JPS634360B2 - - Google Patents
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- JPS634360B2 JPS634360B2 JP15153279A JP15153279A JPS634360B2 JP S634360 B2 JPS634360 B2 JP S634360B2 JP 15153279 A JP15153279 A JP 15153279A JP 15153279 A JP15153279 A JP 15153279A JP S634360 B2 JPS634360 B2 JP S634360B2
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- thin film
- titanium
- photoresist mask
- noble metal
- aluminum thin
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多層配線基板の製造方法に関する。
多層配線基板の導体層間の接続などのために配
線層の一部の膜厚を増加させる必要が生じること
があるが、最近では配線基板の高密度化が進んで
いるために、高精度および微細パターン化の点で
有利な薄膜プロセスを用いて配線層の膜厚増加を
行なうのが一般的である。
線層の一部の膜厚を増加させる必要が生じること
があるが、最近では配線基板の高密度化が進んで
いるために、高精度および微細パターン化の点で
有利な薄膜プロセスを用いて配線層の膜厚増加を
行なうのが一般的である。
従来、薄膜プロセスによる膜厚増加法として
は、第１図から第４図までに示すようなものがあ
る。すなわち、基板１０の上に形成された複数個
の電気的に独立した配線１２を薄膜１４で被覆
し、電気的に一体化したあと、フオトレジストマ
スク１６を圧着させて積層したあとで、所望の部
分に露光現像処理で開口部を作り、配線１２と薄
膜１４とを一方の電極として電解金めつきを行な
い、フオトレジストマスクの開口部に相当する部
分の配線の膜厚を増加させる。このあと、フオト
レジストマスク１６を除去し、膜厚増加部分１８
をエツチングレジストとして前にめつき下地とし
て用いた薄膜１４をエツチングで除去する。
は、第１図から第４図までに示すようなものがあ
る。すなわち、基板１０の上に形成された複数個
の電気的に独立した配線１２を薄膜１４で被覆
し、電気的に一体化したあと、フオトレジストマ
スク１６を圧着させて積層したあとで、所望の部
分に露光現像処理で開口部を作り、配線１２と薄
膜１４とを一方の電極として電解金めつきを行な
い、フオトレジストマスクの開口部に相当する部
分の配線の膜厚を増加させる。このあと、フオト
レジストマスク１６を除去し、膜厚増加部分１８
をエツチングレジストとして前にめつき下地とし
て用いた薄膜１４をエツチングで除去する。
次に、第５図から第８図に示すような方法もあ
る。すなわち、基板２０の上に薄膜プロセスで導
体配線層２２を作る場合に、そのめつき下地２４
をエツチングせずに残しておき、フオトレジスト
マスク２６を圧着させて積層し、所望の部分に露
光現像処理で開口部を作り、この開口部から露出
している配線２２の領域の膜厚を電解金めつきで
増加させ（膜厚増加部分は２８で示す）めつき下
地２４の不要部分をエツチング除去する。
る。すなわち、基板２０の上に薄膜プロセスで導
体配線層２２を作る場合に、そのめつき下地２４
をエツチングせずに残しておき、フオトレジスト
マスク２６を圧着させて積層し、所望の部分に露
光現像処理で開口部を作り、この開口部から露出
している配線２２の領域の膜厚を電解金めつきで
増加させ（膜厚増加部分は２８で示す）めつき下
地２４の不要部分をエツチング除去する。
これらの方法にはめつき下地をエツチングする
ときにサイドエツチングによるパターンの密着不
良を生じる可能性が大きく、エツチング条件の管
理を非常に厳密に行なわねばならないという欠点
がある。
ときにサイドエツチングによるパターンの密着不
良を生じる可能性が大きく、エツチング条件の管
理を非常に厳密に行なわねばならないという欠点
がある。
本発明の目的は上述の欠点を解決した多層配線
基板の製造方法を提供することにある。
基板の製造方法を提供することにある。
本発明の製造方法は、耐熱基板上に形成された
電気的に独立した複数個の貴金属配線を電気的に
一体化するように卑金属薄膜で被覆する第１の工
程と、 前記卑金属薄膜をフオトレジストマスクで被覆
し露光現像処理により前記貴金属配線を覆うフオ
トレジストマスクの一部に開口部を作る第２の工
程と、 前記開口部から露出した領域の卑金属薄膜をエ
ツチング除去し該卑金属薄膜の下にある貴金属配
線を露出させる第３の工程と、 前記卑金属薄膜と貴金属配線とを一方の電極と
して前記フオトレジストマスク開口部から露出し
ている領域の貴金属配線上に電解金めつきを施し
所定の厚さに形成する第４の工程と、 この第４の工程で形成された耐熱基板を炉に入
れ前記フオトレジストマスクを焼却除去すると同
時に前記卑金属薄膜を酸化して絶縁物にする第５
の工程とを少なくとも１回有することを特徴とす
る。
電気的に独立した複数個の貴金属配線を電気的に
一体化するように卑金属薄膜で被覆する第１の工
程と、 前記卑金属薄膜をフオトレジストマスクで被覆
し露光現像処理により前記貴金属配線を覆うフオ
トレジストマスクの一部に開口部を作る第２の工
程と、 前記開口部から露出した領域の卑金属薄膜をエ
ツチング除去し該卑金属薄膜の下にある貴金属配
線を露出させる第３の工程と、 前記卑金属薄膜と貴金属配線とを一方の電極と
して前記フオトレジストマスク開口部から露出し
ている領域の貴金属配線上に電解金めつきを施し
所定の厚さに形成する第４の工程と、 この第４の工程で形成された耐熱基板を炉に入
れ前記フオトレジストマスクを焼却除去すると同
時に前記卑金属薄膜を酸化して絶縁物にする第５
の工程とを少なくとも１回有することを特徴とす
る。
本発明の特徴は、電気的に独立した個々の配線
を一枚の卑金属薄膜で連結して一体化し電解金め
つきの一方の電極として配線の膜厚を選択的に増
加させたあと、酸素雰囲気で高温加熱することに
より、卑金属薄膜を絶縁物に変換して個々の配線
を再び電気的に独立させることにある。
を一枚の卑金属薄膜で連結して一体化し電解金め
つきの一方の電極として配線の膜厚を選択的に増
加させたあと、酸素雰囲気で高温加熱することに
より、卑金属薄膜を絶縁物に変換して個々の配線
を再び電気的に独立させることにある。
次に本発明の一実施例について第９図から第１
３図を参照して詳細に説明する。
３図を参照して詳細に説明する。
第９図はセラミツク基板３０上に選択金めつき
法により形成された金の配線層３２の一部の膜厚
を増加させて、これを多層配線における層間接続
のための導体とする例を示す。まず、基板の表面
をD.C.マグネトロンスパツタによるチタンの薄膜
３４で被覆する。この場合、薄膜としてはチタン
に限らず銅およびアルミなど容易に酸化して絶縁
物になる卑金属を適用することが可能である。次
に、この薄膜を第１０図に示すようにフオトレジ
ストマスク３６で被覆し、露光現像処理を施して
フオトレジストマスク３６に開口部を作り、この
開口部から露出したチタンの薄膜３４をフツ酸、
硝酸およびヨウ素を主成分とするエツチヤントで
エツチング除去し、その下にある金の配線層３２
を露出させる。この露出個所に電解金めつきによ
り第１１図に示すように、新たに金の導体層３８
を配線層３２に付加することにより、配線層の膜
厚を増加させる。
法により形成された金の配線層３２の一部の膜厚
を増加させて、これを多層配線における層間接続
のための導体とする例を示す。まず、基板の表面
をD.C.マグネトロンスパツタによるチタンの薄膜
３４で被覆する。この場合、薄膜としてはチタン
に限らず銅およびアルミなど容易に酸化して絶縁
物になる卑金属を適用することが可能である。次
に、この薄膜を第１０図に示すようにフオトレジ
ストマスク３６で被覆し、露光現像処理を施して
フオトレジストマスク３６に開口部を作り、この
開口部から露出したチタンの薄膜３４をフツ酸、
硝酸およびヨウ素を主成分とするエツチヤントで
エツチング除去し、その下にある金の配線層３２
を露出させる。この露出個所に電解金めつきによ
り第１１図に示すように、新たに金の導体層３８
を配線層３２に付加することにより、配線層の膜
厚を増加させる。
本実施例では、フオトレジストマスクとしてデ
ユポン社からリストンT1015なる登録商標名で販
売されているドライフイルムを用いている。
ユポン社からリストンT1015なる登録商標名で販
売されているドライフイルムを用いている。
次にこの基板をピーク温度930℃の酸素雰囲気
のベルト式焼成炉に介して、第１２図に示すよう
に、フオトレジストマスクを焼却除去し、薄膜３
４を酸化チタンに変換する。本実施例では、チタ
ン薄膜の膜厚は1000Å（オングストローム）であ
るが、この膜厚がもつと厚い場合、または、炉の
温度がもつと低い場合には、薄膜の酸化が不十分
で配線間で薄膜を介してシヨートが起こる可能性
もある。
のベルト式焼成炉に介して、第１２図に示すよう
に、フオトレジストマスクを焼却除去し、薄膜３
４を酸化チタンに変換する。本実施例では、チタ
ン薄膜の膜厚は1000Å（オングストローム）であ
るが、この膜厚がもつと厚い場合、または、炉の
温度がもつと低い場合には、薄膜の酸化が不十分
で配線間で薄膜を介してシヨートが起こる可能性
もある。
なお、本実施例では、配線層には金を用いてい
るが、これを他の酸化しにくい金属、例えば、白
金などの貴金属を用いることも可能である。
るが、これを他の酸化しにくい金属、例えば、白
金などの貴金属を用いることも可能である。
