JPH05109649A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05109649A JPH05109649A JP26579891A JP26579891A JPH05109649A JP H05109649 A JPH05109649 A JP H05109649A JP 26579891 A JP26579891 A JP 26579891A JP 26579891 A JP26579891 A JP 26579891A JP H05109649 A JPH05109649 A JP H05109649A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】電界メッキ法により、金属膜を金属電極配線及
び金属配線に被着させることにより、簡単に、セルフア
ラインで、配線が微細化しても配線間での短絡等を生じ
させないで、金配線と絶縁膜との密着性を改善する。 【構成】コンタクト孔またはスルーホールを含む所定領
域に形成した金属配線２０をマスクに酸化されやすい金
属膜１７を露出させ、熱処理等により金属膜１７の一部
を金属酸化膜２１とし、この金属酸化膜２１をマスクに
電界メッキ法により金属配線２０に金属膜２２を被着さ
せる。金属配線２０に対してセルフアラインで金属膜２
２を形成することができる。 【効果】金属配線２０と絶縁膜２３との密着性が改善さ
れ、しかも微細な配線となっても配線間の短絡といった
問題は生じない。
び金属配線に被着させることにより、簡単に、セルフア
ラインで、配線が微細化しても配線間での短絡等を生じ
させないで、金配線と絶縁膜との密着性を改善する。 【構成】コンタクト孔またはスルーホールを含む所定領
域に形成した金属配線２０をマスクに酸化されやすい金
属膜１７を露出させ、熱処理等により金属膜１７の一部
を金属酸化膜２１とし、この金属酸化膜２１をマスクに
電界メッキ法により金属配線２０に金属膜２２を被着さ
せる。金属配線２０に対してセルフアラインで金属膜２
２を形成することができる。 【効果】金属配線２０と絶縁膜２３との密着性が改善さ
れ、しかも微細な配線となっても配線間の短絡といった
問題は生じない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
かかり、特に金属配線の製造方法に関するものである。
かかり、特に金属配線の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在ＩＣから超ＬＳＩまでのほとんどの
半導体装置においては、オーミック特性，Ａｌ（アルミ
ニウム）スパイク制御等の観点から配線材料としてＡｌ
−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金が広く用いられている。
しかしこれらの配線材料を用いても、熱処理に伴うヒロ
ック形成やマイグレーション発生が充分に避けられず、
信頼性の点で非常に問題があり、これに対処するため、
従来高融点金属材料を用いて配線部を多重構造とする方
法がとられていた。しかしそれでも充分ではなく、最近
では配線材料としてＡｕ（金）が用いられている。Ａｕ
は配線材料として極めて安定であり、マイグレーション
耐性もＡｌ合金の１０倍以上あり、信頼性も極めて高い
が反面安定であるがゆえに層間膜との密着性が極めて悪
いという欠点があった。これに対処するため、従来Ａｕ
配線については、配線上面に層間膜と密着性のよい金属
層を設けていた。
半導体装置においては、オーミック特性，Ａｌ（アルミ
ニウム）スパイク制御等の観点から配線材料としてＡｌ
−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金が広く用いられている。
しかしこれらの配線材料を用いても、熱処理に伴うヒロ
ック形成やマイグレーション発生が充分に避けられず、
信頼性の点で非常に問題があり、これに対処するため、
従来高融点金属材料を用いて配線部を多重構造とする方
法がとられていた。しかしそれでも充分ではなく、最近
では配線材料としてＡｕ（金）が用いられている。Ａｕ
は配線材料として極めて安定であり、マイグレーション
耐性もＡｌ合金の１０倍以上あり、信頼性も極めて高い
が反面安定であるがゆえに層間膜との密着性が極めて悪
いという欠点があった。これに対処するため、従来Ａｕ
配線については、配線上面に層間膜と密着性のよい金属
層を設けていた。
【０００３】以下図３に基き、従来の配線の形成方法に
ついて説明する。図３の（ａ）〜（ｆ）は本発明に対す
る従来の技術を示した工程順縦断面図である。
ついて説明する。図３の（ａ）〜（ｆ）は本発明に対す
る従来の技術を示した工程順縦断面図である。
【０００４】半導体基板１１に絶縁膜１２を形成し、所
定領域に拡散層１４を形成する。この従来例においては
微細で浅い拡散層を形成するため不純物を添加した多結
晶シリコン膜１５を拡散源とする方法を示し、かつその
多結晶シリコン膜１５を引き出し電極としている。その
後、多結晶シリコン膜１５と電極配線との接触抵抗低減
のためシリサイド層１６を形成する。さらに全面に絶縁
膜１３として化学的気相成長法等に酸化膜を２００〜５
００ｎｍ（ナノメータ）程度成長させる。次に絶縁膜１
３の所定領域に開孔を形成し、電極配線形成のためのコ
ンタクト孔とする。以上のようにして図３（ａ）に示す
構造を得る。
定領域に拡散層１４を形成する。この従来例においては
微細で浅い拡散層を形成するため不純物を添加した多結
晶シリコン膜１５を拡散源とする方法を示し、かつその
多結晶シリコン膜１５を引き出し電極としている。その
後、多結晶シリコン膜１５と電極配線との接触抵抗低減
のためシリサイド層１６を形成する。さらに全面に絶縁
膜１３として化学的気相成長法等に酸化膜を２００〜５
００ｎｍ（ナノメータ）程度成長させる。次に絶縁膜１
３の所定領域に開孔を形成し、電極配線形成のためのコ
ンタクト孔とする。以上のようにして図３（ａ）に示す
構造を得る。
【０００５】その後、複数層の金属膜２４，２５を順次
スパッタ法により堆積させる。金属膜２４は、絶縁膜と
の密着性を考慮し例えばＴｉ（チタニウム），ＴｉＷ
（チタンタングステン），Ｃｒ（クロニウム）等を、ま
た金属膜２５にはバリア性，メッキ性等を考慮しＮｉ
（ニッケル），Ｐｔ（白金），Ｃｕ（銅），Ａｕ（金）
等を用い、それぞれ３０〜１００ｎｍ程度あれば充分で
ある。上記のような条件を備えていれば単層であっても
かまわない。また、金属膜１３，１４は電解メッキ時の
給電層ともなるものである。ついでフォトレジスト１９
を用いて所定領域を開孔し、電界メッキ法により金によ
る金属電極及び金属配線２０を０．５〜２．０μｍ程度
形成して図３の（ｂ）に示す構造を得る。その後、金属
電極あるいは金属配線２０をマスクとしてＲＩＥ法によ
り金属膜２４，２５を順次除去し、図３の（ｃ）に示す
構造を得る。金属膜２４，２５の除去には、金属の種類
によりガス系を選べばよい。
スパッタ法により堆積させる。金属膜２４は、絶縁膜と
の密着性を考慮し例えばＴｉ（チタニウム），ＴｉＷ
（チタンタングステン），Ｃｒ（クロニウム）等を、ま
た金属膜２５にはバリア性，メッキ性等を考慮しＮｉ
（ニッケル），Ｐｔ（白金），Ｃｕ（銅），Ａｕ（金）
等を用い、それぞれ３０〜１００ｎｍ程度あれば充分で
ある。上記のような条件を備えていれば単層であっても
かまわない。また、金属膜１３，１４は電解メッキ時の
給電層ともなるものである。ついでフォトレジスト１９
を用いて所定領域を開孔し、電界メッキ法により金によ
る金属電極及び金属配線２０を０．５〜２．０μｍ程度
形成して図３の（ｂ）に示す構造を得る。その後、金属
電極あるいは金属配線２０をマスクとしてＲＩＥ法によ
り金属膜２４，２５を順次除去し、図３の（ｃ）に示す
構造を得る。金属膜２４，２５の除去には、金属の種類
によりガス系を選べばよい。
【０００６】次に図３の（ｄ）に示すように、金電極及
び金配線２０を含む全面に金属膜２６を形成する。金属
膜２６としてはＴｉＷ，Ｔｉ，Ｐｄ（パラジウム）等が
あり、膜厚としては１０〜１００ｎｍ程度でよい。次に
フォトレジスト２７を用いて、パターニングを行ない、
金電極または金配線２０の上のみにフォトレジスト２７
を残す。
び金配線２０を含む全面に金属膜２６を形成する。金属
膜２６としてはＴｉＷ，Ｔｉ，Ｐｄ（パラジウム）等が
あり、膜厚としては１０〜１００ｎｍ程度でよい。次に
フォトレジスト２７を用いて、パターニングを行ない、
金電極または金配線２０の上のみにフォトレジスト２７
を残す。
【０００７】その後、フォトレジスト２７をマスクに金
属膜２６を除去する。金属膜２６の除去には、ウェット
であれば過酸化水素，希弗酸，ドライならば反応性イオ
ンエッチングにより、ＣＦ4 系のガスで除去できる。こ
のようにして、図３の（ｅ）に示す構造を得る。金属膜
２６は上層の無機計絶縁膜２３との密着性を得るために
必要な膜である。このようにして図３の（ｆ）に示す構
造を得る。
属膜２６を除去する。金属膜２６の除去には、ウェット
であれば過酸化水素，希弗酸，ドライならば反応性イオ
ンエッチングにより、ＣＦ4 系のガスで除去できる。こ
のようにして、図３の（ｅ）に示す構造を得る。金属膜
２６は上層の無機計絶縁膜２３との密着性を得るために
必要な膜である。このようにして図３の（ｆ）に示す構
造を得る。
【０００８】従来は以上のような方法で形成していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のこの製造方法で
は、金属膜２６を配線に対してセルフアラインで形成す
ることが困難であり、目ズレによっては配線間あるいは
電極間での短絡を生じ、微細配線には使用できないとい
う欠点があった。また従来法では、工程が長く複雑であ
るという欠点もあった。
は、金属膜２６を配線に対してセルフアラインで形成す
ることが困難であり、目ズレによっては配線間あるいは
電極間での短絡を生じ、微細配線には使用できないとい
う欠点があった。また従来法では、工程が長く複雑であ
るという欠点もあった。
【００１０】また、電極あるいは配線を形成した後、無
電界メッキで被覆するという方法があるが、完全な選択
性を得ることが非常に困難であり、微細配線には適用で
きない。
電界メッキで被覆するという方法があるが、完全な選択
性を得ることが非常に困難であり、微細配線には適用で
きない。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題の解決は、半導
体基板内或は半導体基板上に設けた導電層を被覆する電
気絶縁膜及び該電気絶縁膜に設けた開孔を含む半導体基
板上に少なくとも一層の酸化性金属層を含む第１の金属
膜を形成する工程と、該第１金属膜上の所定領域に金属
電極及び金属配線を形成する工程と、前記金属電極及び
金属配線領域を除き、選択的に第１の金属膜の酸化性金
属層を表面に露出させる工程と、前記金属層の表面を酸
化し金属酸化膜とする工程と、前記金属電極及び金属配
線の表面のみに第２の金属膜を形成する工程と、前記金
属酸化膜及び金属層を含む第１の金属膜を除去する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法によっ
て達成される。
体基板内或は半導体基板上に設けた導電層を被覆する電
気絶縁膜及び該電気絶縁膜に設けた開孔を含む半導体基
板上に少なくとも一層の酸化性金属層を含む第１の金属
膜を形成する工程と、該第１金属膜上の所定領域に金属
電極及び金属配線を形成する工程と、前記金属電極及び
金属配線領域を除き、選択的に第１の金属膜の酸化性金
属層を表面に露出させる工程と、前記金属層の表面を酸
化し金属酸化膜とする工程と、前記金属電極及び金属配
線の表面のみに第２の金属膜を形成する工程と、前記金
属酸化膜及び金属層を含む第１の金属膜を除去する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法によっ
て達成される。
【００１２】
【実施例】次に図面を参照して本発明の実施例について
説明する。図１の（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例の
半導体装置の製造方法を工程順に示した縦断面図であ
る。
説明する。図１の（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例の
半導体装置の製造方法を工程順に示した縦断面図であ
る。
【００１３】半導体基板１１に絶縁膜１２を形成し、所
定の領域に拡散層１４を形成する。本実施例においては
微細で浅い拡散層を形成するため不純物を添加した多結
晶シリコン膜１５を拡散源とする方法を示し、かつその
多結晶シリコン膜１５を引き出し電極としている。その
後、多結晶シリコン膜１５と電極配線との接触抵抗低減
のため、シリサイド層１６を形成する。さらに全面に絶
縁膜１３として、化学的気相成長法等により、酸化膜を
２００〜５００ｎｍ（ナノメータ）程度成長させる。次
に絶縁膜１３の所定の領域に開孔を形成し、電極配線形
成のためのコンタクト孔とする。以上のようにして図１
の（ａ）に示す構造を得る。
定の領域に拡散層１４を形成する。本実施例においては
微細で浅い拡散層を形成するため不純物を添加した多結
晶シリコン膜１５を拡散源とする方法を示し、かつその
多結晶シリコン膜１５を引き出し電極としている。その
後、多結晶シリコン膜１５と電極配線との接触抵抗低減
のため、シリサイド層１６を形成する。さらに全面に絶
縁膜１３として、化学的気相成長法等により、酸化膜を
２００〜５００ｎｍ（ナノメータ）程度成長させる。次
に絶縁膜１３の所定の領域に開孔を形成し、電極配線形
成のためのコンタクト孔とする。以上のようにして図１
の（ａ）に示す構造を得る。
【００１４】次に、コンタクト孔を含む半導体基板全面
に少なくとも一層の酸化されやすい金属膜１７，１８を
順次スパッタ法等で順次形成する。金属膜１７は、酸化
して絶縁膜となり、しかも絶縁膜１３と密着性のよい金
属、例えばＴｉ，ＴｉＷ，Ｃｒ等を、また金属膜１８
は、メッキ性がよく、バリア性を有する金属、例えばＣ
ｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ａｕ等を用いる。金属膜１７は
５０〜１５０ｎｍ、金属膜１８は３０〜１００ｎｍ程度
あれば充分である。上述の条件が満たされるならば金属
膜１７，１８は一層でもかまわない。このようにして、
図１の（ｂ）に示す構造を得る。
に少なくとも一層の酸化されやすい金属膜１７，１８を
順次スパッタ法等で順次形成する。金属膜１７は、酸化
して絶縁膜となり、しかも絶縁膜１３と密着性のよい金
属、例えばＴｉ，ＴｉＷ，Ｃｒ等を、また金属膜１８
は、メッキ性がよく、バリア性を有する金属、例えばＣ
ｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ａｕ等を用いる。金属膜１７は
５０〜１５０ｎｍ、金属膜１８は３０〜１００ｎｍ程度
あれば充分である。上述の条件が満たされるならば金属
膜１７，１８は一層でもかまわない。このようにして、
図１の（ｂ）に示す構造を得る。
【００１５】その後、フォトレジスト１９を用いて所定
領域に選択的に金属電極及び金属配線を設ける開孔を形
成し、金属膜１７，１８を給電層として、電界メッキ法
によりＡｕによる金属電極及び金属配線２０を形成す
る。膜厚は０．５〜２．０μｍ程度でよい。Ａｕの電界
メッキ液については、田中貴金属工業をはじめ数社から
出されており、目的に応じて選択できる。このようにし
て、図１の（ｃ）に示す構造を得る。
領域に選択的に金属電極及び金属配線を設ける開孔を形
成し、金属膜１７，１８を給電層として、電界メッキ法
によりＡｕによる金属電極及び金属配線２０を形成す
る。膜厚は０．５〜２．０μｍ程度でよい。Ａｕの電界
メッキ液については、田中貴金属工業をはじめ数社から
出されており、目的に応じて選択できる。このようにし
て、図１の（ｃ）に示す構造を得る。
【００１６】次にフォトレジスト１９を除去した後、Ａ
ｕ配線２０をマスクとして、金属膜１８を除去し、金属
膜１７を露出させる。金属膜１８の除去には、反応性イ
オンエッチング法を用い、エッチングガスとしては、Ａ
ｒ，Ｏ2 ，Ｎｅ，ＳＦ6 ，Ｃ2 Ｃｌ2 Ｆ4 等を組み合わ
せて、金属の種類によってそれぞれ選択すればい。この
ようにして図１の（ｄ）に示す構造を得る。
ｕ配線２０をマスクとして、金属膜１８を除去し、金属
膜１７を露出させる。金属膜１８の除去には、反応性イ
