JPH0334858B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0334858B2 JPH0334858B2 JP21680784A JP21680784A JPH0334858B2 JP H0334858 B2 JPH0334858 B2 JP H0334858B2 JP 21680784 A JP21680784 A JP 21680784A JP 21680784 A JP21680784 A JP 21680784A JP H0334858 B2 JPH0334858 B2 JP H0334858B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductor
- resin layer
- conductor layer
- air
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 39
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- SOBMVBSSEJZEBX-UHFFFAOYSA-N 2-[2,2-bis(2-octadecanoyloxyethoxymethyl)butoxy]ethyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCOCC(CC)(COCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)COCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC SOBMVBSSEJZEBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、マイクロ波モノリシツク回路及びそ
の製造方法に関し、特にモノリシツク回路のエア
ーブリツジ及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特にモノリシツク回路のエア
ーブリツジ及びその製造方法に関する。
（従来技術とその問題点）
従来、マイクロ波モノリシツク回路において
は、二つの導体間を接続するとき、容量を減らす
ためにエアーブリツジと呼ばれる空気層を介して
架橋する構造が採用されている。
は、二つの導体間を接続するとき、容量を減らす
ためにエアーブリツジと呼ばれる空気層を介して
架橋する構造が採用されている。
第２図は従来のマイクロ波モノリシツク回路の
エアーブリツジの一例の斜視図であり、アイ・イ
ー・イー・イー主催の1982年エム・テー・テー・
エス インターナシヨナル マイクロウエーブ
シンポジウム ダイジエスト（1982 IEEE
MTTS International Microwave Symposium
Digest）の477頁第３図に示された写真を模写し
た図である。
エアーブリツジの一例の斜視図であり、アイ・イ
ー・イー・イー主催の1982年エム・テー・テー・
エス インターナシヨナル マイクロウエーブ
シンポジウム ダイジエスト（1982 IEEE
MTTS International Microwave Symposium
Digest）の477頁第３図に示された写真を模写し
た図である。
マイクロ波FETのドレイン電極３１上にエア
ーブリツジ３２を形成し、ソース電極３３を相互
に接続している。エアーブリツジ３２とソース電
極３３との接続部３４がエアーブリツジの上面よ
り低いため、エアーブリツジ３２上に物が落ちた
り、FETチツプが上下逆になつたりした場合に、
エアーブリツジ３２が変形する事故が発生し易
い。エアーブリツジ３２が変形し、エアーブリツ
ジ３２とドレイン電極３１間のギヤツプ間隔が変
化すると、エアーブリツジ３２が接続しているソ
ース電極３３とドレイン電極３１間のキヤパシタ
ンスが変化しFET特性を変化させることになる。
この様に、従来のエアーブリツジ構造では、エア
ーブリツジが外力により変形し易いため、信頼性
に欠ける欠点があつた。
ーブリツジ３２を形成し、ソース電極３３を相互
に接続している。エアーブリツジ３２とソース電
極３３との接続部３４がエアーブリツジの上面よ
り低いため、エアーブリツジ３２上に物が落ちた
り、FETチツプが上下逆になつたりした場合に、
エアーブリツジ３２が変形する事故が発生し易
い。エアーブリツジ３２が変形し、エアーブリツ
ジ３２とドレイン電極３１間のギヤツプ間隔が変
化すると、エアーブリツジ３２が接続しているソ
ース電極３３とドレイン電極３１間のキヤパシタ
ンスが変化しFET特性を変化させることになる。
この様に、従来のエアーブリツジ構造では、エア
