JPH0567687A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0567687A JPH0567687A JP25577291A JP25577291A JPH0567687A JP H0567687 A JPH0567687 A JP H0567687A JP 25577291 A JP25577291 A JP 25577291A JP 25577291 A JP25577291 A JP 25577291A JP H0567687 A JPH0567687 A JP H0567687A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- layer
- insulating
- semiconductor device
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 オーバーエッチングやアンダーエッチングな
く、配線の線幅及び絶縁性の確保を図る。 【構成】 配線間の絶縁領域を予め基板上に形成してお
き、この絶縁領域の間に配線を埋め込み、不要部分を除
去して配線をパターニングする。 【効果】 微細配線の線幅及び絶縁性の確保ができる。
く、配線の線幅及び絶縁性の確保を図る。 【構成】 配線間の絶縁領域を予め基板上に形成してお
き、この絶縁領域の間に配線を埋め込み、不要部分を除
去して配線をパターニングする。 【効果】 微細配線の線幅及び絶縁性の確保ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は多層配線を有する半導
体装置及びその製造方法に関するものである。
体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体装置の配線部を形成
する際のプロセスフローの図である。図において、１は
半導体基板上に形成された絶縁層、２は絶縁層１の上に
パターニングされる配線層、３は配線層２の配線をパタ
ーニングするためのレジスト材、４は配線層２の間を分
離する絶縁層である。
する際のプロセスフローの図である。図において、１は
半導体基板上に形成された絶縁層、２は絶縁層１の上に
パターニングされる配線層、３は配線層２の配線をパタ
ーニングするためのレジスト材、４は配線層２の間を分
離する絶縁層である。
【０００３】次にその製造方法の工程について説明す
る。図２(a) は全面に配線層２とレジスト３を形成して
いる時の断面図である。この状態から通常はパターニン
グに必要なマスクによる露光（図示せず）により、レジ
ストを図２(b) のようにパターニングする。次に、配線
層２のみを除去するエッチング処理により、図２(b) で
パターニングされたレジスト３の下部の配線層２だけが
パターニングされた配線として、図２(c) のように残
る。次に、このレジスト３を除去し（図２(d))、層間の
絶縁膜４を形成した状態が図２(e) である。
る。図２(a) は全面に配線層２とレジスト３を形成して
いる時の断面図である。この状態から通常はパターニン
グに必要なマスクによる露光（図示せず）により、レジ
ストを図２(b) のようにパターニングする。次に、配線
層２のみを除去するエッチング処理により、図２(b) で
パターニングされたレジスト３の下部の配線層２だけが
パターニングされた配線として、図２(c) のように残
る。次に、このレジスト３を除去し（図２(d))、層間の
絶縁膜４を形成した状態が図２(e) である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の配線層の形成は
以上のように行われていたので、微細な配線を形成しよ
うとする場合、特に図２(c) の工程の際に、配線間の絶
縁を十分に行おうとする場合は、図３(a) に示すように
配線層２がエッチングされすぎて（オーバーエッチ）、
配線２が細くなりすぎ、抵抗が大きくなる等の問題が起
こり、また配線巾を十分にとって形成しようとする場合
は、図３(b) に示すように配線２間で薄い配線層２ａが
残り（アンダーエッチ）、配線２間がショートしてしま
う等の問題があった。
以上のように行われていたので、微細な配線を形成しよ
うとする場合、特に図２(c) の工程の際に、配線間の絶
縁を十分に行おうとする場合は、図３(a) に示すように
配線層２がエッチングされすぎて（オーバーエッチ）、
配線２が細くなりすぎ、抵抗が大きくなる等の問題が起
こり、また配線巾を十分にとって形成しようとする場合
は、図３(b) に示すように配線２間で薄い配線層２ａが
残り（アンダーエッチ）、配線２間がショートしてしま
う等の問題があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、微細な配線形成時にも必要な配
線巾と配線間の絶縁性をもたせることが可能な半導体装
置及びその製造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、微細な配線形成時にも必要な配
線巾と配線間の絶縁性をもたせることが可能な半導体装
置及びその製造方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置及びその製造方法は、配線を形成する以前に、この配
線間の絶縁層をパターニングして、絶縁領域を形成して
おき、その後に配線をその絶縁領域の間に埋め込むよう
に形成するようにしたものである。
置及びその製造方法は、配線を形成する以前に、この配
線間の絶縁層をパターニングして、絶縁領域を形成して
おき、その後に配線をその絶縁領域の間に埋め込むよう
に形成するようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体装置及びその製造方法
は、予め形成された絶縁領域の間に配線を埋め込むた
め、配線の巾がエッチングの際に細ることもなく、また
配線間の絶縁性も向上する。
は、予め形成された絶縁領域の間に配線を埋め込むた
め、配線の巾がエッチングの際に細ることもなく、また
配線間の絶縁性も向上する。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、１１はレジスト、１２はパターニ
ングされた絶縁領域間に埋めこまれた配線層、１４はレ
ジスト１１でパターニングされた配線層１２間の絶縁を
する絶縁層、１５は配線層１２と上層配線間の絶縁をす
る絶縁層である。他の同一符号のものは前記と同一また
は相当部分を示す。
する。図１において、１１はレジスト、１２はパターニ
