JPS6155799B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6155799B2 JPS6155799B2 JP2247180A JP2247180A JPS6155799B2 JP S6155799 B2 JPS6155799 B2 JP S6155799B2 JP 2247180 A JP2247180 A JP 2247180A JP 2247180 A JP2247180 A JP 2247180A JP S6155799 B2 JPS6155799 B2 JP S6155799B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- conductor
- plating base
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 7
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回路基板の導体層の形成方法に関し、
特に高密度多層回路基板の導体層の形成方法に関
する。
特に高密度多層回路基板の導体層の形成方法に関
する。
従来、回路基板の導体層の形成方法の一つとし
て、選択メツキ法が採用されている。この方法は
まず、第１図ａに示すように、絶縁基板１の上に
密着金属層２およびメツキ下地層３が形成され
る。次に、第１図ｂに示すように、ホトレジスト
４を用いて所望な部分のみに導体回路５として金
属５がメツキされる。次に、第１図ｃに示すよう
に、剥離液を用いてホトレジスト４が除去され
る。
て、選択メツキ法が採用されている。この方法は
まず、第１図ａに示すように、絶縁基板１の上に
密着金属層２およびメツキ下地層３が形成され
る。次に、第１図ｂに示すように、ホトレジスト
４を用いて所望な部分のみに導体回路５として金
属５がメツキされる。次に、第１図ｃに示すよう
に、剥離液を用いてホトレジスト４が除去され
る。
次に、第１図ｄに示すように、導体回路５の下
以外の密着金属層２およびメツキ下地層３がエツ
チングで除去され、導体層の形成は完了する。
以外の密着金属層２およびメツキ下地層３がエツ
チングで除去され、導体層の形成は完了する。
しかし、上述の方法には次のような２つの欠点
がある。第１はホトレジスト４の剥離の問題であ
る。ホトレジスト４は剥離液を用いて剥離される
が、レジスト４が熱硬化された場合や基板表面に
凹部分がある場合などは、レジスト４を完全に除
去するのは困難である。第２はサイドエツチング
の問題である。密着金属層およびメツキ下地層を
エツチングするとき、導体回路の下の部分のそれ
ぞれの金属層がサイドエツチングされ、導体回路
が微細になると、密着劣化などの原因となる。
がある。第１はホトレジスト４の剥離の問題であ
る。ホトレジスト４は剥離液を用いて剥離される
が、レジスト４が熱硬化された場合や基板表面に
凹部分がある場合などは、レジスト４を完全に除
去するのは困難である。第２はサイドエツチング
の問題である。密着金属層およびメツキ下地層を
エツチングするとき、導体回路の下の部分のそれ
ぞれの金属層がサイドエツチングされ、導体回路
が微細になると、密着劣化などの原因となる。
本発明の目的は高品質高密度の導体層の形成が
容易にできる回路基板のの導体層の形成方法を提
供することにある。
容易にできる回路基板のの導体層の形成方法を提
供することにある。
本発明の形成方法は、耐熱性絶縁基板上または
該基板上に形成された絶縁層上に密着層およびメ
ツキ下地層からなる複層金属層を形成する第１の
工程と、 ホトレジストを用いて前記金属層上の所望の部
分に貴金属をメツキして導体回路を形成する第２
の工程と、 高温焼成により前記ホトレジストを焼却すると
ともに前記密着金属層を酸化させて絶縁物にする
第３の工程と、 前記導体回路部分の下以外のメツキ下地金属層
をエツチングして取り除く第４の工程とを有する
ことを特徴とする。
該基板上に形成された絶縁層上に密着層およびメ
ツキ下地層からなる複層金属層を形成する第１の
工程と、 ホトレジストを用いて前記金属層上の所望の部
分に貴金属をメツキして導体回路を形成する第２
の工程と、 高温焼成により前記ホトレジストを焼却すると
ともに前記密着金属層を酸化させて絶縁物にする
第３の工程と、 前記導体回路部分の下以外のメツキ下地金属層
をエツチングして取り除く第４の工程とを有する
ことを特徴とする。
次に本発明について、図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第２図は本発明の一実施例を示す工程図であ
る。
る。
第２図ａに示す工程において、耐熱性絶縁基板
１１の上に、密着金属層１２およびメツキ下地金
属層１３が形成される。耐熱性絶縁基板１１とし
ては、アルミナおよびベリリヤなどが適当であ
る。密着金属層１２としては、チタン、銅または
アルミなどがまたメツキ下地金属層１３として
は、パラジウムまたはプラチナなどが適当であ
る。本実施例では、アルミナ基板１１上に、チタ
ンおよびパラジウムがスパツタリング法により形
成されている。
