JPS63312657A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63312657A JPS63312657A JP14973787A JP14973787A JPS63312657A JP S63312657 A JPS63312657 A JP S63312657A JP 14973787 A JP14973787 A JP 14973787A JP 14973787 A JP14973787 A JP 14973787A JP S63312657 A JPS63312657 A JP S63312657A
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明はICやLSIなどの半導体集積回路装置(以下
IC等という)のI2造方法に関し、特に平坦化された
多層配線をもつIC等の製造方法に関するものである6 (従来技術) 多層配線の例として、第2図に従来の二層配線の例を示
す。
IC等という)のI2造方法に関し、特に平坦化された
多層配線をもつIC等の製造方法に関するものである6 (従来技術) 多層配線の例として、第2図に従来の二層配線の例を示
す。
シリコン基板2上に絶縁膜4を介して一層目の配線6が
形成されている。配線6とシリコン基板のトランジスタ
などの領域とは絶縁膜4のスルーホールを経て接続され
ている。配線6上には層間絶縁膜8が形成され、層間絶
縁膜8にスルーホールが形成された後、第2層[」の配
線lOが形成される。
形成されている。配線6とシリコン基板のトランジスタ
などの領域とは絶縁膜4のスルーホールを経て接続され
ている。配線6上には層間絶縁膜8が形成され、層間絶
縁膜8にスルーホールが形成された後、第2層[」の配
線lOが形成される。
さらに3層、4層と配線を積み重ねるときは、上層の配
線上に層間絶縁膜を形成し、スルーホールを形成した後
、さらに上層の配線を形成するという工程を繰り返して
いく。
線上に層間絶縁膜を形成し、スルーホールを形成した後
、さらに上層の配線を形成するという工程を繰り返して
いく。
従来の多層配線では下層の配線」二に層間絶縁膜が形成
され、その−にに上層の配線が形成されるので、下)j
りの配線の段差がそのまま層間絶縁膜に浅リ、上層の配
線を形成したときに下層の配線の段差部で断線が生じる
虞れがある。
され、その−にに上層の配線が形成されるので、下)j
りの配線の段差がそのまま層間絶縁膜に浅リ、上層の配
線を形成したときに下層の配線の段差部で断線が生じる
虞れがある。
そのため、多層配線においては上層の配線を形成する面
が平坦になるようにする平坦化手法がいくつか試みられ
ている。
が平坦になるようにする平坦化手法がいくつか試みられ
ている。
(目的)
本発明は多層配線において下層を平坦化する1つの方法
を提供することを目的とするものである。
を提供することを目的とするものである。
(構成)
本発明は次の(A)〜(F)の工程を含んでいる。
(A)下層配線を被う層間絶縁膜上にレジスト膜を形成
する工程、 (B)そのレジスト膜にスルーホール用のパターン化を
施こす工程、 (C)パターン化された前記レジスト膜をマスクとして
層間絶縁膜にスルーホールを形成する工程、(D)前記
レジストを残存させたままで導電膜を形成する工程、 (E)前記レジスト及びその上の導電膜を除去する工程
、 (F)上層配線用膜を形成してパターン化する工程。
する工程、 (B)そのレジスト膜にスルーホール用のパターン化を
施こす工程、 (C)パターン化された前記レジスト膜をマスクとして
層間絶縁膜にスルーホールを形成する工程、(D)前記
レジストを残存させたままで導電膜を形成する工程、 (E)前記レジスト及びその上の導電膜を除去する工程
、 (F)上層配線用膜を形成してパターン化する工程。
以下、実施例について第1図(A)ないし同図(F)を
参照して具体的に説明する。
参照して具体的に説明する。
第1図(A)に示されるように、半導体基板である例え
ばシリコン基板にトランジスタなどの素子を形成してそ
の表面を絶縁膜で被覆し、所定の部分にスルーホールを
設けてなる下地基板12上に1通常の方法によりアルミ
ニウム膜をパターン化して第1層目の配線14を形成す
る。
ばシリコン基板にトランジスタなどの素子を形成してそ
の表面を絶縁膜で被覆し、所定の部分にスルーホールを
設けてなる下地基板12上に1通常の方法によりアルミ
ニウム膜をパターン化して第1層目の配線14を形成す
る。
配線14を被うように層間絶縁膜16を形成し、層間絶
縁膜16上にスルーホールを設けるためのレジスト膜1
8を形成する。レジスト膜18にはスルーホールを設け
るためのパターンをフォ1−リソグラフィ一工程によっ
て形成する。
縁膜16上にスルーホールを設けるためのレジスト膜1
8を形成する。レジスト膜18にはスルーホールを設け
るためのパターンをフォ1−リソグラフィ一工程によっ
て形成する。
次に同図(B)示されるように、レジスト膜18をマス
クにしてRIE(反応性イオンエツチング)法により層
間絶縁膜16をエツチングし、層間絶縁膜16にスルー
ホール20を形成する。
クにしてRIE(反応性イオンエツチング)法により層
間絶縁膜16をエツチングし、層間絶縁膜16にスルー
ホール20を形成する。
次に同図(C)に示されるように、レジスト膜18を残
したままで全面にバイアススパッタ法によりアルミニウ
ム膜22を形成する。
したままで全面にバイアススパッタ法によりアルミニウ
ム膜22を形成する。
第1層目のアルミニウムパターン14が存在しているた
めに、バイアススパッタの進行につれて、同図(D)に
示されるように5表面が高くなっているレジスト膜18
上のスルーホールパターンの角部でのアルミニウム膜2
2aの堆積厚さが極めて薄くなり、そのスルーホールパ
ータン角部ではレジスト118が露出した状態となるが
、反対にスルーホール部分の凹部での堆積膜22bの厚
さが厚くなる。
めに、バイアススパッタの進行につれて、同図(D)に
示されるように5表面が高くなっているレジスト膜18
上のスルーホールパターンの角部でのアルミニウム膜2
2aの堆積厚さが極めて薄くなり、そのスルーホールパ
ータン角部ではレジスト118が露出した状態となるが
、反対にスルーホール部分の凹部での堆積膜22bの厚
さが厚くなる。
その後、レジスト膜18を薬液により溶解させるとレジ
スト膜18上に形成されていたアルミニウム膜22aも
同時に除去される。その結果、同図(E)に示されるよ
うにスルーホールにアルミニウム膜22bが埋め込まれ
た状態となり、スルーホール部分での段差が解消されて
基板の最も外側の表面で平坦化がなされた状態となる。
スト膜18上に形成されていたアルミニウム膜22aも
同時に除去される。その結果、同図(E)に示されるよ
うにスルーホールにアルミニウム膜22bが埋め込まれ
た状態となり、スルーホール部分での段差が解消されて
基板の最も外側の表面で平坦化がなされた状態となる。
次に同図(F)に示されるように、その上から第2層配
線のためのアルミニウム膜24を形成すると、スルーホ
ールでの段差が解消されたアルミニウム膜24が得られ
る。アルミニウム膜24をパターン化して第2層目の配
線を形成する。
線のためのアルミニウム膜24を形成すると、スルーホ
ールでの段差が解消されたアルミニウム膜24が得られ
る。アルミニウム膜24をパターン化して第2層目の配
線を形成する。
さらに多層の配線を積み上げる場合は、第1図(Δ)か
ら同図(F)に示される工程を操り返えせばよい。
ら同図(F)に示される工程を操り返えせばよい。
(効果)
本発明では層間絶縁膜にスルーホールを形成した後、そ
のスルーホール形成に用いたレジストを残して導電膜を
形成し、リフトオフによってレジスト膜を除去してスル
ーホールに導電膜を埋め込んで表面を平坦化し、その後
、上層の配線膜を形成するようにしたので、二層以上に
形成される配線の表面の段差が解消され、従来の多層配
線で問題であった段差部での断線などの問題がなくなる
。
のスルーホール形成に用いたレジストを残して導電膜を
形成し、リフトオフによってレジスト膜を除去してスル
ーホールに導電膜を埋め込んで表面を平坦化し、その後
、上層の配線膜を形成するようにしたので、二層以上に
形成される配線の表面の段差が解消され、従来の多層配
線で問題であった段差部での断線などの問題がなくなる
。
第1図(A)から同図(F)は一実施例を工程順に示す
断面図、第2図は従来の方法で形成される二層配線を示
す断面図である。 12・・・・・・下地基板、 I4・・・・・・第1層目の配線、 16・・・・・・層間絶縁膜、 18・・・・・・レジスト、 20・・・・・・スルーホール、 22・・・・・・導電膜、 24・・・・・・第2層目の配線。
断面図、第2図は従来の方法で形成される二層配線を示
す断面図である。 12・・・・・・下地基板、 I4・・・・・・第1層目の配線、 16・・・・・・層間絶縁膜、 18・・・・・・レジスト、 20・・・・・・スルーホール、 22・・・・・・導電膜、 24・・・・・・第2層目の配線。
Claims (1)
- (1)多層配線をもつ半導体集積回路装置の製造方法に
おいて、 (A)下層配線を被う層間絶縁膜上にレジスト膜を形成
し、 (B)前記レジスト膜にスルーホール用のパターン化を
施こし、 (C)パターン化された前記レジスト膜をマスクとして
層間絶縁膜にスルーホールを形成し、 (D)前記レジストを残存させたままで導電膜を形成し
、 (E)前記レジスト及びその上の導電膜を除去し、 (F)上層配線用膜を形成してパターン化する工程を含
む半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14973787A JPS63312657A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14973787A JPS63312657A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63312657A true JPS63312657A (ja) | 1988-12-21 |
Family
ID=15481704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14973787A Pending JPS63312657A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63312657A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05267475A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Yamaha Corp | 配線形成法 |
-
1987
- 1987-06-15 JP JP14973787A patent/JPS63312657A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05267475A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Yamaha Corp | 配線形成法 |
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