ーブリツジが外力により変形し易いため、信頼性
に欠ける欠点があつた。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記欠点を除去し、外力によ
り変形し難い構造のエアーブリツジを有するマイ
クロ波モノリシツク回路及びその製造方法を提供
することにある。
り変形し難い構造のエアーブリツジを有するマイ
クロ波モノリシツク回路及びその製造方法を提供
することにある。
（発明の構成）
本発明のマイクロ波モノリシツク回路は、誘電
体あるいは半絶縁性半導体の基板上に局所的に形
成された少くとも二つの第１の導体層と、該第１
の導体層間を前記基板との間に空気層を介して接
続する第２の導体層とから成り、前記第２の導体
層の上表面のうち前記第１の導体層と接続する部
分（支柱部とする）の上表面が前記空気層の上の
部分（エアーブリツジ部とする）の上表面よりも
高い位置にあることを特徴として構成される。
体あるいは半絶縁性半導体の基板上に局所的に形
成された少くとも二つの第１の導体層と、該第１
の導体層間を前記基板との間に空気層を介して接
続する第２の導体層とから成り、前記第２の導体
層の上表面のうち前記第１の導体層と接続する部
分（支柱部とする）の上表面が前記空気層の上の
部分（エアーブリツジ部とする）の上表面よりも
高い位置にあることを特徴として構成される。
本発明のマイクロ波モノリシツク回路の製造方
法は、誘電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に
第１給電用金属層を局所的に設け、該第１給電用
金属膜上に部分的に開口部を有する第１樹脂層を
形成し、該開口部に第１の導体層をメツキ法で堆
積する工程と、前記第１樹脂層がこれまでにベー
クされた以上の高温で前記第１樹脂層を前記基板
と共にベークし、該第１樹脂層を収縮させ、該第
１樹脂層の上面を前記第１の導体層の上面より低
くする工程と、第２給電用金属層を前記第１樹脂
層上に被着する工程と、該第２給電用金属層上に
所望の形状の開口部を有する第２樹脂層を形成し
該開口部内に第２の導体層をメツキ法で形成して
前記第１の導体層間を前記第２の導体層により接
続し、かつ該第２の導体層の上表面のうち、前記
第１の導体層と接続する部分（支柱部）の上表面
を、それ以外の空気層の上の部分（エアーブリツ
ジ部）の上表面よりも高く形成する工程と、前記
第２樹脂層、第２給電用金属層、第１樹脂層及び
第１給電用金属層を順次除去する工程とを含むこ
とを特徴として構成される。
法は、誘電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に
第１給電用金属層を局所的に設け、該第１給電用
金属膜上に部分的に開口部を有する第１樹脂層を
形成し、該開口部に第１の導体層をメツキ法で堆
積する工程と、前記第１樹脂層がこれまでにベー
クされた以上の高温で前記第１樹脂層を前記基板
と共にベークし、該第１樹脂層を収縮させ、該第
１樹脂層の上面を前記第１の導体層の上面より低
くする工程と、第２給電用金属層を前記第１樹脂
層上に被着する工程と、該第２給電用金属層上に
所望の形状の開口部を有する第２樹脂層を形成し
該開口部内に第２の導体層をメツキ法で形成して
前記第１の導体層間を前記第２の導体層により接
続し、かつ該第２の導体層の上表面のうち、前記
第１の導体層と接続する部分（支柱部）の上表面
を、それ以外の空気層の上の部分（エアーブリツ
ジ部）の上表面よりも高く形成する工程と、前記
第２樹脂層、第２給電用金属層、第１樹脂層及び
第１給電用金属層を順次除去する工程とを含むこ
とを特徴として構成される。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図ａ〜ｅは本発明の実施例を説明するため
の工程順に示した断面図である。
の工程順に示した断面図である。
まず、第１図ａに示すように、GaAs基板１１
上にドレイン電極３１、ソース電極３３及びゲー
ト電極３４が形成され、これらの表面に保護膜
（SiO2膜等）１２を形成する。
上にドレイン電極３１、ソース電極３３及びゲー
ト電極３４が形成され、これらの表面に保護膜
（SiO2膜等）１２を形成する。
次に、第１図ｂに示すように、ソース電極３３
上の保護膜１２を一部除去しソース電極３３表面
を露出させ、メツキの第１給電用金属層１３を被
着する。メツキの第１給電用金属層１３として
は、Ti／AuあるいはCr／Auの２層金属膜が利
用出来る。第１給電用金属膜１３としてはTiあ
るいはCu等の単層の金属膜も利用出来るが、こ
の場合には次にソース電極上の表面にAUの膜を
リフトオフ等により形成する工程が必要である。
次に、ソース電極上に開口部１４を持つ第１樹脂
