JP2536377B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2536377B2 JP2536377B2 JP4341419A JP34141992A JP2536377B2 JP 2536377 B2 JP2536377 B2 JP 2536377B2 JP 4341419 A JP4341419 A JP 4341419A JP 34141992 A JP34141992 A JP 34141992A JP 2536377 B2 JP2536377 B2 JP 2536377B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating film
- film
- layer
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置およびその
製造方法に関し、特に金（Ａｕ）を主体とする配線を有
する半導体装置およびその製造方法に関する。
製造方法に関し、特に金（Ａｕ）を主体とする配線を有
する半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】金を主体とする配線は、低抵抗性、高耐
マイグレーション性等の優れた性質により高密度化され
た半導体装置に適合するものとして期待されている。し
かし、金配線には上層絶縁膜との密着性が低いという重
大な欠点がある。そこで、従来よりこの点に関して様々
な提案がなされてきたが、それらは概略以下のものであ
った。 金配線上に密着性のよい絶縁膜を被着する。 −Ａ 無機材料からなる密着層を形成する。 −Ｂ 有機材料からなる密着層を形成する。 金配線上に密着性のよい導電性膜を形成する。 −Ａ 選択成長法により金属膜を金配線上に被着す
る。 −Ｂ 全面的に金属膜を被着した後、パターニングす
る。
マイグレーション性等の優れた性質により高密度化され
た半導体装置に適合するものとして期待されている。し
かし、金配線には上層絶縁膜との密着性が低いという重
大な欠点がある。そこで、従来よりこの点に関して様々
な提案がなされてきたが、それらは概略以下のものであ
った。 金配線上に密着性のよい絶縁膜を被着する。 −Ａ 無機材料からなる密着層を形成する。 −Ｂ 有機材料からなる密着層を形成する。 金配線上に密着性のよい導電性膜を形成する。 −Ａ 選択成長法により金属膜を金配線上に被着す
る。 −Ｂ 全面的に金属膜を被着した後、パターニングす
る。
【０００３】図４は、Solid State Technology, Dec.,
pp.137-141（1983）において提案された金配線の製造方
法を示す工程断面図である。これは、上記分類で−Ａ
に該当するものである。まず、シリコンからなる半導体
基板３０１上にシリコン酸化膜より構成される第１絶縁
膜３０２を熱酸化法あるいはプラズマＣＶＤ法により形
成する。続いて、ＷにＴｉが１０wt％添加されたＴｉ−
Ｗ膜より構成される第１導電膜層３０３をＤ．Ｃ．マグ
ネトロンスパッタ法により成膜し、その上にＰｄ（また
はＡｕ）膜より構成される第２導電膜層３０４を同様の
手法を用いて形成する。
pp.137-141（1983）において提案された金配線の製造方
法を示す工程断面図である。これは、上記分類で−Ａ
に該当するものである。まず、シリコンからなる半導体
基板３０１上にシリコン酸化膜より構成される第１絶縁
膜３０２を熱酸化法あるいはプラズマＣＶＤ法により形
成する。続いて、ＷにＴｉが１０wt％添加されたＴｉ−
Ｗ膜より構成される第１導電膜層３０３をＤ．Ｃ．マグ
ネトロンスパッタ法により成膜し、その上にＰｄ（また
はＡｕ）膜より構成される第２導電膜層３０４を同様の
手法を用いて形成する。
【０００４】次に、フォトリソグラフィ法により第２導
電膜層３０４上に選択的にフォトレジスト膜を形成し、
これをマスクに電解メッキ法を用いて露出しているＰｄ
（またはＡｕ）膜上に選択的にＡｕメッキ膜３０６を形
成する。フォトレジスト膜を除去し、Ａｕメッキ膜３０
６をマスクに第２導電膜層３０４、第１導電膜層３０３
をエッチング除去して図４の（ａ）に示すように金配線
を形成する。
電膜層３０４上に選択的にフォトレジスト膜を形成し、
これをマスクに電解メッキ法を用いて露出しているＰｄ
（またはＡｕ）膜上に選択的にＡｕメッキ膜３０６を形
成する。フォトレジスト膜を除去し、Ａｕメッキ膜３０
６をマスクに第２導電膜層３０４、第１導電膜層３０３
をエッチング除去して図４の（ａ）に示すように金配線
を形成する。
【０００５】次に、金配線と絶縁膜との密着性を改善す
るために、図４の（ｂ）に示すように、Ａｕとの密着性
が比較的良いとされているプラズマ窒化膜により構成さ
れる密着層３１２ａを配線上に２５〜３０ｎｍの厚みで
形成し、その上層に厚さ約７５０ｎｍのプラズマ酸化膜
により構成される第２絶縁膜３１１を形成する。この場
合、プラズマ窒化膜は、ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 ＝２０
５／２８０／５８０sccm、３００℃、０．２３Torr、５
００Ｗの条件で形成し、プラズマ酸化膜はＳｉＨ4 ／Ｎ
2 Ｏ＝７０／１９００sccm、３００℃、０．３８Torrの
条件で形成する。
るために、図４の（ｂ）に示すように、Ａｕとの密着性
が比較的良いとされているプラズマ窒化膜により構成さ
れる密着層３１２ａを配線上に２５〜３０ｎｍの厚みで
形成し、その上層に厚さ約７５０ｎｍのプラズマ酸化膜
により構成される第２絶縁膜３１１を形成する。この場
合、プラズマ窒化膜は、ＳｉＨ4 ／ＮＨ3 ／Ｎ2 ＝２０
５／２８０／５８０sccm、３００℃、０．２３Torr、５
００Ｗの条件で形成し、プラズマ酸化膜はＳｉＨ4 ／Ｎ
2 Ｏ＝７０／１９００sccm、３００℃、０．３８Torrの
条件で形成する。
【０００６】図５は、Proc. of 6th V-MIC, IEEE pp.3
3-39（1989）においてＫ．Ｍｉｋａｇｉ等が提案した半
導体装置の断面図であって、これは上記の−Ａに該当
するものである。この半導体装置を作製するには、図４
の（ａ）に示した金配線を有する半完成品を得た後、Ｗ
Ｆ6 を原料ソースとし、ＳｉＨ4 を還元ガスとした選択
Ｗ−ＣＶＤ法により金配線上のみに選択的にタングステ
ンにより構成される密着層３１２ｂを形成し、続いてそ
の上層に有機物からなる第２絶縁膜３１１を形成する。
3-39（1989）においてＫ．Ｍｉｋａｇｉ等が提案した半
導体装置の断面図であって、これは上記の−Ａに該当
するものである。この半導体装置を作製するには、図４