１１の上に、密着金属層１２およびメツキ下地金
属層１３が形成される。耐熱性絶縁基板１１とし
ては、アルミナおよびベリリヤなどが適当であ
る。密着金属層１２としては、チタン、銅または
アルミなどがまたメツキ下地金属層１３として
は、パラジウムまたはプラチナなどが適当であ
る。本実施例では、アルミナ基板１１上に、チタ
ンおよびパラジウムがスパツタリング法により形
成されている。
次に、第２図ｂに示す工程では、ホトレジスト
１４を用いて必要部分に貴金属からなる導体回路
１５がメツキされる。貴金属としては、金
（Au）、金合金またはロジウムなどがあげられ、
本実施例では金が使用されている。第２図ｃに示
す次の工程ではホトレジスト１４が高温焼成によ
り除去される。本実施例では900℃〜1000℃の高
温にまで上げるので、レジストは完全に除去され
る。この除去と同時に、密着金属層が酸化されて
絶縁物（酸化チタン）１６が形成される。
１４を用いて必要部分に貴金属からなる導体回路
１５がメツキされる。貴金属としては、金
（Au）、金合金またはロジウムなどがあげられ、
本実施例では金が使用されている。第２図ｃに示
す次の工程ではホトレジスト１４が高温焼成によ
り除去される。本実施例では900℃〜1000℃の高
温にまで上げるので、レジストは完全に除去され
る。この除去と同時に、密着金属層が酸化されて
絶縁物（酸化チタン）１６が形成される。
次に第２図ｄに示す工程では、メツキ下地金属
層１３がエツチングされる。このとき、導体回路
１５の下の部分のメツキ下地金属層１７は、導体
回路金属１５との相互拡散による合金化され、エ
ツチングされなくなつている。また、密着金属層
１６は、絶縁物となつており、エツチングの必要
はない。従つて、本工程においてサイドエツチン
グは省略できる。
層１３がエツチングされる。このとき、導体回路
１５の下の部分のメツキ下地金属層１７は、導体
回路金属１５との相互拡散による合金化され、エ
ツチングされなくなつている。また、密着金属層
１６は、絶縁物となつており、エツチングの必要
はない。従つて、本工程においてサイドエツチン
グは省略できる。
本実施例では導体が一層の場合を説明したが、
この導体層の上に絶縁物を形成することにより本
発明は、多層回路基板の導体層の形成方法にも適
用できる。
この導体層の上に絶縁物を形成することにより本
発明は、多層回路基板の導体層の形成方法にも適
用できる。
本発明には、ホトレジストを焼却して除去する
工程と、密着金属層を絶縁物にかえる工程とを用
いることにより、容易に高品質および高密度の導
体回路を形成できるという効果がある。
工程と、密着金属層を絶縁物にかえる工程とを用
いることにより、容易に高品質および高密度の導
体回路を形成できるという効果がある。
第１図ａ〜ｄは従来技術による形成方法を示す
工程断面図、および第２図ａ〜ｄは本発明の一実
施例の工程断面図である。第１図ａ〜ｄおよび第
２図ａ〜ｄにおいて、 １，１１…絶縁基板、２，１２…密着金属層、
３，１３…メツキ下地金属層、４，１４…ホトレ
ジスト、５，１５…導体回路、１６…絶縁物。
工程断面図、および第２図ａ〜ｄは本発明の一実
施例の工程断面図である。第１図ａ〜ｄおよび第
２図ａ〜ｄにおいて、 １，１１…絶縁基板、２，１２…密着金属層、
３，１３…メツキ下地金属層、４，１４…ホトレ
ジスト、５，１５…導体回路、１６…絶縁物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 耐熱性絶縁基板上または該基板上に形成され
た絶縁層上に密着層およびメツキ下地層からなる
複層金属層を形成する第１の工程と、 ホトレジストを用いて前記金属層上の所望の部
分に貴金属をメツキして導体回路を形成する第２
の工程と、 高温焼成により前記ホトレジストを焼却すると
ともに前記密着金属層を酸化させて絶縁物にする
第３の工程と、 前記導体回路部分の下以外のメツキ下地金属層
をエツチングして取り除く第４の工程とを有する
ことを特徴とする回路基板の導体層の形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2247180A JPS56118396A (en) | 1980-02-25 | 1980-02-25 | Method of forming conductive layer of circuit board |
| FR8103559A FR2476913B1 (fr) | 1980-02-25 | 1981-02-23 | Circuit a plusieurs couches pour integration a grande echelle et procede de fabrication de ce circuit |
| US06/429,636 US4434544A (en) | 1980-02-25 | 1982-09-30 | Multilayer circuit and process for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2247180A JPS56118396A (en) | 1980-02-25 | 1980-02-25 | Method of forming conductive layer of circuit board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56118396A JPS56118396A (en) | 1981-09-17 |