層１５を形成する。この第１樹脂層１５としては
AZ―1375（シツプレー社商品名）等の感光性の耐
薬品性樹脂が利用出来、開口部形成後110℃の窒
素雰囲気中でベークする。さらに、第１給電用金
属層１３を介して給電しメツキすることにより、
開口部１４に選択的に第１の導体層１６を堆積で
きる。第１の導体１６の厚さは第１樹脂層１５の
厚さと同程度の２〜3μmに制御する。このメツキ
を樹脂層１５より厚くし過ぎるとメツキ層が横方
向に広がり寸法制御が困難になる。
上の保護膜１２を一部除去しソース電極３３表面
を露出させ、メツキの第１給電用金属層１３を被
着する。メツキの第１給電用金属層１３として
は、Ti／AuあるいはCr／Auの２層金属膜が利
用出来る。第１給電用金属膜１３としてはTiあ
るいはCu等の単層の金属膜も利用出来るが、こ
の場合には次にソース電極上の表面にAUの膜を
リフトオフ等により形成する工程が必要である。
次に、ソース電極上に開口部１４を持つ第１樹脂
層１５を形成する。この第１樹脂層１５としては
AZ―1375（シツプレー社商品名）等の感光性の耐
薬品性樹脂が利用出来、開口部形成後110℃の窒
素雰囲気中でベークする。さらに、第１給電用金
属層１３を介して給電しメツキすることにより、
開口部１４に選択的に第１の導体層１６を堆積で
きる。第１の導体１６の厚さは第１樹脂層１５の
厚さと同程度の２〜3μmに制御する。このメツキ
を樹脂層１５より厚くし過ぎるとメツキ層が横方
向に広がり寸法制御が困難になる。
次に、第１図ｃに示すように、第１樹脂層１５
を残したまま高温でベークする。これにより第１
樹脂層１５が体積収縮し薄くなるため図示するよ
うに、第１の導体層１６の上面が第１樹脂層１５
の上面より高くなる。第１樹脂層１５として前記
のAZ―1375を用いた場合ベース温度は、150〜
250℃が適当であり、ベーク温度の制御により樹
脂層１５の厚さを再現性良く制御できる。
を残したまま高温でベークする。これにより第１
樹脂層１５が体積収縮し薄くなるため図示するよ
うに、第１の導体層１６の上面が第１樹脂層１５
の上面より高くなる。第１樹脂層１５として前記
のAZ―1375を用いた場合ベース温度は、150〜
250℃が適当であり、ベーク温度の制御により樹
脂層１５の厚さを再現性良く制御できる。
次に、第１図ｄに示すように、第２給電用金属
層１７を被着しエアーブリツジを形成する部分及
び第１の導体層１６の上面に開口部１８を持つ第
２の樹脂層１９を形成する。第２給電用金属層１
７としてはTi／Auの２層蒸着膜を用いることが
でき、第２樹脂層としては、AZ―1350J（シツプ
レー社商品名）等の感光性樹脂を用いることがで
きる。次に、第２給電用金属層１７を介して選択
的にメツキし、第２の導体層２０を形成する。こ
の第２の導体層２０のメツキ層は、強度的には
1μm程度で、30μm間隔の二つの第２の導体層１
６間を接続できる。
層１７を被着しエアーブリツジを形成する部分及
び第１の導体層１６の上面に開口部１８を持つ第
２の樹脂層１９を形成する。第２給電用金属層１
７としてはTi／Auの２層蒸着膜を用いることが
でき、第２樹脂層としては、AZ―1350J（シツプ
レー社商品名）等の感光性樹脂を用いることがで
きる。次に、第２給電用金属層１７を介して選択
的にメツキし、第２の導体層２０を形成する。こ
の第２の導体層２０のメツキ層は、強度的には
1μm程度で、30μm間隔の二つの第２の導体層１
６間を接続できる。
次に、第１図ｅに示すように、第２樹脂層１９
を有機溶剤により除去し、第２給電用金属層１７
を適当なエツチング溶液を用いて除去し、次に、
高温ベークした第１樹脂層１５を有機溶剤あるい
は酸素プラズマ等により除去し、最後に第１給電
用金属層１３を適当なエツチング溶液により除去
し、図に示す構造のエアーブリツジが形成され
る。
を有機溶剤により除去し、第２給電用金属層１７
を適当なエツチング溶液を用いて除去し、次に、
高温ベークした第１樹脂層１５を有機溶剤あるい
は酸素プラズマ等により除去し、最後に第１給電
用金属層１３を適当なエツチング溶液により除去
し、図に示す構造のエアーブリツジが形成され
る。
これらの第２樹脂層１９、第２給電用金属層１
７、及び高温ベークした第１樹脂層１５を同時に
リフトオフすることも可能である。
７、及び高温ベークした第１樹脂層１５を同時に
リフトオフすることも可能である。
以上説明した製造方法によつて、柱状の第１の
導体層１６と接続している部分の第２の導体層２
０の上表面が、空気層の部分の上の第２の導体層
２０の上表面よりも高くなつている構造、換言す
れば、第２の導体層２０の上表面は段つきになつ
ている構造となつているエアーブリツジが得られ
