JPS59107769A - 半田流れ防止域の形成方法 - Google Patents
半田流れ防止域の形成方法Info
- Publication number
- JPS59107769A JPS59107769A JP21645082A JP21645082A JPS59107769A JP S59107769 A JPS59107769 A JP S59107769A JP 21645082 A JP21645082 A JP 21645082A JP 21645082 A JP21645082 A JP 21645082A JP S59107769 A JPS59107769 A JP S59107769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solder flow
- area
- pattern
- flow prevention
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は半田流れ防止域の形成方法、特にニクロム−余
積層構造になる電極の表面に、他種金属等をパターン形
成させることなく、半田流れ防止域を形成させる方法に
関する。
積層構造になる電極の表面に、他種金属等をパターン形
成させることなく、半田流れ防止域を形成させる方法に
関する。
（ｂ） 技術の背景
薄膜混成集積回路において、セラミックチップコンデン
サ等の個別回路素子や外部リード端子を半田付けするた
め基板の表面に形成される電極は、ニクロム−金の積層
構造が一般的である。そして、前記半田付けするとき溶
融半田が電極表面に広く拡がらないようする、及び電極
の金層と融着半田との拡散の拡がりを抑止するため、半
田付領域の周囲に半田流れ防止域を形成する必要がある
。
サ等の個別回路素子や外部リード端子を半田付けするた
め基板の表面に形成される電極は、ニクロム−金の積層
構造が一般的である。そして、前記半田付けするとき溶
融半田が電極表面に広く拡がらないようする、及び電極
の金層と融着半田との拡散の拡がりを抑止するため、半
田付領域の周囲に半田流れ防止域を形成する必要がある
。
ＦＣ） 従来技術と問題点
第１図は従来方法により半田流れ防止域が形成された薄
膜混成集積回路の一部を示す側断面図であり、グレーズ
ドアルミナ基板又はアルミナ基板１の表面にニクロム層
２と金層３とを積層した電極を形成し、金層３の所定表
面（半田流れ防止域形成部）に半田流れ防止層４が形成
されている。
膜混成集積回路の一部を示す側断面図であり、グレーズ
ドアルミナ基板又はアルミナ基板１の表面にニクロム層
２と金層３とを積層した電極を形成し、金層３の所定表
面（半田流れ防止域形成部）に半田流れ防止層４が形成
されている。
そして、金層３の表面左端部に外部リード端子５を半田
６で接続したとき、半田流れ防止層４は溶融半田の拡が
りを抑止することになる。
６で接続したとき、半田流れ防止層４は溶融半田の拡が
りを抑止することになる。
このような半田流れ防止層４は、従来、溶融半田のぬれ
性が悪いニッケルやポリイミド等で形成されており、そ
のため例えばニッケル膜の被着。
性が悪いニッケルやポリイミド等で形成されており、そ
のため例えばニッケル膜の被着。
フォトレジストのパターン形成、ニッケル膜のエツチン
グ、レジストパターンの除去の如き独立工程を必要とし
た。
グ、レジストパターンの除去の如き独立工程を必要とし
た。
（ｄ） 発明の目的
本発明の目的は、電極の金層を利用し従来より簡易な工
程で半田流れ防止域を形成することである０ （ｅ） 発明の構成 上記目的は、熱処理にて電極金層の表面にニクロムを析
出、酸化させ、半田流れ防止域を形成させることを特徴
とした半田流れ防止域の形成方法により達成される。
程で半田流れ防止域を形成することである０ （ｅ） 発明の構成 上記目的は、熱処理にて電極金層の表面にニクロムを析
出、酸化させ、半田流れ防止域を形成させることを特徴
とした半田流れ防止域の形成方法により達成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下、第２図と第３図を用いて本発明の一実施例を説明
する。
する。
第２図（イ）〜に）は本発明方法により薄膜混成集積回
路の電極上に半田流れ防止域を形成する主要工程を順次
説明するための側断面図、第３図は前記電極の端部に外
部リード端子を半田付けした側断面図である。
路の電極上に半田流れ防止域を形成する主要工程を順次
説明するための側断面図、第３図は前記電極の端部に外
部リード端子を半田付けした側断面図である。
第２図（イ）において、グレーズドアルミナ基板又はア
ルミナ基板１１の表面にニクロム層１２と金層１３とを
積層した電極を形成し、金層１３の所定表面（半田流れ
防止域形成部）にレジストパターン１７を形成する。た
だしレジストパターン１７は、後述する熱処理に耐える
と共をこパターン１７の下方金層部分が酸化可能なもの
とし、広く一般に使用されているフォトレジスト材料を
用いることができる。
ルミナ基板１１の表面にニクロム層１２と金層１３とを
積層した電極を形成し、金層１３の所定表面（半田流れ
防止域形成部）にレジストパターン１７を形成する。た
だしレジストパターン１７は、後述する熱処理に耐える
と共をこパターン１７の下方金層部分が酸化可能なもの
とし、広く一般に使用されているフォトレジスト材料を
用いることができる。
第２図（ロ）において、例えば約３００℃の炉中で５時
間の熱処理を施し、金層１３の表層にニクロムの酸化層
１８を形成する。ただし前記処理は、レジスタパターン
１７の下部となり露呈部より酸化が遅れる金層部分にも
、酸化層が形成される条件で行う。
間の熱処理を施し、金層１３の表層にニクロムの酸化層
１８を形成する。ただし前記処理は、レジスタパターン
１７の下部となり露呈部より酸化が遅れる金層部分にも
、酸化層が形成される条件で行う。
第２図（ハ）において、酸化層１８の露呈部分をエツチ
ング除去し、レジストパターン１７の下部に酸化層１８
の残留層（半田流れ防止層）１４をパターン形成させる
。
ング除去し、レジストパターン１７の下部に酸化層１８
の残留層（半田流れ防止層）１４をパターン形成させる
。
第２図に）において、残留層１４の上部のレジストパタ
ーン１７を除去することにより、金層１３の表面にはレ
ジストパターン１７と同じパターンの残留層１４、即ち
溶融半田のぬれ性が悪いニクロムの酸化物にてなり半田
流れ防止域を覆う残留Ｍ１４が露呈し、半田流れ防止域
（残留層１４）の形成が完了する。
ーン１７を除去することにより、金層１３の表面にはレ
ジストパターン１７と同じパターンの残留層１４、即ち
溶融半田のぬれ性が悪いニクロムの酸化物にてなり半田
流れ防止域を覆う残留Ｍ１４が露呈し、半田流れ防止域
（残留層１４）の形成が完了する。
第３図において、金７５１３の左端部に外部り−ト端子
１５を半田１６で接続したとき、残留層１４は溶融半田
の拡がりを抑止するとともに、金層１３と半田１６との
長時拡散をも抑止するようになる。
１５を半田１６で接続したとき、残留層１４は溶融半田
の拡がりを抑止するとともに、金層１３と半田１６との
長時拡散をも抑止するようになる。
が別途形成される基板においては該素子を安定化させる
熱処理によって酸化層（１８）の形成が可能である。
熱処理によって酸化層（１８）の形成が可能である。
（ｇ） 発明の効果
以上説明した如く、本発明になる半田流れ防止域の形成
方法は、半田流れ防止域形成用にニッケルやポリイミド
等を被着しなくてよいため、従来きい。
方法は、半田流れ防止域形成用にニッケルやポリイミド
等を被着しなくてよいため、従来きい。
第１図は従来方法により半田流れ防止域を形成したＨ膜
混成集積回路の一部を示す側断面図、第２図（イ）〜に
）は本発明の一実施例に係わり半田流れ防止域を薄膜混
成集積回路の電極上に形成する主要工程を順次説明する
ための側断面図、第３図は第２図の工程により完成した
薄膜混成集積回路の電極に外部リード端子を半田付けし
た側断面図である。 なお図中において、１．１１はグレーズドアルミナ基板
又はアルミナ基板、２．１２はニクロム層、３，１３は
金層、４は半田流れ防止層、６．１６は半田、１４は酸
化層１８の選択エツチングによる残留層（半田流れ防止
層）、１７はレジストパターン、１８は金の酸化層を示
す。
混成集積回路の一部を示す側断面図、第２図（イ）〜に
）は本発明の一実施例に係わり半田流れ防止域を薄膜混
成集積回路の電極上に形成する主要工程を順次説明する
ための側断面図、第３図は第２図の工程により完成した
薄膜混成集積回路の電極に外部リード端子を半田付けし
た側断面図である。 なお図中において、１．１１はグレーズドアルミナ基板
又はアルミナ基板、２．１２はニクロム層、３，１３は
金層、４は半田流れ防止層、６．１６は半田、１４は酸
化層１８の選択エツチングによる残留層（半田流れ防止
層）、１７はレジストパターン、１８は金の酸化層を示
す。
Claims (2)
- （１） セラミックス等にてなる基板の表面にニクロ
ム−余積層構造の電極を形成し、その電極表面に所望の
半田流れ防止域を選択的に形成する方法であり、電極金
層表層部を熱処理１こより酸化させ前記防止域を形成さ
せることを特徴とした半田流れ防止域の形成方法。 - （２）前記電極表面の半田流れ防止域形成部にフォトレ
ジスト層を被着し、熱処理？こより前記電極金層の全表
層部にニクロムを析出、酸化させ、エツチングにより前
記酸化表層部の露呈部分を除去し、前記フォトレジスト
層を除去するこ古を特徴とする特許請求の範囲第（１）
項に記載した半田流れ防止域の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21645082A JPS59107769A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 半田流れ防止域の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21645082A JPS59107769A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 半田流れ防止域の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107769A true JPS59107769A (ja) | 1984-06-22 |
Family
ID=16688711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21645082A Pending JPS59107769A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 半田流れ防止域の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59107769A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053685B2 (en) | 2007-04-25 | 2011-11-08 | Denso Corportion | Metal wiring plate |
| US9978408B1 (en) | 2016-11-15 | 2018-05-22 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Thin-film piezoelectric material element having a solder regulating part formed on a pad surface being a surface of an electrode pad |
| CN113543481A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-10-22 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 一种3d立体线路板制作方法 |
-
1982
- 1982-12-10 JP JP21645082A patent/JPS59107769A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053685B2 (en) | 2007-04-25 | 2011-11-08 | Denso Corportion | Metal wiring plate |
| US9978408B1 (en) | 2016-11-15 | 2018-05-22 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Thin-film piezoelectric material element having a solder regulating part formed on a pad surface being a surface of an electrode pad |
| CN113543481A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-10-22 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 一种3d立体线路板制作方法 |
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