JP2001284310A - 基板の処理装置及び処理方法 - Google Patents

基板の処理装置及び処理方法

Info

Publication number
JP2001284310A
JP2001284310A JP2000097467A JP2000097467A JP2001284310A JP 2001284310 A JP2001284310 A JP 2001284310A JP 2000097467 A JP2000097467 A JP 2000097467A JP 2000097467 A JP2000097467 A JP 2000097467A JP 2001284310 A JP2001284310 A JP 2001284310A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
liquid
drying
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000097467A
Other languages
English (en)
Inventor
Harumichi Hirose
治道 廣瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2000097467A priority Critical patent/JP2001284310A/ja
Publication of JP2001284310A publication Critical patent/JP2001284310A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は洗浄処理された基板を乾燥むらの
発生を招くことなく乾燥処理できるようにした処理装置
を提供することにある。 【解決手段】 基板4を所定方向に搬送する搬送ローラ
3と、この搬送ローラ3によって搬送される基板を処理
液によって処理する超音波洗浄器5,6と、この超音波
洗浄器よりも上記基板の搬送方向下流側に配設され超音
波洗浄器で処理された基板の幅方向全長にわたって処理
液をスリット状に噴射し上記超音波洗浄器で上記基板に
付着した処理液を押し流すアクアナイフ7と、上記超音
波洗浄器で付着した処理液が除去された基板に気体を噴
射しこの基板を乾燥処理するエアーナイフ8とを具備し
たことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は基板に付着した処
理液を乾燥処理するための基板の処理装置及び処理方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば、液晶表示装置や半導体装置の
製造工程においては、ガラス基板や半導体ウエハなどの
基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロセスやフ
ォトプロセスがある。これらのプロセスにおいては、上
記基板を所定の薬液で処理した後、処理液としての純水
などの洗浄液で洗浄処理するということが行われる。基
板の洗浄処理としては、たとえば超音波振動を与えた洗
浄水によって洗浄するメガソニック洗浄などが行われ
る。
【0003】上記基板を洗浄液で洗浄処理したならば、
この基板にエアーナイフによって気体を噴射し、基板に
付着した洗浄液を乾燥除去する乾燥処理が行われる。
【0004】上記基板に対して行うフォトプロセスでの
薬液処理、洗浄液による洗浄処理及びエアーナイフによ
る乾燥処理は上記基板を搬送ローラなどの搬送手段で搬
送しながら順次連続的に行うようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板をメガ
ソニック洗浄によって洗浄処理する場合、使用する液量
が毎分60〜70リットルと多いため、乾燥工程に送ら
れてくる基板の上面には洗浄液が多量に付着残留してい
る。そのため、基板に向けてエアーナイフから気体を噴
射しても、基板上から洗浄液を確実に除去しきれないこ
とがあり、そのような場合には基板に洗浄液が残留した
部分が生じるため、乾燥むらの発生を招くことになる。
【0006】この発明は、処理液によって処理された基
板を、乾燥むらの発生を招くことなく乾燥処理すること
ができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供
することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を処理液で処理する処理装置において、上記基板を所定
方向に搬送する搬送手段と、この搬送手段によって搬送
される基板を処理液によって処理する処理部と、この処
理部よりも上記基板の搬送方向下流側に配設され処理部
で処理された基板の幅方向全長にわたって処理液をスリ
ット状に噴射し上記処理部で上記基板に付着した処理液
を押し流すアクアナイフと、上記処理部で付着した処理
液が除去された基板に気体を噴射しこの基板を乾燥処理
するエアーナイフとを具備したことを特徴とする基板の
処理装置にある。
【0008】請求項2の発明は、上記アクアナイフは、
上記基板の搬送方向に対してほぼ直行する状態で配設さ
れていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装
置にある。
【0009】請求項3の発明は、基板を処理液で処理す
る処理方法において、上記基板を所定方向に搬送する搬
送工程と、この搬送工程によって搬送される基板に処理
液によって所定の処理を行う処理工程と、この処理工程
で処理された基板の幅方向全長にわたって処理液をスリ
ット状に噴射し上記処理工程で上記基板に付着した処理
液を押し流す処理液除去工程と、この処理液除去工程で
処理液が除去された基板に気体を噴射しこの基板を乾燥
処理する乾燥工程とを具備したことを特徴とする基板の
処理方法にある。
【0010】この発明によれば、処理部で基板に多量に
付着した処理液はアクアナイフから噴射される処理液に
よって押し流され、基板にはアクアナイフから噴射され
た処理液が全面にわたってほぼ均一に、しかも処理部で
処理されたときに比べて十分に少ない量で付着した状態
となるから、エアーナイフから噴射される気体によって
基板をむらなく乾燥させることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。
【0012】図1と図2に示すこの発明の処理装置は、
一列に配設された洗浄処理槽1と乾燥処理槽2を備えて
いる。洗浄処理槽1、乾燥処理槽2の内部及びこれら処
理槽1,2の前後には搬送手段を構成する複数の搬送ロ
ーラ3が所定間隔で回転可能に配設されている。
【0013】各搬送ローラ3は図示しない駆動手段によ
って回転駆動されるようになっており、それによって半
導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板などの基板4
を矢印方向に搬送するようになっている。
【0014】上記洗浄処理槽1内には、搬送ローラ3に
よって搬送される基板4の上方に第1の超音波洗浄器5
と第2の超音波洗浄器6とが基板4の搬送方向に沿って
所定の間隔で配設されている。
【0015】各超音波洗浄器5,6の長さ寸法は基板4
の幅寸法の半分よりも長く設定され、長さ方向一端部を
基板4の幅方向に対して重合させており、それによって
これら一対の超音波洗浄器5,6は基板4上面の幅方向
全長に超音波振動が与えられた純水などの処理液を供給
できるようになっている。
【0016】なお、洗浄処理槽1内には、一対の超音波
洗浄器5,6を設ける代わりに、基板4の幅寸法と同等
若しくはそれ以上の長さの1つの超音波洗浄器を設ける
ようにしてもよい。
【0017】搬送ローラ3によって搬送され、洗浄処理
槽1内で超音波洗浄器5,6によって洗浄処理された基
板4は、上記乾燥処理槽2内へ搬入される。この乾燥処
理槽2内には、アクアナイフ7とエアーナイフ8とが基
板4の搬送方向に沿って順次配設されている。
【0018】上記アクアナイフ7は、搬送される基板4
の上方に、その基板4の搬送方向とほぼ直交する状態で
配置され、下端面にはスリット9が開口形成されてい
る。このスリット9は基板4の搬送方向と逆方向に向か
って所定の角度で傾斜している。
【0019】そして、アクアナイフ7のスリット9から
は、上記洗浄処理槽1で基板4を洗浄処理した洗浄液と
同じ種類の洗浄液が基板4の上面に、この基板4の搬送
方向と逆方向に向けて噴射されるようになっている。
【0020】上記アクアナイフ7よりも基板4の搬送方
向下流側には、搬送される基板4の上面と下面とに対向
して一対の上記エアーナイフ8が配設されている。各エ
アーナイフ8の上記基板4の上面及び下面に対向するそ
れぞれの端面にはスリット11が開口形成され、これら
スリット11は基板4の搬送方向と逆方向に所定の角度
で傾斜している。
【0021】各エアーナイフ8のスリット11からは、
上記基板4の上面と下面とに、所定の圧力に加圧された
空気や不活性ガスなどの気体が基板4の搬送方向と逆方
向に向けて噴射されるようになっている。
【0022】つぎに、上記構成の処理装置によって基板
4を処理する際の作用について説明する。
【0023】洗浄処理槽1の上流側で薬液などによって
所定の処理が行われた基板4は、搬送ローラ3によって
洗浄処理槽1に搬入される。洗浄処理槽1内では、第
1、第2の超音波洗浄器5,6から基板4の上面に向け
て超音波振動が与えられた処理液としての洗浄液が噴射
される。それによって、基板4の上面は洗浄液によって
超音波洗浄されることになる。
【0024】基板4を超音波洗浄する際、多量の洗浄液
が使用される。そのため、洗浄処理槽1で洗浄処理され
た基板4の上面には図3(a)に示すように多量の洗浄
液Lが付着残留することになる。
【0025】洗浄処理槽1で洗浄された基板4は乾燥処
理槽2に搬入される。乾燥処理槽2に搬入された基板4
には、まず上面にアクアナイフ7のスリット9から洗浄
液L が基板4の搬送方向と逆方向に向けて噴射され
る。
【0026】つまり、基板4の上面にはアクアナイフ7
のスリット9から洗浄液Lがスリット状に噴射され
る。それによって、図3(b)に示すように洗浄処理槽
1で洗浄処理されることで、基板4の上面に多量に付着
残留した洗浄液Lは、アクアナイフ7からの洗浄液L
によって搬送方向後方に押し流される。
【0027】その結果、基板4の上面には、図3(c)
に示すようにアクアナイフ7から噴射された洗浄液L
が超音波洗浄処理された時に比べて十分に少ない量で薄
い層状となってほぼ均一に付着残留することになる。
【0028】しかも、アクアナイフ7は、基板4の搬送
方向に対してほぼ直交して配設されているから、アクア
ナイフ7から噴射される洗浄液Lは基板4の幅方向全
長にわたってほぼ均一に作用する。