る。
導体層１６と接続している部分の第２の導体層２
０の上表面が、空気層の部分の上の第２の導体層
２０の上表面よりも高くなつている構造、換言す
れば、第２の導体層２０の上表面は段つきになつ
ている構造となつているエアーブリツジが得られ
る。
従つてこれらの電極を形成したGaAs基板面
が、たとえ下向きになつても、支柱部がエアーブ
リツジ部より突き出しているため、エアーブリツ
ジ部には直接外力が働くことはなく、支柱部で外
力を受けとめることができる。このように、外力
に対して変形し難い構造のエアーブリツジ構造が
得られる。
が、たとえ下向きになつても、支柱部がエアーブ
リツジ部より突き出しているため、エアーブリツ
ジ部には直接外力が働くことはなく、支柱部で外
力を受けとめることができる。このように、外力
に対して変形し難い構造のエアーブリツジ構造が
得られる。
本実施例では、GaAs基板上に形成されたFET
のソース電極間を接続するエアーブリツジに関し
て述べたが、本発明のエアーブリツジが通常のア
ルミナ基板上に形成されたMIC回路、例えば、
インターデイジタル カツプラーの複数の導体間
の接続にも適用し得ることは明らかであろう。
のソース電極間を接続するエアーブリツジに関し
て述べたが、本発明のエアーブリツジが通常のア
ルミナ基板上に形成されたMIC回路、例えば、
インターデイジタル カツプラーの複数の導体間
の接続にも適用し得ることは明らかであろう。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、外力に
より変形し難い構造のエアーブリツジを有するマ
イクロ波モノリシツク回路及びその製造方法が得
られる。
より変形し難い構造のエアーブリツジを有するマ
イクロ波モノリシツク回路及びその製造方法が得
られる。
第１図ａ〜ｅは本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図、第２図は従来のマイ
クロ波モノリシツク回路のエアーブリツジの一例
の斜視図である。 １１…GaAs基板、１２…保護膜、１３…第１
給電用金属層、１４…開口部、１６…第１の導体
層、１７…第２給電用金属層、１８…開口部、１
９…第２樹脂層、２０…第２の導体層、３１…ド
レイン電極、３２…エアーブリツジ、３３…ソー
ス電極、３４…接続部、３５…ゲート電極。
めの工程順に示した断面図、第２図は従来のマイ
クロ波モノリシツク回路のエアーブリツジの一例
の斜視図である。 １１…GaAs基板、１２…保護膜、１３…第１
給電用金属層、１４…開口部、１６…第１の導体
層、１７…第２給電用金属層、１８…開口部、１
９…第２樹脂層、２０…第２の導体層、３１…ド
レイン電極、３２…エアーブリツジ、３３…ソー
ス電極、３４…接続部、３５…ゲート電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 誘電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に局
所的に形成された少なくとも二つの第１の導体層
と、該第１の導体層間を前記基板との間に空気層
を介して接続する第２の導体層とから成り、前記
第２の導体層の上表面のうち前記第１の導体層と
接続する部分（支柱部とする）の上表面が前記空
気層の上の部分（エアーブリツジ部とする）の上
表面よりも高い位置にあることを特徴とするマイ
クロ波モノリシツク回路。 ２ 誘電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に第
１給電用金属層を局所的に設け、該第１給電用金
属膜上に部分的に開口部を有する第１樹脂層を形
成し、該開口部に第１の導体層をメツキ法で堆積
する工程と、前記第１樹脂層がこれまでの工程中
にベークされた以上の高温で前記第１樹脂層を前
記基板と共にベークし、該第１樹脂層を収縮さ
せ、該第１樹脂層の上面を前記第１の導体層の上
面より低くする工程と、第２給電用金属層を前記
第１樹脂層上に被着する工程と、該第２給電用金
属層上に所望の形状の開口部を有する第２樹脂層
を形成し該開口部内に第２の導体層をメツキ法で
形成して前記第１の導体層間を前記第２の導体層
により接続し、かつ該第２の導体層の上表面のう
ち、前記第１の導体層と接続する部分（支柱部）
の上表面を、それ以外の空気層の上の部分（エア
ーブリツジ部）の上表面よりも高く形成する工程
と、前記第２樹脂層、第２給電用金属層、第１樹
脂層及び第１給電用金属層を順次除去する工程と
を含むことを特徴とするマイクロ波モノリシツク
