JPS6195554A - マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法 - Google Patents
マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法Info
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- JPS6195554A JPS6195554A JP21680784A JP21680784A JPS6195554A JP S6195554 A JPS6195554 A JP S6195554A JP 21680784 A JP21680784 A JP 21680784A JP 21680784 A JP21680784 A JP 21680784A JP S6195554 A JPS6195554 A JP S6195554A
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- JP
- Japan
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- layer
- conductor
- resin layer
- conductor layer
- forming
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、マイクロ波モノリシック回路及びその製造方
法に関し、特にモノリシック回路のエアーブリッジ及び
その製造方法に関する。
法に関し、特にモノリシック回路のエアーブリッジ及び
その製造方法に関する。
（従来技術とその問題点）
従来、マイクロ波モノリシック回路においては、二つの
導体間を接続するとき、容量を減らす友めにエアーブリ
ッジと呼ばれる空気層を介して架橋する構造が採用され
ている。
導体間を接続するとき、容量を減らす友めにエアーブリ
ッジと呼ばれる空気層を介して架橋する構造が採用され
ている。
第２図は従来のマイクロ波モノリシック回路のエアーブ
リッジの一例の斜視図であり、アイ争イー・イー・イー
主催の１９８２年エム・チー・チー・ニス インターナ
ショナル マイクロウェーブ７ンボジウム ダイジェス
ト（１９８２ＩＥＥＥ ＭＴＴ−８Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｙｍｐｏｓｉｕ
ｍＤｉｇｅｓｔ ）の４７７頁第３図に示された写Ｘを
模写した図である。
リッジの一例の斜視図であり、アイ争イー・イー・イー
主催の１９８２年エム・チー・チー・ニス インターナ
ショナル マイクロウェーブ７ンボジウム ダイジェス
ト（１９８２ＩＥＥＥ ＭＴＴ−８Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｙｍｐｏｓｉｕ
ｍＤｉｇｅｓｔ ）の４７７頁第３図に示された写Ｘを
模写した図である。
マイクロ波ＦＥＴのドレイン１他３１上にエアーブリッ
ジ３２を形成し、ソース電極３３を相互に接続している
。エアーブリッジ３２とソース電極３３との接続部３４
がエアーブリッジの上面より低いため、エアーブリッジ
３２上に物が落ちたジ、ＦＥＴチップが上下逆になった
りした場合に、エアーブリッジ３２が変形する事故が発
生し易い。
ジ３２を形成し、ソース電極３３を相互に接続している
。エアーブリッジ３２とソース電極３３との接続部３４
がエアーブリッジの上面より低いため、エアーブリッジ
３２上に物が落ちたジ、ＦＥＴチップが上下逆になった
りした場合に、エアーブリッジ３２が変形する事故が発
生し易い。
エアーブリッジ３２が変形し、エアーブリッジ３２とド
レイン電僑３１間のギャップ間隔が変化すると、エアー
ブリッジ３２が接続しているソース電極３３とドレイン
電極３１間のキャパシタンスが変化しＦＥＴｑ性を変化
させることになる。この様に、従来のエアーブリッジ構
造では、エアーブリッジが外力により変形し易い九め、
信頼性に欠ける欠点があった。
レイン電僑３１間のギャップ間隔が変化すると、エアー
ブリッジ３２が接続しているソース電極３３とドレイン
電極３１間のキャパシタンスが変化しＦＥＴｑ性を変化
させることになる。この様に、従来のエアーブリッジ構
造では、エアーブリッジが外力により変形し易い九め、
信頼性に欠ける欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記欠点を除去し、外力により変形し
難い構造のエアープリクジを有するマイクロ波モノリシ
ック回路及びその製造方法を提供することにある。
難い構造のエアープリクジを有するマイクロ波モノリシ
ック回路及びその製造方法を提供することにある。
（発明の構成）
本発明のマイクロ波モノリシクク回路は、誘電体あるい
は半絶縁性半導体の基板上に局所的に形成された少くと
も二つの第１の導体層と、該第１の導体層間を前記基板
との間に空気層を介して接続する第２の導体層とから成
り、前記第２の導体層の上表面のうち前記第１の導体層
と接続する部分の上表面が前記空気層の上の部分の上表
