JPH0223029B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明は半導体集積回路装置或いはマイクロ波
集積回路装置等における空中配線の形成方法に関
する。

(b) 従来技術と問題点 ガリウム・砒素（GaAs）よりなる超高周波用
半導体装置、或いは超高周波用GaAs半導体素子
を用いて作成するマイクロ波集積回路装置（IC）
等を製作するに際し、回路素子間の接続に空中配
線がしばしば用いられる。

第１図は従来の空中配線（以下ブリツジと称す
る）の形成方法を工程の順に示す要部断面図であ
つて、マイクロ波集積回路装置を製作する例であ
る。

同図ａにおいて、１はセラミツク、サフアイア
等からなる誘電前基板、２はストリツプライン、
３はキヤパシタで、導電金属からなる下部電極
４、上部電極５、及び誘電体層６からなり、また
７は絶縁層である。図示したようにキヤパシタ３
等の素子及びストリツプライン２のような配線等
を形成した後、ポリイミド等の絶縁膜７を全面に
被覆して表面を平坦にする。

次いで同図ｂに示すように、この絶縁膜７上に
選択的に形成したネガ型レジスト膜８をマスクと
して、上記絶縁膜７を選択的に除去し、ブリツジ
にて互いに接続すべき素子上にコンタクトホール
９を形成する。同図はストリツプライン２及びキ
ヤパシタ３の上部電極５表面にコンタクトホール
９を形成した例である。本工程において、各コン
タクトホール９の大きさ及びその直下の各素子上
のレジスト膜８の厚さが異なるため、エツチング
所要時間は各コンタクトホール毎に相違する。こ
のため同図の１０に示すような窪みが出来ること
となる。

上記工程の後同図ｃに見られる如く、レジスト
膜８を除去し、蒸着法により全面にクローム
（Cr）−白金−（Pt）−金（Au）を順次被着させて
下地金属層１１を形成し、次いでブリツジを形成
すべき部分を開口部とするレジスト膜１２を形成
する。この工程において、前述の窪み１０がある
とそこにレジストの溜り１３が出来る。このあと
上記レジスト膜１２をマスクとして下地金属層１
１上にメツキ法により凡そ５〔μｍ〕の厚さにAu
を被着せしめ、導電配線層１４を形成するのであ
るが、上記レジストの溜り１３上にはAu層が形
成されない。

そのため上記レジスト膜１２を除去し、導電配
線層１４をマスクとしてイオンミリング法等の乾
式エツチング（ドライエツチング）法により下地
金属層１１の不要部を除去し、更に酸素プラズマ
によるアツシング法等によつて絶縁膜７を除去す
ると、同図ｄに見られる如く前記レジスト溜り１
３が存在していた部分にブリツジ１５が形成され
ず、断線状態となつてしまう。

(c) 発明の目的 本発明の目的は上記問題点を解消して、断線の
生じることのない空中配線の形成方法を提供する
ことにある。

(d) 発明の構成 本発明の特徴は、所定の基板上に配設された多
数の素子間の要部に空中配線を形成するに際し、
前記基板上を絶縁膜で被覆し、前記空中配線で橋
絡すべき素子上の絶縁膜を選択的に除去してコン
タクトホールを開口した後、上記コンタクトホー
ル内で表面を露呈せる素子上を開口部とする第１
のレジスト膜を形成する工程と、上記コンタクト
ホール及び上記第１のレジスト膜上に下地金属層
を形成する工程と、該下地金属層が形成された素
子上を含む空中配線を形成すべき領域を開口部と
する第２のレジスト膜を形成する工程と、該第２
のレジスト膜をマスクとして露呈した上記下地金
属層上に所定の金属よりなる配線を形成する工程
とを含むことにある。

(e) 発明の実施例 以下本発明の一実施例を製造工程の順に図面を
参照しながら説明する。

第２図は上記一実施例の製造工程を順に示す要
部断面図である。同図ａは前記第１図ｂを再掲し
たものであつて、ここまでは従来の製造工程に従
つて進めて良い。なお第２図において前記第１図
と同一部分は同一符号を付して示してある。

従来の製造方法ではこの後、Cr−Pt−Au層か
らなる下地金属層１１を被着せしめる工程を施し
たが、オーバエツチング等により形成された窪み
１０部に上記下地金属層１１が形成されないとい
う問題があつた。

そこで第２図ｂに示す如く本実施例では下地金
属層１１を形成するに先立ち、同図ａのレジスト
膜８のパターニングに使用したのと同一フオトマ
スクを用いてレジスト膜２１を選択的に形成す
る。このようにすることにより、前記窪み１０は
レジスト膜２１により埋められ消滅する。

このあとの工程は再び従来の製造工程に従つて
進めて良い。即ち第２図ｃに見られる如く上記レ
ジスト膜２１を選択的に形成したのち、Cr−Pt
−Au層よりなる下地金属層１１を全面に形成し、
次いでブリツジを形成すべき部分を開口部とする
レジスト膜１２を選択的に形成し、次いでメツキ
法により上記下地金属層１１の露呈部上にAuを
被着せしめて導電金属層１４を形成する。

次いで同図ｄに示すように、レジスト膜１２を
除去し、上記導電金属層１４をマスクとしてイオ
ンミリング法等のドライエツチング法を施すこと
により、下地金属層１１の下要部を除去し、更に
酵素プラズマによるアツシング法等によつて絶縁
膜７を除去する。なお導電金属層１４は上記ドラ
イエツチング工程を終了した後において、凡そ）
〔μｍ〕の厚さを有するよう、被着時にはこれよ
り若干厚くしておく。

以上のようにして得られた本実施例による空中
配線１５は、従来の製造方法で問題となつた窪み
１０をレジストにより埋めた上で下地金属層１１
を形成するので、下地金属層１１の欠如を生じる
ことがなく、従つて空中配線の断線の発生は完全
に防止される。

(f) 発明の効果 以上説明した如く本発明により、断線の生じる
ことのない空中配線の形成方法が提供され、超高
周波用マイクロ波集積回路装置、あるいは超高周
波用半導体装置の信頼度が向上し、且つその製造
工程が安定する。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ〜ｄは従来の空中配線の形成方法の問
題点を説明するための要部断面図、第２図ａ〜ｄ
は本発明の一実施例を製造工程の順に示す要部断
面図である。 図において、１は誘電体基板、２はストリツプ
ライン、３はキヤパシタで、導電金属からなる下
部電極４、上部電極５、及び誘電体層６からな
り、７は絶縁層、８，１２，２１はいずれもレジ
スト膜、９はコンタクトホール、１０は窪み、１
１は下地金属層、１３はレジスト溜り、１４は導
電金属層、１５は空中配線を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 所定の基板上に配設された多数の素子間の要
   部に空中配線を形成するに際し、 前記基板上を絶縁膜で被覆し、前記空中配線で
   橋絡すべき素子上の絶縁膜を選択的に除去してコ
   ンタクトホールを開口した後、 前記コンタクトホール内で表面を露呈せる素子
   上を開口部とする第１のレジスト膜を形成する工
   程と、 前記コンタクトホール及び前記第１のレジスト
   膜上に下地金属層を形成する工程と、 該下地金属層が形成された素子上を含む空中配
   線を形成すべき領域を開口部とする第２のレジス
   ト膜を形成する工程と、 該第２のレジスト膜をマスクとして露呈した前
   記下地金属層上に所定の金属よりなる配線を形成
   する工程 を含むことを特徴とする空中配線の形成方法。