配線層の膜厚の増加は第１２図に示す動作で完
了しているが、さらに第１３図に示すように、こ
の基板表面を絶縁膜４０で被覆し、さらに、この
絶縁膜４０上に配線層４２を形成してもよい。
了しているが、さらに第１３図に示すように、こ
の基板表面を絶縁膜４０で被覆し、さらに、この
絶縁膜４０上に配線層４２を形成してもよい。
本発明には、配線層にサイドエツチングのない
基板と配線層の接着力を強固にできるという効果
がある。
基板と配線層の接着力を強固にできるという効果
がある。
第１図から第４図までは、従来の第１の例を示
す図、第５図から第８図までは、従来の第２の例
を示す図および第９図から第１３図は本発明の一
実施例を示す図である。 第１図から第１３図において、１０，２０，３
０……セラミツク基板、１２，２２，３２，４２
……配線層、１４，２４，３４……金属薄膜、１
６，２６，３６……フオトレジストマスク、１
８，２８，３８……金めつきによる付加導体層、
４０……絶縁層。
す図、第５図から第８図までは、従来の第２の例
を示す図および第９図から第１３図は本発明の一
実施例を示す図である。 第１図から第１３図において、１０，２０，３
０……セラミツク基板、１２，２２，３２，４２
……配線層、１４，２４，３４……金属薄膜、１
６，２６，３６……フオトレジストマスク、１
８，２８，３８……金めつきによる付加導体層、
４０……絶縁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 耐熱基板上に形成された電気的に独立した複
数個の貴金属配線を電気的に一体化するようにチ
タンまたはアルミニウム薄膜で被覆する第１の工
程と、 前記チタンまたはアルミニウム薄膜をフオトレ
ジストマスクで被覆し露光現像処理により前記貴
金属配線を覆うフオトレジストマスクの一部に開
口部を作る第２の工程と、 前記開口部から露出した領域のチタンまたはア
ルミニウム薄膜をエツチング除去し該チタンまた
はアルミニウム薄膜の下にある貴金属配線を露出
させる第３の工程と、 前記チタンまたはアルミニウム薄膜と貴金属配
線とを一方の電極として前記フオトレジストマス
ク開口部から露出している領域の貴金属配線上に
電解金めつきを施し所定の厚さに形成する第４の
工程と、 この第４の工程で形成された耐熱基板を炉に入
れ前記フオトレジストマスクを焼却除去すると同
時に前記チタンまたはアルミニウム薄膜を酸化し
て絶縁物にする第５の工程とを少なくとも１回有
することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15153279A JPS5674995A (en) | 1979-11-22 | 1979-11-22 | Method of fabricating multilyaer circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15153279A JPS5674995A (en) | 1979-11-22 | 1979-11-22 | Method of fabricating multilyaer circuit board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5674995A JPS5674995A (en) | 1981-06-20 |
| JPS634360B2 true JPS634360B2 (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15520566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15153279A Granted JPS5674995A (en) | 1979-11-22 | 1979-11-22 | Method of fabricating multilyaer circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5674995A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58128797A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-08-01 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク基板の製造方法 |
-
1979
- 1979-11-22 JP JP15153279A patent/JPS5674995A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5674995A (en) | 1981-06-20 |
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