JPS60180145A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60180145A JPS60180145A JP3809484A JP3809484A JPS60180145A JP S60180145 A JPS60180145 A JP S60180145A JP 3809484 A JP3809484 A JP 3809484A JP 3809484 A JP3809484 A JP 3809484A JP S60180145 A JPS60180145 A JP S60180145A
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- JP
- Japan
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- layer
- wiring
- insulating film
- wiring layer
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えは半導体装置の製造方法、特に多層配
線を用いる場合の金属配線層の平坦化に関するものであ
る。
線を用いる場合の金属配線層の平坦化に関するものであ
る。
従来の半導体ｇｅｆＪＩｔ、の製造方法の一例を第】図
〜第３図によって説明する。これらの図において、１は
シリコン基板、２は絶縁膜、３は第１層の金属配線層、
例えばＡＩ配線ノー、４は前記第１層のＡＩ配線層３と
第２層の金属配線層、例えはＡＩ配線層６を絶縁分離す
るための層間絶縁膜、５はレジスト、６は前記した第２
層のＡＩ配線層、そして１は前記第１層のＡＩ配線層３
と第２層のＡ１配線層６をコンタクトするためのスルー
ホールをそれぞれ示す。
〜第３図によって説明する。これらの図において、１は
シリコン基板、２は絶縁膜、３は第１層の金属配線層、
例えばＡＩ配線ノー、４は前記第１層のＡＩ配線層３と
第２層の金属配線層、例えはＡＩ配線層６を絶縁分離す
るための層間絶縁膜、５はレジスト、６は前記した第２
層のＡＩ配線層、そして１は前記第１層のＡＩ配線層３
と第２層のＡ１配線層６をコンタクトするためのスルー
ホールをそれぞれ示す。
次に、この製造方法について説明する。第１図に示すよ
うに、シリコン基板１上に絶縁膜２が形成され、この絶
縁膜２上に形成された第１層のＡＩ配線層３は、層間絶
縁膜４によって覆われている。
うに、シリコン基板１上に絶縁膜２が形成され、この絶
縁膜２上に形成された第１層のＡＩ配線層３は、層間絶
縁膜４によって覆われている。
この第１層のＡＩ配線層３から信号を上部に引き出すた
め、パターンの形成されたレジスト５を用いて、第２図
のように眉間絶縁膜４をエツチングする。次にレジスト
５を完全に除去し、第３図に示すように、第２層のＡＩ
配線層６を形成する。これによって第２層のＡＩ配線層
６の構造が形成され、第１層と第２層のＡＩ配線層３，
６の信号の授受はスルーホール１を通じて行われる。
め、パターンの形成されたレジスト５を用いて、第２図
のように眉間絶縁膜４をエツチングする。次にレジスト
５を完全に除去し、第３図に示すように、第２層のＡＩ
配線層６を形成する。これによって第２層のＡＩ配線層
６の構造が形成され、第１層と第２層のＡＩ配線層３，
６の信号の授受はスルーホール１を通じて行われる。
しかるに、以上の方法で形成された半導体装置は、スル
ーホール１の周辺で層間絶縁膜４０段差があるため、こ
の段差部分で第２層のＡＩ配線層６のカバレージが悪く
なり、第２層のＡＩ配線層６の断線を引き起したりし、
信頼性が著しく低下させるという欠点があった。
ーホール１の周辺で層間絶縁膜４０段差があるため、こ
の段差部分で第２層のＡＩ配線層６のカバレージが悪く
なり、第２層のＡＩ配線層６の断線を引き起したりし、
信頼性が著しく低下させるという欠点があった。
この発明は、上記のような従来の欠点を除去するために
なされたもので、スルーホール内の金属層と第２層のＡ
Ｉ配線層との形成を別々に行うことにより、第２層のＡ
Ｉ配線層の平坦化を得ることを目的としている。以下こ
の発明について説明する。
なされたもので、スルーホール内の金属層と第２層のＡ
Ｉ配線層との形成を別々に行うことにより、第２層のＡ
Ｉ配線層の平坦化を得ることを目的としている。以下こ
の発明について説明する。
第４図〜第６図はこの発明の一実施例を示す断面図であ
る。これらの図において、８は前記スルーホール７へ配
線を形成するための金属層、例えはＡ１層を示す。なお
、その他の符号は第１図〜第３図と同一のものである。
る。これらの図において、８は前記スルーホール７へ配
線を形成するための金属層、例えはＡ１層を示す。なお
、その他の符号は第１図〜第３図と同一のものである。
次に、この発明の製造工程について説明する。
第４図に示すように、従来例の第２図の状態からレジス
ト５を除去せずに、上部にＡ１層８を形成する。その後
、レジスト５を除去するとリフトオフにより、第５図に
示すように、スルーホール７部分のＡ１層のみが残され
る。この上に第２層のＡＩ配線層６を形成すると、第６
図のように平坦で、カバレージのよい第２層のＡＩ配線
層６を得ることかできる。
ト５を除去せずに、上部にＡ１層８を形成する。その後
、レジスト５を除去するとリフトオフにより、第５図に
示すように、スルーホール７部分のＡ１層のみが残され
る。この上に第２層のＡＩ配線層６を形成すると、第６
図のように平坦で、カバレージのよい第２層のＡＩ配線
層６を得ることかできる。
なお、上記実施例では、ＡＩを用いた２層配線構造につ
いて示したが、ＡＩ以外の金属を用いた場合や、２層以
上の多層配線構造についても同様の効果が得られること
はいうまでもない。
いて示したが、ＡＩ以外の金属を用いた場合や、２層以
上の多層配線構造についても同様の効果が得られること
はいうまでもない。
以上説明したように、この発明はシリコン基板上の絶縁
膜上に形成された金属配線層上に、層間絶縁膜を形成し
前記層間絶縁膜に、所要のパターンが形成されたレジス
トをマスクとしてスルーホールを形成し、前記スルーホ
ールに金属層を形成した後前記レジストを除去し、前記
スルーホールの金属層に接続する金属配線層を順次形成
するようＫしたので、多層配線層の平坦化が可能となり
、信頼性の高い半導体装置が得られる効果がある。
膜上に形成された金属配線層上に、層間絶縁膜を形成し
前記層間絶縁膜に、所要のパターンが形成されたレジス
トをマスクとしてスルーホールを形成し、前記スルーホ
ールに金属層を形成した後前記レジストを除去し、前記
スルーホールの金属層に接続する金属配線層を順次形成
するようＫしたので、多層配線層の平坦化が可能となり
、信頼性の高い半導体装置が得られる効果がある。
第１図〜第３図は従来の半導体装置の製造工程を説明す
るための断面図、第４図〜第６図はこの発明の一実施例
を示す半導体装置の製造方法を説明するだめの断面図で
ある。 図中、１はシリコン基板、２は絶縁膜、３は第１層のＡ
Ｉ配線層、４は第１層と第２層のＡＩ配線層を絶縁分離
するための層間絶縁膜、５はスルーホールを開けるため
のレジスト、６は第２層のＡＩ配線層、１は第１層と第
２層のＡＩ配線層をコンタクトするためのスルーホール
、８はスルーホールの配線を形成するためのＡ１層をそ
れぞれ示す。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 第３図 第４図 ７ 第５図 第６図
るための断面図、第４図〜第６図はこの発明の一実施例
を示す半導体装置の製造方法を説明するだめの断面図で
ある。 図中、１はシリコン基板、２は絶縁膜、３は第１層のＡ
Ｉ配線層、４は第１層と第２層のＡＩ配線層を絶縁分離
するための層間絶縁膜、５はスルーホールを開けるため
のレジスト、６は第２層のＡＩ配線層、１は第１層と第
２層のＡＩ配線層をコンタクトするためのスルーホール
、８はスルーホールの配線を形成するためのＡ１層をそ
れぞれ示す。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 第３図 第４図 ７ 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコン基板上の絶縁膜上に形成された金属配線層上に
層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜に、所要の
パターンが形成されたレジストをマスクとしてスルーホ
ールを形成する工程、このスルーホールに前記金属配線
層と接続される金属層を形成した後、前記レジストを除
去する工程。 前記金属層と接続する金属配線層を形成する工程とを含
んで多層配線構造を形成することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3809484A JPS60180145A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3809484A JPS60180145A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180145A true JPS60180145A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12515883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3809484A Pending JPS60180145A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180145A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744856U (ja) * | 1995-04-05 | 1995-11-28 | シャープ株式会社 | 対物レンズ支持装置 |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP3809484A patent/JPS60180145A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744856U (ja) * | 1995-04-05 | 1995-11-28 | シャープ株式会社 | 対物レンズ支持装置 |
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