回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21680784A JPS6195554A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21680784A JPS6195554A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195554A JPS6195554A (ja) | 1986-05-14 |
| JPH0334858B2 true JPH0334858B2 (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=16694191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21680784A Granted JPS6195554A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6195554A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3600544B2 (ja) | 2001-03-30 | 2004-12-15 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2020202600A1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社 東芝 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP21680784A patent/JPS6195554A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6195554A (ja) | 1986-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3993515A (en) | Method of forming raised electrical contacts on a semiconductor device | |
| JPH029198A (ja) | 基板上に金属層を付着する方法 | |
| JPH035676B2 (ja) | ||
| JPH03166734A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| US4496435A (en) | Method of manufacturing thin film circuits | |
| JPH0334858B2 (ja) | ||
| JPS6146081A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
| JP2751242B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6347952A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6213832B2 (ja) | ||
| JPS62261156A (ja) | 導電性バイア経路の形成方法 | |
| JPS5867043A (ja) | 半導体装置の装造方法 | |
| JPH0394451A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JP2712410B2 (ja) | キャパシタの製造方法 | |
| JPH0223029B2 (ja) | ||
| JP2621186B2 (ja) | 転写用バンプの形成方法 | |
| JPS641077B2 (ja) | ||
| JPS6155799B2 (ja) | ||
| KR0170183B1 (ko) | 전자빔 노광 에너지 조정방법에 의한 에어브릿지 금속의 형성방법 | |
| JPH04122051A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5826666B2 (ja) | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ | |
| JPS62171194A (ja) | マトリクス配線板 | |
| JPS59194432A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62281356A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09283617A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |