JPH0494544A - 集積回路の製造方法 - Google Patents
集積回路の製造方法Info
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- JPH0494544A JPH0494544A JP2213202A JP21320290A JPH0494544A JP H0494544 A JPH0494544 A JP H0494544A JP 2213202 A JP2213202 A JP 2213202A JP 21320290 A JP21320290 A JP 21320290A JP H0494544 A JPH0494544 A JP H0494544A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路の製造方法に関し、特に外部接続端子
である金バンプ電極を有する集積回路に関する。
である金バンプ電極を有する集積回路に関する。
従来、集積回路の金バンプ電極は、密着金属としてＯｒ
、Ｍｏ、Ｗ、Ａｔ、Ｔｌ、バリア膜金属としてＰｄｔＮ
ｉ、Ｏｕ、下地金属としてＰｄ。
、Ｍｏ、Ｗ、Ａｔ、Ｔｌ、バリア膜金属としてＰｄｔＮ
ｉ、Ｏｕ、下地金属としてＰｄ。
Ｎｉ、Ｏｕ、Ａｕ等の各金属群の組み合せにより構成さ
れ、電解金メッキによる金バンプ形成従、化学薬品によ
り湿式エツチングにより各金属膜を除去して形成されて
いた。
れ、電解金メッキによる金バンプ形成従、化学薬品によ
り湿式エツチングにより各金属膜を除去して形成されて
いた。
この様に形成された集積回路では、以下に示す欠点があ
った。
った。
まず、湿式エツチングを用いる製造方法に於いては、金
バンプ電極上に外部リード端子との接着材としてのＳｎ
やＳｎとＰｂのハンダ層を食刻せずに、密着金属やバリ
ア膜金属をエツチングすることが困難であり、エツチン
グの容易な密着金属１バリア金属を用いると、その化学
的、電気化学的耐蝕性が不充分なために集積回路製品の
高温高湿動作時に於る信頼性不良多生じる欠点があった
〔発明が解決しようとする課題〕 本発明は、前記従来技術の欠点を解消し、実装後の耐蝕
性、熱的安定性に優れた金属群でのみ構成された、外部
端子との接着機能材が設置された金バンプ電極を簡便な
工程で形成できる集積回路の製造方法を提供することに
ある。
バンプ電極上に外部リード端子との接着材としてのＳｎ
やＳｎとＰｂのハンダ層を食刻せずに、密着金属やバリ
ア膜金属をエツチングすることが困難であり、エツチン
グの容易な密着金属１バリア金属を用いると、その化学
的、電気化学的耐蝕性が不充分なために集積回路製品の
高温高湿動作時に於る信頼性不良多生じる欠点があった
〔発明が解決しようとする課題〕 本発明は、前記従来技術の欠点を解消し、実装後の耐蝕
性、熱的安定性に優れた金属群でのみ構成された、外部
端子との接着機能材が設置された金バンプ電極を簡便な
工程で形成できる集積回路の製造方法を提供することに
ある。
本発明の集積回路の製造方法は、集積回路の電極パッド
上および絶縁膜上に密着層金属膜、バリア層金属膜、メ
ッキ下地層金属膜をそれぞれ耐蝕性に優れる金属により
順次連続して形成する第１の工程と、前記金属膜上に目
的とする開口部をもつ第１フォトレジスト膜を形成する
第２の工程と、前記第１フォトレジスト膜をマスクとし
前記金属膜を電極として電解メッキを行って耐蝕性に優
れた金属よりなる第１バンプ電極を形成する第５の工程
と、前記第１バンプ電極上に目的とする開口部をもつ第
２フォトレジスト膜を形成する第４の工程と、前記第２
フォトレジスト膜をマスクとして電解メッキによりＳｎ
またはＳｎとＰＩ）との合金よりなる第２バンプ電極を
前記第１バンプ電極上に形成する第５の工程と、前記フ
ォトレジスト膜を剥離除去する第６の工程と、前記バン
プ電極をマスク材として前記メッキ下地層金属膜、バリ
ア層金属膜、密着層金属膜を乾式エツチングにより順次
除去する第７の工程を含んで構成されることを特徴とす
る集積回路の製造方法。
上および絶縁膜上に密着層金属膜、バリア層金属膜、メ
ッキ下地層金属膜をそれぞれ耐蝕性に優れる金属により
順次連続して形成する第１の工程と、前記金属膜上に目
的とする開口部をもつ第１フォトレジスト膜を形成する