ングされた絶縁領域間に埋めこまれた配線層、１４はレ
ジスト１１でパターニングされた配線層１２間の絶縁を
する絶縁層、１５は配線層１２と上層配線間の絶縁をす
る絶縁層である。他の同一符号のものは前記と同一また
は相当部分を示す。
【０００９】次に、製造方法の各工程について説明す
る。図１(a) は絶縁層が全面に形成されている状態を示
す半導体装置の断面図である。この状態から、レジスト
１１をパターニングに必要なマスクによる露光（図示せ
ず）で図１(b) のようにパターニングする。次に、この
レジストにより、絶縁層１４を図１(c) のようにパター
ニングする。この後、このレジスト１１を除去（図示せ
ず）し、図１(d) のように全面に配線層１２を形成す
る。次に、この配線層１２の全面エッチ（エッチバッ
ク）を行い（図示せず）、その後図１(e) のように上部
に絶縁層１５を形成する。
る。図１(a) は絶縁層が全面に形成されている状態を示
す半導体装置の断面図である。この状態から、レジスト
１１をパターニングに必要なマスクによる露光（図示せ
ず）で図１(b) のようにパターニングする。次に、この
レジストにより、絶縁層１４を図１(c) のようにパター
ニングする。この後、このレジスト１１を除去（図示せ
ず）し、図１(d) のように全面に配線層１２を形成す
る。次に、この配線層１２の全面エッチ（エッチバッ
ク）を行い（図示せず）、その後図１(e) のように上部
に絶縁層１５を形成する。
【００１０】このように本発明の上記実施例において
は、予め形成された絶縁領域の間に配線を埋め込むよう
に形成するようにしたので、エッチングによる配線巾の
変動が小さく、絶縁性の優れた配線を行うことができ
る。
は、予め形成された絶縁領域の間に配線を埋め込むよう
に形成するようにしたので、エッチングによる配線巾の
変動が小さく、絶縁性の優れた配線を行うことができ
る。
【００１１】なお、上記実施例では配線が１層のときの
配線製造法について示したが、これを繰り返し行うこと
により、多層配線も同様に構成することが可能である。
ただし、この場合の製造方法においては、下層の配線と
上層の配線とを両層間の絶縁層を一部開口して電気的に
接続する工程が必要となる。
配線製造法について示したが、これを繰り返し行うこと
により、多層配線も同様に構成することが可能である。
ただし、この場合の製造方法においては、下層の配線と
上層の配線とを両層間の絶縁層を一部開口して電気的に
接続する工程が必要となる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
装置及びその製造方法によれば、予め形成された絶縁領
域の間に配線を埋め込むように形成するので、エッチン
グによる配線巾の変動が小さく、絶縁性の優れた配線を
行える効果がある。
装置及びその製造方法によれば、予め形成された絶縁領
域の間に配線を埋め込むように形成するので、エッチン
グによる配線巾の変動が小さく、絶縁性の優れた配線を
行える効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置の断面図
による製造フロー図。
による製造フロー図。
【図２】従来の半導体装置の断面図による製造フロー
図。
図。
【図３】従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明す
るための図。
るための図。
【符号の説明】 １ 絶縁層（同層配線間） ２ 配線層 ３ レジスト ４ 絶縁層（上層配線との） １１ レジスト １２ 配線層 １４ 絶縁層（同層配線間） １５ 絶縁層（上層配線との）
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成される多層配線を有
する半導体装置において、 上記配線は予めパターニングされた絶縁領域の間に埋め
込まれ、 かつ上記配線は上層または下層に位置する配線と一部で
接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成される多層配線を有
する半導体装置の製造方法において、 半導体基板上に形成された絶縁膜をパターニングする工
程と、 上記絶縁膜上に配線層を形成する工程と、 上記配線層を上記絶縁膜が露出するまでエッチバックす
る工程と、 その上に絶縁層を形成する工程と、 上記絶縁層上に形成される配線層と上記絶縁層下の配線
とを上記絶縁層を一部開口して接続する工程とを備えた
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25577291A JPH0567687A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25577291A JPH0567687A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567687A true JPH0567687A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=17283413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25577291A Pending JPH0567687A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567687A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5769331A (en) * | 1994-07-05 | 1998-06-23 | Nippon Chuzo Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for recycling empty aluminum cans |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP25577291A patent/JPH0567687A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5769331A (en) * | 1994-07-05 | 1998-06-23 | Nippon Chuzo Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for recycling empty aluminum cans |
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