の（ａ）に示した金配線を有する半完成品を得た後、Ｗ
Ｆ6 を原料ソースとし、ＳｉＨ4 を還元ガスとした選択
Ｗ−ＣＶＤ法により金配線上のみに選択的にタングステ
ンにより構成される密着層３１２ｂを形成し、続いてそ
の上層に有機物からなる第２絶縁膜３１１を形成する。
【０００７】上記論文では、上記選択Ｗ成長は、コール
ドウオールタイプの反応チャンバを用い、シラン還元法
の場合、温度１８０〜２５０℃、ＷＦ6 ／（ＷＦ6 ＋Ｓ
ｉＨ4 ）＝０．４〜０．６、圧力１０〜１００ｍTorrの
条件の下で行うことがＷ成長の選択性、膜質等の面から
好ましいとしている。
ドウオールタイプの反応チャンバを用い、シラン還元法
の場合、温度１８０〜２５０℃、ＷＦ6 ／（ＷＦ6 ＋Ｓ
ｉＨ4 ）＝０．４〜０．６、圧力１０〜１００ｍTorrの
条件の下で行うことがＷ成長の選択性、膜質等の面から
好ましいとしている。
【０００８】選択成長法による密着性改善手段としては
以下の手法も考えられる。 ＷＦ6 のＳｉＨ4 による還元法に代え、ＷＦ6 をＨ
2 ガスによって還元してＷの密着層を形成する。 無電解メッキ法を用いる。例えば、無電解Ｎｉメッ
キの場合、前処理としてＰｄＣｌ2 溶液に浸漬した後、
硫酸ニッケルを主成分とし、還元剤にジメチルアミンボ
ラン、これにｐＨ安定剤などの添加剤を加えたほぼ中性
のｐＨを有する、恒温保持した無電解メッキ液中に浸漬
する。
以下の手法も考えられる。 ＷＦ6 のＳｉＨ4 による還元法に代え、ＷＦ6 をＨ
2 ガスによって還元してＷの密着層を形成する。 無電解メッキ法を用いる。例えば、無電解Ｎｉメッ
キの場合、前処理としてＰｄＣｌ2 溶液に浸漬した後、
硫酸ニッケルを主成分とし、還元剤にジメチルアミンボ
ラン、これにｐＨ安定剤などの添加剤を加えたほぼ中性
のｐＨを有する、恒温保持した無電解メッキ液中に浸漬
する。
【０００９】図６は、上記分類の−Ｂに関するものと
して、Ｋ．Ｈａｂｅｒｌｅ等が Proc. of 5th V-MIC Co
nf., IEEE, pp.117-124 において提案した半導体装置の
断面図である。これは、金メッキ膜３０６上に、絶縁膜
との密着性を高める導電性被膜としてＣｒからなる密着
層３１２ｃを被着し、その上層に第２絶縁膜３１１を形
成するものである。上記論文にはまた、金配線上に有機
のカップラ材を被着して密着性を高めること（上記−
Ｂに該当）も記載されている。
して、Ｋ．Ｈａｂｅｒｌｅ等が Proc. of 5th V-MIC Co
nf., IEEE, pp.117-124 において提案した半導体装置の
断面図である。これは、金メッキ膜３０６上に、絶縁膜
との密着性を高める導電性被膜としてＣｒからなる密着
層３１２ｃを被着し、その上層に第２絶縁膜３１１を形
成するものである。上記論文にはまた、金配線上に有機
のカップラ材を被着して密着性を高めること（上記−
Ｂに該当）も記載されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記各従来例は、それ
ぞれ次のような問題点を有する。プラズマ窒化膜を密着
性改善用絶縁膜に使用した場合、必ずしも十分な密着性
が得られず、また製造工程中の熱履歴や使用中の経時変
化により絶縁膜／金配線間での剥がれを生ずる可能性が
あるため、配線の多層化を高い製造歩留りで実現するこ
とは困難でありまた製品の長期信頼性も得にくい。さら
に絶縁膜の比誘電率が増加するため、層間容量も増加し
て半導体装置の特性が低下する。
ぞれ次のような問題点を有する。プラズマ窒化膜を密着
性改善用絶縁膜に使用した場合、必ずしも十分な密着性
が得られず、また製造工程中の熱履歴や使用中の経時変
化により絶縁膜／金配線間での剥がれを生ずる可能性が
あるため、配線の多層化を高い製造歩留りで実現するこ
とは困難でありまた製品の長期信頼性も得にくい。さら
に絶縁膜の比誘電率が増加するため、層間容量も増加し
て半導体装置の特性が低下する。
【００１１】密着層として有機絶縁膜を用いた場合、必
然的に第２絶縁膜は有機膜となるが、有機絶縁膜を用い
た半導体装置は、現在の半導体製造プロセスとの整合性
がよくないため、設計の自由度が下がり、また量産性に
欠ける欠点がある。
然的に第２絶縁膜は有機膜となるが、有機絶縁膜を用い
た半導体装置は、現在の半導体製造プロセスとの整合性
がよくないため、設計の自由度が下がり、また量産性に
欠ける欠点がある。
【００１２】金配線表面にＣＶＤ法や無電解メッキ法を
用いた選択成長法により密着金属層を形成する場合、厳
格な工程管理が必要となり、その上工程管理を厳しくし
ても密着金属の成長が非選択になる可能性がある。その
場合、配線間ショートが発生し製造時の歩留りが低下す
る。金配線上層にＣｒなどの密着金属を形成する場合、
形成に要する工程数が多いため、製造コストが増加する
などの不利益を生じる。また金配線形成後にＣｒなどの
密着金属層を形成しパターニングを行う場合（−Ｂの
場合）、目合わせ精度や加工精度の問題から微細な配線
への適用が困難となる。
用いた選択成長法により密着金属層を形成する場合、厳
格な工程管理が必要となり、その上工程管理を厳しくし
ても密着金属の成長が非選択になる可能性がある。その
場合、配線間ショートが発生し製造時の歩留りが低下す
る。金配線上層にＣｒなどの密着金属を形成する場合、
形成に要する工程数が多いため、製造コストが増加する
などの不利益を生じる。また金配線形成後にＣｒなどの
密着金属層を形成しパターニングを行う場合（−Ｂの
場合）、目合わせ精度や加工精度の問題から微細な配線
への適用が困難となる。
【００１３】よって、本発明の目的とするところは、第
１に、熱履歴や経時変化による、金配線からの剥がれの
生じることのない密着手段を提供することであり、第２
に、密着性膜による配線間の短絡を防止することであ
り、第３に、簡単な手法により密着性膜を形成しうるよ
うにすることである。
１に、熱履歴や経時変化による、金配線からの剥がれの
生じることのない密着手段を提供することであり、第２
に、密着性膜による配線間の短絡を防止することであ
り、第３に、簡単な手法により密着性膜を形成しうるよ
うにすることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板上に第１の絶縁膜が形成され、該第１の絶縁
膜上にＡｕを主体とする、１乃至複数層の配線が形成さ
れ、該配線の上面および側面が解離吸着による吸着金属
薄層によって被覆され、配線層間および最上層配線上に
第２の絶縁膜が設けられている。
半導体基板上に第１の絶縁膜が形成され、該第１の絶縁
膜上にＡｕを主体とする、１乃至複数層の配線が形成さ
