JPH05166714A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPH05166714A JPH05166714A JP3351191A JP35119191A JPH05166714A JP H05166714 A JPH05166714 A JP H05166714A JP 3351191 A JP3351191 A JP 3351191A JP 35119191 A JP35119191 A JP 35119191A JP H05166714 A JPH05166714 A JP H05166714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- processing
- processing liquid
- liquid supply
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 111
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Details Or Accessories Of Spraying Plant Or Apparatus (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】不使用時の処理液供給ノズルに残存する処理液
を待機中に除去し、被処理体への処理液の均一被着と被
処理体の汚染防止を図る。 【構成】不使用時の処理液供給ノズル２１を保持する待
機手段２３に、処理液供給ノズル２１のノズル孔２２を
開口部３２に位置させて保持するノズル保持体３１と、
ノズル保持体３１の開口部側に配設される処理液除去部
材３５とを具備する。処理液除去部材３５は、待機中の
処理液供給ノズル２１のノズル孔２２に近接して、ノズ
ル孔２２に残存する処理液を除去する。これにより、被
処理体への処理液の均一被着を可能にすると共に、被処
理体の汚染を防止することができる。
を待機中に除去し、被処理体への処理液の均一被着と被
処理体の汚染防止を図る。 【構成】不使用時の処理液供給ノズル２１を保持する待
機手段２３に、処理液供給ノズル２１のノズル孔２２を
開口部３２に位置させて保持するノズル保持体３１と、
ノズル保持体３１の開口部側に配設される処理液除去部
材３５とを具備する。処理液除去部材３５は、待機中の
処理液供給ノズル２１のノズル孔２２に近接して、ノズ
ル孔２２に残存する処理液を除去する。これにより、被
処理体への処理液の均一被着を可能にすると共に、被処
理体の汚染を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の被処理体の表面に現像液等の処理液を供給する処理
装置に関するものである。
等の被処理体の表面に現像液等の処理液を供給する処理
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の処理装置として、例えば
半導体ウエハ等の被処理体を回転可能なスピンチャック
上に保持し、スピンチャックの上方に、半導体ウエハと
対向するように処理液供給ノズルを配設し、そして、処
理液供給ノズルに設けられたノズル孔から半導体ウエハ
表面に処理液例えば現像液を滴下供給すると共に、スピ
ンチャックと処理液供給ノズルとを相対的に回転させて
現像液を半導体ウエハに膜状に被着する装置が知られて
いる。
半導体ウエハ等の被処理体を回転可能なスピンチャック
上に保持し、スピンチャックの上方に、半導体ウエハと
対向するように処理液供給ノズルを配設し、そして、処
理液供給ノズルに設けられたノズル孔から半導体ウエハ
表面に処理液例えば現像液を滴下供給すると共に、スピ
ンチャックと処理液供給ノズルとを相対的に回転させて
現像液を半導体ウエハに膜状に被着する装置が知られて
いる。
【０００３】このように構成される処理装置において、
一般にスピンチャックの側方には、不使用時の処理液供
給ノズルを保持する待機手段が設けられている。この待
機手段は、例えばノズル孔を非接触に保持すべく開口部
を有する箱状の容器にて形成されている。
一般にスピンチャックの側方には、不使用時の処理液供
給ノズルを保持する待機手段が設けられている。この待
機手段は、例えばノズル孔を非接触に保持すべく開口部
を有する箱状の容器にて形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置の待機手段においては、ノズル孔を開
口部に位置させて処理液供給ノズルを単に保持する構造
であるため、ノズル孔先端部に現像液が残存し、この残
存する現像液が劣化し、固化しパーティクルとして付着
することがあった。パーティクルが処理液供給ノズルに
付着すると、半導体ウエハ表面への現像液の被着の不均
一を招くと共に、半導体ウエハを汚染して、被処理体の
品質の低下をきたすという問題がある。
この種の処理装置の待機手段においては、ノズル孔を開
口部に位置させて処理液供給ノズルを単に保持する構造
であるため、ノズル孔先端部に現像液が残存し、この残
存する現像液が劣化し、固化しパーティクルとして付着
することがあった。パーティクルが処理液供給ノズルに
付着すると、半導体ウエハ表面への現像液の被着の不均
一を招くと共に、半導体ウエハを汚染して、被処理体の
品質の低下をきたすという問題がある。
【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもので
あり、不使用時の処理液供給ノズル先端部に残存する処
理液を待機中に除去して、被処理体への処理液の均一被
着と被処理体の汚染防止を図ることを目的とする処理装
置を提供するものである。
あり、不使用時の処理液供給ノズル先端部に残存する処
理液を待機中に除去して、被処理体への処理液の均一被
着と被処理体の汚染防止を図ることを目的とする処理装
置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体の表面に処理液を
滴下するノズル孔を有する処理液供給ノズルと、不使用
時の上記処理液供給ノズルを保持する待機手段とを具備
する処理装置を前提とし、上記待機手段は、上記処理液
供給ノズルのノズル孔に近接し得るように配設されて上
記ノズル孔に残存する処理液を除去する処理液除去部材
を具備してなるものである。
に、この発明の処理装置は、被処理体の表面に処理液を
滴下するノズル孔を有する処理液供給ノズルと、不使用
時の上記処理液供給ノズルを保持する待機手段とを具備
する処理装置を前提とし、上記待機手段は、上記処理液
供給ノズルのノズル孔に近接し得るように配設されて上
記ノズル孔に残存する処理液を除去する処理液除去部材
を具備してなるものである。
【０００７】この発明において、上記処理液除去部材は
ノズル孔に近接し得るように配設されてノズル孔に残存
する処理液を除去するものであれば、その形状は任意の
ものでよいが、好ましくは処理液除去部材のノズル孔と
対向する面に傾斜角を設ける方がよい。この場合、傾斜
角はノズル孔に向って突出する形態であれば、その角度
は任意であってもよいが、好ましくは鋭角である方がよ
い。
ノズル孔に近接し得るように配設されてノズル孔に残存
する処理液を除去するものであれば、その形状は任意の
ものでよいが、好ましくは処理液除去部材のノズル孔と
対向する面に傾斜角を設ける方がよい。この場合、傾斜
角はノズル孔に向って突出する形態であれば、その角度
は任意であってもよいが、好ましくは鋭角である方がよ
い。
【０００８】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、待機手段に、処理液供給ノズルのノズル孔に近
接し得るように配設されてノズル孔に付着する処理液を
除去する処理液除去部材を設けることにより、所定の処
理工程を終えた処理液供給ノズルを待機手段にて保持す
ると、ノズル孔に残存する処理液が毛細管現象により処
理液除去部材に付着し、除去される。この場合、処理液
除去部材のノズル対向面に傾斜角を設けることにより、
処理液除去部材に付着した処理液の液切りを行い、ノズ
ルへの処理液の再付着を防止することができる。
よれば、待機手段に、処理液供給ノズルのノズル孔に近
接し得るように配設されてノズル孔に付着する処理液を
除去する処理液除去部材を設けることにより、所定の処
理工程を終えた処理液供給ノズルを待機手段にて保持す
ると、ノズル孔に残存する処理液が毛細管現象により処
理液除去部材に付着し、除去される。この場合、処理液
除去部材のノズル対向面に傾斜角を設けることにより、
処理液除去部材に付着した処理液の液切りを行い、ノズ
ルへの処理液の再付着を防止することができる。
【０００９】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基いて詳
細に説明する。この実施例はレジスト塗布現像装置に適
用したものである。
細に説明する。この実施例はレジスト塗布現像装置に適
用したものである。
【００１０】図１に示すように、このレジスト塗布現像
装置は、被処理体例えば半導体ウエハＷ（以下、単にウ
エハという）に種々の処理を施す処理機構が配設された
処理機構ユニット１０と、処理機構ユニット１０にウエ
ハＷを自動的に搬入・搬出するための搬入・搬出機構１
とで主要部が構成されている。
装置は、被処理体例えば半導体ウエハＷ（以下、単にウ
エハという）に種々の処理を施す処理機構が配設された
処理機構ユニット１０と、処理機構ユニット１０にウエ
ハＷを自動的に搬入・搬出するための搬入・搬出機構１
とで主要部が構成されている。
【００１１】搬入・搬出機構１は、処理前のウエハＷを
収納するウエハキャリア２と、処理後のウエハＷを収納
するウエハキャリア３と、ウエハＷを吸着保持するアー
ム４と、このアーム４をＸ，Ｙ，Ｚ（垂直）及びθ（回
転）方向に移動させる移動機構５と、ウエハＷがアライ
メントされかつ処理機構ユニット１０との間でウエハＷ
の受け渡しがなされるアライメントステージ６とを備え
ている。
収納するウエハキャリア２と、処理後のウエハＷを収納
するウエハキャリア３と、ウエハＷを吸着保持するアー
ム４と、このアーム４をＸ，Ｙ，Ｚ（垂直）及びθ（回
転）方向に移動させる移動機構５と、ウエハＷがアライ
メントされかつ処理機構ユニット１０との間でウエハＷ
の受け渡しがなされるアライメントステージ６とを備え
ている。
【００１２】処理機構ユニット１０には、アライメント
ステージ６よりＸ方向に形成された搬送路１１に沿って
移動自在に搬送機構１２が設けられている。搬送機構１
２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアーム１３
が設けられている。搬送路１１の一方の側には、ウエハ
Ｗとレジスト膜との密着性を向上させるためのアドヒー
ジョン処理を行うアドヒージョン処理機構１４と、ウエ
ハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発
させるためのプリベーク機構１５と、加熱処理されたウ
エハＷを冷却する冷却機構１６とが配設されている。ま
た、搬送路１１の他方の側には、ウエハＷの表面に処理
液例えば現像液を塗布する現像機構１７（処理装置）
と、ウエハＷの上にレジスト膜を塗布形成する塗布機構
１８とが配設されている。
ステージ６よりＸ方向に形成された搬送路１１に沿って
移動自在に搬送機構１２が設けられている。搬送機構１
２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアーム１３
が設けられている。搬送路１１の一方の側には、ウエハ
Ｗとレジスト膜との密着性を向上させるためのアドヒー
ジョン処理を行うアドヒージョン処理機構１４と、ウエ
ハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発
させるためのプリベーク機構１５と、加熱処理されたウ
エハＷを冷却する冷却機構１６とが配設されている。ま
た、搬送路１１の他方の側には、ウエハＷの表面に処理
液例えば現像液を塗布する現像機構１７（処理装置）
と、ウエハＷの上にレジスト膜を塗布形成する塗布機構
１８とが配設されている。
【００１３】上記のように構成されるレジスト塗布現像
装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・搬出
機構１のアーム４によってウエハキャリア２から搬出さ
れてアライメントステージ６上に載置位置決めされる。
次いで、アライメントステージ６上のウエハＷは、搬送
機構１２のメインアーム１３に保持されて、各処理機構
１４〜１８へと搬送され、レジスト塗布あるいは現像処
理される。そして、処理後のウエハＷはメインアーム１
３によってアライメントステージ６に戻され、更にアー
ム４により搬送されてウエハキャリア３に収納されるこ
とになる。
装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・搬出
機構１のアーム４によってウエハキャリア２から搬出さ
れてアライメントステージ６上に載置位置決めされる。
次いで、アライメントステージ６上のウエハＷは、搬送
機構１２のメインアーム１３に保持されて、各処理機構
１４〜１８へと搬送され、レジスト塗布あるいは現像処
理される。そして、処理後のウエハＷはメインアーム１
３によってアライメントステージ６に戻され、更にアー
ム４により搬送されてウエハキャリア３に収納されるこ
とになる。
【００１４】次に、この発明の処理装置１７について説
明する。
明する。
【００１５】この発明の処理装置は、図１に示すよう
に、ウエハＷを吸着保持すると共に垂直移動及び水平回
転可能に保持するスピンチャック２０と、このスピンチ
ャック２０の上方に移動されてウエハＷの表面に処理液
である現像液を供給する処理液供給ノズル２１と、スピ
ンチャック２０の一方側に配置されて不使用時の処理液
供給ノズル２１を保持する待機手段２３と、スピンチャ
ック２０の他方側に配置されて現像処理後、ウエハＷを
リンスするためのリンス液供給ノズル２４と、処理液供
給ノズル２１をスピンチャック２０上及び待機手段２３
上に選択移動するノズル移動機構２５とで主要部が構成
されている。
に、ウエハＷを吸着保持すると共に垂直移動及び水平回
転可能に保持するスピンチャック２０と、このスピンチ
ャック２０の上方に移動されてウエハＷの表面に処理液
である現像液を供給する処理液供給ノズル２１と、スピ
ンチャック２０の一方側に配置されて不使用時の処理液
供給ノズル２１を保持する待機手段２３と、スピンチャ
ック２０の他方側に配置されて現像処理後、ウエハＷを
リンスするためのリンス液供給ノズル２４と、処理液供
給ノズル２１をスピンチャック２０上及び待機手段２３
上に選択移動するノズル移動機構２５とで主要部が構成
されている。
【００１６】上記処理液供給ノズル２１は、ウエハＷの
直径とほぼ同じ長さに形成された矩形容器２６と、この
矩形容器２６の底部から下方に向って突出される突出部
２７に適宜間隔をおいて穿設される多数の細孔からなる
ノズル孔２２と、Ｏリング２８を介して矩形容器２６を
気密に閉塞する開閉可能な蓋体２９とで構成されてい
る。蓋体２９には、処理液供給管３０が接続され、図示
しない処理液供給源から不活性ガスの気体等により、所
定圧で矩形容器２６内に所定の現像液Ｌを圧送により供
給可能としている（図２参照）。
直径とほぼ同じ長さに形成された矩形容器２６と、この
矩形容器２６の底部から下方に向って突出される突出部
２７に適宜間隔をおいて穿設される多数の細孔からなる
ノズル孔２２と、Ｏリング２８を介して矩形容器２６を
気密に閉塞する開閉可能な蓋体２９とで構成されてい
る。蓋体２９には、処理液供給管３０が接続され、図示
しない処理液供給源から不活性ガスの気体等により、所
定圧で矩形容器２６内に所定の現像液Ｌを圧送により供
給可能としている（図２参照）。
【００１７】一方、待機手段２３は、図２及び図４に示
すように、処理液供給ノズル２１のノズル孔２２を開口
部３２に位置させて保持する開口箱状のノズル保持体３
１と、このノズル保持体３１の開口部側の内方に配設さ
れてノズル孔２２に付着する処理液を除去する処理液除
去部材３５とを具備してなる。この場合、ノズル保持体
３１の開口部周辺の上面には処理液供給ノズル２１が保
持される際に当接する気密シール用のＯリング３３が周
設されている。また、ノズル保持体３１の長手方向の一
側壁に洗浄液（例えば純水）を供給する洗浄液供給口３
４ａが設けられ、洗浄液供給口３４ａと対向する他側壁
には乾燥ガス（例えば窒素ガス）を供給する乾燥ガス供
給口３４ｂが設けられている。また、ノズル保持体３１
の底部３６はテーパ状に形成されて底部３６の低所には
洗浄液の排出口３４ｃが設けられている。また、処理液
除去部材３５はノズル保持体３１の長手方向の両端壁に
架設される断面矩形状の棒状体にて形成され、その上面
３５ａが待機中の処理液供給ノズル２１のノズル孔２２
の先端に近接して配設されるようになっている。
すように、処理液供給ノズル２１のノズル孔２２を開口
部３２に位置させて保持する開口箱状のノズル保持体３
１と、このノズル保持体３１の開口部側の内方に配設さ
れてノズル孔２２に付着する処理液を除去する処理液除
去部材３５とを具備してなる。この場合、ノズル保持体
３１の開口部周辺の上面には処理液供給ノズル２１が保
持される際に当接する気密シール用のＯリング３３が周
設されている。また、ノズル保持体３１の長手方向の一
側壁に洗浄液（例えば純水）を供給する洗浄液供給口３
４ａが設けられ、洗浄液供給口３４ａと対向する他側壁
には乾燥ガス（例えば窒素ガス）を供給する乾燥ガス供
給口３４ｂが設けられている。また、ノズル保持体３１
の底部３６はテーパ状に形成されて底部３６の低所には
洗浄液の排出口３４ｃが設けられている。また、処理液
除去部材３５はノズル保持体３１の長手方向の両端壁に
架設される断面矩形状の棒状体にて形成され、その上面
３５ａが待機中の処理液供給ノズル２１のノズル孔２２
の先端に近接して配設されるようになっている。
【００１８】上記のように構成されるこの発明の処理装
置において、ウエハＷの表面に現像液を被着するには、
予め処理液供給ノズル２１の矩形容器２６内に現像液を
供給して矩形容器２６内を現像液で満たした状態として
おき、待機手段２３に待機させておく。そして、メイン
アーム１３によって上昇したスピンチャック２０上にウ
エハＷを載置後、スピンチャック２０を下降する。
置において、ウエハＷの表面に現像液を被着するには、
予め処理液供給ノズル２１の矩形容器２６内に現像液を
供給して矩形容器２６内を現像液で満たした状態として
おき、待機手段２３に待機させておく。そして、メイン
アーム１３によって上昇したスピンチャック２０上にウ
エハＷを載置後、スピンチャック２０を下降する。
【００１９】次に、ノズル移動機構２５によって処理液
供給ノズル２１をウエハＷの中心位置付近まで水平移動
させた後、スピンチャック２０と処理液供給ノズル２１
とを相対的に上下移動させ、処理液供給ノズル２１のノ
ズル孔先端部とウエハＷとの間が微小間隔例えば０．１
mm〜１．５mmの範囲となるように設定する。そして、処
理液供給管３０から所定圧力で矩形容器２６内に所定の
現像液を供給することにより、各ノズル孔２２から滲み
出させるようにして現像液をウエハＷ表面に帯状に供給
する。これに伴ってスピンチャック２０によりウエハＷ
を低速回転で約１／２回転させると、ウエハＷ表面に供
給された現像液は処理液供給ノズル２１によって滲み出
されつつ押し広げられる。これにより、ウエハＷ表面均
一に薄く現像液を被着することができる。
供給ノズル２１をウエハＷの中心位置付近まで水平移動
させた後、スピンチャック２０と処理液供給ノズル２１
とを相対的に上下移動させ、処理液供給ノズル２１のノ
ズル孔先端部とウエハＷとの間が微小間隔例えば０．１
mm〜１．５mmの範囲となるように設定する。そして、処
理液供給管３０から所定圧力で矩形容器２６内に所定の
現像液を供給することにより、各ノズル孔２２から滲み
出させるようにして現像液をウエハＷ表面に帯状に供給
する。これに伴ってスピンチャック２０によりウエハＷ
を低速回転で約１／２回転させると、ウエハＷ表面に供
給された現像液は処理液供給ノズル２１によって滲み出
されつつ押し広げられる。これにより、ウエハＷ表面均
一に薄く現像液を被着することができる。
【００２０】その後、処理液供給ノズル２１はノズル移
動機構２５によってウエハＷ表面から退避された後、待
機手段２３のノズル保持体３１の上方まで水平移動さ
れ、そして、下降されてノズル保持体３１上に載置保持
される。このとき、処理液供給ノズル２１のノズル孔２
２はノズル保持体３１の開口部３２に位置して、処理液
除去部材３５とは非接触状態となるが、ノズル孔２２の
先端に処理液除去部材３５の棒状体上面が微小間隔例え
ば１mm〜２mmの範囲となるように位置するので、ノズル
孔２２に残存する現像液Ｌは毛細管現象により処理液除
去部材３５に付着し、除去される。図３に示すように、
ノズル孔２２に残存する現像液Ｌは処理液除去部材３５
に付着した処理液に誘引されるようにして切り離され
て、処理液供給ノズル２１から除去される。
動機構２５によってウエハＷ表面から退避された後、待
機手段２３のノズル保持体３１の上方まで水平移動さ
れ、そして、下降されてノズル保持体３１上に載置保持
される。このとき、処理液供給ノズル２１のノズル孔２
２はノズル保持体３１の開口部３２に位置して、処理液
除去部材３５とは非接触状態となるが、ノズル孔２２の
先端に処理液除去部材３５の棒状体上面が微小間隔例え
ば１mm〜２mmの範囲となるように位置するので、ノズル
孔２２に残存する現像液Ｌは毛細管現象により処理液除
去部材３５に付着し、除去される。図３に示すように、
ノズル孔２２に残存する現像液Ｌは処理液除去部材３５
に付着した処理液に誘引されるようにして切り離され
て、処理液供給ノズル２１から除去される。
【００２１】したがって、劣化して固化した現像液等は
除去され、また、処理液供給ノズル２１にはノズル保持
体３１側からのパーティクルの付着がなく、次の処理液
被着工程において、ウエハＷの表面に均一に清浄な処理
液を被着することができると共に、ウエハＷの汚染を防
止することができる。また、処理液供給ノズル２１の待
機中にノズル孔２２に残存する処理液の除去がなされる
ので、ウエハＷの処理を効率良く行うことができる。
除去され、また、処理液供給ノズル２１にはノズル保持
体３１側からのパーティクルの付着がなく、次の処理液
被着工程において、ウエハＷの表面に均一に清浄な処理
液を被着することができると共に、ウエハＷの汚染を防
止することができる。また、処理液供給ノズル２１の待
機中にノズル孔２２に残存する処理液の除去がなされる
ので、ウエハＷの処理を効率良く行うことができる。
【００２２】なお、処理液供給ノズル２１から切り離さ
れて処理液除去部材３５に付着した処理液は洗浄液供給
口３４ａから供給される洗浄液によってノズル保持体３
１の底部へ流された後、排出口３４ｃから外部の所定場
所へ排出される。また、洗浄後、乾燥ガス供給口３４ｂ
から乾燥ガスが供給されて処理液除去部材３５は乾燥さ
れ、次の処理液供給ノズル２１の処理工程に備える。ま
た、処理液供給ノズル２１が待機手段２３にて保持され
て待機している間、現像液が被着されたウエハＷはリン
ス液供給ノズル２４から供給されるリンス液（例えば純
水）によってリンスが行われた後、リンス液の振り切り
を行って処理は終了する。
れて処理液除去部材３５に付着した処理液は洗浄液供給
口３４ａから供給される洗浄液によってノズル保持体３
１の底部へ流された後、排出口３４ｃから外部の所定場
所へ排出される。また、洗浄後、乾燥ガス供給口３４ｂ
から乾燥ガスが供給されて処理液除去部材３５は乾燥さ
れ、次の処理液供給ノズル２１の処理工程に備える。ま
た、処理液供給ノズル２１が待機手段２３にて保持され
て待機している間、現像液が被着されたウエハＷはリン
ス液供給ノズル２４から供給されるリンス液（例えば純
水）によってリンスが行われた後、リンス液の振り切り
を行って処理は終了する。
【００２３】図５はこの発明の処理装置の別の実施例の
要部の断面図が示されている。この第二実施例における
処理装置は処理液供給ノズル２１のノズル孔２２に残存
する処理液を更に確実に除去し得るようにした場合であ
る。
要部の断面図が示されている。この第二実施例における
処理装置は処理液供給ノズル２１のノズル孔２２に残存
する処理液を更に確実に除去し得るようにした場合であ
る。
【００２４】すなわち、待機手段２３の処理液除去部材
３５を、ノズル保持体３１の開口部３２に配設される断
面矩形状の棒状体３７にて形成すると共に、この棒状体
３７のノズル孔２２と対向する面にノズル孔側に向って
ナイフエッジ状に突出する鋭角状の液切り用傾斜角３８
を設けた場合である。このように、処理液除去用棒状体
３７のノズル孔２２と対向する面に液切り用傾斜角３８
を形成することにより、図６に示すように、待機中の処
理液供給ノズル２１のノズル孔２２に残存する現像液Ｌ
が棒状体３７に付着した後、液切り用傾斜角３８によっ
て左右に分離されて速やかにノズル保持体３１の底部側
へ誘導することができ、現像液Ｌのノズル孔２２側への
再付着を防止することができる。
３５を、ノズル保持体３１の開口部３２に配設される断
面矩形状の棒状体３７にて形成すると共に、この棒状体
３７のノズル孔２２と対向する面にノズル孔側に向って
ナイフエッジ状に突出する鋭角状の液切り用傾斜角３８
を設けた場合である。このように、処理液除去用棒状体
３７のノズル孔２２と対向する面に液切り用傾斜角３８
を形成することにより、図６に示すように、待機中の処
理液供給ノズル２１のノズル孔２２に残存する現像液Ｌ
が棒状体３７に付着した後、液切り用傾斜角３８によっ
て左右に分離されて速やかにノズル保持体３１の底部側
へ誘導することができ、現像液Ｌのノズル孔２２側への
再付着を防止することができる。
【００２５】なお、図５において、その他の部分は上記
第一実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を
付して、その説明は省略する。
第一実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を
付して、その説明は省略する。
【００２６】なお、上記実施例では被処理体が半導体ウ
エハの場合について説明したが必ずしも被処理体は半導
体ウエハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板、
ガラス基板あるいはプリント基板等について同様に処理
液を被着するものにも適用できるものである。また、上
記実施例では処理装置をレジスト塗布現像装置に適用し
た場合について説明したが、レジスト塗布現像装置以外
にも、例えばエッチング液塗布処理や磁性液塗布処理等
を行う装置にも適用できることは勿論である。
エハの場合について説明したが必ずしも被処理体は半導
体ウエハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板、
ガラス基板あるいはプリント基板等について同様に処理
液を被着するものにも適用できるものである。また、上
記実施例では処理装置をレジスト塗布現像装置に適用し
た場合について説明したが、レジスト塗布現像装置以外
にも、例えばエッチング液塗布処理や磁性液塗布処理等
を行う装置にも適用できることは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
装置は上記のように構成されているので、以下のような
効果が得られる。
装置は上記のように構成されているので、以下のような
効果が得られる。
【００２８】１）請求項１記載の処理装置によれば、不
使用時の処理液供給ノズルを保持する待機手段に、処理
液供給ノズルのノズル孔に近接し得るように配設されて
ノズル孔に残存する処理液を除去する処理液除去部材を
設けるので、処理工程を終えた処理液供給ノズルの待機
中に、ノズル孔に残存する処理液を除去することがで
き、以後の処理工程における処理液供給の均一化が図れ
ると共に、被処理体の汚染を防止することができる。
使用時の処理液供給ノズルを保持する待機手段に、処理
液供給ノズルのノズル孔に近接し得るように配設されて
ノズル孔に残存する処理液を除去する処理液除去部材を
設けるので、処理工程を終えた処理液供給ノズルの待機
中に、ノズル孔に残存する処理液を除去することがで
き、以後の処理工程における処理液供給の均一化が図れ
ると共に、被処理体の汚染を防止することができる。
【００２９】２）請求項２記載の処理装置によれば、処
理液除去部材のノズル孔と対向する面に傾斜角を設ける
ので、処理液除去部材に付着した処理液の液切りを行う
ことができ、更に確実に待機中のノズルに残存する処理
液の除去を行うことができる。
理液除去部材のノズル孔と対向する面に傾斜角を設ける
ので、処理液除去部材に付着した処理液の液切りを行う
ことができ、更に確実に待機中のノズルに残存する処理
液の除去を行うことができる。
【図１】この発明の処理装置をレジスト塗布現像装置に
適用した一実施例を示す概略平面図である。
適用した一実施例を示す概略平面図である。
【図２】この発明の処理装置の要部の一例を示す断面図
である。
である。
【図３】この発明の処理装置の処理液除去状態を示す概
略側面図である。
略側面図である。
【図４】この発明における待機手段を示す断面斜視図で
ある。
ある。
【図５】この発明の処理装置の別の実施例の要部を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】図５の要部を拡大して示す説明図である。
２１ 処理液供給ノズル ２２ ノズル孔 ２３ 待機手段 ３１ ノズル保持体 ３２ 開口部 ３５ 処理液除去部材 ３７ 棒状体 ３８ 液切り用傾斜角 Ｌ 現像液（処理液）
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理体の表面に処理液を滴下するノズ
ル孔を有する処理液供給ノズルと、不使用時の上記処理
液供給ノズルを保持する待機手段とを具備する処理装置
において、 上記待機手段は、上記処理液供給ノズルのノズル孔に近
接し得るように配設されて上記ノズル孔に残存する処理
液を除去する処理液除去部材を具備してなることを特徴
とする処理装置。 - 【請求項２】 処理液除去部材のノズル孔と対向する面
に傾斜角を設けたことを特徴とする請求項１記載の処理
装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3351191A JP2811247B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 処理装置 |
| US07/988,797 US5275658A (en) | 1991-12-13 | 1992-12-10 | Liquid supply apparatus |
| KR1019920023980A KR0164605B1 (ko) | 1991-12-13 | 1992-12-11 | 액체공급장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3351191A JP2811247B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166714A true JPH05166714A (ja) | 1993-07-02 |
| JP2811247B2 JP2811247B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=18415673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3351191A Expired - Lifetime JP2811247B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2811247B2 (ja) |
| KR (1) | KR0164605B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002192035A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Pentel Corp | ノズルの先端のクリーニング |
| JP2007216191A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Canon Machinery Inc | 塗布ノズル清掃装置 |
| JP2011117976A (ja) * | 2002-06-20 | 2011-06-16 | Vision Biosystems Ltd | 流体排出機構を備えた生物反応装置 |
| JP2012060137A (ja) * | 2011-09-22 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP3351191A patent/JP2811247B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-12-11 KR KR1019920023980A patent/KR0164605B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002192035A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Pentel Corp | ノズルの先端のクリーニング |
| JP2011117976A (ja) * | 2002-06-20 | 2011-06-16 | Vision Biosystems Ltd | 流体排出機構を備えた生物反応装置 |
| JP2013213842A (ja) * | 2002-06-20 | 2013-10-17 | Vision Biosystems Ltd | 流体排出機構を備えた生物反応装置 |
| US10011015B2 (en) | 2002-06-20 | 2018-07-03 | Leica Biosystems Melbourne Pty Ltd | Biological reaction apparatus with draining mechanism |
| US11345038B2 (en) | 2002-06-20 | 2022-05-31 | Leica Biosystems Melbourne Pty Ltd | Biological reaction apparatus with draining mechanism |
| JP2007216191A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Canon Machinery Inc | 塗布ノズル清掃装置 |
| JP2012060137A (ja) * | 2011-09-22 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2811247B2 (ja) | 1998-10-15 |
| KR930014836A (ko) | 1993-07-23 |
| KR0164605B1 (ko) | 1999-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6012858A (en) | Apparatus and method for forming liquid film | |
| US6357457B1 (en) | Substrate cleaning apparatus and method | |
| KR101375423B1 (ko) | 피처리체를 액체 처리하는 처리 장치 | |
| KR100217291B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
| KR100340234B1 (ko) | 현상처리방법 | |
| JP4654119B2 (ja) | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 | |
| JP4334758B2 (ja) | 膜形成装置 | |
| JP2976085B2 (ja) | 処理装置 | |
| KR101067143B1 (ko) | 도포막형성 장치 및 도포막형성 방법 | |
| JP2004221244A (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
| JP2001157861A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| JPH05166714A (ja) | 処理装置 | |
| JP2890081B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP3013009B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2001252604A (ja) | 処理液吐出ノズルおよび液処理装置 | |
| JP3194592B2 (ja) | 枚葉式ウェハー洗浄装置 | |
| JP2005101185A (ja) | 基板洗浄乾燥装置 | |
| JP3087222B2 (ja) | 処理方法 | |
| JP2811248B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH06120132A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JP3240296B2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JP2000058497A (ja) | スピン洗浄・乾燥方法 | |
| JP3389290B2 (ja) | 角型基板処理装置及び角型基板処理方法 | |
| JP3290773B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| JPH0262549A (ja) | スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980708 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100807 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100807 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 14 |