JPS63186495A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPS63186495A JPS63186495A JP62019072A JP1907287A JPS63186495A JP S63186495 A JPS63186495 A JP S63186495A JP 62019072 A JP62019072 A JP 62019072A JP 1907287 A JP1907287 A JP 1907287A JP S63186495 A JPS63186495 A JP S63186495A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は少なくとも導体層又は抵抗体、あるいは双方
の、４’ＦＩＥ性部が形成され念絶縁性基板上に、めっ
きにより導体層を付加することによシよシ配線密度を高
めた回路基板を形成する方法に関するものである。
の、４’ＦＩＥ性部が形成され念絶縁性基板上に、めっ
きにより導体層を付加することによシよシ配線密度を高
めた回路基板を形成する方法に関するものである。
回路基板上にめっきによシ導体層を形成する方法として
は、基板の全表面に触媒核（）へラジウムが主に使用さ
れる）を吸着させ、しかる後に無電解めっきを施し、あ
るいは引き続いて電気めっきを併用して全面に導体層を
形成した後、該導体、４上に所定のノＳターン伏にレジ
スト層を形成し、エツチングによシ導体パターンを形成
する。（後に、レジストｒ１を除去する。） この方法は、刀うスエポ士シ等の有機系複合基材を用い
た場合は、触媒核吸着前の基材表面処理を適切にすれば
良好な導体の密着力が得られる（例えば、ブラシなどに
より１械的に粗面化する尤しかし、アル三す等のセラミ
ックを基材として用いた場合、同様の手法で導体の密着
力を高めることは難しく、強酸（例えば熱漬リン酸と＋
！８濃硫酸の７ｉｉ液）による表面のエツチングなどの
処理を必要とし、既に導体ｐｉ又は抵抗体、あるいは双
方が形成され九回路基板に適用した場合、導体層、抵抗
体は喘材よりも著しくエツチングされやすい之め、実用
化できない。このため他の方法として特開昭５９−１１
２６８１号公報に示された方法の応用が考えられる。
は、基板の全表面に触媒核（）へラジウムが主に使用さ
れる）を吸着させ、しかる後に無電解めっきを施し、あ
るいは引き続いて電気めっきを併用して全面に導体層を
形成した後、該導体、４上に所定のノＳターン伏にレジ
スト層を形成し、エツチングによシ導体パターンを形成
する。（後に、レジストｒ１を除去する。） この方法は、刀うスエポ士シ等の有機系複合基材を用い
た場合は、触媒核吸着前の基材表面処理を適切にすれば
良好な導体の密着力が得られる（例えば、ブラシなどに
より１械的に粗面化する尤しかし、アル三す等のセラミ
ックを基材として用いた場合、同様の手法で導体の密着
力を高めることは難しく、強酸（例えば熱漬リン酸と＋
！８濃硫酸の７ｉｉ液）による表面のエツチングなどの
処理を必要とし、既に導体ｐｉ又は抵抗体、あるいは双
方が形成され九回路基板に適用した場合、導体層、抵抗
体は喘材よりも著しくエツチングされやすい之め、実用
化できない。このため他の方法として特開昭５９−１１
２６８１号公報に示された方法の応用が考えられる。
第３図は特開昭５９−１１２６８１号公報に示された従
来の回路基板を示す断面図であシ、（１０１） Ｖｉセ
ラミック基板、（１０２）はタングステン導体、（１０
３）は無電解ニッケル膜、 （１０４）は電気パラジウ
ムめっき膜、（１０５）は銀パラジウム膜である。
来の回路基板を示す断面図であシ、（１０１） Ｖｉセ
ラミック基板、（１０２）はタングステン導体、（１０
３）は無電解ニッケル膜、 （１０４）は電気パラジウ
ムめっき膜、（１０５）は銀パラジウム膜である。
次にこの図について説明を加える
まずセラミックのグリーンミート上にタングステン導体
（１０２）を１６００℃にて焼結し念セラミック基板（
１０１）上に無電解ニッケル膜（１０３）と電気パラジ
ウムめっき（１０４）を施し、その上にカラス質を含有
する銀パラジウム膜（１０５）を印刷し、９００℃の酸
化雰囲気で焼成する。この場合に、銀パラジウム膜（１
０５）を所定のパターン状に印刷すれば容易に導体層を
付加することができ、この銀パラジウム膜（１０５）上
に選択的に無電解めっきを析出させれば、めっきによる
付加された導体層を有する配線密度を高めた回路基板を
形成することができる。
（１０２）を１６００℃にて焼結し念セラミック基板（
１０１）上に無電解ニッケル膜（１０３）と電気パラジ
ウムめっき（１０４）を施し、その上にカラス質を含有
する銀パラジウム膜（１０５）を印刷し、９００℃の酸
化雰囲気で焼成する。この場合に、銀パラジウム膜（１
０５）を所定のパターン状に印刷すれば容易に導体層を
付加することができ、この銀パラジウム膜（１０５）上
に選択的に無電解めっきを析出させれば、めっきによる
付加された導体層を有する配線密度を高めた回路基板を
形成することができる。
しかし、この方法では銀パラジウムなどの貴金属を用い
るため高価なものとなってしまう。この点を解消するた
めに、銀パラジウムの代わりに鋼、ニッケルなどの卑金
属を用いることも試みられているが、酸化されると導通
がとれなくなったりする九め非酸化雰囲気での焼成が必
要となるなどの問題が残る。さらには、これらの導体は
、ペーストのスクリーン印刷によ多形成し、焼成後この
上に無電解めっきを施すようにしたため、付加するパタ
ーンの精度はスクリーン印刷の精度で限定されてしまう
。このため配線密度も高くできないという問題点がある
。
るため高価なものとなってしまう。この点を解消するた
めに、銀パラジウムの代わりに鋼、ニッケルなどの卑金
属を用いることも試みられているが、酸化されると導通
がとれなくなったりする九め非酸化雰囲気での焼成が必
要となるなどの問題が残る。さらには、これらの導体は
、ペーストのスクリーン印刷によ多形成し、焼成後この
上に無電解めっきを施すようにしたため、付加するパタ
ーンの精度はスクリーン印刷の精度で限定されてしまう
。このため配線密度も高くできないという問題点がある
。
この発明は上記のような問題点を解消するために為され
たもので、回路基板上に形成されている導体層又は抵抗
体あるいは双方の導電性部と電気的に接読し、かつ高清
度で微細なパターンを有するめっきによる導体層を付加
した配線密度の高い回路基板形成技術を提供することを
目的としている。
たもので、回路基板上に形成されている導体層又は抵抗
体あるいは双方の導電性部と電気的に接読し、かつ高清
度で微細なパターンを有するめっきによる導体層を付加
した配線密度の高い回路基板形成技術を提供することを
目的としている。
この発明の回路基板の製造方法は、絶縁性基板上及びこ
の絶縁性基板に形成され念導１性部に、ガラス成分と無
電解めっきに対する触媒作用を有する金属成分を含む活
性１を形成する工程、並びにこの活性層上に無電解めっ
きをし導体層を形成する工程を施して、上記導電性部と
導体層との間の活性層を導電性にし上記絶縁性基板上の
活性層を絶縁性とするものである。
の絶縁性基板に形成され念導１性部に、ガラス成分と無
電解めっきに対する触媒作用を有する金属成分を含む活
性１を形成する工程、並びにこの活性層上に無電解めっ
きをし導体層を形成する工程を施して、上記導電性部と
導体層との間の活性層を導電性にし上記絶縁性基板上の
活性層を絶縁性とするものである。
この発明においては導体層形成後、導？Ｉ性部と導体層
との間の活性層が導電性（重なシ面積当シ５０ｍΩ／−
以下）となシ両者間を電気的に接続する。
との間の活性層が導電性（重なシ面積当シ５０ｍΩ／−
以下）となシ両者間を電気的に接続する。
ところが一方絶縁性基板上の活性層は絶縁性（導体間隔
０．１１で１０１３０以上の絶縁抵抗）であシ、絶縁性
基板上分離独立して形成された導体層間を電気的に絶縁
する。また、導体層は写真製版法を適用して形成できる
ので配線の微細化ができる。
０．１１で１０１３０以上の絶縁抵抗）であシ、絶縁性
基板上分離独立して形成された導体層間を電気的に絶縁
する。また、導体層は写真製版法を適用して形成できる
ので配線の微細化ができる。
以下この発明の一実施例による回路基板を図について説
明する。
明する。
第１図の断面図においてｍは絶縁性基板でこの場合はア
ルミナセラミック基板、（２）はアルミナセラミック基
板＋１）上に形成された導電性部でこの場合は下地導体
の銀パラジウム導体）１１、（３）は基板（１）の全面
に形成され九活性層でこの場合はカラス成分の低融点カ
ラス粉末と無電解めっきに対する触媒作用を有する金属
成分のパラジウム金属粉末を主成分とする活性ペースト
（奥野製薬■＋セタペースト６（ＩＰ−３７３０）をス
クリーン印刷し、６００℃で焼成し念。（４）は所定の
パターン状に活性Ｒ（３）上に形成しためつきしシスト
層で、この場合写真製版法によυ形成した。（６）（６
）（７）は活性層（３）上に析出した無電解めっき層の
導体層で、この場合めっきレジスト層（４）から露出し
た活性層（３）上のみに選択的に析出させた。＋５１
（６１（７１はそれぞれ平面的には分離独立したパター
ンとする。
ルミナセラミック基板、（２）はアルミナセラミック基
板＋１）上に形成された導電性部でこの場合は下地導体
の銀パラジウム導体）１１、（３）は基板（１）の全面
に形成され九活性層でこの場合はカラス成分の低融点カ
ラス粉末と無電解めっきに対する触媒作用を有する金属
成分のパラジウム金属粉末を主成分とする活性ペースト
（奥野製薬■＋セタペースト６（ＩＰ−３７３０）をス
クリーン印刷し、６００℃で焼成し念。（４）は所定の
パターン状に活性Ｒ（３）上に形成しためつきしシスト
層で、この場合写真製版法によυ形成した。（６）（６
）（７）は活性層（３）上に析出した無電解めっき層の
導体層で、この場合めっきレジスト層（４）から露出し
た活性層（３）上のみに選択的に析出させた。＋５１
（６１（７１はそれぞれ平面的には分離独立したパター
ンとする。
まずアルミナセラミック基板＋１１上に、銀パラジウム
厚膜導体ペーストをスクリーン印刷し、８５０℃で焼成
し、銀パラジウム導体層（２）を形成する。
厚膜導体ペーストをスクリーン印刷し、８５０℃で焼成
し、銀パラジウム導体層（２）を形成する。
次に、この基板の全面に活性化層を形成する。次に、こ
の基板の全面に感光性を有するレジストを塗布、乾燥し
、所定のフォトマスクを用いて露光し、現像、硬化する
ことによシめつきレジスト層（４）を得る。続いて、こ
の基板ｆｔ）を無電解めっき浴中に浸漬して、露出した
活性層（３）上のみにめっきを析出させる。
の基板の全面に感光性を有するレジストを塗布、乾燥し
、所定のフォトマスクを用いて露光し、現像、硬化する
ことによシめつきレジスト層（４）を得る。続いて、こ
の基板ｆｔ）を無電解めっき浴中に浸漬して、露出した
活性層（３）上のみにめっきを析出させる。
この様に構成することにより、活性Ｉ蕾（３）はそれ自
体電気的絶縁物であるにもかかわらず、多孔質でかつ下
地の銀パラジウム導体層（２）と若干の拡散層を形成す
るために、該銀パラジウム導体層（２）と無電解めつき
層（５）間の活性、’！［３１は導電性（重なり面積当
り５０ｍΩ／ＭＪ以下）となり両者は電気的に接続され
る。また、一方基板ｔｌｌ上の活性１４＋３）は絶縁性
（４体間隔０．１ｍｍで１０１３０以上の絶縁抵抗）と
なυ無、＝［解めつき層ｔｅｌ ：ｆｔｌ （Ｔ）はそ
れぞれ電気的に絶縁されることは言うまでもない。この
ため、一連の工程で下地導体層とも接続でき、かつお互
いには絶縁されためつきによる導体パターンが写真製版
法によるレジスト層の精度で形成できるため、極めて配
線密度の高い回路基板を容易に形成できる。
体電気的絶縁物であるにもかかわらず、多孔質でかつ下
地の銀パラジウム導体層（２）と若干の拡散層を形成す
るために、該銀パラジウム導体層（２）と無電解めつき
層（５）間の活性、’！［３１は導電性（重なり面積当
り５０ｍΩ／ＭＪ以下）となり両者は電気的に接続され
る。また、一方基板ｔｌｌ上の活性１４＋３）は絶縁性
（４体間隔０．１ｍｍで１０１３０以上の絶縁抵抗）と
なυ無、＝［解めつき層ｔｅｌ ：ｆｔｌ （Ｔ）はそ
れぞれ電気的に絶縁されることは言うまでもない。この
ため、一連の工程で下地導体層とも接続でき、かつお互
いには絶縁されためつきによる導体パターンが写真製版
法によるレジスト層の精度で形成できるため、極めて配
線密度の高い回路基板を容易に形成できる。
この発明に係わる活性ペーストは、例えば、カラス粉末
、無電解めっきに対する触媒作用を有する金属成分とし
てパラジウム粉末、アルミナ粉末。
、無電解めっきに対する触媒作用を有する金属成分とし
てパラジウム粉末、アルミナ粉末。
有機溶剤、及び樹脂を含んでおり、うちパラジウム粉末
Ｈ０，５重量％含まれている。この活性ペーストを塗布
し、４００〜９００℃で焼成して活性層を得るが、焼成
により有機溶剤及び樹脂はとんでしまうので焼成後の活
性層にはパラジウムが１重量％含まれている。焼成温度
は４００℃以下では導電性が得られず、９００℃以上で
は他の回路要素式悪影響を及ぼすようになるので好まし
くない。
Ｈ０，５重量％含まれている。この活性ペーストを塗布
し、４００〜９００℃で焼成して活性層を得るが、焼成
により有機溶剤及び樹脂はとんでしまうので焼成後の活
性層にはパラジウムが１重量％含まれている。焼成温度
は４００℃以下では導電性が得られず、９００℃以上で
は他の回路要素式悪影響を及ぼすようになるので好まし
くない。
さらに、従来例のように銀やパラジウム、金等の高＋ｔ
ｌ［ｉで資源希少な貴金属は触媒として例えばパラジウ
ムを極めて少量使用するのみなので、安価にできること
は言うまでもない。
ｌ［ｉで資源希少な貴金属は触媒として例えばパラジウ
ムを極めて少量使用するのみなので、安価にできること
は言うまでもない。
無電解めっきとしては、Ｘ１！解ニツケルめっき、無省
解銅めつきなどが使用でき、無電解鋼めっきを用いれば
、銅導体の低抵抗、耐マイクレージョン性などの良好な
特性を活用できる。
解銅めつきなどが使用でき、無電解鋼めっきを用いれば
、銅導体の低抵抗、耐マイクレージョン性などの良好な
特性を活用できる。
なお、この発明において導電性部とは、下地導体、抵抗
体、配線等のことである。また従来、この発明に係わる
活性層は絶縁物上に設けられてお）、導電性部のあるも
のには適用されていなかった。本発明者はこの導電性部
上の活性層に導体層を形成すると両者間の活性層が導電
性となシ両者間を電気的に接続することを見い出し、こ
の発明をなしたものである。
体、配線等のことである。また従来、この発明に係わる
活性層は絶縁物上に設けられてお）、導電性部のあるも
のには適用されていなかった。本発明者はこの導電性部
上の活性層に導体層を形成すると両者間の活性層が導電
性となシ両者間を電気的に接続することを見い出し、こ
の発明をなしたものである。
この発明の他の実施例を第２図の断面図に示す。
図において（１０）は導電性部のひとつの厚膜抵抗体で
、この場合酸化ルチニウム系に膜抵抗ペーストを印刷し
、最高温度８５０℃で焼成したもので、他は第１図と同
様である。厚膜抵抗体（１０）は他の導電性部の銀パラ
ジウム導体層（２）形成後に形成する。
、この場合酸化ルチニウム系に膜抵抗ペーストを印刷し
、最高温度８５０℃で焼成したもので、他は第１図と同
様である。厚膜抵抗体（１０）は他の導電性部の銀パラ
ジウム導体層（２）形成後に形成する。
この様に構成することによシ、厚膜抵抗体叫とめっき層
（５）間の活性層を導電性とし両者を電気的に接続でき
るとともに、厚膜抵抗体（１０１上の活性層（３）で、
めっきしシスト層（４）で被覆されたものは絶縁物とし
てしか作用せず、厚膜抵抗体（ｌＯ）の特性に悪影響を
与えない。
（５）間の活性層を導電性とし両者を電気的に接続でき
るとともに、厚膜抵抗体（１０１上の活性層（３）で、
めっきしシスト層（４）で被覆されたものは絶縁物とし
てしか作用せず、厚膜抵抗体（ｌＯ）の特性に悪影響を
与えない。
活性層としては、ガラスを主成分としアルミナ粉末、有
機溶剤、樹脂を含むペーストをスクリーン印刷し、焼成
することによυ多孔質でかつ表面に磯細な凹凸を有する
絶縁層を形成し、この絶縁層上に無電Ｊめっきに対する
触媒作用を有する金属成分例えばパラジウムを触媒核と
して１重量％以下塗布し吸着させたものを用りても同様
の効果を奏する。
機溶剤、樹脂を含むペーストをスクリーン印刷し、焼成
することによυ多孔質でかつ表面に磯細な凹凸を有する
絶縁層を形成し、この絶縁層上に無電Ｊめっきに対する
触媒作用を有する金属成分例えばパラジウムを触媒核と
して１重量％以下塗布し吸着させたものを用りても同様
の効果を奏する。
下地導体とＩうては、銀ノルラジウムについて述べてき
たが、この也にも白金パラジウム、銅などの厚膜導体、
タンジステン、七りづヂンーマンガン等の高融点卑金属
による導体あるいはこれらの上にめっきが為されたもの
など各種導体に適用できる。
たが、この也にも白金パラジウム、銅などの厚膜導体、
タンジステン、七りづヂンーマンガン等の高融点卑金属
による導体あるいはこれらの上にめっきが為されたもの
など各種導体に適用できる。
サラニは、めっき層のＪＳターン形成法は、活性層上全
面にめっき層を形成した後、エツチングレジスト層を形
成し、後にエツチングによシバターン形成しても良い。
面にめっき層を形成した後、エツチングレジスト層を形
成し、後にエツチングによシバターン形成しても良い。
以上のように、この発明によれば絶縁性基板上及びこの
絶縁性基板に形成され念導電性部に、ガラス成分と無電
解めっきに対する触媒作用を有する金属成分を含む活性
層を形成する工程、並びにこの活性層上に無電解めっき
をし導体層を形成する工程を施して、上記導電性部と導
体層との間の活性層を導電性にし上記絶縁性基板上の活
性層を絶縁性とすることによシ、高価で資源希少な貴金
属の使用を極めて小量に抑えられ、写真製版法により導
体層を形成できるので、配線密度の高い回路基板を容易
かつ安価に形成できる効果がある。
絶縁性基板に形成され念導電性部に、ガラス成分と無電
解めっきに対する触媒作用を有する金属成分を含む活性
層を形成する工程、並びにこの活性層上に無電解めっき
をし導体層を形成する工程を施して、上記導電性部と導
体層との間の活性層を導電性にし上記絶縁性基板上の活
性層を絶縁性とすることによシ、高価で資源希少な貴金
属の使用を極めて小量に抑えられ、写真製版法により導
体層を形成できるので、配線密度の高い回路基板を容易
かつ安価に形成できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による回路基板を示す断面
図、第２図はこの発明の他の実施例による回路基板を示
す断面図、第３図は従来の回路基板を示す断面図である
。 ＋ｌ）・・・絶縁性基板、（２）・・・導電性部（下地
導体層）、（３）・・・活性層、＋５１ ＋６１ （７
１・・・導体層（無電解めっき層）、（６）・・・導電
性部（厚膜抵抗体） なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代１人 大台増進 第１図 り 第３図 手続補正書（自発） 昭和 ６２年 ７ 月ＩＱ Ｂ ２、発明の名称 回路基板の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者志岐守哉 ４、代理人 血′−ゝ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、 補正の内容 （１）明細書の第７頁第１９行の「形成するために、該
銀パラジウム」を「形成し、該活性層上に無電解めっき
を施すことにより、該銀パラジウム」に訂正する。 （２）同第９頁第８行の「良好な」を「良好な」に訂正
する。 以上
図、第２図はこの発明の他の実施例による回路基板を示
す断面図、第３図は従来の回路基板を示す断面図である
。 ＋ｌ）・・・絶縁性基板、（２）・・・導電性部（下地
導体層）、（３）・・・活性層、＋５１ ＋６１ （７
１・・・導体層（無電解めっき層）、（６）・・・導電
性部（厚膜抵抗体） なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代１人 大台増進 第１図 り 第３図 手続補正書（自発） 昭和 ６２年 ７ 月ＩＱ Ｂ ２、発明の名称 回路基板の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者志岐守哉 ４、代理人 血′−ゝ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、 補正の内容 （１）明細書の第７頁第１９行の「形成するために、該
銀パラジウム」を「形成し、該活性層上に無電解めっき
を施すことにより、該銀パラジウム」に訂正する。 （２）同第９頁第８行の「良好な」を「良好な」に訂正
する。 以上
Claims (3)
- （１）絶縁性基板上及びこの絶縁性基板に形成された
導電性部に、ガラス成分と無電解めつきに対する触媒作
用を有する金属成分を含む活性層を形成する工程、並び
にこの活性層上に無電解めつきをし導体層を形成する工
程を施して、上記導電性部と導体層との間の活性層を導
電性にし上記絶縁性基板上の活性層を絶縁性とする回路
基板の製造方法。 - （２）活性層はガラス成分と無電解めつきに対する触
媒作用を有する金属成分を含む活性ペーストを塗布し４
００〜９００℃で焼成して形成する特許請求の範囲第１
項記載の回路基板の製造方法。 - （３）活性層はガラス成分で多孔質な絶縁層を形成し
た後、この絶縁層に無電解めつきに対する触媒作用を有
する金属成分を吸着させて形成する特許請求の範囲第１
項記載の回路基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62019072A JPS63186495A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 回路基板の製造方法 |
| US07/224,175 US4898805A (en) | 1987-01-29 | 1988-07-25 | Method for fabricating hybrid integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62019072A JPS63186495A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63186495A true JPS63186495A (ja) | 1988-08-02 |
Family
ID=11989228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62019072A Pending JPS63186495A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4898805A (ja) |
| JP (1) | JPS63186495A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004032706A1 (de) | 2004-07-06 | 2006-02-02 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements und das Bauelement |
| CA2883123C (en) * | 2012-09-21 | 2020-06-02 | Nitto Denko Corporation | Support body for transdermal patch or transdermal preparation, and transdermal patch and transdermal preparation using same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4150995A (en) * | 1977-11-23 | 1979-04-24 | Okuno Chemical Industry Co., Ltd. | Vitreous enamel composition containing palladium powder |
| US4487811A (en) * | 1980-12-29 | 1984-12-11 | General Electric Company | Electrical conductor |
| JPS59112681A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-29 | 株式会社日立製作所 | セラミツク回路基板 |
| US4685203A (en) * | 1983-09-13 | 1987-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Hybrid integrated circuit substrate and method of manufacturing the same |
| JPS60113993A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-20 | 三菱電機株式会社 | 多層回路基板の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP62019072A patent/JPS63186495A/ja active Pending
-
1988
- 1988-07-25 US US07/224,175 patent/US4898805A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4898805A (en) | 1990-02-06 |
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