第２の工程と、前記第１フォトレジスト膜をマスクとし
前記金属膜を電極として電解メッキを行って耐蝕性に優
れた金属よりなる第１バンプ電極を形成する第５の工程
と、前記第１バンプ電極上に目的とする開口部をもつ第
２フォトレジスト膜を形成する第４の工程と、前記第２
フォトレジスト膜をマスクとして電解メッキによりＳｎ
またはＳｎとＰＩ）との合金よりなる第２バンプ電極を
前記第１バンプ電極上に形成する第５の工程と、前記フ
ォトレジスト膜を剥離除去する第６の工程と、前記バン
プ電極をマスク材として前記メッキ下地層金属膜、バリ
ア層金属膜、密着層金属膜を乾式エツチングにより順次
除去する第７の工程を含んで構成されることを特徴とす
る集積回路の製造方法。
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（α）〜（ｇ）は本発明の詳細な説明するための
工程順に示した断面図である。
工程順に示した断面図である。
第１図（α）に示すように、拡散、配線、絶縁膜１及び
電極パッド２の上に密着層として０．０５μｍ〜０２μ
ｍ厚みのＴｉ膜６と、拡散バリア層として０１μｍ〜０
８２μｍ厚みのＰｔ膜４と、メッキ下地層として０．０
５μｒｒＬ〜０６μｍ厚みのＡＵ膜５を順次、蒸着また
はスパッタ法により形成する。
電極パッド２の上に密着層として０．０５μｍ〜０２μ
ｍ厚みのＴｉ膜６と、拡散バリア層として０１μｍ〜０
８２μｍ厚みのＰｔ膜４と、メッキ下地層として０．０
５μｒｒＬ〜０６μｍ厚みのＡＵ膜５を順次、蒸着また
はスパッタ法により形成する。
次に、第１図Ｃｈ）に示すように、前記金属多層膜上に
第１フォトレジスト膜６を塗布形成し、通常の方法に従
って、第１バンプ電極形成用の開口部７を形成する。
第１フォトレジスト膜６を塗布形成し、通常の方法に従
って、第１バンプ電極形成用の開口部７を形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、第１フォトレジスト
開口部７に、電解金メッキにより１５〜３０μｍ厚みの
第１バンプ電極８を形成する。
開口部７に、電解金メッキにより１５〜３０μｍ厚みの
第１バンプ電極８を形成する。
次に、第１図（ｃＬ）に示すように、前記第１フォトレ
ジスト膜６および前記第１バンプ電極８上に第２フォト
レジスト膜９を塗布形成し、通常の方法に従って、第２
バンプ電極形成用の開口部１０を、前記第１バンプ電極
８上に形成する。
ジスト膜６および前記第１バンプ電極８上に第２フォト
レジスト膜９を塗布形成し、通常の方法に従って、第２
バンプ電極形成用の開口部１０を、前記第１バンプ電極
８上に形成する。
次に、第１図（−）に示すように、第２フォトレジスト
膜開口部１０に電解メッキ法によりＳｎまたは５膜６０
％−Ｐｂ４０％の合金よりなる、０．５μｍ〜１５μｍ
厚の第２バンプ電極１１を形成する。
膜開口部１０に電解メッキ法によりＳｎまたは５膜６０
％−Ｐｂ４０％の合金よりなる、０．５μｍ〜１５μｍ
厚の第２バンプ電極１１を形成する。
次に、第１図（１）に示すように、第１フォトレジスト
膜６および第２フォトレジスト膜９を剥離液または酸素
プラズマにより除去する。
膜６および第２フォトレジスト膜９を剥離液または酸素
プラズマにより除去する。
次に、第１図（ｙ）に示すように、イオンミーリング等
の異方性乾式エツチングにより、前記第１バンプ電極８
および前記第２バンプ電極１１をマスクとして、前記Ｔ
ｉ膜５．ｐｔ膜４．Ａｕ膜５をエツチング除去する。
の異方性乾式エツチングにより、前記第１バンプ電極８
および前記第２バンプ電極１１をマスクとして、前記Ｔ
ｉ膜５．ｐｔ膜４．Ａｕ膜５をエツチング除去する。
以上の工程により、ＳｎまたはＳｎとＰｂよりなる第２
バンプ電極がその上部に設置された金バンプ″電極が集
積回路上に形成される。
バンプ電極がその上部に設置された金バンプ″電極が集
積回路上に形成される。
以上説明したように、本発明によれば、実装後の耐蝕性
、熱的安定性に優れた金属群でのみ構成され、外部端子
との接着機能材が設置された金バンプ電極を有する集積
回路を容易に製造することができる。
、熱的安定性に優れた金属群でのみ構成され、外部端子
との接着機能材が設置された金バンプ電極を有する集積
回路を容易に製造することができる。
１・・・・・・・・・絶縁膜
２・・・・・・１．・電極パッド
３・・・・・・・・・Ｔｉ膜
４・・・・・・・・・Ｐｔ膜
５・・・・・・・・・Ａｕ膜
６・・・・・・・・・第１フォトレジスト膜７・・・・
・・・・・第１フォトレジスト膜の開口部８・・・・・
・・・・第１バンプ電極 ９・・・・・・・・・第２フォトレジスト膜１０・・・
・・・・・・第２フォトレジスト膜の開口部１１・・・
・・・・・・第２バンプ電極以 上
・・・・・第１フォトレジスト膜の開口部８・・・・・
・・・・第１バンプ電極 ９・・・・・・・・・第２フォトレジスト膜１０・・・
・・・・・・第２フォトレジスト膜の開口部１１・・・
・・・・・・第２バンプ電極以 上
第１図（α）〜（ｇ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図である。
めの工程順に示した断面図である。
Claims (3)
- （１）集積回路の電極パッド上および絶縁膜上に密着層
としての第１金属膜、相互拡散防止バリア膜（以下、バ
リア膜と呼ぶ）としての第２金属膜及び電解メッキの下
地電極としての第３金属膜とを順次形成する第１の工程
と、前記金属膜上に目的とする開口部をもつ第１フォト
レジスト膜を形成する第２の工程と、前記第１フォトレ
ジスト膜をマスクとし前記第３金属膜を電極として電解
メッキを行って第１バンプ電極を形成する第３の工程と
、前記第１バンプ電極上に目的とする開口をもつ第２の
フォトレジスト膜を形成する第４の工程と、前記第２フ
ォトレジスト膜をマスクとし前記第１バンプ電極を電極
として電解メッキを行って第２バンプ電極を形成する第
５の工程と、前記第１フォトレジスト膜と前記第２フォ
トレジスト膜とを剥離除去する第６の工程と、前記第１
バンプ電極および前記第２バンプ電極をエッチングのマ
スク材として前記第１金属膜、第２金属膜、第３金属膜
のバンプ電極下部以外を自己整合的に乾式エッチング除
去する第７の工程とを含んで構成されることを特徴とす
る集積回路の製造方法。 - （２）第１金属膜がＴｉ膜、第２金属膜がｐｔ膜、第３
金属膜がＡｕであることを特徴とする請求項１記載の集
積回路の製造方法。 - （３）電解メッキによる第１バンプ電極がＡｕ、第２バ
ンプ電極がＳｎまたはＳｎとＰｂの合金であることを特
徴とする請求項１記載の集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213202A JPH0494544A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213202A JPH0494544A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494544A true JPH0494544A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16635228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2213202A Pending JPH0494544A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0494544A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5989993A (en) * | 1996-02-09 | 1999-11-23 | Elke Zakel | Method for galvanic forming of bonding pads |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2213202A patent/JPH0494544A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5989993A (en) * | 1996-02-09 | 1999-11-23 | Elke Zakel | Method for galvanic forming of bonding pads |
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