面よりも高い位置にあることを特徴として構成される。
は半絶縁性半導体の基板上に局所的に形成された少くと
も二つの第１の導体層と、該第１の導体層間を前記基板
との間に空気層を介して接続する第２の導体層とから成
り、前記第２の導体層の上表面のうち前記第１の導体層
と接続する部分の上表面が前記空気層の上の部分の上表
面よりも高い位置にあることを特徴として構成される。
本発明のマイクロ波モノリシック回路の製造方法は、誘
電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に第１給電用金属
層を局所的に設け、該第１給電用金属膜上に部分的に開
口部を有する第１ｍ脂層を形成し、該開口部に第１の導
体層をメッキ法で堆積する工程と、前記第１樹脂層がこ
れまでにベークされた以上の高温で前記第１樹脂層を前
記基板と共にベークする工程と、第２給電用金属層を前
記第１樹脂層上に被着する工程と、該Ｗ、２給電用金属
層上に所望の形状の開口部を有する第２樹脂層を形成し
該開口部内に第２の導体層をメッキ法で形成して前記第
１の導体層間を前記第２の導体層により接続する工程と
、前記第２樹脂層、第２給電用金属層、第１樹脂層及び
第１給成用金Ａ層を順次除去する工程とを含むことを特
徴として構成される。
電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に第１給電用金属
層を局所的に設け、該第１給電用金属膜上に部分的に開
口部を有する第１ｍ脂層を形成し、該開口部に第１の導
体層をメッキ法で堆積する工程と、前記第１樹脂層がこ
れまでにベークされた以上の高温で前記第１樹脂層を前
記基板と共にベークする工程と、第２給電用金属層を前
記第１樹脂層上に被着する工程と、該Ｗ、２給電用金属
層上に所望の形状の開口部を有する第２樹脂層を形成し
該開口部内に第２の導体層をメッキ法で形成して前記第
１の導体層間を前記第２の導体層により接続する工程と
、前記第２樹脂層、第２給電用金属層、第１樹脂層及び
第１給成用金Ａ層を順次除去する工程とを含むことを特
徴として構成される。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の詳細な説明するための
工程順に示した断面図である。
工程順に示した断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、Ｇ ａ Ａｓ基板１
１上にドレイン電極３１．ソース電極３３及びゲート電
極３４が形成され、これらの表面に保護膜（Ｓｉｎ、膜
等）１２を形成する。
１上にドレイン電極３１．ソース電極３３及びゲート電
極３４が形成され、これらの表面に保護膜（Ｓｉｎ、膜
等）１２を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ソース電極３３上の
保護膜１２を一部除去しソース電極３３表面を露出させ
、メッキの第１給電用金属層１３を被着する。メッキの
第［給電用金属層１３としては、Ｔ ｉ ／Ａ ｕある
いはＣｒ／Ａｕの２層金属膜が利用出来る。第１給電用
金属膜１３としてはＴｉあるいはＣｕ等の単層の金属膜
も利用出来るが、この場合には次にソース電極上の表面
にＡｕの膜をリフトオフ等によジ形成する工程が必要で
ある。次に、ソース電極上に開口部１４を持つ第１樹脂
層１５を形成する。この第１樹脂泗１５として山α−１
３７５（シラプレー社商品名）等の感光性の耐薬品性樹
脂が利用出来、開口部形成後１１０°Ｃの窒素雰囲気中
でベークする。さらに、第１給電用金属層１３を介して
Ｍ電しメッキすることにより、開口部１４に選択的に第
１の導体層１６を堆積できる。第１の導体１６の厚さは
第１樹脂層１５の厚さと同程度の２〜３μｍに制御する
。このメッキを樹脂ｌ−１５より厚くし過ぎるとメッキ
層が横方向に広がり寸法制御が困難になる。
保護膜１２を一部除去しソース電極３３表面を露出させ
、メッキの第１給電用金属層１３を被着する。メッキの
第［給電用金属層１３としては、Ｔ ｉ ／Ａ ｕある
いはＣｒ／Ａｕの２層金属膜が利用出来る。第１給電用
金属膜１３としてはＴｉあるいはＣｕ等の単層の金属膜
も利用出来るが、この場合には次にソース電極上の表面
にＡｕの膜をリフトオフ等によジ形成する工程が必要で
ある。次に、ソース電極上に開口部１４を持つ第１樹脂
層１５を形成する。この第１樹脂泗１５として山α−１
３７５（シラプレー社商品名）等の感光性の耐薬品性樹
脂が利用出来、開口部形成後１１０°Ｃの窒素雰囲気中
でベークする。さらに、第１給電用金属層１３を介して
Ｍ電しメッキすることにより、開口部１４に選択的に第
１の導体層１６を堆積できる。第１の導体１６の厚さは
第１樹脂層１５の厚さと同程度の２〜３μｍに制御する
。このメッキを樹脂ｌ−１５より厚くし過ぎるとメッキ
層が横方向に広がり寸法制御が困難になる。
次く、第１図（Ｃ）Ｋ示すように、第１樹脂Ｊ３１５を
残したまま高温でベークする。これによｐ第１樹脂ノ３
１５が体積収縮し薄くなるため図示するように１第１の
導体層１６の上面が第１樹脂層１５の上面より高くなる