【0029】そのため、基板4の上面には超音波洗浄器
5,6からの処理液Lが除去され、アクアナイフ7から
の洗浄液Lが全体にわたってほぼ均一に薄い層状とな
って付着した状態となる。つまり、基板4の上面には、
超音波洗浄器5,6によって洗浄された後に比べて十分
に少ない量でアクアナイフ7からの洗浄液Lが層状に
なって付着残留することになる。
【0030】アクアナイフ7の下方を通過した基板4
は、一対のエアーナイフ8間を通過する。エアーナイフ
8からは基板4の上面と下面とに所定の圧力に加圧され
た気体が基板4の搬送方向と逆方向に向けて噴射され
る。
【0031】それによって、基板4の上面に薄い層状と
なって付着残留したアクアナイフ7からの洗浄液L
は、エアーナイフ8からの気体によって基板4の搬送
方向と逆方向へ押し流されるから、それによって基板4
が乾燥処理されることになる。
【0032】基板4を乾燥処理する際、基板4の上面に
は、アクアナイフ7からの洗浄液L が全体にわたって
薄い層状でほぼ均一に付着した状態にある。
【0033】そのため、基板4は、エアーナイフ8から
の気体によって均一に乾燥処理されることになる。つま
り、洗浄処理槽1で基板4に多量に付着した洗浄液L
を、アクアナイフ7からの洗浄液Lによって押し流す
ようにした。
【0034】その結果、基板4からは超音波洗浄時に付
着した洗浄液Lがアクアナイフ7からの洗浄液Lによ
って基板4の部分的な乾燥を招くことなく押し流され、
その洗浄液Lに代わってアクアナイフ7からの洗浄液L
が薄い層状で均一に付着する。
【0035】したがって、基板4に付着残留する洗浄液
の量を大幅に減少し、かつ均一に付着せせることができ
るから、エアーナイフ8からの気体によって基板4の乾
燥処理を、乾燥むらの発生を招くようなことなく均一に
行うことができる。
【0036】この発明は上記一実施の形態に限定され
ず、種々変形可能である。たとえばアクアナイフを乾燥
処理槽に設けるようにしたが、洗浄処理槽に超音波洗浄
器よりも基板の搬送方向に対して下流側に設けるように
してもよい。
【0037】
【発明の効果】この発明によれば、処理部で基板に多量
に付着した処理液はアクアナイフから噴射される処理液
によって押し流され、基板にはアクアナイフから噴射さ
れた処理液が全面にわたってほぼ均一に、しかも処理部
で処理されたときに比べて少ない量で付着することにな
る。
【0038】そのため、アクアナイフによって処理され
た基板を、エアーナイフによって乾燥むらが生じるよう
なことなく確実に乾燥処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態に係る処理装置の平面
図。
【図2】同じく側面図。
【図3】同じく基板に付着した処理液の状態の説明図。
【符号の説明】
3…搬送ローラ(搬送手段) 4…基板 5,6…超音波洗浄器(処理部) 7…アクアナイフ 8…エアーナイフ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を処理液で処理する処理装置におい
    て、 上記基板を所定方向に搬送する搬送手段と、 この搬送手段によって搬送される基板を処理液によって
    処理する処理部と、 この処理部よりも上記基板の搬送方向下流側に配設され
    処理部で処理された基板の幅方向全長にわたって処理液
    をスリット状に噴射し上記処理部で上記基板に付着した
    処理液を押し流すアクアナイフと、 上記処理部で付着した処理液が除去された基板に気体を
    噴射しこの基板を乾燥処理するエアーナイフとを具備し
    たことを特徴とする基板の処理装置。
  2. 【請求項2】 上記アクアナイフは、上記基板の搬送方
    向に対してほぼ直行する状態で配設されていることを特
    徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
  3. 【請求項3】 基板を処理液で処理する処理方法におい
    て、 上記基板を所定方向に搬送する搬送工程と、 この搬送工程によって搬送される基板に処理液によって
    所定の処理を行う処理工程と、 この処理工程で処理された基板の幅方向全長にわたって
    処理液をスリット状に噴射し上記処理工程で上記基板に
    付着した処理液を押し流す処理液除去工程と、 この処理液除去工程で処理液が除去された基板に気体を
    噴射しこの基板を乾燥処理する乾燥工程とを具備したこ
    とを特徴とする基板の処理方法。
JP2000097467A 2000-03-31 2000-03-31 基板の処理装置及び処理方法 Pending JP2001284310A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000097467A JP2001284310A (ja) 2000-03-31 2000-03-31 基板の処理装置及び処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000097467A JP2001284310A (ja) 2000-03-31 2000-03-31 基板の処理装置及び処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001284310A true JP2001284310A (ja) 2001-10-12

Family

ID=18612084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000097467A Pending JP2001284310A (ja) 2000-03-31 2000-03-31 基板の処理装置及び処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001284310A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002073672A1 (fr) * 2001-03-14 2002-09-19 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Dispositif de traitement de substrat
KR20030066210A (ko) * 2002-02-05 2003-08-09 엘지전자 주식회사 습식장치
JP2007317802A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Shibaura Mechatronics Corp 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法
US8322045B2 (en) 2002-06-13 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Single wafer apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0764091A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ラビング処理後の角形基板の洗浄方法並びに洗浄装置
JPH09213669A (ja) * 1996-02-05 1997-08-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH09213668A (ja) * 1996-02-01 1997-08-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH09225420A (ja) * 1996-02-26 1997-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH09232268A (ja) * 1996-02-19 1997-09-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH1116871A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH1147665A (ja) * 1997-07-29 1999-02-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液の置換機構および該置換機構を備えた基板処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0764091A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ラビング処理後の角形基板の洗浄方法並びに洗浄装置
JPH09213668A (ja) * 1996-02-01 1997-08-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH09213669A (ja) * 1996-02-05 1997-08-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH09232268A (ja) * 1996-02-19 1997-09-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH09225420A (ja) * 1996-02-26 1997-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH1116871A (ja) * 1997-06-20 1999-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH1147665A (ja) * 1997-07-29 1999-02-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液の置換機構および該置換機構を備えた基板処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002073672A1 (fr) * 2001-03-14 2002-09-19 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Dispositif de traitement de substrat
KR20030066210A (ko) * 2002-02-05 2003-08-09 엘지전자 주식회사 습식장치
US8322045B2 (en) 2002-06-13 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Single wafer apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
JP2007317802A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Shibaura Mechatronics Corp 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001246331A (ja) 洗浄装置
JPH07283185A (ja) 基板洗浄装置
JP2000223458A (ja) 基板処理装置
JP3628919B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4838929B2 (ja) 基板の処理装置
JP2001284777A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2001284310A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP2002239485A (ja) 基板の洗浄装置及び洗浄方法
JPH088222A (ja) スピンプロセッサ
JP4031629B2 (ja) 基材洗浄装置およびその方法
JP2007317802A (ja) 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法
JP2002043266A (ja) 基板の処理装置及び処理方法、液切りミストナイフ
JP2003124285A (ja) ウエット処理装置及び搬送方法
JP2988828B2 (ja) 基板の液切り乾燥装置
JPH0691986B2 (ja) 基板洗浄方法
JP3436785B2 (ja) 基板の洗浄装置
JPH11300300A (ja) 基板処理方法および同装置
JPH11307493A (ja) 基板処理装置
JP2004210511A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP2001170584A (ja) 超音波処理装置
JP2656980B2 (ja) ガラス基板洗浄方法
JP3949815B2 (ja) レジスト膜の剥離方法および剥離装置
JPH11216430A (ja) 洗浄装置
JP2005019720A (ja) インライン式現像処理装置および現像処理方法
JP4718043B2 (ja) 基板の乾燥処理方法及び乾燥処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070327

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090521

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090526

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090717

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091201

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100120

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100511