れ、該配線の上面および側面が解離吸着による吸着金属
薄層によって被覆され、配線層間および最上層配線上に
第２の絶縁膜が設けられている。
【００１５】また、その製造方法は、半導体基板上に第
１の絶縁膜を介してＡｕを主体とする配線を形成する工
程と、ＷまたはＭｏのハロゲン化物ガスと接触させ、前
記配線の表面に解離吸着により吸着金属薄層を形成する
工程と、酸素を含む雰囲気中に曝して、前記第１の絶縁
膜上に付着したハロゲン化物を酸化物に変換する工程
と、非酸化性雰囲気中で熱処理を施して、前記吸着金属
薄層を安定化させる工程と、前記配線上を含む全面を第
２の絶縁膜で被覆する工程と、を含んでいる。
１の絶縁膜を介してＡｕを主体とする配線を形成する工
程と、ＷまたはＭｏのハロゲン化物ガスと接触させ、前
記配線の表面に解離吸着により吸着金属薄層を形成する
工程と、酸素を含む雰囲気中に曝して、前記第１の絶縁
膜上に付着したハロゲン化物を酸化物に変換する工程
と、非酸化性雰囲気中で熱処理を施して、前記吸着金属
薄層を安定化させる工程と、前記配線上を含む全面を第
２の絶縁膜で被覆する工程と、を含んでいる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１、図２は、本発明の第１の実施例の製
造方法を説明するための工程断面図である。まず、図１
の（ａ）に示すように、半導体基板１０１上にシリコン
酸化膜より構成される第１絶縁膜１０２を熱酸化法ある
いはＳｉＨ4 とＮ2 Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法により
厚さ約５００ｎｍに形成する。
て説明する。図１、図２は、本発明の第１の実施例の製
造方法を説明するための工程断面図である。まず、図１
の（ａ）に示すように、半導体基板１０１上にシリコン
酸化膜より構成される第１絶縁膜１０２を熱酸化法ある
いはＳｉＨ4 とＮ2 Ｏを用いたプラズマＣＶＤ法により
厚さ約５００ｎｍに形成する。
【００１７】続いて、ＷにＴｉが１０wt％添加されたＴ
ｉ−Ｗ膜より構成される第１導電膜層１０３をＤ．Ｃ．
マグネトロンスパッタ法により、成膜パワー１．０〜
４．０ｋＷ、成膜圧力２〜１０ｍTorrの条件の下、１０
０〜２００ｎｍの厚みに形成する。さらにＴｉ−Ｗ膜上
にＡｕ膜より構成される第２導電膜層１０４を同様の手
法を用いて、成膜パワー０．２〜１．０ｋＷ、成膜圧力
２〜１０ｍTorrの条件の下、１０〜５０ｎｍの厚みに形
成する。この第２導電膜層はＡｕ膜に限らず、他にＰ
ｄ、Ｐｔ等の金属であってもよい。第１導電膜層１０３
は、後工程で形成するＡｕメッキ膜や第２導電膜層の能
動領域への拡散を防止するバリアメタルとして設ける
が、下層に存在する第１絶縁膜との間の密着をとる層と
しても機能する。第２導電膜層１０４は、Ａｕメッキ膜
をメッキ法により形成する際の、メッキ電流供給路の確
保、メッキ膜の安定した成長、Ａｕメッキ膜と第１導電
膜層との間の密着性の改善および第１導電膜層表面のメ
ッキ液からの保護を目的として形成されたものである。
ｉ−Ｗ膜より構成される第１導電膜層１０３をＤ．Ｃ．
マグネトロンスパッタ法により、成膜パワー１．０〜
４．０ｋＷ、成膜圧力２〜１０ｍTorrの条件の下、１０
０〜２００ｎｍの厚みに形成する。さらにＴｉ−Ｗ膜上
にＡｕ膜より構成される第２導電膜層１０４を同様の手
法を用いて、成膜パワー０．２〜１．０ｋＷ、成膜圧力
２〜１０ｍTorrの条件の下、１０〜５０ｎｍの厚みに形
成する。この第２導電膜層はＡｕ膜に限らず、他にＰ
ｄ、Ｐｔ等の金属であってもよい。第１導電膜層１０３
は、後工程で形成するＡｕメッキ膜や第２導電膜層の能
動領域への拡散を防止するバリアメタルとして設ける
が、下層に存在する第１絶縁膜との間の密着をとる層と
しても機能する。第２導電膜層１０４は、Ａｕメッキ膜
をメッキ法により形成する際の、メッキ電流供給路の確
保、メッキ膜の安定した成長、Ａｕメッキ膜と第１導電
膜層との間の密着性の改善および第１導電膜層表面のメ
ッキ液からの保護を目的として形成されたものである。
【００１８】次に、図１の（ｂ）に示すように、ｇ線あ
るいはｉ線を用いたフォトリソグラフィ法により、１０
００〜２０００ｎｍの厚みを有するフォトレジストより
構成されるマスク膜１０５をＡｕ膜（１０４）上に形成
する。次いで電解メッキ法を用いて露出したＡｕ膜上に
選択的に５００〜１５００ｎｍの厚みのＡｕ膜１０６を
形成する。電解金メッキに用いるメッキ液は、硫酸金ナ
トリウムと硫酸を主成分とし、これに平坦化剤、ｐＨ安
定化剤等の添加剤が添加されたものを使用する。このメ
ッキ液は通常１リットル当たり約１０ｇの金を含有する
非シアン系の溶液で、中性に近いｐＨ（６．０〜８．
０）を有している。実際のメッキはメッキ温度３５〜６
５℃、電流密度１〜４ｍＡ／ｃｍ2 の条件の下で行う事
が膜質、均一性の観点から見て望ましい。またシアン系
の電解金メッキ液での金メッキ膜形成も可能である。
るいはｉ線を用いたフォトリソグラフィ法により、１０
００〜２０００ｎｍの厚みを有するフォトレジストより
構成されるマスク膜１０５をＡｕ膜（１０４）上に形成
する。次いで電解メッキ法を用いて露出したＡｕ膜上に
選択的に５００〜１５００ｎｍの厚みのＡｕ膜１０６を
形成する。電解金メッキに用いるメッキ液は、硫酸金ナ
トリウムと硫酸を主成分とし、これに平坦化剤、ｐＨ安
定化剤等の添加剤が添加されたものを使用する。このメ
ッキ液は通常１リットル当たり約１０ｇの金を含有する
非シアン系の溶液で、中性に近いｐＨ（６．０〜８．
０）を有している。実際のメッキはメッキ温度３５〜６
５℃、電流密度１〜４ｍＡ／ｃｍ2 の条件の下で行う事
が膜質、均一性の観点から見て望ましい。またシアン系
の電解金メッキ液での金メッキ膜形成も可能である。
【００１９】次に、図１の（ｃ）に示すように、有機溶
剤を用いた湿式剥離法あるいは酸素プラズマを用いたア
ッシング法によりマスク膜１０５を除去する。次いでＡ
ｕメッキ膜１０６をエッチングマスクとして露出した第
２導電膜層１０４をエッチングし、続いて露出した第１
導電膜層１０３をエッチングしてＡｕメッキ膜を主体と
した配線を形成する。ウエットエッチング法により第１
導電膜層および第２導電膜層を除去する場合、Ａｕ膜
は、濃度１０〜２０重量％の王水、温度２５〜５０℃の
もとでエッチングするかあるいはＮＨ4 Ｉ／Ｉ2 溶液で
エッチングする。Ｔｉ−Ｗ膜は、濃度２０〜１００％の
過酸化水素水で２５〜４５℃の条件の下エッチングす
る。ドライエッチング法により第１導電膜層および第２
導電膜層を除去しようとする場合には、Ａｒガスをミリ
