JPH1116871A - 基板処理装置 - Google Patents
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- JPH1116871A JPH1116871A JP9164623A JP16462397A JPH1116871A JP H1116871 A JPH1116871 A JP H1116871A JP 9164623 A JP9164623 A JP 9164623A JP 16462397 A JP16462397 A JP 16462397A JP H1116871 A JPH1116871 A JP H1116871A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理部で発生するミストの乾燥部への混入を
防止して製品歩留りを向上させることができる基板処理
装置を提供する。 【解決手段】 ノズル３０が水洗部１３の内部で、しか
も水洗部１３と乾燥部１４との間に設けられた開口部Ｈ
34の上方近傍に設けられ、液供給部４０から水洗部１３
で使用される処理液と同一種類の液体が圧送されて、当
該開口部Ｈ34を遮断するように、その近傍位置に液カー
テン５０を形成して、水洗部１３と乾燥部１４とを雰囲
気分離する。このため、水洗部１３で発生するミスト６
０が乾燥部１４に混入するのが阻止されて乾燥処理済み
基板Ｓへのミストの付着を防止することができる。
防止して製品歩留りを向上させることができる基板処理
装置を提供する。 【解決手段】 ノズル３０が水洗部１３の内部で、しか
も水洗部１３と乾燥部１４との間に設けられた開口部Ｈ
34の上方近傍に設けられ、液供給部４０から水洗部１３
で使用される処理液と同一種類の液体が圧送されて、当
該開口部Ｈ34を遮断するように、その近傍位置に液カー
テン５０を形成して、水洗部１３と乾燥部１４とを雰囲
気分離する。このため、水洗部１３で発生するミスト６
０が乾燥部１４に混入するのが阻止されて乾燥処理済み
基板Ｓへのミストの付着を防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用ガ
ラス基板、半導体基板、プリント基板およびプラズマデ
ィスプレイ用基板などの板状の基板を略水平方向に搬送
しながら、当該基板に対して処理液を供給して水洗処理
などの基板処理を施した後、処理済の基板を乾燥処理す
る基板処理装置に関する。
ラス基板、半導体基板、プリント基板およびプラズマデ
ィスプレイ用基板などの板状の基板を略水平方向に搬送
しながら、当該基板に対して処理液を供給して水洗処理
などの基板処理を施した後、処理済の基板を乾燥処理す
る基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の基板処理装置では、基板を通過
させるための開口部を有する仕切壁で仕切られた状態で
複数の処理部が連設されるとともに、これらの処理部の
間で開口部を介して基板が搬送される。そして、基板を
搬送しながら、最初の処理部では例えば現像液、エッチ
ング液、剥離液等の薬液を基板に供給して薬液処理を施
し、その後、２番目の処理部で純水を薬液処理済みの基
板に供給して水洗処理を施す。また、基板処理装置で
は、こうして処理された基板を乾燥すべく、上記処理部
間と同様に、基板を通過させるための開口部を有する仕
切壁で仕切られた状態で最終の処理部に隣接して乾燥部
が設けられており、最終の処理部で処理された基板が開
口部を介して乾燥部に搬送され、当該乾燥部で乾燥され
る。
させるための開口部を有する仕切壁で仕切られた状態で
複数の処理部が連設されるとともに、これらの処理部の
間で開口部を介して基板が搬送される。そして、基板を
搬送しながら、最初の処理部では例えば現像液、エッチ
ング液、剥離液等の薬液を基板に供給して薬液処理を施
し、その後、２番目の処理部で純水を薬液処理済みの基
板に供給して水洗処理を施す。また、基板処理装置で
は、こうして処理された基板を乾燥すべく、上記処理部
間と同様に、基板を通過させるための開口部を有する仕
切壁で仕切られた状態で最終の処理部に隣接して乾燥部
が設けられており、最終の処理部で処理された基板が開
口部を介して乾燥部に搬送され、当該乾燥部で乾燥され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、この種
の基板処理装置では、処理部と乾燥部とが連設されてお
り、処理部（上記具体例においては２番目の処理部、つ
まり水洗部）で処理された基板が開口部を介して乾燥部
に搬送されるように構成されている。このため、当該処
理部で発生したミストが開口部を介して乾燥部の内部空
間に流入し、乾燥部で乾燥処理された基板の表面に付着
するという問題がある。また、このように処理部内のミ
ストが乾燥処理済みの基板に直接付着する場合のみなら
ず、処理部から乾燥部に混入したミストが一旦乾燥部の
内壁面や乾燥部に設けられたハンドリング機構などに付
着した後、さらにこれら内壁面などから乾燥処理直前ま
たは乾燥処理済みの基板に再付着することがある。以上
のように、従来の基板処理装置では、処理部で発生した
ミストが乾燥部に混入し、直接的または間接的に乾燥済
みの基板に付着して製品歩留りを低下させるという問題
があった。
の基板処理装置では、処理部と乾燥部とが連設されてお
り、処理部（上記具体例においては２番目の処理部、つ
まり水洗部）で処理された基板が開口部を介して乾燥部
に搬送されるように構成されている。このため、当該処
理部で発生したミストが開口部を介して乾燥部の内部空
間に流入し、乾燥部で乾燥処理された基板の表面に付着
するという問題がある。また、このように処理部内のミ
ストが乾燥処理済みの基板に直接付着する場合のみなら
ず、処理部から乾燥部に混入したミストが一旦乾燥部の
内壁面や乾燥部に設けられたハンドリング機構などに付
着した後、さらにこれら内壁面などから乾燥処理直前ま
たは乾燥処理済みの基板に再付着することがある。以上
のように、従来の基板処理装置では、処理部で発生した
ミストが乾燥部に混入し、直接的または間接的に乾燥済
みの基板に付着して製品歩留りを低下させるという問題
があった。
【０００４】特に、乾燥部では、乾燥処理室内の雰囲気
に淀みが発生するのを抑制するために、排気処理を行っ
ており、乾燥部内の圧力はその隣接する処理部に対して
負圧となっている。そのため、当該処理部の雰囲気が乾
燥部内に引き込まれやすくなっており、上記問題が助長
される傾向にある。また、乾燥部と隣接する処理部にお
いて、基板に対して処理液をスプレー状に吐出して処理
する、いわるゆスプレー処理を行っている場合には、当
該処理部でのミスト発生量も多く、乾燥部へのミスト混
入による上記問題はより一層顕著となる。
に淀みが発生するのを抑制するために、排気処理を行っ
ており、乾燥部内の圧力はその隣接する処理部に対して
負圧となっている。そのため、当該処理部の雰囲気が乾
燥部内に引き込まれやすくなっており、上記問題が助長
される傾向にある。また、乾燥部と隣接する処理部にお
いて、基板に対して処理液をスプレー状に吐出して処理
する、いわるゆスプレー処理を行っている場合には、当
該処理部でのミスト発生量も多く、乾燥部へのミスト混
入による上記問題はより一層顕著となる。
【０００５】この発明は、上記のような問題に鑑みてな
されたものであり、処理部で発生するミストの乾燥部へ
の混入を防止して製品歩留りを向上させることができる
基板処理装置を提供することを目的とする。
されたものであり、処理部で発生するミストの乾燥部へ
の混入を防止して製品歩留りを向上させることができる
基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
を通過させるための開口部を有する仕切壁で仕切られた
状態で連設された処理部および乾燥部と、基板を前記処
理部、前記開口部および前記乾燥部の順序で搬送する搬
送手段とを備え、前記搬送手段によって基板を搬送しな
がら、前記処理部によって当該基板に処理液を供給して
所定の処理を施した後で前記乾燥部によって当該処理済
の基板に対して乾燥処理を施す基板処理装置において、
上記目的を達成するため、前記処理部の内部で、しかも
前記開口部の近傍で、少なくとも前記開口部を遮断する
ように液カーテンを形成する液カーテン形成手段を備え
ている。
を通過させるための開口部を有する仕切壁で仕切られた
状態で連設された処理部および乾燥部と、基板を前記処
理部、前記開口部および前記乾燥部の順序で搬送する搬
送手段とを備え、前記搬送手段によって基板を搬送しな
がら、前記処理部によって当該基板に処理液を供給して
所定の処理を施した後で前記乾燥部によって当該処理済
の基板に対して乾燥処理を施す基板処理装置において、
上記目的を達成するため、前記処理部の内部で、しかも
前記開口部の近傍で、少なくとも前記開口部を遮断する
ように液カーテンを形成する液カーテン形成手段を備え
ている。
【０００７】この発明では、処理部の内部で、しかも開
口部の近傍に液カーテンが形成されており、当該液カー
テンが当該開口部を遮断し、処理部で発生したミストが
乾燥部側に混入しようとするのを防ぐ。
口部の近傍に液カーテンが形成されており、当該液カー
テンが当該開口部を遮断し、処理部で発生したミストが
乾燥部側に混入しようとするのを防ぐ。
【０００８】請求項２の発明は、前記液カーテン形成手
段が、液吐出口を下方側に向けた状態で前記開口部の上
方側に配置された第１のノズルと、前記第１のノズルに
液体を供給して前記開口部に沿って前記第１のノズルか
ら下方側に向けて液体を吐出させる第１の液供給部とを
備えるように構成している。
段が、液吐出口を下方側に向けた状態で前記開口部の上
方側に配置された第１のノズルと、前記第１のノズルに
液体を供給して前記開口部に沿って前記第１のノズルか
ら下方側に向けて液体を吐出させる第１の液供給部とを
備えるように構成している。
【０００９】この発明では、第１のノズルから液体を下
方側に吐出させることで液カーテンが形成される。
方側に吐出させることで液カーテンが形成される。
【００１０】請求項３の発明は、前記液カーテン形成手
段が、液吐出口を上方側に向けた状態で前記開口部の下
方側に配置された第２のノズルと、前記第２のノズルに
液体を供給して前記開口部に沿って前記第２のノズルか
ら上方側に向けて液体を吐出させる第２の液供給部とを
さらに備えるように構成している。
段が、液吐出口を上方側に向けた状態で前記開口部の下
方側に配置された第２のノズルと、前記第２のノズルに
液体を供給して前記開口部に沿って前記第２のノズルか
ら上方側に向けて液体を吐出させる第２の液供給部とを
さらに備えるように構成している。
【００１１】この発明では、第１のノズルから吐出され
る液体によって液カーテンが形成されるのみならず、第
２のノズルから液体を上方側に吐出させることでさらに
液カーテンが形成される。このように、複数の液カーテ
ンが形成され、処理部で発生したミストが乾燥部側に混
入しようとするのをより確実に防ぐ。
る液体によって液カーテンが形成されるのみならず、第
２のノズルから液体を上方側に吐出させることでさらに
液カーテンが形成される。このように、複数の液カーテ
ンが形成され、処理部で発生したミストが乾燥部側に混
入しようとするのをより確実に防ぐ。
【００１２】請求項４の発明は、前記液体を前記処理部
で使用される処理液と同一種類としている。
で使用される処理液と同一種類としている。
【００１３】この発明では、処理液と同一種類の液体に
よって液カーテンが構成されており、この液カーテンを
基板が通過するとき、当該液体（処理液）が基板に供給
される。このため、基板には、処理部において本来的に
処理液が供給されるのみならず、液カーテンを通過する
際にも処理液が供給されるため、基板への処理液の供給
量が多くなる。
よって液カーテンが構成されており、この液カーテンを
基板が通過するとき、当該液体（処理液）が基板に供給
される。このため、基板には、処理部において本来的に
処理液が供給されるのみならず、液カーテンを通過する
際にも処理液が供給されるため、基板への処理液の供給
量が多くなる。
【００１４】請求項５の発明は、前記液体の純度を前記
処理部で使用される処理液の純度よりも高く設定してい
る。
処理部で使用される処理液の純度よりも高く設定してい
る。
【００１５】この発明では、まず処理部において処理液
によって基板処理された後、さらに基板が液カーテンを
通過することで基板に対して基板処理が行われるが、後
で行われる基板処理がより高い純度の処理液で付加的に
処理される。
によって基板処理された後、さらに基板が液カーテンを
通過することで基板に対して基板処理が行われるが、後
で行われる基板処理がより高い純度の処理液で付加的に
処理される。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明にかかる基板処理
装置の一実施形態を示す説明図である。本実施形態で
は、基板処理装置として液晶表示装置用のガラス基板を
処理するものが採用されている。同図に示すように、基
板処理装置１では、後述するように基板Ｓを通過させる
ための開口部Ｈ12，Ｈ23，Ｈ34を有する仕切壁で仕切ら
れた状態で、待機部１１、エッチング部１２、水洗部１
３、および乾燥部１４とが基板Ｓの搬送方向Ｐに直列に
連設されている。なお、上記待機部１１の上流端（同図
の左端側）および乾燥部１４の下流端（同図の右端側）
にも、基板通過用の開口部ＨIN，ＨOUTがそれぞれ形成
されている。
装置の一実施形態を示す説明図である。本実施形態で
は、基板処理装置として液晶表示装置用のガラス基板を
処理するものが採用されている。同図に示すように、基
板処理装置１では、後述するように基板Ｓを通過させる
ための開口部Ｈ12，Ｈ23，Ｈ34を有する仕切壁で仕切ら
れた状態で、待機部１１、エッチング部１２、水洗部１
３、および乾燥部１４とが基板Ｓの搬送方向Ｐに直列に
連設されている。なお、上記待機部１１の上流端（同図
の左端側）および乾燥部１４の下流端（同図の右端側）
にも、基板通過用の開口部ＨIN，ＨOUTがそれぞれ形成
されている。
【００１７】また、上記各部１１，１２，１３，１４内
には同一高さ位置で複数の駆動ローラ２０が軸心を基板
Ｓの搬送方向Ｐに対して直交するようにして設けられて
搬送手段が構成されている。このため、上記駆動ローラ
２０を間欠又は連続駆動することで、基板Ｓを待機部１
１→開口部Ｈ12→エッチング部１２→開口部Ｈ23→水洗
部１３→開口部Ｈ34→乾燥部１４の順で搬送するととも
に、待機部１１、エッチング部１２、水洗部１３、およ
び乾燥部１４の各部で通過、減速又は一時停止させた
り、駆動ローラ２０を正逆回転させることで基板Ｓを往
復揺動させることが可能となっている。
には同一高さ位置で複数の駆動ローラ２０が軸心を基板
Ｓの搬送方向Ｐに対して直交するようにして設けられて
搬送手段が構成されている。このため、上記駆動ローラ
２０を間欠又は連続駆動することで、基板Ｓを待機部１
１→開口部Ｈ12→エッチング部１２→開口部Ｈ23→水洗
部１３→開口部Ｈ34→乾燥部１４の順で搬送するととも
に、待機部１１、エッチング部１２、水洗部１３、およ
び乾燥部１４の各部で通過、減速又は一時停止させた
り、駆動ローラ２０を正逆回転させることで基板Ｓを往
復揺動させることが可能となっている。
【００１８】そして、基板Ｓを各部１１，１２，１３，
１４において例えば一時停止させている間に各部１１，
１２，１３，１４で基板Ｓに対する所定の処理が施され
るように構成されている。すなわち、待機部１１によっ
て、基板Ｓがエッチング部１２に供給する前に待機され
た後、エッチング部１２に搬送され、当該エッチング部
１２において、その天井部から垂下された複数のスプレ
ーノズル１２ａから薬液が基板Ｓに向けて散布され、こ
れによって基板Ｓの表面に所定のエッチング処理が施さ
れる。なお、待機部１１内での待機期間中にエアスプレ
ー等による基板Ｓの事前清浄化処理が施されることもあ
る。そして、エッチング処理された基板Ｓが水洗部１３
に搬送されて複数のスプレーノズル１３ａから基板Ｓに
向けてスプレー状に吐出されるイオン交換水（純水）で
洗浄されて基板表面に付着している薬液が洗い流された
後、乾燥部１４に搬送されて洗浄処理後の基板Ｓの表面
に付着している水がエアナイフ１４ａから吹き付けられ
る気流によって除去される。なお、各部１１，１２，１
３，１４の下方開口１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄは
図示しない排気装置に接続され、各部１１，１２，１
３，１４内を排気しているが、乾燥部１４からの排気は
エアナイフ１４ａからのエアの吹出しに対応して最も強
力になされる。
１４において例えば一時停止させている間に各部１１，
１２，１３，１４で基板Ｓに対する所定の処理が施され
るように構成されている。すなわち、待機部１１によっ
て、基板Ｓがエッチング部１２に供給する前に待機され
た後、エッチング部１２に搬送され、当該エッチング部
１２において、その天井部から垂下された複数のスプレ
ーノズル１２ａから薬液が基板Ｓに向けて散布され、こ
れによって基板Ｓの表面に所定のエッチング処理が施さ
れる。なお、待機部１１内での待機期間中にエアスプレ
ー等による基板Ｓの事前清浄化処理が施されることもあ
る。そして、エッチング処理された基板Ｓが水洗部１３
に搬送されて複数のスプレーノズル１３ａから基板Ｓに
向けてスプレー状に吐出されるイオン交換水（純水）で
洗浄されて基板表面に付着している薬液が洗い流された
後、乾燥部１４に搬送されて洗浄処理後の基板Ｓの表面
に付着している水がエアナイフ１４ａから吹き付けられ
る気流によって除去される。なお、各部１１，１２，１
３，１４の下方開口１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄは
図示しない排気装置に接続され、各部１１，１２，１
３，１４内を排気しているが、乾燥部１４からの排気は
エアナイフ１４ａからのエアの吹出しに対応して最も強
力になされる。
【００１９】図２は、上記のように構成された基板処理
装置１の部分切欠斜視図であり、水洗部１３側から乾燥
部１４を見た図である。同図に示すように、この実施形
態にかかる基板処理装置１では、ノズル３０が水洗部１
３の内部で、しかも水洗部１３と乾燥部１４との間に設
けられた開口部Ｈ34の上方近傍側に設けられている。こ
のノズル３０は、ノズル本体３１と、このノズル本体３
１内に穿孔された液供給通路３２と、この液供給通路３
２に連通した液吐出口３３とを具備している。
装置１の部分切欠斜視図であり、水洗部１３側から乾燥
部１４を見た図である。同図に示すように、この実施形
態にかかる基板処理装置１では、ノズル３０が水洗部１
３の内部で、しかも水洗部１３と乾燥部１４との間に設
けられた開口部Ｈ34の上方近傍側に設けられている。こ
のノズル３０は、ノズル本体３１と、このノズル本体３
１内に穿孔された液供給通路３２と、この液供給通路３
２に連通した液吐出口３３とを具備している。
【００２０】また、この液供給通路３２には、液供給部
４０が接続されている。この液供給部４０は、水洗部１
３で用いられている処理液（イオン交換水）と同一種類
の液体、つまりイオン交換水（純水）を貯留するタンク
４１と、タンク４１内のイオン交換水をノズル３０側に
圧送するためのポンプ４２と、フィルタ４３と、供給管
４４とを備え、ポンプ４２を作動させることでタンク４
１内の液体をポンプ４２、フィルタ４３および供給管４
４を介してノズル３０の液供給通路３２に圧送するよう
に構成されている。このように、液供給部４０によって
液体をノズル３０に圧送すると、液供給通路３２を通っ
て液吐出口３３からイオン交換水が下方側に吐出され
て、開口部Ｈ34に沿ってイオン交換水の液カーテン５０
が形成される。
４０が接続されている。この液供給部４０は、水洗部１
３で用いられている処理液（イオン交換水）と同一種類
の液体、つまりイオン交換水（純水）を貯留するタンク
４１と、タンク４１内のイオン交換水をノズル３０側に
圧送するためのポンプ４２と、フィルタ４３と、供給管
４４とを備え、ポンプ４２を作動させることでタンク４
１内の液体をポンプ４２、フィルタ４３および供給管４
４を介してノズル３０の液供給通路３２に圧送するよう
に構成されている。このように、液供給部４０によって
液体をノズル３０に圧送すると、液供給通路３２を通っ
て液吐出口３３からイオン交換水が下方側に吐出され
て、開口部Ｈ34に沿ってイオン交換水の液カーテン５０
が形成される。
【００２１】このように、この実施形態では、ノズル３
０と液供給部４０とで、水洗部１３の内部で、しかも水
洗部１３と乾燥部１４との間に設けられた開口部Ｈ34の
近傍に液カーテン５０を形成する液カーテン形成手段が
構成されている。なお、この実施の形態では、上記ノズ
ル本体３１は、長さ寸法が少なくとも搬送中の基板Ｓを
横断するように設定された所定厚みの直方体状の金属ブ
ロックによって形成されており、上記のようにして液カ
ーテン５０を形成することで、当該液カーテンによって
上記開口部Ｈ34が遮断され、水洗部１３と乾燥部１４と
が雰囲気分離されている。
０と液供給部４０とで、水洗部１３の内部で、しかも水
洗部１３と乾燥部１４との間に設けられた開口部Ｈ34の
近傍に液カーテン５０を形成する液カーテン形成手段が
構成されている。なお、この実施の形態では、上記ノズ
ル本体３１は、長さ寸法が少なくとも搬送中の基板Ｓを
横断するように設定された所定厚みの直方体状の金属ブ
ロックによって形成されており、上記のようにして液カ
ーテン５０を形成することで、当該液カーテンによって
上記開口部Ｈ34が遮断され、水洗部１３と乾燥部１４と
が雰囲気分離されている。
【００２２】次に、上記のように構成された基板処理装
置１の動作、特に水洗部１３で水洗処理を行った後で乾
燥部１４で乾燥処理するまでの動作について図３および
図４を参照しつつ詳述する。
置１の動作、特に水洗部１３で水洗処理を行った後で乾
燥部１４で乾燥処理するまでの動作について図３および
図４を参照しつつ詳述する。
【００２３】エッチング部１２でエッチング処理を行っ
た後、基板Ｓを水洗部１３に搬送し、当該水洗部１３で
水洗処理する（図３）。ここで、この基板処理装置１で
は、基板処理を行う間、常時ノズル３０にイオン交換水
が供給されて液カーテン５０が開口部Ｈ34を遮断するよ
うに形成されている。したがって、同図の破線で示すよ
うに、水洗部１３で発生したミスト６０が乾燥部１４側
に飛散しても、当該液カーテン５０でブロックされ、ミ
スト６０の乾燥部１４への混入を防止することができ
る。
た後、基板Ｓを水洗部１３に搬送し、当該水洗部１３で
水洗処理する（図３）。ここで、この基板処理装置１で
は、基板処理を行う間、常時ノズル３０にイオン交換水
が供給されて液カーテン５０が開口部Ｈ34を遮断するよ
うに形成されている。したがって、同図の破線で示すよ
うに、水洗部１３で発生したミスト６０が乾燥部１４側
に飛散しても、当該液カーテン５０でブロックされ、ミ
スト６０の乾燥部１４への混入を防止することができ
る。
【００２４】また、水洗部１３での水洗処理が完了する
と、ローラ２０の駆動回転によって開口部Ｈ34を通過し
て水洗部１３から乾燥部１４に基板Ｓが搬送される。こ
のとき、液カーテン５０で水洗部１３と乾燥部１４が相
互に雰囲気分離されているだけでなく、基板Ｓがノズル
３０の直下位置に移動して来ると、図４に示すように、
ノズル３０から基板Ｓに向けてイオン交換水が吐出され
るため、次のような効果が得られる。すなわち、ノズル
３０から吐出される液体は水洗部１３で使用されている
処理液（イオン交換水）と同種類のものであり、このよ
うに水洗部１３での水洗処理に加えて液カーテン５０を
通過する際にも水洗処理されるため、単に水洗部１３で
水洗処理する従来例に比べ、より多くのイオン交換水を
基板Ｓに供給することができ、その結果、より確実に基
板Ｓを水洗処理することができる。
と、ローラ２０の駆動回転によって開口部Ｈ34を通過し
て水洗部１３から乾燥部１４に基板Ｓが搬送される。こ
のとき、液カーテン５０で水洗部１３と乾燥部１４が相
互に雰囲気分離されているだけでなく、基板Ｓがノズル
３０の直下位置に移動して来ると、図４に示すように、
ノズル３０から基板Ｓに向けてイオン交換水が吐出され
るため、次のような効果が得られる。すなわち、ノズル
３０から吐出される液体は水洗部１３で使用されている
処理液（イオン交換水）と同種類のものであり、このよ
うに水洗部１３での水洗処理に加えて液カーテン５０を
通過する際にも水洗処理されるため、単に水洗部１３で
水洗処理する従来例に比べ、より多くのイオン交換水を
基板Ｓに供給することができ、その結果、より確実に基
板Ｓを水洗処理することができる。
【００２５】また、このように水洗部１３による水洗処
理を受けた基板Ｓに対してノズル３０からイオン交換水
をさらに供給して水洗処理するように構成しているた
め、例えば水洗部１３で使用したイオン交換水を循環さ
せて水洗部１３で再使用することもでき、水洗処理の最
終段階で基板Ｓに供給するノズル３０からのイオン交換
水を未使用で純度の高いもの、いわゆる新液を用いるこ
とで高い水洗効果を確保しながら、装置全体として使用
するイオン交換水の新液の消費量を抑えることができ
る。
理を受けた基板Ｓに対してノズル３０からイオン交換水
をさらに供給して水洗処理するように構成しているた
め、例えば水洗部１３で使用したイオン交換水を循環さ
せて水洗部１３で再使用することもでき、水洗処理の最
終段階で基板Ｓに供給するノズル３０からのイオン交換
水を未使用で純度の高いもの、いわゆる新液を用いるこ
とで高い水洗効果を確保しながら、装置全体として使用
するイオン交換水の新液の消費量を抑えることができ
る。
【００２６】なお、上記のようにして開口部Ｈ34を通過
して乾燥部１４に搬送されてきた基板Ｓについては、そ
の表面にエアナイフ１４ａから気流が吹き付けられ、当
該表面に付着している水が除去される。
して乾燥部１４に搬送されてきた基板Ｓについては、そ
の表面にエアナイフ１４ａから気流が吹き付けられ、当
該表面に付着している水が除去される。
【００２７】以上のように、この実施形態にかかる基板
処理装置１によれば、水洗部１３と乾燥部１４との間に
設けられた開口部Ｈ34を遮断するように当該開口部Ｈ34
の近傍位置に液カーテン５０を形成して、水洗部１３と
乾燥部１４とを雰囲気分離しているので、水洗部１３で
発生するミスト６０が乾燥部１４に混入するのを阻止し
て乾燥処理後の基板Ｓにミストが付着するのを防止する
ことができ、その結果、製品の歩留りを向上させること
ができる。
処理装置１によれば、水洗部１３と乾燥部１４との間に
設けられた開口部Ｈ34を遮断するように当該開口部Ｈ34
の近傍位置に液カーテン５０を形成して、水洗部１３と
乾燥部１４とを雰囲気分離しているので、水洗部１３で
発生するミスト６０が乾燥部１４に混入するのを阻止し
て乾燥処理後の基板Ｓにミストが付着するのを防止する
ことができ、その結果、製品の歩留りを向上させること
ができる。
【００２８】なお、上記実施形態では、液吐出口３３を
下方側に向けた状態で開口部Ｈ34の上方側にノズル３０
を配置し、水洗部１３で使用している処理液（イオン交
換水）と同種類の液体を開口部Ｈ34に沿って当該ノズル
３０から下方側に向けて吐出させることで液カーテン５
０を形成しているが、例えば図３のノズル３０における
液吐出口３３ａのみを若干傾けて基板搬送方向上流側に
向けて設け、液体をその方向に向けて吐出させるように
してもよい。また、図５に示すように、開口部Ｈ34の下
方近傍にさらに別のノズル７０を配置し、液吐出口６３
を上方側に向けた状態で開口部Ｈ34の近傍下方側にノズ
ル７０をさらに追加配置し、開口部Ｈ34に沿って当該ノ
ズル７０から上方側に向けて吐出させることで液カーテ
ン８０をさらに形成してもよい。この場合、より確実に
開口部Ｈ34を遮断することができ、水洗部１３で発生し
たミストの乾燥部１４への混入をより確実に阻止するこ
とができる。また、基板Ｓの裏面側にも水洗部１３で使
用していると同種の液体を供給することができ、基板Ｓ
の洗浄効果をさらに高めることができる。なお、同図に
示す実施形態では、両ノズル３０，７０は略く字状に配
置されているが、両ノズル３０，７０の配置関係はこれ
に限定されるものではなく、要は開口部Ｈ34の上下方向
から液カーテン５０、８０を形成して開口部Ｈ34を遮断
するように構成すればよく、図５の装置と同様の効果が
得られる。
下方側に向けた状態で開口部Ｈ34の上方側にノズル３０
を配置し、水洗部１３で使用している処理液（イオン交
換水）と同種類の液体を開口部Ｈ34に沿って当該ノズル
３０から下方側に向けて吐出させることで液カーテン５
０を形成しているが、例えば図３のノズル３０における
液吐出口３３ａのみを若干傾けて基板搬送方向上流側に
向けて設け、液体をその方向に向けて吐出させるように
してもよい。また、図５に示すように、開口部Ｈ34の下
方近傍にさらに別のノズル７０を配置し、液吐出口６３
を上方側に向けた状態で開口部Ｈ34の近傍下方側にノズ
ル７０をさらに追加配置し、開口部Ｈ34に沿って当該ノ
ズル７０から上方側に向けて吐出させることで液カーテ
ン８０をさらに形成してもよい。この場合、より確実に
開口部Ｈ34を遮断することができ、水洗部１３で発生し
たミストの乾燥部１４への混入をより確実に阻止するこ
とができる。また、基板Ｓの裏面側にも水洗部１３で使
用していると同種の液体を供給することができ、基板Ｓ
の洗浄効果をさらに高めることができる。なお、同図に
示す実施形態では、両ノズル３０，７０は略く字状に配
置されているが、両ノズル３０，７０の配置関係はこれ
に限定されるものではなく、要は開口部Ｈ34の上下方向
から液カーテン５０、８０を形成して開口部Ｈ34を遮断
するように構成すればよく、図５の装置と同様の効果が
得られる。
【００２９】また、上記実施形態では、水洗部１３で使
用している処理液（イオン交換水）と同一種類の液体で
液カーテンを形成しているが、ノズルから吐出すべき液
体はこれに限定されるものではなく、異なる液体を用い
て液カーテンを形成してもよい。
用している処理液（イオン交換水）と同一種類の液体で
液カーテンを形成しているが、ノズルから吐出すべき液
体はこれに限定されるものではなく、異なる液体を用い
て液カーテンを形成してもよい。
【００３０】また、上記実施形態ではタンク４１に貯留
した純水により液カーテンを形成しているが、純水の製
造装置から直接的にノズル３０へ供給してもよく、この
ような純水供給形態を採用することが純水の純度を保つ
うえで好ましい。
した純水により液カーテンを形成しているが、純水の製
造装置から直接的にノズル３０へ供給してもよく、この
ような純水供給形態を採用することが純水の純度を保つ
うえで好ましい。
【００３１】さらに、本発明の適用対象は図１に示す処
理部構成を有する基板処理装置に限定されるものではな
く、半導体基板、プリント基板およびプラズマディスプ
レイ用基板などの基板を処理する基板処理装置であっ
て、任意の処理部と乾燥部とが、基板を通過させるため
の開口部を有する仕切壁で仕切られた状態で、連設され
た基板処理装置全般に対して本発明を適用することがで
きる。例えば上記実施形態にかかる基板処理装置では、
乾燥部としてエアーナイフからの気流を基板に吹き付け
て乾燥させているが、この乾燥部の代わりに基板をスピ
ンチャックで機会保持又は吸着保持し、回転させること
で基板に付着した水分を振り切り乾燥させるスピン方式
乾燥部を組み込んだ基板処理装置にも本発明を適用する
ことができる。
理部構成を有する基板処理装置に限定されるものではな
く、半導体基板、プリント基板およびプラズマディスプ
レイ用基板などの基板を処理する基板処理装置であっ
て、任意の処理部と乾燥部とが、基板を通過させるため
の開口部を有する仕切壁で仕切られた状態で、連設され
た基板処理装置全般に対して本発明を適用することがで
きる。例えば上記実施形態にかかる基板処理装置では、
乾燥部としてエアーナイフからの気流を基板に吹き付け
て乾燥させているが、この乾燥部の代わりに基板をスピ
ンチャックで機会保持又は吸着保持し、回転させること
で基板に付着した水分を振り切り乾燥させるスピン方式
乾燥部を組み込んだ基板処理装置にも本発明を適用する
ことができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、請求項１および２の発明
によれば、処理部の内部で、しかも開口部の近傍に液カ
ーテンを形成し、当該開口部を遮断するように構成して
いるので、処理部で発生したミストが乾燥部側に混入し
ようとするのを防止して製品歩留りを向上させることが
できる。
によれば、処理部の内部で、しかも開口部の近傍に液カ
ーテンを形成し、当該開口部を遮断するように構成して
いるので、処理部で発生したミストが乾燥部側に混入し
ようとするのを防止して製品歩留りを向上させることが
できる。
【００３３】また、請求項３の発明によれば、開口部の
近傍上方側に第１のノズルを、また近傍下方側に第２の
ノズルを配置し、上下方向から液カーテンをそれぞれ形
成しているので、開口部をより確実に遮断することがで
き、ミストの乾燥部側への混入をより効果的に防止して
製品歩留りをさらに向上させることができる。
近傍上方側に第１のノズルを、また近傍下方側に第２の
ノズルを配置し、上下方向から液カーテンをそれぞれ形
成しているので、開口部をより確実に遮断することがで
き、ミストの乾燥部側への混入をより効果的に防止して
製品歩留りをさらに向上させることができる。
【００３４】また、請求項４の発明によれば、液カーテ
ンを構成する液体を処理部で使用している処理液と同一
種類に設定し、液カーテンを基板が通過するとき、当該
液体（処理液）が基板に供給されるように構成している
ので、基板への処理液の供給量を増大させて処理性を向
上させることができる。
ンを構成する液体を処理部で使用している処理液と同一
種類に設定し、液カーテンを基板が通過するとき、当該
液体（処理液）が基板に供給されるように構成している
ので、基板への処理液の供給量を増大させて処理性を向
上させることができる。
【００３５】さらに、請求項５の発明によれば、液カー
テンを構成する液体の純度を処理部で使用される処理液
の純度よりも高くなるように設定しているので、処理部
で比較的純度の低い処理液で基板処理したとしても、当
該基板処理を受けた基板は常に液カーテンを通過して高
い純度の液体（処理液）で基板処理される。したがっ
て、高い処理性を確保しつつ、処理部での処理液の消費
量を抑制することができ、製造コストを低減することが
できる。
テンを構成する液体の純度を処理部で使用される処理液
の純度よりも高くなるように設定しているので、処理部
で比較的純度の低い処理液で基板処理したとしても、当
該基板処理を受けた基板は常に液カーテンを通過して高
い純度の液体（処理液）で基板処理される。したがっ
て、高い処理性を確保しつつ、処理部での処理液の消費
量を抑制することができ、製造コストを低減することが
できる。
【図１】本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】図１の基板処理装置の部分切欠斜視図である。
【図３】図１の基板処理装置の動作を示す図である。
【図４】図１の基板処理装置の動作を示す図である。
【図５】本発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を
示す説明図である。
示す説明図である。
１ 基板処理装置 １３ 水洗部（処理部） １４ 乾燥部 ２０ 駆動ローラ（搬送手段） ３０ (第１の)ノズル ４０ （第１の）液供給部 ５０，８０ 液カーテン ７０ （第２の）ノズル Ｈ 開口部 Ｓ 基板
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を通過させるための開口部を有する
仕切壁で仕切られた状態で連設された処理部および乾燥
部と、基板を前記処理部、前記開口部および前記乾燥部
の順序で搬送する搬送手段とを備え、前記搬送手段によ
って基板を搬送しながら、前記処理部によって当該基板
に処理液を供給して所定の処理を施した後で前記乾燥部
によって当該処理済の基板に対して乾燥処理を施す基板
処理装置において、 前記処理部の内部で、しかも前記開口部の近傍で、少な
くとも前記開口部を遮断するように液カーテンを形成す
る液カーテン形成手段を備えたことを特徴とする基板処
理装置。 - 【請求項２】 前記液カーテン形成手段は、液吐出口を
下方側に向けた状態で前記開口部の上方側に配置された
第１のノズルと、前記第１のノズルに液体を供給して前
記開口部に沿って前記第１のノズルから下方側に向けて
液体を吐出させる第１の液供給部とを備えた請求項１記
載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記液カーテン形成手段は、液吐出口を
上方側に向けた状態で前記開口部の下方側に配置された
第２のノズルと、前記第２のノズルに液体を供給して前
記開口部に沿って前記第２のノズルから上方側に向けて
液体を吐出させる第２の液供給部とをさらに備えた請求
項２記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記液体が前記処理部で使用される処理
液と同一種類である請求項２または３記載の基板処理装
置。 - 【請求項５】 前記液体の純度が前記処理部で使用され
る処理液の純度よりも高い請求項４記載の基板処理装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9164623A JPH1116871A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 基板処理装置 |
| KR1019980012268A KR100269416B1 (ko) | 1997-06-20 | 1998-04-07 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9164623A JPH1116871A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116871A true JPH1116871A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15796723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9164623A Pending JPH1116871A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 基板処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116871A (ja) |
| KR (1) | KR100269416B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284310A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
| WO2005053006A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | 搬送式基板処理装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432053B1 (ko) * | 2001-07-05 | 2004-05-17 | (주)케이.씨.텍 | 건조장치 |
| KR100725038B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2007-06-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP9164623A patent/JPH1116871A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-07 KR KR1019980012268A patent/KR100269416B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284310A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
| WO2005053006A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | 搬送式基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990006382A (ko) | 1999-01-25 |
| KR100269416B1 (ko) | 2000-12-01 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040401 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050722 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050830 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051013 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060221 |