オンエッチング法を用い、エッチングガスとしては、Ａ
ｒ，Ｏ2 ，Ｎｅ，ＳＦ6 ，Ｃ2 Ｃｌ2 Ｆ4 等を組み合わ
せて、金属の種類によってそれぞれ選択すればい。この
ようにして図１の（ｄ）に示す構造を得る。
【００１７】次に、Ｈ2 −Ｏ2 雰囲気中で４００℃３０
分程度の熱処理をかけることにより露出した金属膜１７
の表面を酸化させ金属酸化膜２１を形成し耐メッキ性膜
とする。この条件で１０〜２０ｎｍ程度の金属酸化膜が
形成される。次いで、金属酸化膜２１を耐メッキ性膜と
して電界メッキ法により金属膜２２としてＮｉ膜を形成
する。この後、必要に応じて３００〜５００℃，１０〜
３０分程度の熱処理を施す。配線金２０の表面に形成さ
れたＮｉ被膜により、次に形成される絶縁膜との密着性
が確保される。Ｎｉ被膜の膜厚としては密着性が確保さ
れればよく、３０〜２００ｎｍあれば充分である、メッ
キ液については、日本カニゼン（株），田中貴金属工
業，日本エンゲルハルド等数社から出されている。また
金属膜２２としては、Ｎｉの他にＣｏ，Ｐｄ，Ｃｒ等が
考えられる。このようにして図１の（ｅ）に示す構造を
得る。その後、金属膜２２をマスクに、金属酸化膜２１
及び金属膜１７を除去する、金属酸化膜２１は反応性イ
オンエッチングでＣＦ4 系のガスを用いて行なう。金属
膜１７の除去はＣＦ4 系のガスによる反応性イオンエッ
チを用いてもウェットエッチを用いてもよい。ウェット
エッチの場合Ｔｉ，ＴｉＷならば過酸化水素でよい。次
に絶縁膜２３として、ＣＶＤ酸化膜を０．５〜１．０μ
ｍ程度形成する。このようにして図１の（ｆ）に示す構
造を得る。
分程度の熱処理をかけることにより露出した金属膜１７
の表面を酸化させ金属酸化膜２１を形成し耐メッキ性膜
とする。この条件で１０〜２０ｎｍ程度の金属酸化膜が
形成される。次いで、金属酸化膜２１を耐メッキ性膜と
して電界メッキ法により金属膜２２としてＮｉ膜を形成
する。この後、必要に応じて３００〜５００℃，１０〜
３０分程度の熱処理を施す。配線金２０の表面に形成さ
れたＮｉ被膜により、次に形成される絶縁膜との密着性
が確保される。Ｎｉ被膜の膜厚としては密着性が確保さ
れればよく、３０〜２００ｎｍあれば充分である、メッ
キ液については、日本カニゼン（株），田中貴金属工
業，日本エンゲルハルド等数社から出されている。また
金属膜２２としては、Ｎｉの他にＣｏ，Ｐｄ，Ｃｒ等が
考えられる。このようにして図１の（ｅ）に示す構造を
得る。その後、金属膜２２をマスクに、金属酸化膜２１
及び金属膜１７を除去する、金属酸化膜２１は反応性イ
オンエッチングでＣＦ4 系のガスを用いて行なう。金属
膜１７の除去はＣＦ4 系のガスによる反応性イオンエッ
チを用いてもウェットエッチを用いてもよい。ウェット
エッチの場合Ｔｉ，ＴｉＷならば過酸化水素でよい。次
に絶縁膜２３として、ＣＶＤ酸化膜を０．５〜１．０μ
ｍ程度形成する。このようにして図１の（ｆ）に示す構
造を得る。
【００１８】次に図２の（ａ）〜（ｅ）は本発明の他の
実施例の製造方法を示す工程順縦断面図である。
実施例の製造方法を示す工程順縦断面図である。
【００１９】図１に示す実施例と同様に図１の（ａ）に
おいて、半導体基板１１上全面に金属膜１７，１８とス
パッタ法により順次形成する。金属膜１７は酸化して絶
縁膜となり、しかも絶縁膜１３と密着性のよい金属、例
えばＴｉ，ＴｉＷ，Ｃｒ等を５０〜１５０ｎｍ程度あれ
ばよい。また金属膜２８はコンタクト孔に対してバリア
性を有する金属、例えばＣｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ等を用
いる。膜厚は３０〜１００ｎｍ程度あれば充分である。
上述の条件が満たされるならば金属膜１７，１８は一層
でもかまわない。その後、電極配線を金で形成するた
め、スパッタ法により、金属膜２９として金を０．３〜
１．０μｍ程度形成し、さらに金属膜３０を形成する。
金属膜３０は、反応性イオンエッチにより金属膜２９を
除去するためのマスクとなるもので、Ａｌ等が考えら
れ、１００〜２００ｎｍ程度形成する。このようにし
て、図２の（ａ）に示す構造を得る。
おいて、半導体基板１１上全面に金属膜１７，１８とス
パッタ法により順次形成する。金属膜１７は酸化して絶
縁膜となり、しかも絶縁膜１３と密着性のよい金属、例
えばＴｉ，ＴｉＷ，Ｃｒ等を５０〜１５０ｎｍ程度あれ
ばよい。また金属膜２８はコンタクト孔に対してバリア
性を有する金属、例えばＣｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ等を用
いる。膜厚は３０〜１００ｎｍ程度あれば充分である。
上述の条件が満たされるならば金属膜１７，１８は一層
でもかまわない。その後、電極配線を金で形成するた
め、スパッタ法により、金属膜２９として金を０．３〜
１．０μｍ程度形成し、さらに金属膜３０を形成する。
金属膜３０は、反応性イオンエッチにより金属膜２９を
除去するためのマスクとなるもので、Ａｌ等が考えら
れ、１００〜２００ｎｍ程度形成する。このようにし
て、図２の（ａ）に示す構造を得る。
【００２０】次にフォトレジストを用いて所定領域のみ
に金属膜３０を残し、選択的に除去し、図２の（ｂ）に
示す構造を得る。金属膜３０の除去には、反応性イオン
エッチングで塩素系のガス、例えばＣＣｌ4 ，ＢＣｌ3
等がある。次いで、金属膜３０をマスクとして反応性イ
オンエッチにより金属膜２８，２９を順次除去する。こ
のエッチングには、アルゴンと酸素の混合が２系または
ネオンと酸素の混合ガス系のガスを用い、１００〜２０
０ｎｍ／分程度のエッチレートが得られる。このように
して図２の（ｃ）に示す構造を得る。
に金属膜３０を残し、選択的に除去し、図２の（ｂ）に
示す構造を得る。金属膜３０の除去には、反応性イオン
エッチングで塩素系のガス、例えばＣＣｌ4 ，ＢＣｌ3
等がある。次いで、金属膜３０をマスクとして反応性イ
オンエッチにより金属膜２８，２９を順次除去する。こ
のエッチングには、アルゴンと酸素の混合が２系または
ネオンと酸素の混合ガス系のガスを用い、１００〜２０
０ｎｍ／分程度のエッチレートが得られる。このように
して図２の（ｃ）に示す構造を得る。
【００２１】その後、マスクとして使用した金属膜３０
を除去する。この場合の除去には、ウェットエッチでよ
い。エッチング液としては、リン酸，酢酸，硝酸の混合
液が考えられる。このようにして、図２の（ｄ）に示す
構造を得る。
を除去する。この場合の除去には、ウェットエッチでよ
い。エッチング液としては、リン酸，酢酸，硝酸の混合
液が考えられる。このようにして、図２の（ｄ）に示す
構造を得る。
【００２２】以下図１の実施例と同様にして、図２の
（ｅ）の構造が得られるが、配線形成後に形成する絶縁
膜として、図１の実施例では無機絶縁膜を用いたが、図
２の実施例では有機系の絶縁膜３１を用いている。有機
系の絶縁膜としてはシリコンポリイミド等が考えられ
る。膜厚としては１．０〜２．０μｍ程度である。
（ｅ）の構造が得られるが、配線形成後に形成する絶縁
膜として、図１の実施例では無機絶縁膜を用いたが、図
２の実施例では有機系の絶縁膜３１を用いている。有機
系の絶縁膜としてはシリコンポリイミド等が考えられ
る。膜厚としては１．０〜２．０μｍ程度である。
【００２３】このように層間絶縁膜として無機系，有機
系どちらでも使用することが出き有機系の絶縁膜を用い
ることにより格段に平坦性が向上する。
系どちらでも使用することが出き有機系の絶縁膜を用い
ることにより格段に平坦性が向上する。
【００２４】本発明の実施例については金配線を例にあ
げたが、Ａｌ合金についても充分に適用できるものであ
る。Ａｌ合金等に対して適用すれば、熱処理に伴うヒロ
ック形成やマイグレーションの発生防止に非常に効果を
もたらす。
げたが、Ａｌ合金についても充分に適用できるものであ
る。Ａｌ合金等に対して適用すれば、熱処理に伴うヒロ
ック形成やマイグレーションの発生防止に非常に効果を
もたらす。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば金属
電極配線及び金属電極を、電界メッキ法により簡単にし
かもセルフアラインで金属膜による被覆することができ
る。これにより目ズレ等による短絡が生ずることなく、
また絶縁膜との密着性もよく信頼性の高い半導体装置を
提供することができる。
電極配線及び金属電極を、電界メッキ法により簡単にし
かもセルフアラインで金属膜による被覆することができ
る。これにより目ズレ等による短絡が生ずることなく、
また絶縁膜との密着性もよく信頼性の高い半導体装置を
提供することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す製造工程順の断面図。
【図２】本発明の他の実施例を示す製造工程順の断面
図。
図。
【図３】従来技術の製造工程順の断面図。
１１ 半導体基板 １２ 絶縁膜 １３ 絶縁膜 １４ 拡散層 １５ 多結晶シリコン １６ シリサイド層 １７ 酸化されやすい金属膜 １８，２４，２５，２８ 金属膜 １９ フォトレジスト ２０，２９ 金配線 ２１ 金属酸化膜 ２２，２６ 金属膜 ２３ 無機絶縁膜 ２７ フォトレジスト ３０ 金属膜 ３１ 有機絶縁膜
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板内或は、半導体基板上に設け
た導電層を被覆する電気絶縁膜及び該電気絶縁膜に設け
た開孔を含む半導体基板上に少なくとも一層の酸化性金
属層を含む第１の金属膜を形成する工程と、該第１金属
膜上の所定領域に金属電極及び金属配線を形成する工程
と、前記金属電極及び金属配線領域を除き、選択的に第
１の金属膜の酸化性金属層を表面に露出させる工程と、
前記金属層の表面を酸化し金属酸化膜とする工程と、前
記金属電極及び金属配線の表面のみに第２の金属膜を形
成する工程と、前記金属酸化膜及び金属層を含む第１の
金属膜を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記金属電極及び金属配線を電界または
無電解メッキ法により形成することを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記金属電極及び金属配線は金（Ａｕ）
配線であり、第１の金属膜はチタンタングステン（Ｔｉ
Ｗ），チタン（Ｔｉ）の中から選ばれた１つの金属膜
と、白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）中
から選ばれた１つの金属膜からなる２層金属膜であるこ
とを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記第２の金属膜はニッケル（Ｎｉ）も
しくは金（Ａｕ）あるいはコバルト（Ｃｏ）であること
を特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26579891A JPH05109649A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26579891A JPH05109649A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109649A true JPH05109649A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17422190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26579891A Pending JPH05109649A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109649A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014002353A1 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP26579891A patent/JPH05109649A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014002353A1 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000222 |