ングソースとしたイオンミリング法やイオンミリング法
にＣＦ4 、ＳＦ6 等のフッ素系ガスを使用した反応性イ
オンエッチング法を組み合わせた方法を用いる。さらに
不活性雰囲気あるいはフォーミングガス中、３００〜４
００℃で３０〜６０分程度の熱処理を施し、配線構造の
安定化をはかる。
剤を用いた湿式剥離法あるいは酸素プラズマを用いたア
ッシング法によりマスク膜１０５を除去する。次いでＡ
ｕメッキ膜１０６をエッチングマスクとして露出した第
２導電膜層１０４をエッチングし、続いて露出した第１
導電膜層１０３をエッチングしてＡｕメッキ膜を主体と
した配線を形成する。ウエットエッチング法により第１
導電膜層および第２導電膜層を除去する場合、Ａｕ膜
は、濃度１０〜２０重量％の王水、温度２５〜５０℃の
もとでエッチングするかあるいはＮＨ4 Ｉ／Ｉ2 溶液で
エッチングする。Ｔｉ−Ｗ膜は、濃度２０〜１００％の
過酸化水素水で２５〜４５℃の条件の下エッチングす
る。ドライエッチング法により第１導電膜層および第２
導電膜層を除去しようとする場合には、Ａｒガスをミリ
ングソースとしたイオンミリング法やイオンミリング法
にＣＦ4 、ＳＦ6 等のフッ素系ガスを使用した反応性イ
オンエッチング法を組み合わせた方法を用いる。さらに
不活性雰囲気あるいはフォーミングガス中、３００〜４
００℃で３０〜６０分程度の熱処理を施し、配線構造の
安定化をはかる。
【００２０】続いて、図２の（ａ）に示すように、半導
体基板を反応チャンバ１０７内に載置し、１５０〜４０
０℃、圧力２００ｍTorr〜数Torrの条件の下で、ＷＦ6
ガスより構成されるタングステン系ガス１０８の雰囲気
に５分〜１０分の間曝らす（以下、この種処理を吸着処
理と呼ぶ）。吸着処理中にＷＦ6 ガス分子は金表面に吸
着し、金膜中に存在する自由電子との間に生じたエネル
ギーの授受作用によりＦを解離して吸着タングステン層
１０９を形成し、金表面で金との間で金属結合を形成す
る。そしてＦは飛散する。しかしながら形成された吸着
タングステン層はＳｉＨ4 やＨ2 により還元されたもの
とは異なり、数〜１０ｎｍと極めて薄く、下地との結合
力も弱い、構造的に不安定なものである。この吸着層の
膜厚を厚くしたい場合、吸着処理時のタングステン系ガ
ス分圧および処理温度を増加させてやる必要がある。露
出している第１絶縁膜１０２上へのＷＦ6 の吸着速度は
金表面への吸着速度と比較して非常に遅いため、吸着量
は金上よりもはるかに少ない。しかもその吸着状態が金
上とは異なり、自由電子が存在しない第１絶縁膜との間
ではエネルギーの授受が行われないため、ＷＦ6 の吸着
状態が保持される。
体基板を反応チャンバ１０７内に載置し、１５０〜４０
０℃、圧力２００ｍTorr〜数Torrの条件の下で、ＷＦ6
ガスより構成されるタングステン系ガス１０８の雰囲気
に５分〜１０分の間曝らす（以下、この種処理を吸着処
理と呼ぶ）。吸着処理中にＷＦ6 ガス分子は金表面に吸
着し、金膜中に存在する自由電子との間に生じたエネル
ギーの授受作用によりＦを解離して吸着タングステン層
１０９を形成し、金表面で金との間で金属結合を形成す
る。そしてＦは飛散する。しかしながら形成された吸着
タングステン層はＳｉＨ4 やＨ2 により還元されたもの
とは異なり、数〜１０ｎｍと極めて薄く、下地との結合
力も弱い、構造的に不安定なものである。この吸着層の
膜厚を厚くしたい場合、吸着処理時のタングステン系ガ
ス分圧および処理温度を増加させてやる必要がある。露
出している第１絶縁膜１０２上へのＷＦ6 の吸着速度は
金表面への吸着速度と比較して非常に遅いため、吸着量
は金上よりもはるかに少ない。しかもその吸着状態が金
上とは異なり、自由電子が存在しない第１絶縁膜との間
ではエネルギーの授受が行われないため、ＷＦ6 の吸着
状態が保持される。
【００２１】その後、図２の（ｂ）に示すように、大気
中に曝らす。すると絶縁膜上のＷＦ6 は（フッ化物より
も酸化物のほうが自由エネルギーが小さいため）、Ｆを
解離して酸素と結合してタングステン酸化物１１０とな
る。しかし、金配線上の吸着タングステン層は金との間
に金属結合を生じているため酸化されない。この第１絶
縁膜１０２上に形成されたタングステン酸化物は絶縁物
質であるため配線間ショートの原因となることはない。
その後さらに非酸化雰囲気中で、３００〜４００℃の熱
処理を行い、吸着タングステン層を安定化させる。
中に曝らす。すると絶縁膜上のＷＦ6 は（フッ化物より
も酸化物のほうが自由エネルギーが小さいため）、Ｆを
解離して酸素と結合してタングステン酸化物１１０とな
る。しかし、金配線上の吸着タングステン層は金との間
に金属結合を生じているため酸化されない。この第１絶
縁膜１０２上に形成されたタングステン酸化物は絶縁物
質であるため配線間ショートの原因となることはない。
その後さらに非酸化雰囲気中で、３００〜４００℃の熱
処理を行い、吸着タングステン層を安定化させる。
【００２２】然る後、図２の（ｃ）に示すように、配線
上にＳｉＨ4 とＮ2 ＯをソースとしたプラズマＣＶＤ法
によりシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜１１１を５０
０〜１０００ｎｍの厚みに形成する。この第２絶縁膜は
必ずしもシリコン酸化膜である必要はなく、層間容量の
低減に有効な比誘電率の小さなポリイミドなどの有機系
材料を用いて形成してもよい。
上にＳｉＨ4 とＮ2 ＯをソースとしたプラズマＣＶＤ法
によりシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜１１１を５０
０〜１０００ｎｍの厚みに形成する。この第２絶縁膜は
必ずしもシリコン酸化膜である必要はなく、層間容量の
低減に有効な比誘電率の小さなポリイミドなどの有機系
材料を用いて形成してもよい。
【００２３】上述の方法で製造した半導体装置は、金配
線周囲に薄いＷ膜が形成されているため、絶縁膜との密
着性も良好で熱履歴により剥がれを生じることがないの
で、配線の多層化が可能となる。また、吸着処理中に非
選択の吸着がなされてもＷ酸化物は絶縁性であるため、
配線間ショートの原因とはならず、歩留りが低下する事
はない。なお、本発明はＭＯＳ型、バイポーラ型のいず
れのタイプの半導体装置に対しても適用しうるものであ
り、また、半導体基板もシリコンに限定されるものでは
なく、ＧａＡｓ等他の材料のものであってもよい。
線周囲に薄いＷ膜が形成されているため、絶縁膜との密
着性も良好で熱履歴により剥がれを生じることがないの
で、配線の多層化が可能となる。また、吸着処理中に非
選択の吸着がなされてもＷ酸化物は絶縁性であるため、