。第１樹脂層１５として前記のＡＺ−１３７５を用いた
場合ベーク温度は、１５０〜２５０℃が適当であり、ベ
ーク温度の制御により樹脂層１５の厚さを再現性良く制
御できる。
残したまま高温でベークする。これによｐ第１樹脂ノ３
１５が体積収縮し薄くなるため図示するように１第１の
導体層１６の上面が第１樹脂層１５の上面より高くなる
。第１樹脂層１５として前記のＡＺ−１３７５を用いた
場合ベーク温度は、１５０〜２５０℃が適当であり、ベ
ーク温度の制御により樹脂層１５の厚さを再現性良く制
御できる。
次に、第１図（ｄ）に示すように、第２給電用金属層１
７ｔｌ−被着しエアーブリッジを形成する部分及び第１
の導体ノー１６の上面に開口部１８を持つ第２樹脂層１
９を形成する。第２給′濃用金ｐＡＷｉ１７としてはＴ
ｉ／Ａｕの２層蒸着膜を用いることができ、第２樹脂層
としては、ＡＺ−１３５０Ｊ（シップ・」福品名）等の
感光性樹脂を用いることができる。次に、第２給電用金
属層１７を介して選択的にメッキし、第２の導体層２０
を形成する。この第２の導体層２０のメッキ層は、強度
的には１μｍ程度で、３０μｍ間隔の二つの第２の導体
層１６！’ａ’１を接続できる。
７ｔｌ−被着しエアーブリッジを形成する部分及び第１
の導体ノー１６の上面に開口部１８を持つ第２樹脂層１
９を形成する。第２給′濃用金ｐＡＷｉ１７としてはＴ
ｉ／Ａｕの２層蒸着膜を用いることができ、第２樹脂層
としては、ＡＺ−１３５０Ｊ（シップ・」福品名）等の
感光性樹脂を用いることができる。次に、第２給電用金
属層１７を介して選択的にメッキし、第２の導体層２０
を形成する。この第２の導体層２０のメッキ層は、強度
的には１μｍ程度で、３０μｍ間隔の二つの第２の導体
層１６！’ａ’１を接続できる。
次に１第１図（ｅ）Ｋ示すように、第２樹脂層１９を有
機溶剤により除去し、第２給電用金属層１７を適当なエ
ツチング溶液を用いて除去し、次へ高温ベークした第１
樹脂層１５を有機溶剤あるいは酸素プラズマ等によシ除
去し、最後に第１給電用金属層１３ｔ−適当なエツチン
グ溶液にょ９除去し、図に示す構造のエアーブリッジが
形成される。
機溶剤により除去し、第２給電用金属層１７を適当なエ
ツチング溶液を用いて除去し、次へ高温ベークした第１
樹脂層１５を有機溶剤あるいは酸素プラズマ等によシ除
去し、最後に第１給電用金属層１３ｔ−適当なエツチン
グ溶液にょ９除去し、図に示す構造のエアーブリッジが
形成される。
これらの第２樹脂層１９、第２給電用金属層１７、及び
高温ベークした第１樹脂層１５を同時にり７トオ７する
ことも可能である。
高温ベークした第１樹脂層１５を同時にり７トオ７する
ことも可能である。
以上説明した製造方法によって、柱状の第１の導体層１
６と接続している部分の第２の導体層２゜の上表面が、
空気層の部分の上の第２の導体／！ｔ２０の上表面より
も高くなっている構造、換言すれば、第２の導体層２０
の上表ｒＸＪは段つきになっている構造となっているエ
アーブリッジが得られる。
６と接続している部分の第２の導体層２゜の上表面が、
空気層の部分の上の第２の導体／！ｔ２０の上表面より
も高くなっている構造、換言すれば、第２の導体層２０
の上表ｒＸＪは段つきになっている構造となっているエ
アーブリッジが得られる。
従って、これらの電極を形成したＧａＡｓ基板而基板比
とえ下向きＫな夛エアーブリッジに外力が加えられた場
合とも変形し難い構造のエアーブリッジが得られる。
とえ下向きＫな夛エアーブリッジに外力が加えられた場
合とも変形し難い構造のエアーブリッジが得られる。
本実施例では、ＧａＡｓ基板上に形成されたＦＥＴのノ
ース１極間全接続するエアーブリッジに関して述べたが
、本発明のエアーブリッジが通常のアルミナ基板上に形
成されたＭＩＣ回路、例えば、インターディジタル カ
ップラーの複数の導体間の接続にも適用し得ることは明
らかであろう。
ース１極間全接続するエアーブリッジに関して述べたが
、本発明のエアーブリッジが通常のアルミナ基板上に形
成されたＭＩＣ回路、例えば、インターディジタル カ
ップラーの複数の導体間の接続にも適用し得ることは明
らかであろう。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、外力により変形
し難い構造のエアーブリッジを有するマイクロ波モノリ
シック回路及びその製造方法が得られる。
し難い構造のエアーブリッジを有するマイクロ波モノリ
シック回路及びその製造方法が得られる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順）Ｃ示した断面図、第２図は従来のマイクロ
波モノリシック回路のエアーブリッジの一例の斜視図で
ある。 １１・・・・・０ａＡｓ基板、１２・・・・・・保す膜
、１３・・・・・・第１給電用金属層、１４・・・・・
・開口部、１６・・・・・・第１の導体層、１７・・・
・・・第２給電用金属層、１８・・・・・・開口部、１
９・・・・・・第２樹脂層、２ｏ・・・・・・第２の導
体層、３１・・・・・・ドレインｔＬ３２・・・・・・
エアーブリッジ、３３・・・・・・ソース電極、３４・
・・・・接続部、３５・・・・・・ゲート電極。
めの工程順）Ｃ示した断面図、第２図は従来のマイクロ
波モノリシック回路のエアーブリッジの一例の斜視図で
ある。 １１・・・・・０ａＡｓ基板、１２・・・・・・保す膜
、１３・・・・・・第１給電用金属層、１４・・・・・
・開口部、１６・・・・・・第１の導体層、１７・・・
・・・第２給電用金属層、１８・・・・・・開口部、１
９・・・・・・第２樹脂層、２ｏ・・・・・・第２の導
体層、３１・・・・・・ドレインｔＬ３２・・・・・・
エアーブリッジ、３３・・・・・・ソース電極、３４・
・・・・接続部、３５・・・・・・ゲート電極。
Claims (2)
- （１）誘電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に局所的
に形成された少くとも二つの第１の導体層と、該第１の
導体層間を前記基板との間に空気層を介して接続する第
２の導体層とから成り、前記第２の導体層の上表面のう
ち前記第１の導体層と接続する部分の上表面が前記空気
層の上の部分の上表面よりも高い位置にあることを特徴
とするマイクロ波モノリシック回路。 - （２）誘電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に第１給
電用金属層を局所的に設け、該第１給電用金属膜上に部
分的に開口部を有する第１樹脂層を形成し、該開口部に
第１の導体層をメッキ法で堆積する工程と、前記第１樹
脂層がこれまでにベークされた以上の高温で前記第１樹
脂層を前記基板と共にベークする工程と、第２給電用金
属層を前記第１樹脂層上に被着する工程と、該第２給電
用金属層上に所望の形状の開口部を有する第２樹脂層を
形成し該開口部内に第２の導体層をメッキ法で形成して
前記第１の導体層間を前記第２の導体層により接続する
工程と、前記第２樹脂層、第２給電用金属層、第１樹脂
層及び第１給電用金属層を順次除去する工程とを含むこ
とを特徴とするマイクロ波モノリシック回路の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21680784A JPS6195554A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21680784A JPS6195554A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195554A true JPS6195554A (ja) | 1986-05-14 |
| JPH0334858B2 JPH0334858B2 (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=16694191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21680784A Granted JPS6195554A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6195554A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806181B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-10-19 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Method of fabricating an air bridge |
| WO2020202600A1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社 東芝 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP21680784A patent/JPS6195554A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806181B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-10-19 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Method of fabricating an air bridge |
| WO2020202600A1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社 東芝 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| EP3951848A4 (en) * | 2019-03-29 | 2023-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334858B2 (ja) | 1991-05-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |