JP2005019720A - インライン式現像処理装置および現像処理方法 - Google Patents

インライン式現像処理装置および現像処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】搬送ラインの長さを長くすることなく、しかも現像ムラの生じにくいインライン式現像処理装置を提供する。
【解決手段】露光済みのレジスト膜が表面に形成された基板Wは、現像液供給部2において表面に現像液が供給され、搬送されつつ現像反応が進行し、次いで、現像液回収部4において現像液が回収され、更にリンス液供給・回収部6において洗浄と洗浄液の回収が行われ、最終的に乾燥部8に送られる。この一連の現像処理の過程において、下流側の処理部に基板が入っている場合には、当該処理部の直前の待機部、例えば処理部が現像液回収部4の場合には、その直前の待機部3において、コロ10aに正逆回転を繰り返させ、基板Wを図2に示すように往復動せしめる。その結果、基板Wの裏面ではコロ10aと接触する部分が常に移動し一箇所に止まることがなく、基板の温度分布が均一になる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラス基板などの基板に対し、現像液の供給、現像液の回収、リンスなどの工程を連続的に行うインライン式現像処理装置とその方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶基板などとして用いるガラス基板に所定パターンのレジスト膜を形成するには、ガラス基板表面に形成されたレジスト膜に所定パターンの露光を施し、現像により所定パターンのレジスト膜のみを残す(或いは除去する)ようにしている。
【0003】
上記の現像処理を行うには、先ず露光後のレジスト膜表面に現像液を供給して盛り付け、所定時間かけて現像反応を進め、これが終了したならば現像液を回収或いは廃棄し、更にリンス工程を経た後に乾燥せしめる。そして、上記の現像工程をコロによって基板を搬送しつつ行うインライン式の現像方法が知られている(特許文献1)。
また、ガラス基板の表面と裏面の前後左右に間隔を開けて温調空気を噴出するノズルを配置することがも案されている(特許文献2)。
【0004】
【特許文献】
特許文献1:特開平11−204411号公報 段落0002
特許文献2:特開2002−72492号公報 段落0002〜0006
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記した現像処理において、現像液の供給に要する時間、現像反応に要する時間、現像液の回収に要する時間、リンスに要する時間などは個々に異なり、インライン式現像装置によって現像する場合には、最も時間が長くかかる工程に他の工程を合わせる必要がある。このため搬送ラインの所定箇所で一旦基板を停止してタクト時間を合わせるようにしている。
【0006】
基板を停止している間はコロは回転しない。そのため、基板裏面の決まった箇所にコロが接触し、他の箇所には接触していない状態が所定時間継続する。コロの表面温度が雰囲気温度と異なっていると、コロと接触している部分と接触していない部分とで基板表面に温度差が生じ、これによって現像液の揮発速度が部分的に変わり、その影響で表面のレジスト現像化学処理速度に差ができ、現像ムラとなる。
【0007】
特に、搬送コロとして軸方向長さが基板の幅よりも短いコロを千鳥状に配置した搬送ラインが用いられることがあるが、この場合にはコロが接触している部分としていない部分の温度差によって基板の裏面に水滴が発生し、現像ムラが顕著となる。
【0008】
また、特許文献2に提案される方法では、パーティクルを巻き上げ、これが基板表面に付着するという新たな問題が発生する。特にガラス基板が大型化しつつある現在、ムラの発生は大きな問題となっている。
また仮に、コロの温度と雰囲気温度とが等しい場合でも、伝熱係数が空気とコロとでは異なるのでやはり現像ムラが発生する。
更に、基板を止めないようにすれば、コロが基板の特定箇所に所定時間接触することによる問題は解消するが、その分だけラインを長くしなければならず、装置が大掛かりになってしまう。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本発明に係るインライン式現像処理装置は、多数のコロからなる搬送ラインの途中に基板表面に現像液を盛り付ける現像液供給部が設けられ、この現像液供給部よりも搬送ラインに沿って下流側に、現像液の回収、リンス或いは乾燥などの次工程処理部を配置し、前記現像液供給部と次工程処理部との間に待機部を設け、この待機部を構成するコロを正逆回転可能とした。
前記コロとしては軸方向において連続的に基板裏面に接触すべく軸方向において同一径としたものが好ましい。
【0010】
上記構成とすることで、本発明に係るインライン式現像処理方法のように、各工程における処理時間がまちまちであっても、基板を停止させることなく、つまり常にコロと基板裏面との接触位置を変えながら現像することが可能になる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。ここで、図1(a)および(b)はそれぞれ本発明に係るインライン式現像装置の平面図と側面図、図2は待機部の拡大側面図、図3(a)および(b)は本発明の別実施例の平面図と側面図である。
【0012】
インライン式現像装置は基板の搬送ライン1に沿って、上流側から順に、現像液供給部2、待機部3、現像液回収部4、待機部5、リンス液供給・回収部6、待機部7及び乾燥部8が配置され、搬送ライン1を構成する多数のコロ(円筒状ローラ)10は等間隔に離され且つ基板の搬送方向と直交する方向に軸が配置されている。
尚、図示例では現像液回収部4、リンス液供給・回収部6及び乾燥部8のそれぞれの直前に待機部を設けたが、すべての工程の直前に待機部を配置せずに、いずれか1つの工程の直前に待機部を設けてもよい。
【0013】
前記現像液供給部2には現像液供給用スリットノズル21が一対配置され、現像液回収部4には現像液を吸引回収するスリットノズル41が配置され、リンス液供給・回収部6にはリンス液供給ノズル61と回収ノズル62が配置されている。尚、現像液回収用のスリットノズル41を設ける代わりに、基板を傾斜若しくは湾曲させて表面に盛られた現像液を落下させる機構とすることもできる。
【0014】
コロ10は基板Wの幅よりも若干長く設定され、軸方向に沿った全ての箇所において同一径とされた連続型コロであり、ガラス基板Wの裏面に全面的に接触する。そして、コロのうち待機部3,5,7に配置されるコロ10aは正逆回転可能とされている。
【0015】
以上において、露光済みのレジスト膜が表面に形成された基板Wは、現像液供給部2においてレジスト膜表面に現像液が供給され、搬送されつつ現像化学反応が進行し、次いで、現像液回収部4において現像液が回収され、更にリンス液供給・回収部6において洗浄と洗浄液の回収が行われ、最終的に乾燥部8に送られる。
【0016】
この一連の現像処理の過程において、下流側の処理部に基板が入っている場合には、当該処理部の直前の待機部、例えば処理部が現像液回収部4の場合には、その直前の待機部3において、コロ10aに正逆回転を繰り返させ、基板Wを図2に示すように往復動せしめる。その結果、基板Wの裏面ではコロ10aと接触する部分が常に移動し一箇所に止まることがなく、基板の温度分布が均一になる。
基板の温度分布が均一になると、現像処理も均一に行われる。
【0017】
図3に示す別実施例にあっては、現像時間の長短によって現像開始位置を変えるために現像液供給部を複数並べている。例えば現像時間が120秒必要な場合は現像供給部2で現像液を盛り、そのまま現像液供給部2’を素通りして現像液回収部4に到達する。また、現像時間が60秒必要な場合は現像液供給部2を素通りして現像液供給部2’で現像液を盛り付けるようにする。現像処理が終了した時点で現像むらが生じる心配はなくなるので、別実施例では待機部を新たに設置することはせずに、現像液回収部4のコロ10aを正逆回転させることで待機部を兼ねるようにした。このような構成にすると処理装置全体も大きくならずに済む。
【0018】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明に係るインライン式現像装置によれば、常にコロを回転させて基板裏面とコロとの接触位置が変化するので、基板裏面の温度分布が均一となり、現像ムラや線幅の変化のない高精度の現像処理を行うことができる。
また、待機部においてコロを正逆回転可能、即ち、基板を停止させずに往復動させるため、ライン全体の長さを延長することなくコンパクトで効率のよいインライン式現像装置となる。
さらに、現像液回収部と待機部を兼用すれば、一層装置のコンパクト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明に係る現像装置の全体平面図、(b)は側面図
【図2】待機部の拡大側面図
【図3】(a)は本発明に係る現像装置の別実施例の全体平面図、(b)は同別実施例の側面図
【符号の説明】
1…搬送ライン、2…現像液供給部、3,5,7…待機部、4…現像液回収部、5…待機部、6…リンス液供給・回収部、8…乾燥部、10,10a…コロ、W…基板。

Claims (4)

  1. 多数のコロからなる搬送ラインの途中に基板表面に現像液を盛り付ける現像液供給部が設けられ、この現像液供給部よりも搬送ラインに沿って下流側に次工程の処理部を配置したインライン式現像処理装置において、前記現像液供給部と次工程の処理部との間に待機部を設け、この待機部を構成するコロを正逆回転可能としたことを特徴とするインライン式現像処理装置。
  2. 多数のコロからなる搬送ラインの途中に基板表面に現像液を盛り付ける現像液供給部が設けられ、この現像液供給部よりも搬送ラインに沿って下流側に次工程の処理部を配置したインライン式現像処理装置において、前記次工程の処理部は現像液回収部であり、この現像液供給部を構成するコロを正逆回転可能としたことを特徴とするインライン式現像処理装置。
  3. 請求項1または請求項2に記載のインライン式現像処理装置において、前記コロは軸方向において連続的に基板裏面に接触すべく軸方向において同一径であることを特徴とするインライン式現像処理装置。
  4. 多数のコロからなる搬送ラインによって基板を搬送しつつ現像液を供給し、更に基板を下流側に搬送しつつ現像液の回収およびリンスを行うインライン式現像処理方法において、前記現像液の供給、現像液の回収およびリンスを行う間に基板を停止させることなく連続して動かしつつ行うことを特徴とするインライン式現像処理方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102445840A (zh) * 2011-11-29 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 涂布显影装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102969259B (zh) * 2011-08-31 2016-05-18 细美事有限公司 处理基板的装置
KR101308136B1 (ko) * 2011-08-31 2013-09-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN104347352B (zh) * 2013-07-31 2018-05-29 细美事有限公司 一种基板处理装置及基板处理方法
CN106542859A (zh) * 2016-09-22 2017-03-29 山东润金农林科技有限公司 一种苹果种植用高肥料利用率的鸡粪发酵肥料的制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2812143B2 (ja) * 1993-06-15 1998-10-22 ノーリツ鋼機株式会社 感光材料整列装置
JP3245813B2 (ja) * 1996-11-27 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
JPH10288840A (ja) * 1997-04-17 1998-10-27 Mitsubishi Paper Mills Ltd 平版印刷版の現像処理方法
JPH11191545A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Sony Corp 洗浄方法および洗浄装置
JP2001271188A (ja) * 2000-03-24 2001-10-02 Ses Co Ltd 基板処理装置
JP4568419B2 (ja) * 2000-11-02 2010-10-27 株式会社ブリヂストン Oaローラーの製造方法
TWI226077B (en) * 2001-07-05 2005-01-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102445840A (zh) * 2011-11-29 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 涂布显影装置

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