配線間ショートの原因とはならず、歩留りが低下する事
はない。なお、本発明はＭＯＳ型、バイポーラ型のいず
れのタイプの半導体装置に対しても適用しうるものであ
り、また、半導体基板もシリコンに限定されるものでは
なく、ＧａＡｓ等他の材料のものであってもよい。
【００２４】次に、図３を参照して、本発明の第２の実
施例について説明する。図３は、本発明の第２の実施例
を製造工程順に示した断面図である。第１の実施例と同
様の手法および材料を用いて、半導体基板２０１上に第
１絶縁膜２０２を設け、その上に、第１導電膜層２０
３、第２導電膜層２０４および金メッキ膜２０６より構
成される配線を形成した後、図３の（ａ）に示すよう
に、反応チャンバ２０７内に載置し、チャンバ内で、３
００〜５００℃、圧力４００ｍTorr〜数Torrの条件の
下、ＷＣｌ6 ガスからなるタングステン系ガス２０８雰
囲気中で５分〜１０分間の吸着処理を行う。ＷＣｌ6 は
融点が２７５℃であり、ＷＦ6 の融点と比較して高いた
め（ＷＦ6 は常温で液体）、本実施例では、第１の実施
例の場合よりも高い吸着処理温度が要求されることにな
る。吸着処理中にＷＣｌ6 は、金表面に吸着し、金膜中
の自由電子との間に生じたエネルギーの授受作用により
Ｃｌを解離して吸着タングステン層２０９となり、金表
面で金との間で金属結合を形成する。そしてＣｌは飛散
する。しかしながら形成された吸着タングステン層はＳ
ｉＨ4 やＨ2 により還元されたものとは異なり、極めて
薄く、下地との結合力が弱い、構造的に不安定なもので
ある。この吸着層の膜厚を厚くしたい場合、吸着処理時
のタングステン系ガス分圧および処理温度を増加させて
やる必要がある。露出している第１絶縁膜２０２上への
ＷＣｌ6 の吸着速度は金表面への吸着速度と比較して非
常に遅いため、第１絶縁膜上への吸着量は金上よりもは
るかに少ない。しかもその吸着状態が金膜上とは異な
り、自由電子が存在しない第１絶縁膜との間ではエネル
ギーの授受が行われないために、ＷＣｌ6 の吸着状態が
保持される。
施例について説明する。図３は、本発明の第２の実施例
を製造工程順に示した断面図である。第１の実施例と同
様の手法および材料を用いて、半導体基板２０１上に第
１絶縁膜２０２を設け、その上に、第１導電膜層２０
３、第２導電膜層２０４および金メッキ膜２０６より構
成される配線を形成した後、図３の（ａ）に示すよう
に、反応チャンバ２０７内に載置し、チャンバ内で、３
００〜５００℃、圧力４００ｍTorr〜数Torrの条件の
下、ＷＣｌ6 ガスからなるタングステン系ガス２０８雰
囲気中で５分〜１０分間の吸着処理を行う。ＷＣｌ6 は
融点が２７５℃であり、ＷＦ6 の融点と比較して高いた
め（ＷＦ6 は常温で液体）、本実施例では、第１の実施
例の場合よりも高い吸着処理温度が要求されることにな
る。吸着処理中にＷＣｌ6 は、金表面に吸着し、金膜中
の自由電子との間に生じたエネルギーの授受作用により
Ｃｌを解離して吸着タングステン層２０９となり、金表
面で金との間で金属結合を形成する。そしてＣｌは飛散
する。しかしながら形成された吸着タングステン層はＳ
ｉＨ4 やＨ2 により還元されたものとは異なり、極めて
薄く、下地との結合力が弱い、構造的に不安定なもので
ある。この吸着層の膜厚を厚くしたい場合、吸着処理時
のタングステン系ガス分圧および処理温度を増加させて
やる必要がある。露出している第１絶縁膜２０２上への
ＷＣｌ6 の吸着速度は金表面への吸着速度と比較して非
常に遅いため、第１絶縁膜上への吸着量は金上よりもは
るかに少ない。しかもその吸着状態が金膜上とは異な
り、自由電子が存在しない第１絶縁膜との間ではエネル
ギーの授受が行われないために、ＷＣｌ6 の吸着状態が
保持される。
【００２５】その後、図３の（ｂ）に示すように、大気
中に曝らす。すると、絶縁膜上のＷＣｌ6 は（塩化物よ
りも酸化物のほうが自由エネルギーが小さいため）、Ｃ
ｌを解離して酸素と結合してタングステン酸化物２１０
となる。しかし、金配線上の吸着タングステン層は金と
の間に金属結合を形成しているため酸化されない。この
第１絶縁膜上に形成されたタングステン酸化物は絶縁物
質であるため配線間ショートの原因となることはない。
さらに非酸化雰囲気中、３００〜４００℃の熱処理を行
い、吸着タングステン層を安定化させる。
中に曝らす。すると、絶縁膜上のＷＣｌ6 は（塩化物よ
りも酸化物のほうが自由エネルギーが小さいため）、Ｃ
ｌを解離して酸素と結合してタングステン酸化物２１０
となる。しかし、金配線上の吸着タングステン層は金と
の間に金属結合を形成しているため酸化されない。この
第１絶縁膜上に形成されたタングステン酸化物は絶縁物
質であるため配線間ショートの原因となることはない。
さらに非酸化雰囲気中、３００〜４００℃の熱処理を行
い、吸着タングステン層を安定化させる。
【００２６】続いて、図３の（ｃ）に示すように、配線
上にＳｉＨ4 とＮ2 ＯをソースとしたプラズマＣＶＤ法
によりシリコン酸化膜より構成される第２絶縁膜２１１
を５００〜１０００ｎｍの厚みに形成する。上述の方法
で製造した半導体装置は、第１の実施例の場合と同様の
効果を有する。
上にＳｉＨ4 とＮ2 ＯをソースとしたプラズマＣＶＤ法
によりシリコン酸化膜より構成される第２絶縁膜２１１
を５００〜１０００ｎｍの厚みに形成する。上述の方法
で製造した半導体装置は、第１の実施例の場合と同様の
効果を有する。
【００２７】続いて、本発明の第３の実施例について説
明する（図面は、他の実施例の場合とほぼ同様であるの
で、適宜図１、図２を参照することにして、その記載は
省略する）。第１の実施例の場合と同様の手法により、
図１の（ｃ）に示すように、半導体基板１０１上に金メ
ッキ膜１０６からなる配線を形成した後、図２の（ａ）
に示すように、反応チャンバ１０７内に載置する。
明する（図面は、他の実施例の場合とほぼ同様であるの
で、適宜図１、図２を参照することにして、その記載は
省略する）。第１の実施例の場合と同様の手法により、
図１の（ｃ）に示すように、半導体基板１０１上に金メ
ッキ膜１０６からなる配線を形成した後、図２の（ａ）
に示すように、反応チャンバ１０７内に載置する。
【００２８】反応チャンバ内で、１００〜４００℃、圧
力２００ｍTorr〜数Torrの条件の下、ＭｏＦ6 ガスより
構成されるモリブデン系ガス雰囲気中で５分〜１０分間
の吸着処理を行う。ＭｏＦ6 は沸点がおよそ３４℃であ
り、沸点が１７℃のＷＦ6 と比較して若干高いため、第
１の実施例の場合よりも吸着処理温度を少し上げる必要
がある。吸着処理中にＭｏＦ6 は金表面に吸着し、金膜
