの断面
図及び平面図である。
るための工程順に示したフィルムキャリアテープの断面
図及び平面図である。
第２図（ａ）に示すように、絶縁フィルム１の表面にバ
ンブ形成用凹部１３及びスルーホールが形成されるべき
位置に凹部を選択的に形成し、さ−ホールが形成される
べき所定位置に凹部を設けるこの時表面と裏面のスルー
ホールが形成されるべき位置に形成されたそれぞれの凹
部とがつながりスルーホール１４が形成される。
ンブ形成用凹部１３及びスルーホールが形成されるべき
位置に凹部を選択的に形成し、さ−ホールが形成される
べき所定位置に凹部を設けるこの時表面と裏面のスルー
ホールが形成されるべき位置に形成されたそれぞれの凹
部とがつながりスルーホール１４が形成される。
次に、第２図（ｂ）に示すように、無電解めっき法によ
り凹部１３及びスルーホール１４を含む絶縁フィルム１
の全表面に銅等の金属層３を堆積する。次に、リード、
電気這別パッド、共通電極及びめっき配線を形成するた
めのパターンを有するフォトレジスト膜２ｅを形成した
後金属層３を陰極として電気めっきを行ない銅等の金属
層４を形成する。
り凹部１３及びスルーホール１４を含む絶縁フィルム１
の全表面に銅等の金属層３を堆積する。次に、リード、
電気這別パッド、共通電極及びめっき配線を形成するた
めのパターンを有するフォトレジスト膜２ｅを形成した
後金属層３を陰極として電気めっきを行ない銅等の金属
層４を形成する。
次に、第２図（ｃ）に示すように、フォトレジストｍ２
ｅを除去してバンブ６を有するリード４ａ及び所定のり
−ド４ａを接続する共通電極１５を形成する０次に、金
属層４をマスクとして金属層３をエツチング除去した後
スプロケットホール及びデバイスホール形成用のフォト
レジスト膜２ｆを形成する。
ｅを除去してバンブ６を有するリード４ａ及び所定のり
−ド４ａを接続する共通電極１５を形成する０次に、金
属層４をマスクとして金属層３をエツチング除去した後
スプロケットホール及びデバイスホール形成用のフォト
レジスト膜２ｆを形成する。
次に、第２図（ｄ）、（ｅ）に示すように、フォトレジ
スト膜２ｆをマスクとして絶縁フィルム１でスズロケッ
トホール７及びデバイスホール９をエツチング除去し形
成し、フォトレジスト膜２ｆを除去してバンブ６を含む
表面に金等の金属層５を電気めっきにより形成する０次
に、電気めっき時に使用しためつき用配線１１の一部を
バンチして設けたバンチ穴１２で切断することにより、
一部のり−ド４ａがスルーホール１４を介して共通電極
１５により互に結線されている両面に導電パターンを有
するフィルムキャリアテープが構成できる。
スト膜２ｆをマスクとして絶縁フィルム１でスズロケッ
トホール７及びデバイスホール９をエツチング除去し形
成し、フォトレジスト膜２ｆを除去してバンブ６を含む
表面に金等の金属層５を電気めっきにより形成する０次
に、電気めっき時に使用しためつき用配線１１の一部を
バンチして設けたバンチ穴１２で切断することにより、
一部のり−ド４ａがスルーホール１４を介して共通電極
１５により互に結線されている両面に導電パターンを有
するフィルムキャリアテープが構成できる。
尚第１の実施例同様、金属層５を無電解めっきにて形成
すればめっき用配線１１及びバンチ穴１２は不要である
。
すればめっき用配線１１及びバンチ穴１２は不要である
。
以上説明したように本発明は耐熱性樹脂からなる絶縁フ
ィルムの表面にエツチングによる凹部を形成し凹部を含
む表面に選択的に設けた第１の金属層に第２の金属層を
めっきしてリードを設ける事によりリード先端にバンプ
を有するフィルムキャリアテーブを形成する事が出来る
０本発明のフィルムキャリアテープは一般的な二層フィ
ルムキャリアテープの製造装置で形成可能であり、この
ため、電気選別を行なうことが可能で、しかもリード上
にバンブを形成するための装置が不要で、しかも複雑な
工程が不要なため低コストで、フィルムキャリアテープ
を提供する事ができる効果がある。
ィルムの表面にエツチングによる凹部を形成し凹部を含
む表面に選択的に設けた第１の金属層に第２の金属層を
めっきしてリードを設ける事によりリード先端にバンプ
を有するフィルムキャリアテーブを形成する事が出来る
０本発明のフィルムキャリアテープは一般的な二層フィ
ルムキャリアテープの製造装置で形成可能であり、この
ため、電気選別を行なうことが可能で、しかもリード上
にバンブを形成するための装置が不要で、しかも複雑な
工程が不要なため低コストで、フィルムキャリアテープ
を提供する事ができる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示したフィルムキャリアテープの部分
断面図及び平面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第
２の実施例を説明するための工程順に示したフィルムキ
ャリアテープの部分断面図及び平面図、第３図（ａ）〜
（ｄ）は従来のフィルムキャリアテープの製造方法を説
明するための工程順に示した部分断面図及び平面図であ
る。 １・・・絶縁フィルム、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ。 ２ｅ、２ｆ、２ｇ・・・フォトレジスト膜、３．４・・
・金属層、４ａ・・・リード、５・・・金属層、６・・
・バンブ、７・・・スプロケットホール、８・・・電気
選別用パッド、９・・・デバイスホール、１０・・・金
属箔、１１・・・めっき用配線、１２・・・パンチ穴、
１３川凹部、１４・・・スルーホール、１５・・・共通
電極。
るための工程順に示したフィルムキャリアテープの部分
断面図及び平面図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第
２の実施例を説明するための工程順に示したフィルムキ
ャリアテープの部分断面図及び平面図、第３図（ａ）〜
（ｄ）は従来のフィルムキャリアテープの製造方法を説
明するための工程順に示した部分断面図及び平面図であ
る。 １・・・絶縁フィルム、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ。 ２ｅ、２ｆ、２ｇ・・・フォトレジスト膜、３．４・・
・金属層、４ａ・・・リード、５・・・金属層、６・・
・バンブ、７・・・スプロケットホール、８・・・電気
選別用パッド、９・・・デバイスホール、１０・・・金
属箔、１１・・・めっき用配線、１２・・・パンチ穴、
１３川凹部、１４・・・スルーホール、１５・・・共通
電極。
Claims (1)
- 耐熱性樹脂からなる絶縁フィルムの表面に選択的に凹部
を形成する工程と、前記凹部を含む前記絶縁フィルムの
表面に無電解めっき法により第１の金属層を形成する工
程と、前記第１の金属層の表面にフォトレジスト膜を形
成してパターニングし、前記フォトレジスト膜をマスク
としてめっき法により前記第１の金属層上に前記凹部の
深さよりも厚い膜厚の第２の金属層を形成してバンプを
有するリード及び電気選別用パッドを形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を除去した後前記第２の金属層を
マスクとして前記第１の金属層をエッチング除去する工
程と、前記絶縁フィルムを選択的にエッチングしてデバ
イスホール及びスプロケットホールを形成する工程とを
含むことを特徴とするフィルムキャリアテープの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33206989A JPH03191542A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | フィルムキャリアテープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33206989A JPH03191542A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | フィルムキャリアテープの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03191542A true JPH03191542A (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=18250800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33206989A Pending JPH03191542A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | フィルムキャリアテープの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03191542A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081058A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置 |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP33206989A patent/JPH03191542A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081058A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置 |
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