| JPS6155799B2 true JPS6155799B2 (ja) | 1986-11-29 |
Family
ID=12083616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2247180A Granted JPS56118396A (en) | 1980-02-25 | 1980-02-25 | Method of forming conductive layer of circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56118396A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893297A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | 日本電気株式会社 | 導体回路の形成方法 |
| JPS58128797A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-08-01 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク基板の製造方法 |
| JP5736722B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2015-06-17 | 大日本印刷株式会社 | サスペンション用基板、サスペンション用基板の製造方法、サスペンション、素子付サスペンション、およびハードディスクドライブ |
-
1980
- 1980-02-25 JP JP2247180A patent/JPS56118396A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56118396A (en) | 1981-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0361752A2 (en) | Selective solder formation on printed circuit boards | |
| GB1527108A (en) | Methods of forming conductors on substrates involving electroplating | |
| US5208656A (en) | Multilayer wiring substrate and production thereof | |
| JPS6155799B2 (ja) | ||
| JPS6155800B2 (ja) | ||
| JPH0139236B2 (ja) | ||
| JPS6155797B2 (ja) | ||
| JPS63199487A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2872834B2 (ja) | ２層フレキシブル印刷回路基板の製造方法 | |
| JPS634360B2 (ja) | ||
| JPH07161712A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6156879B2 (ja) | ||
| JPS6285496A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH0143476B2 (ja) | ||
| JP2885974B2 (ja) | フィルムキャリア用テープの製造方法およびフィルムキャリアの製造方法 | |
| JPH11284316A (ja) | 配線基板の導体パタ―ン形成方法 | |
| JPS5893297A (ja) | 導体回路の形成方法 | |
| JPS5946439B2 (ja) | 多層セラミツク回路基板の製造方法 | |
| JPS5819154B2 (ja) | スル−ホ−ルプリント板の製造方法 | |
| JPS59188997A (ja) | ワイヤボンデイング用プリント配線基板の製造方法 | |
| JPS5921198B2 (ja) | 導体パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6320854A (ja) | 集積回路用外部電極の形成方法 | |
| JPH0691310B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPS6194396A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPS613494A (ja) | プリント板製造方法 |