中の自由電子との間に生じたエネルギーの授受作用によ
りＦを解離し吸着モリブデン層を形成し、金表面で金と
の間で金属結合を形成する。しかし、形成された吸着モ
リブデン層は、ＳｉＨ4やＨ2 により還元されたものと
は異なり、極めて薄く、下地との結合力が弱い、構造的
に不安定なものである。この吸着層の膜厚を厚くしたい
場合、吸着処理時のモリブデン系ガス分圧および処理温
度を増加させてやる必要がある。
力２００ｍTorr〜数Torrの条件の下、ＭｏＦ6 ガスより
構成されるモリブデン系ガス雰囲気中で５分〜１０分間
の吸着処理を行う。ＭｏＦ6 は沸点がおよそ３４℃であ
り、沸点が１７℃のＷＦ6 と比較して若干高いため、第
１の実施例の場合よりも吸着処理温度を少し上げる必要
がある。吸着処理中にＭｏＦ6 は金表面に吸着し、金膜
中の自由電子との間に生じたエネルギーの授受作用によ
りＦを解離し吸着モリブデン層を形成し、金表面で金と
の間で金属結合を形成する。しかし、形成された吸着モ
リブデン層は、ＳｉＨ4やＨ2 により還元されたものと
は異なり、極めて薄く、下地との結合力が弱い、構造的
に不安定なものである。この吸着層の膜厚を厚くしたい
場合、吸着処理時のモリブデン系ガス分圧および処理温
度を増加させてやる必要がある。
【００２９】露出している第１絶縁膜上へのＭｏＦ6 の
吸着速度は金表面への吸着速度と比較して非常に遅いた
め、吸着量は金上よりもはるかに少ない。しかもその吸
着状態が金膜上とは異なり、自由電子が存在しない第１
絶縁膜との間ではエネルギーの授受が行われないために
ＭｏＦ6 の吸着状態が保持される。
吸着速度は金表面への吸着速度と比較して非常に遅いた
め、吸着量は金上よりもはるかに少ない。しかもその吸
着状態が金膜上とは異なり、自由電子が存在しない第１
絶縁膜との間ではエネルギーの授受が行われないために
ＭｏＦ6 の吸着状態が保持される。
【００３０】吸着処理終了後、基板を大気中に曝らす
〔図２の（ｂ）参照〕。すると絶縁膜上のＭｏＦ6 は
（フッ化物よりも酸化物のほうが自由エネルギーが小さ
いため）、Ｆを解離し酸素と結合してモリブデン酸化物
となる。しかし、金配線上のモリブデン吸着層は、金と
の間に金属結合が生じているため酸化されない。この第
１絶縁膜上に形成されたモリブデン酸化物は電気伝導性
が極めて低いため配線間ショートの原因となる事はな
い。さらに非酸化雰囲気中、３００〜４００℃の熱処理
を行い、吸着モリブデン層を安定化させる。
〔図２の（ｂ）参照〕。すると絶縁膜上のＭｏＦ6 は
（フッ化物よりも酸化物のほうが自由エネルギーが小さ
いため）、Ｆを解離し酸素と結合してモリブデン酸化物
となる。しかし、金配線上のモリブデン吸着層は、金と
の間に金属結合が生じているため酸化されない。この第
１絶縁膜上に形成されたモリブデン酸化物は電気伝導性
が極めて低いため配線間ショートの原因となる事はな
い。さらに非酸化雰囲気中、３００〜４００℃の熱処理
を行い、吸着モリブデン層を安定化させる。
【００３１】続いて、配線上にＳｉＨ4 とＮ2 Ｏをソー
スガスとしたプラズマＣＶＤ法により、シリコン酸化膜
より構成される第２絶縁膜を５００〜１０００ｎｍの厚
みに形成する〔図２の（ｃ）参照〕。上述の方法で製造
した半導体装置は、第１の実施例のものと同様の効果を
有する。
スガスとしたプラズマＣＶＤ法により、シリコン酸化膜
より構成される第２絶縁膜を５００〜１０００ｎｍの厚
みに形成する〔図２の（ｃ）参照〕。上述の方法で製造
した半導体装置は、第１の実施例のものと同様の効果を
有する。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、金を主体とする配線の表面を吸着金属薄層を被覆
したものであるので、以下の効果を奏することができ
る。 シリコン窒化膜のような、熱履歴や経年変化によっ
て剥離することがないので、製造歩留りを向上させるこ
とができるとともに、長期に渡る信頼性を維持できる。 シリコン窒化膜のような高比誘電率の材料を使用し
ていないので配線間容量を低く抑えることができ、装置
の高性能化に資することができる。 金配線上のみに金属薄層を形成することができるの
で、配線間短絡の発生を防止することができる。 密着層を複雑な工程を経ることなくまた厳格な工程
管を行うことなく形成できるので、製造コストを削減す
ることができる。 層間絶縁膜およびパッシベーション膜の材料として
有機、無機のいずれの材料をも使用が可能である。 多層配線を容易に形成できる。
置は、金を主体とする配線の表面を吸着金属薄層を被覆
したものであるので、以下の効果を奏することができ
る。 シリコン窒化膜のような、熱履歴や経年変化によっ
て剥離することがないので、製造歩留りを向上させるこ
とができるとともに、長期に渡る信頼性を維持できる。 シリコン窒化膜のような高比誘電率の材料を使用し
ていないので配線間容量を低く抑えることができ、装置
の高性能化に資することができる。 金配線上のみに金属薄層を形成することができるの
で、配線間短絡の発生を防止することができる。 密着層を複雑な工程を経ることなくまた厳格な工程
管を行うことなく形成できるので、製造コストを削減す
ることができる。 層間絶縁膜およびパッシベーション膜の材料として
有機、無機のいずれの材料をも使用が可能である。 多層配線を容易に形成できる。
【図１】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの工程断面図。
めの工程断面図。
【図２】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの工程断面図。
めの工程断面図。
【図３】本発明の第２の実施例の製造方法を説明するた
めの工程断面図。
めの工程断面図。
【図４】第１の従来例を示す断面図。
【図５】第２の従来例を示す断面図。
【図６】第３の従来例を示す断面図。
１０１、２０１、３０１ 半導体基板 １０２、２０２、３０２ 第１絶縁膜 １０３、２０３、３０３ 第１導電膜層（Ｔｉ−Ｗ膜） １０４、２０４、３０４ 第２導電膜層（Ｐｄ膜、Ａｕ
膜） １０５ マスク膜 １０６、２０６、３０６ 金メッキ膜 １０７、２０７ 反応チャンバ １０８、２０８ タングステン系ガス分子 １０９、２０９ 吸着タングステン層 １１０、２１０ タングステン酸化物 １１１、２１１、３１１ 第２絶縁膜 ３１２ａ、３１２ｂ、３１２ｃ 密着層
膜） １０５ マスク膜 １０６、２０６、３０６ 金メッキ膜 １０７、２０７ 反応チャンバ １０８、２０８ タングステン系ガス分子 １０９、２０９ 吸着タングステン層 １１０、２１０ タングステン酸化物 １１１、２１１、３１１ 第２絶縁膜 ３１２ａ、３１２ｂ、３１２ｃ 密着層
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上に第１の絶縁膜が形成さ
れ、該第１の絶縁膜上にＡｕを主体とする、１乃至複数
層の配線が形成され、該配線の上面および側面が解離吸
着による吸着金属薄層によって被覆され、配線層間およ
び最上層配線上に第２の絶縁膜が設けられている半導体
装置。 - 【請求項２】 前記吸着金属薄層が、ＷまたはＭｏの中
のいずれかの材料によって形成されている請求項１記載
の半導体装置。 - 【請求項３】 半導体基板上に第１の絶縁膜を介してＡ
ｕを主体とする配線を形成する工程と、 ＷまたはＭｏのハロゲン化物ガスと接触させ、解離吸着
により前記配線の表面に吸着金属薄層を形成する工程
と、 前記配線上を含む全面を第２の絶縁膜で被覆する工程
と、 を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板上に第１の絶縁膜を介してＡ
ｕを主体とする配線を形成する工程と、 ＷまたはＭｏのハロゲン化物ガスと接触させ、解離吸着
により前記配線の表面に吸着金属薄層を形成する工程
と、 酸素を含む雰囲気中に曝して、前記第１の絶縁膜上に付
着したハロゲン化物を酸化物に変換する工程と、 前記配線上を含む全面を第２の絶縁膜で被覆する工程
と、 を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体基板上に第１の絶縁膜を介してＡ
ｕを主体とする配線を形成する工程と、 ＷまたはＭｏのハロゲン化物ガスと接触させ、解離吸着
により前記配線の表面に吸着金属薄層を形成する工程
と、 非酸化性雰囲気中で熱処理を施して前記吸着金属薄層を
安定化させる工程と、 前記配線上を含む全面を第２の絶縁膜で被覆する工程
と、 を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341419A JP2536377B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR1019930025480A KR0138381B1 (ko) | 1992-11-27 | 1993-11-27 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US08/160,351 US5502005A (en) | 1992-11-27 | 1993-11-29 | Production method of semiconductor device having a wiring layer containing gold |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341419A JP2536377B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168944A JPH06168944A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2536377B2 true JP2536377B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=18345929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4341419A Expired - Fee Related JP2536377B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5502005A (ja) |
| JP (1) | JP2536377B2 (ja) |
| KR (1) | KR0138381B1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2606547B2 (ja) * | 1993-04-14 | 1997-05-07 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6027992A (en) * | 1997-12-18 | 2000-02-22 | Advanced Micro Devices | Semiconductor device having a gallium and nitrogen containing barrier layer and method of manufacturing thereof |
| KR100671359B1 (ko) * | 1999-07-26 | 2007-01-22 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 및 그 제조 장치 |
| US6559051B1 (en) * | 2000-10-05 | 2003-05-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electroless deposition of dielectric precursor materials for use in in-laid gate MOS transistors |
| JP2011154380A (ja) * | 2003-03-20 | 2011-08-11 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 表示装置の形成方法 |
| US10573522B2 (en) | 2016-08-16 | 2020-02-25 | Lam Research Corporation | Method for preventing line bending during metal fill process |
| WO2018191183A1 (en) | 2017-04-10 | 2018-10-18 | Lam Research Corporation | Low resistivity films containing molybdenum |
| CN111357083A (zh) * | 2017-11-20 | 2020-06-30 | 朗姆研究公司 | 自限制生长 |
| CN112262457A (zh) | 2018-05-03 | 2021-01-22 | 朗姆研究公司 | 在3d nand结构中沉积钨和其他金属的方法 |
| CN113169056A (zh) | 2018-11-19 | 2021-07-23 | 朗姆研究公司 | 用于钨的钼模板 |
