JPH02139934A - 集積回路の製造方法 - Google Patents
集積回路の製造方法Info
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- JPH02139934A JPH02139934A JP63294000A JP29400088A JPH02139934A JP H02139934 A JPH02139934 A JP H02139934A JP 63294000 A JP63294000 A JP 63294000A JP 29400088 A JP29400088 A JP 29400088A JP H02139934 A JPH02139934 A JP H02139934A
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- film
- metal film
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- bump
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は集積回路の製造方法に関し、特に外部接続端子
である電極用金バンプを有する集積回路に関する。
である電極用金バンプを有する集積回路に関する。
従来、集積回路の電極用金バンプは、密着金属としてＣ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ａ Ｉ、バリア膜として、Ｐｄ、Ｎｉ、
Ｃｕ、下地金属として、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ等の各
金属群の組み合せにより構成され、電解金メッキによる
金バンプ形成後、化学薬品により湿式エツチングにより
除去したり、一部金属群の組み合せに於てはリフトオフ
法によりバリア金！１ｍの分離を行なう等により形成さ
れている。
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ａ Ｉ、バリア膜として、Ｐｄ、Ｎｉ、
Ｃｕ、下地金属として、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ等の各
金属群の組み合せにより構成され、電解金メッキによる
金バンプ形成後、化学薬品により湿式エツチングにより
除去したり、一部金属群の組み合せに於てはリフトオフ
法によりバリア金！１ｍの分離を行なう等により形成さ
れている。
この様に形成された集積回路では、以下に示す欠点があ
った。
った。
まず、湿式エツチングを用いる製造方法に於ては、過剰
エツチングや電池反応により生じるサイドエッチのよる
金バンプの密着強度不良やバリア金属膜の剥離、移動に
よる電極間のショートの問題や、エツチングの容易なバ
リア金属、密着金属を用いると、その化学的、１ｉ気化
学的耐蝕性が不十分なために集積回路製品の高温高湿動
作時に於る信頼性不良を生じる欠点があった。
エツチングや電池反応により生じるサイドエッチのよる
金バンプの密着強度不良やバリア金属膜の剥離、移動に
よる電極間のショートの問題や、エツチングの容易なバ
リア金属、密着金属を用いると、その化学的、１ｉ気化
学的耐蝕性が不十分なために集積回路製品の高温高湿動
作時に於る信頼性不良を生じる欠点があった。
また、リフトオフ法に於ては構成金属に対する制約は比
較的少ないが、工程が複雑であるばかりでなく、フォト
レジスト等の有機物被膜を分離材として用いると、金属
膜の堆積時に生じる有機物被膜からの脱ガスにより、金
属膜間の電気的導通不良や密着強度不良を生ずるといっ
た欠点があった。
較的少ないが、工程が複雑であるばかりでなく、フォト
レジスト等の有機物被膜を分離材として用いると、金属
膜の堆積時に生じる有機物被膜からの脱ガスにより、金
属膜間の電気的導通不良や密着強度不良を生ずるといっ
た欠点があった。
本発明は、前記従来技術の欠点を解消し、耐蝕性、熱的
安定性に優れた金属群でのみ構成された金バンプ電極を
簡便な工程で、各金属間の電気的導通と密着強度の低下
を生ずることなく形成できる集積回路の製造方法を提供
する事にある。
安定性に優れた金属群でのみ構成された金バンプ電極を
簡便な工程で、各金属間の電気的導通と密着強度の低下
を生ずることなく形成できる集積回路の製造方法を提供
する事にある。
【！１ｉＩＩを解決するための手段Ｊ
本発明の集積回路の製造方法は、集積回路の電極パッド
上および絶縁膜上に密着層金属膜、バリア贋金属膜、メ
ッキ下地層金属膜をそれぞれ耐蝕性に優れる金属により
順次連続して形成する第１の工程と、前記金属膜上に目
的とする開口部をもつフォトレジスト膜を形成する第２
の工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとし前記メッ
キ下地金属を電極として電解メッキを行ってバンプ電極
を形成する第３の工程と、前記フォトレジスト膜を剥離
除去する第４の工程と、前記バンプ電極をマスク材とし
て前記メッキ下地金属膜、バリア層金属膜、密着層金属
膜を乾式エツチングにより順次除去する第５の工程を含
んで構成されることを特徴とする集積回路の製造方法。
上および絶縁膜上に密着層金属膜、バリア贋金属膜、メ
ッキ下地層金属膜をそれぞれ耐蝕性に優れる金属により
順次連続して形成する第１の工程と、前記金属膜上に目
的とする開口部をもつフォトレジスト膜を形成する第２
の工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとし前記メッ
キ下地金属を電極として電解メッキを行ってバンプ電極
を形成する第３の工程と、前記フォトレジスト膜を剥離
除去する第４の工程と、前記バンプ電極をマスク材とし
て前記メッキ下地金属膜、バリア層金属膜、密着層金属
膜を乾式エツチングにより順次除去する第５の工程を含
んで構成されることを特徴とする集積回路の製造方法。
【実 施 例Ｊ
以下１本発明の実施例について１図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の詳細な説明するための
工程順に示した断面図である。
工程順に示した断面図である。
第１図（ａ）に示すように、拡散、配線、絶縁膜工程の
終了した集積回路表面の絶縁１ｍ ｌ及び電極バッド２
の上に密着層として０．０５ｕｍ〜０．２μｍのＴ ｉ
ｌ！ ３と金のバリア層としてＱ、Ｉｇｍ〜０．２ｇ
ｍのＰｔ１Ｑ４と、メッキ下地層として０．１〜０．３
ｕｍのＡｕ膜５を順次、蒸着又はスパッタ法により形成
する。
終了した集積回路表面の絶縁１ｍ ｌ及び電極バッド２
の上に密着層として０．０５ｕｍ〜０．２μｍのＴ ｉ
ｌ！ ３と金のバリア層としてＱ、Ｉｇｍ〜０．２ｇ
ｍのＰｔ１Ｑ４と、メッキ下地層として０．１〜０．３
ｕｍのＡｕ膜５を順次、蒸着又はスパッタ法により形成
する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、前記金属謹上にフォ
トレジスト被１１６を塗布形成し１通常の方法に従って
、バンプ電極形成用の開口部７を形成する。
トレジスト被１１６を塗布形成し１通常の方法に従って
、バンプ電極形成用の開口部７を形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すようにフォトレジスト開口部
７に電解金メッキにより１５〜３０ｇｍ厚のＡｕバンプ
８を形成する。
７に電解金メッキにより１５〜３０ｇｍ厚のＡｕバンプ
８を形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、フォトレジスト６を
剥離液または酸素プラズマにより除去する。
剥離液または酸素プラズマにより除去する。
次に、第１図（ｅ）に示すように、イオンミーリング、
スパックエツチング等の乾式エツチングにより、前記Ａ
ｕバンプ８をマスクとして前記Ｔｉ１１３．Ｐｔ膜４．
Ａｕ１Ｉ５をエツチング除去する。
スパックエツチング等の乾式エツチングにより、前記Ａ
ｕバンプ８をマスクとして前記Ｔｉ１１３．Ｐｔ膜４．
Ａｕ１Ｉ５をエツチング除去する。
以上の工程により、金バンプ電極が集積回路上に形成さ
れる。
れる。
以上形成された金バンプ電極は、耐蝕性に優れた金属の
みで構成され、また湿式エツチングを用いる場合のサイ
ドエッチによるバリア膜金属。
みで構成され、また湿式エツチングを用いる場合のサイ
ドエッチによるバリア膜金属。
メッキ下地膜金属の剥れや、金バンプの密着強度不良も
生じない。
生じない。
なお、上記実施例では第１金属膜としてＴｉを使用した
が、数十ｐｐｍから数百ｐｐｍの重量分率でＰｔを添加
したＴｉを使用すれば、更に耐蝕性が向上する。
が、数十ｐｐｍから数百ｐｐｍの重量分率でＰｔを添加
したＴｉを使用すれば、更に耐蝕性が向上する。
ｆ発明の効果１
以上説明したように、本発明によれば、耐蝕性に優れ、
密着強度のよいバンプ電（歪を有する集積回路を容易に
製造する事ができる。
密着強度のよいバンプ電（歪を有する集積回路を容易に
製造する事ができる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図である。 絶縁膜 電極パッド Ｔｉ膜 ｔｌｌｉ Ａｕ膜 フォトレジスト膜 開口部 Ａｕバンプ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 ＩＩＩ ｆｆ１ｃ 誉（他１
名）ど＼、
めの工程順に示した断面図である。 絶縁膜 電極パッド Ｔｉ膜 ｔｌｌｉ Ａｕ膜 フォトレジスト膜 開口部 Ａｕバンプ 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 ＩＩＩ ｆｆ１ｃ 誉（他１
名）ど＼、
Claims (3)
- （１）集積回路の電極パッド上および絶縁膜上に密着層
としての第１金属膜、相互拡散防止バリア膜（以下、バ
リア膜と呼ぶ）としての第２金属膜及び電解メッキの下
地電極としての第３金属膜とを順次形成する第１の工程
と、前記金属膜上に目的とする開口部をもつフォトレジ
スト膜を形成する第２の工程と、前記フォトレジスト膜
をマスクとし前記第３金属膜を電極として電解メッキを
行ってバンプ電極を形成する第３の工程と、前記フォト
レジスト膜を剥離除去する第４の工程と、前記バンプ電
極をエッチングのマスク材として前記第１金属膜、第２
金属膜、第３金属膜のバンプ電極下部以外を自己整合的
に乾式エッチング除去する第５の工程とを含んで構成さ
れることを特徴とする集積回路の製造方法。 - （２）第１金属膜がＴｉ膜、第２金属膜がＰｔ膜、第３
金属膜がＡｕである請求項１記載の集積回路の製造方法
。 - （３）電解メッキによるバンプ電極がＡｕである請求項
１記載の集積回路の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294000A JPH02139934A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 集積回路の製造方法 |
| KR1019890016671A KR940010510B1 (ko) | 1988-11-21 | 1989-11-17 | 반도체 장치 제조 방법 |
| US07/665,234 US5298459A (en) | 1988-11-21 | 1991-03-05 | Method of manufacturing semiconductor device terminal having a gold bump electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294000A JPH02139934A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139934A true JPH02139934A (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=17801946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63294000A Pending JPH02139934A (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02139934A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2707797A1 (fr) * | 1993-07-15 | 1995-01-20 | Samsung Electronics Co Ltd | Procédé de fabrication de bosses pour puces. |
| US6808641B2 (en) * | 2000-01-17 | 2004-10-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Method of wiring formation and method for manufacturing electronic components |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147253A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-17 | Nec Corp | Structure of electrode terminal |
| JPS63222446A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP63294000A patent/JPH02139934A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147253A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-17 | Nec Corp | Structure of electrode terminal |
| JPS63222446A (ja) * | 1987-03-12 | 1988-09-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2707797A1 (fr) * | 1993-07-15 | 1995-01-20 | Samsung Electronics Co Ltd | Procédé de fabrication de bosses pour puces. |
| US6808641B2 (en) * | 2000-01-17 | 2004-10-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Method of wiring formation and method for manufacturing electronic components |
| US7316783B2 (en) | 2000-01-17 | 2008-01-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of wiring formation and method for manufacturing electronic components |
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