JPS6167991A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は多層配線基板の製造方法、特に第２層目の導電
パターンの形成を改良した多層配線基板の製造方法に関
する。

（ロ）従来の技術 従来の多層配線基板の製造方法を第２図（イ）仲）←→
を参照して説明する。

先ず第２図（イ）Ｋ示す如く、絶縁基板αυ上に第１の
導電パターンαａを形成する。絶縁基板ａυとしてはセ
ラミックス等を用い、基板ａυ全全面銅箔を貼着した後
所望のパターンにエツチ７グして形成される。

続いて第２図（ロ）に示す如く、第１の導電パターンα
２を被覆する様に層間絶縁膜Ｑ３１を形成し、所望の第
１の導電パターンａａ上にスルーホールαａを形成して
いる。層間絶縁膜α３としてはポリイミド層あるいは永
久ホトレジスト層等を用いる。

更に第２図（ハ）Ｋ示す如（、層間絶縁層（１３１上に
無　　、電解銅又はニッケルメッキにより第２の導電パ
ターンａ四を形成する。第２の導電パターン（１５１は
スルーホールＩを介して第１の導電パターンα２と接続
され、多層構造を実現する。

なお斯る多層配線基板の製造方法は特願昭５８−１１８
６９７号に開示されている。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 斯十の従来方法では第２の導電パターン（Ｉ四を銅又は
ニッケルの無電界メッキで形成するので、３０μ以上と
十分に厚く形成するには２４時間以上要する欠点があっ
た。

に）問題点を解決するための手段 本発明は斯る欠点に鑑入でなされ、プラズマ溶射を用い
ること罠より短時間に十分な厚みの第２の導電パターン
を形成することにより従来の欠点を改善した。

（ホ）作用 本発明では第２の導電パターンを銅又はニッケルの無電
界メッキで薄く下地を形成後、プラズマ溶射を用いてこ
の下地の上に厚く積み重ねることにより短時間に厚い第
２の導電パターンを実現できる。

（へ）実施例 本発明の第１の工程は第１図（イ）に示す如く、絶縁基
板（１）上に第１の導電パターン（２）を形成すること
にある。絶縁基板（１）としてはセラミックスあるいは
表面を酸化膜で被覆したアルミニウム等を用い、第１の
導電パターン（２）は基板（１）全面に銅箔を貼着した
後所望のパターンにエツチングして形成される。

本発明の第２の工程は第１図（ロ）に示す如く、第１の
導電パターン（２）上に層間絶縁膜（３）を付着するこ
とにある。層間絶縁膜（３）としてホトレジをフィルム
状に加工したドライフィルム層を用い、基板（１）上に
約８０〜１００’Ｃで熱圧着して基板（１）全面に付着
する。このドライフィルム層は永久レジストとして用い
、層間絶縁膜（３）として働く。なお層間絶縁膜（３）
としてポリイミド層等を用いても良い。

本発明の第３の工程は第１図ｅ号に示す如く、層間絶縁
膜（３）にスルーホール（４）を形成することにある。

ドライフィルム層の層間絶縁膜（３）は周知の写真蝕刻
法罠より第１の導電パターン（２）上のスルーホール（
４）を形成する予定部分のドライフィルム層を除去し℃
スルーホール（４）を形成する。本工程では写真蝕刻法
を用いるのでスルーホールの直径は約５０μ程度まで微
細加工ができる。

本発明のＭ４の工程は本発明の最も特徴とする工程であ
り、第１図に）および（ホ）に示す如く第２の導電パタ
ーン（５）を下地となる無電界メッキ層（６）とプラズ
マ溶射による導電積上げ層（７）とで形成することにあ
る。先ず第１図に）で示す如く、第２の導電パターン（
５）を形成する領域を除いて層間絶縁膜（３）表面をポ
リマーあるいはレジスト等の高分子層（８）で被覆する
。続いて銅又はニッケルの無電界メッキを行い、予定の
第２の導電パターン（５）上に約０．５μ厚と薄い下地
となる無電界メッキ層（６）を選択的に付着す°る。更
に斯る基板（１）はプラズマ装置内に載置され、本発明
の特徴とするプラズマ溶射を行う。プラズマ装置内の銅
電極に所定の電圧を゛　　印加すると、銅イオンが発生
し銅粒子として基板（１）表面に付着される。なおこの
銅粒子は前述した下地の無電界メッキ層（６）上に積上
げられ、高分子層（８）上にはそのクッション性のため
に付着されない。このため第１図（ホ）に示す如く、無
電界メッキ層（６）上に選択的に導電積上げ層（７）を
形成でき、約５〜６分間で約３０μ厚の第２の導電パタ
ーン（５）を実現できる。

（ト）発明の効果 本発明の第１の効果は、第２の導電パターン（５）を無
電界メッキ層（６）とプラズマ溶射による導電積上げ層
（７）とで形成できるので、極めて短時間に厚い第２の
導電パターン（５）を実現できる。この結果第２の導電
パターン（５）の断線等を防止できる利点を有する。

本発明のＭ２の効果は、プラズマ溶射の選択的付着を利
用しているので、プラズマ溶射に用いるマスク層は一切
不要であり、極めて簡便な方法で第２の導電パターン（
５）を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（イ）（ロ）（ハ）に）（ホ）は本発明の多層配
線基板の製造方法を説明する断面図、第２図（イ）（ロ
）（ハ）は従来の多層配線基板の製造方法を説明する断
面図である。 （１）は絶縁基板、　（２）は第１の導電パターン、（
３）は層間絶縁膜、　（４）はスルーホール、　（５）
は第２の導電パターン、　（６）は無電界メッキ層、　
（力は導電積上げ層、　（８）は高分子層である。 第１図（ロ）　　　　　　　　３ 第１図（ハ） 第　１　＠（ニ） 第１　図（ホ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板上に第１の導電パターンを形成する工程
   、該第１の導電パターン上に層間絶縁膜を付着する工程
   、前記第１の導電パターン上の層間絶縁膜にスルーホー
   ルを形成する工程、前記層間絶縁膜上に第２の導電パタ
   ーンの下地となる無電界メッキ層を形成した後該無電界
   メッキ層上にプラズマ溶射により選択的に導電材料を付
   着した導電積上げ層とで第２の導電パターンを形成する
   工程とを具備することを特徴とする多層配線基板の製造
   方法。