| US11970776B2 (en) | 2019-01-28 | 2024-04-30 | Lam Research Corporation | Atomic layer deposition of metal films |
| KR20210127262A (ko) | 2019-03-11 | 2021-10-21 | 램 리써치 코포레이션 | 몰리브덴-함유 막들의 증착을 위한 전구체들 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3657029A (en) * | 1968-12-31 | 1972-04-18 | Texas Instruments Inc | Platinum thin-film metallization method |
| JPS5754364A (ja) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Handotaisochi |
| JPH01302842A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Nec Corp | 多層配線構造の半導体装置 |
| JP2782801B2 (ja) * | 1989-06-23 | 1998-08-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の配線構造 |
| JP3111466B2 (ja) * | 1990-09-07 | 2000-11-20 | セイコーエプソン株式会社 | メッキ配線層を備えた半導体装置の製造方法 |
| JPH04199624A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置とその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP4341419A patent/JP2536377B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-11-27 KR KR1019930025480A patent/KR0138381B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-11-29 US US08/160,351 patent/US5502005A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5502005A (en) | 1996-03-26 |
| KR0138381B1 (ko) | 1998-06-01 |
| JPH06168944A (ja) | 1994-06-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2536377B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH05206135A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2701751B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI300244B (en) | Uniform passivation method for conductive feature | |
| KR20010086329A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPH05315332A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH02125447A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US6083834A (en) | Zincate catalysis electroless metal deposition for via metal interconnection | |
| JP4752108B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11312682A (ja) | 含フッ素誘電体を用いた金属配線構造及びその製造方法 | |
| JPH05211242A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2737762B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3519641B2 (ja) | 金配線を有する半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2998454B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100324020B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| JP2000235978A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2929850B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0370129A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20220061819A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPH04349629A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH02139934A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| JPH05109649A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06244181A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0234929A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02142132A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |