JP3137491B2 - 半導体ウェーハの払拭乾燥装置 - Google Patents
半導体ウェーハの払拭乾燥装置Info
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- JP3137491B2 JP3137491B2 JP05082821A JP8282193A JP3137491B2 JP 3137491 B2 JP3137491 B2 JP 3137491B2 JP 05082821 A JP05082821 A JP 05082821A JP 8282193 A JP8282193 A JP 8282193A JP 3137491 B2 JP3137491 B2 JP 3137491B2
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- semiconductor wafer
- wiping
- carrier plate
- turntable
- chamber
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、研磨を終了した半導体
ウェーハに対し、付着した研磨剤などの粉塵を払拭した
のち乾燥させる半導体ウェーハの払拭乾燥装置に関す
る。
ウェーハに対し、付着した研磨剤などの粉塵を払拭した
のち乾燥させる半導体ウェーハの払拭乾燥装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの基板として用いられる
半導体ウェーハ（以下、単にウェーハとも言う）は、例
えばシリコン等の単結晶インゴッドをその棒軸方向にス
ライスし、スライスして得られたものに対して面取り、
ラッピング、エッチング、ポリッシング等の処理を順次
施すことにより得られる。この種の半導体ウェーハの研
磨は、ウェーハをワックスなどの接着剤を用いてキャリ
アプレートに接着固定し、このキャリアプレートをポリ
ッシングなどの研磨装置に投入することにより行ってい
る。
半導体ウェーハ（以下、単にウェーハとも言う）は、例
えばシリコン等の単結晶インゴッドをその棒軸方向にス
ライスし、スライスして得られたものに対して面取り、
ラッピング、エッチング、ポリッシング等の処理を順次
施すことにより得られる。この種の半導体ウェーハの研
磨は、ウェーハをワックスなどの接着剤を用いてキャリ
アプレートに接着固定し、このキャリアプレートをポリ
ッシングなどの研磨装置に投入することにより行ってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウェ
ーハの鏡面研磨は、いわゆるメカノケミカル研磨で実施
されるため、研磨剤が付着した状態でウェーハを放置す
るとエッチングが進行する。そのため、ポリッシングを
終了した半導体ウェーハをキャリアプレートに張り付け
たままの状態で、少量の界面活性剤を含む純水を用いて
ウェーハを払拭し、半導体ウェーハの表面に残留した研
磨剤を除去したのち、キャリアプレートを高速回転させ
ることによりウェーハ表面の水切り乾燥を行っていた。
ーハの鏡面研磨は、いわゆるメカノケミカル研磨で実施
されるため、研磨剤が付着した状態でウェーハを放置す
るとエッチングが進行する。そのため、ポリッシングを
終了した半導体ウェーハをキャリアプレートに張り付け
たままの状態で、少量の界面活性剤を含む純水を用いて
ウェーハを払拭し、半導体ウェーハの表面に残留した研
磨剤を除去したのち、キャリアプレートを高速回転させ
ることによりウェーハ表面の水切り乾燥を行っていた。
【０００４】しかしながら、従来の半導体ウェーハの払
拭作業は、全て手作業でなされていたため、ウェーハ加
工に要する工数増加は勿論のこと、作業者が持ち込む塵
埃等の不純物が半導体ウェーハに付着したり、作業ミス
によるウェーハの損傷などが懸念されていた。その意味
で、研磨を終了してキャリアプレートに張り付けされた
半導体ウェーハに対し、研磨剤の払拭作業および乾燥作
業を総合的に自動化し、作業工程の無人化を達成するこ
とができる半導体ウェーハの払拭乾燥装置の開発が希求
されていた。
拭作業は、全て手作業でなされていたため、ウェーハ加
工に要する工数増加は勿論のこと、作業者が持ち込む塵
埃等の不純物が半導体ウェーハに付着したり、作業ミス
によるウェーハの損傷などが懸念されていた。その意味
で、研磨を終了してキャリアプレートに張り付けされた
半導体ウェーハに対し、研磨剤の払拭作業および乾燥作
業を総合的に自動化し、作業工程の無人化を達成するこ
とができる半導体ウェーハの払拭乾燥装置の開発が希求
されていた。
【０００５】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、研磨剤の払拭作業および乾
燥作業を総合的に自動化し、作業工程の無人化を達成す
ることにより、半導体ウェーハの研磨加工に要する作業
工数の低減と半導体ウェーハの研磨品質の向上を図るこ
とを目的とする。
鑑みてなされたものであり、研磨剤の払拭作業および乾
燥作業を総合的に自動化し、作業工程の無人化を達成す
ることにより、半導体ウェーハの研磨加工に要する作業
工数の低減と半導体ウェーハの研磨品質の向上を図るこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体ウェーハの払拭乾燥装置は、キャリ
アプレートに張り付けられた複数の半導体ウェーハの表
面を払拭したのち前記キャリアプレートを回転させるこ
とにより半導体ウェーハの水切り乾燥を行う半導体ウェ
ーハの払拭乾燥装置において、前記キャリアプレートを
載置するターンテーブルが回転自在に支持されたチャン
バと、 前記チャンバ内に揺動可能に設けられ、前記タ
ーンテーブルに載置されたキャリアプレートの半導体ウ
ェーハに対して洗浄液を吹き付ける洗浄液供給ノズル
と、 前記チャンバ内に揺動可能に設けられ、前記ター
ンテーブルに載置されたキャリアプレートの半導体ウェ
ーハの表面に接触して払拭する払拭手段と、前記キャリ
アプレートを搬入および搬出するロボットと、を備えた
ことを特徴としている。
に、本発明の半導体ウェーハの払拭乾燥装置は、キャリ
アプレートに張り付けられた複数の半導体ウェーハの表
面を払拭したのち前記キャリアプレートを回転させるこ
とにより半導体ウェーハの水切り乾燥を行う半導体ウェ
ーハの払拭乾燥装置において、前記キャリアプレートを
載置するターンテーブルが回転自在に支持されたチャン
バと、 前記チャンバ内に揺動可能に設けられ、前記タ
ーンテーブルに載置されたキャリアプレートの半導体ウ
ェーハに対して洗浄液を吹き付ける洗浄液供給ノズル
と、 前記チャンバ内に揺動可能に設けられ、前記ター
ンテーブルに載置されたキャリアプレートの半導体ウェ
ーハの表面に接触して払拭する払拭手段と、前記キャリ
アプレートを搬入および搬出するロボットと、を備えた
ことを特徴としている。
【０００７】
【作用】メカノケミカル研磨を終了した半導体ウェーハ
をそのまま放置しておくと、残留した研磨剤によってエ
ッチングが進行する。そのため、本発明の半導体ウェー
ハの払拭乾燥装置では、研磨を終了した半導体ウェーハ
をキャリアプレートに張り付けた状態のまま、ロボット
を用いてキャリアプレートをターンテーブルに載置す
る。
をそのまま放置しておくと、残留した研磨剤によってエ
ッチングが進行する。そのため、本発明の半導体ウェー
ハの払拭乾燥装置では、研磨を終了した半導体ウェーハ
をキャリアプレートに張り付けた状態のまま、ロボット
を用いてキャリアプレートをターンテーブルに載置す
る。
【０００８】このターンテーブルが設けられたチャンバ
内には、半導体ウェーハに洗浄液を吹き付ける洗浄液供
給ノズルと半導体ウェーハを払拭する払拭手段とが設け
られているため、例えばターンテーブルを低速で回転さ
せながら、洗浄液供給ノズルを揺動させキャリアプレー
トに張り付けられた半導体ウェーハに洗浄液を吹き付け
る。これと同時に、払拭手段を半導体ウェーハに接触す
る位置まで移動し、半導体ウェーハの表面を払拭する。
内には、半導体ウェーハに洗浄液を吹き付ける洗浄液供
給ノズルと半導体ウェーハを払拭する払拭手段とが設け
られているため、例えばターンテーブルを低速で回転さ
せながら、洗浄液供給ノズルを揺動させキャリアプレー
トに張り付けられた半導体ウェーハに洗浄液を吹き付け
る。これと同時に、払拭手段を半導体ウェーハに接触す
る位置まで移動し、半導体ウェーハの表面を払拭する。
【０００９】このようにして半導体ウェーハの表面に残
留した研磨剤を除去したのち、ターンテーブルを高速で
回転させることにより遠心力を利用した半導体ウェーハ
の水切り乾燥を行う。研磨剤の除去が完了した半導体ウ
ェーハは、キャリアプレートに張り付けられた状態でロ
ボットによりチャンバから搬出され、後工程であるウェ
ーハの剥離工程に送られる。
留した研磨剤を除去したのち、ターンテーブルを高速で
回転させることにより遠心力を利用した半導体ウェーハ
の水切り乾燥を行う。研磨剤の除去が完了した半導体ウ
ェーハは、キャリアプレートに張り付けられた状態でロ
ボットによりチャンバから搬出され、後工程であるウェ
ーハの剥離工程に送られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の半導体ウェーハの払
拭乾燥装置を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う
断面図、図３は図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図４は図
３のＣ−Ｃ線に沿う断面図、図５は図３のＤ−Ｄ線に沿
う断面図である。
しながら説明する。図１は本発明の半導体ウェーハの払
拭乾燥装置を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う
断面図、図３は図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図４は図
３のＣ−Ｃ線に沿う断面図、図５は図３のＤ−Ｄ線に沿
う断面図である。
【００１１】まず、図１を参照して本発明の払拭乾燥装
置の全体構成を説明する。図中符号「８」は、ポリッシ
ングなどの研磨装置であって、メカノケミカル研磨によ
って半導体ウェーハの表面を鏡面仕上げする研磨装置で
ある。この研磨装置８には、例えば４個のキャリアプレ
ート１が装着でき（ヘッド数が４）、それぞれのキャリ
アプレート１には複数枚の半導体ウェーハＷがワックス
などの接着剤によって張り付けられている。
置の全体構成を説明する。図中符号「８」は、ポリッシ
ングなどの研磨装置であって、メカノケミカル研磨によ
って半導体ウェーハの表面を鏡面仕上げする研磨装置で
ある。この研磨装置８には、例えば４個のキャリアプレ
ート１が装着でき（ヘッド数が４）、それぞれのキャリ
アプレート１には複数枚の半導体ウェーハＷがワックス
などの接着剤によって張り付けられている。
【００１２】ロボット６は、研磨装置８によってポリッ
シング工程を終了したキャリアプレート１（半導体ウェ
ーハＷ）を本発明の半導体ウェーハの払拭乾燥装置９ａ
〜９ｄに搬入するハンドリングロボットであり、キャリ
アプレート１の中心に穿設された孔１０にロボットのハ
ンドを挿入することによりキャリアプレート１の把持／
解放が可能となっている。研磨装置８に装着されたキャ
リアプレート１は、このロボット６によって１個づつ搬
入位置Ｐまで移送され、後述する他のハンドリングロボ
ット７によってチャンバ３内のターンテーブル２に載置
される。
シング工程を終了したキャリアプレート１（半導体ウェ
ーハＷ）を本発明の半導体ウェーハの払拭乾燥装置９ａ
〜９ｄに搬入するハンドリングロボットであり、キャリ
アプレート１の中心に穿設された孔１０にロボットのハ
ンドを挿入することによりキャリアプレート１の把持／
解放が可能となっている。研磨装置８に装着されたキャ
リアプレート１は、このロボット６によって１個づつ搬
入位置Ｐまで移送され、後述する他のハンドリングロボ
ット７によってチャンバ３内のターンテーブル２に載置
される。
【００１３】「１１」は、半導体ウェーハの払拭乾燥装
置９ａ〜９ｄが設けられたブースであり、図２に示すよ
うに、天井に設けられた給気装置１２から清浄な空気が
ブース１１内に供給され、側壁の開口部１３から排気さ
れるようになっている。このブース１１内には、研磨装
置８のヘッド数に応じた数の払拭乾燥装置９ａ〜９ｄが
配備されており、ハンドリングロボット６により搬入位
置Ｐに移送されたキャリアプレート１は、ハンドリング
ロボット７によって図１の左から順に（９ａ→９ｂ→９
ｃ→９ｄ）ターンテーブル２に載置される。
置９ａ〜９ｄが設けられたブースであり、図２に示すよ
うに、天井に設けられた給気装置１２から清浄な空気が
ブース１１内に供給され、側壁の開口部１３から排気さ
れるようになっている。このブース１１内には、研磨装
置８のヘッド数に応じた数の払拭乾燥装置９ａ〜９ｄが
配備されており、ハンドリングロボット６により搬入位
置Ｐに移送されたキャリアプレート１は、ハンドリング
ロボット７によって図１の左から順に（９ａ→９ｂ→９
ｃ→９ｄ）ターンテーブル２に載置される。
【００１４】ブース１１内に設けられたハンドリングロ
ボット７は、払拭乾燥装置９ａ〜９ｄの配備方向に設け
られたスライドガイド１４に沿って移動可能であり、か
つ図２に示すようにキャリアプレート１を把持／解放で
きるハンド１５を有している。そして、ハンドリングロ
ボット６により搬入位置Ｐに移送されたキャリアプレー
ト１を把持し、目的とするターンテーブル２まで移動し
てキャリアプレート１を載置する。また、払拭および乾
燥を終了したキャリアプレート１に対して、これを把持
して第１のローラコンベア１６まで移送する。
ボット７は、払拭乾燥装置９ａ〜９ｄの配備方向に設け
られたスライドガイド１４に沿って移動可能であり、か
つ図２に示すようにキャリアプレート１を把持／解放で
きるハンド１５を有している。そして、ハンドリングロ
ボット６により搬入位置Ｐに移送されたキャリアプレー
ト１を把持し、目的とするターンテーブル２まで移動し
てキャリアプレート１を載置する。また、払拭および乾
燥を終了したキャリアプレート１に対して、これを把持
して第１のローラコンベア１６まで移送する。
【００１５】この第１のローラコンベア１６に移送され
たキャリアプレート１は、第２のローラコンベア１７に
移載されるが、この第２のローラコンベア１７の周囲に
は払拭および乾燥を終了したキャリアプレートを清浄に
維持するためのブース１８が形成されている。図示はし
ないが、このブース１８にも給気装置が設けられてお
り、ブース１８の天井から清浄な空気を吸引してキャリ
アプレート１に張り付けられた半導体ウェーハＷへの塵
埃等の付着を防止する。
たキャリアプレート１は、第２のローラコンベア１７に
移載されるが、この第２のローラコンベア１７の周囲に
は払拭および乾燥を終了したキャリアプレートを清浄に
維持するためのブース１８が形成されている。図示はし
ないが、このブース１８にも給気装置が設けられてお
り、ブース１８の天井から清浄な空気を吸引してキャリ
アプレート１に張り付けられた半導体ウェーハＷへの塵
埃等の付着を防止する。
【００１６】第１のローラコンベア１６および第２のロ
ーラコンベア１７は、各ローラ内に駆動部が内蔵された
コンベアであり、コンベアに起因する塵埃の発生を極力
抑制するようにしている。なお、第２のローラコンベア
１７の終点（不図示）には、例えば半導体ウェーハの剥
離装置が設けられており、キャリアプレート１は第２の
ローラコンベア１７から剥離装置に移載されたのちウェ
ーハの剥離が行われる。
ーラコンベア１７は、各ローラ内に駆動部が内蔵された
コンベアであり、コンベアに起因する塵埃の発生を極力
抑制するようにしている。なお、第２のローラコンベア
１７の終点（不図示）には、例えば半導体ウェーハの剥
離装置が設けられており、キャリアプレート１は第２の
ローラコンベア１７から剥離装置に移載されたのちウェ
ーハの剥離が行われる。
【００１７】次に、図２〜図５を参照しながら本実施例
に係る半導体ウェーハの払拭乾燥装置９ａ〜９ｄの構成
について説明する。図２に示すように、本実施例の各払
拭乾燥装置９ａ〜９ｄには、チャンバ３が形成されてお
り、このチャンバ３内に、キャリアプレート１を載置す
るターンテーブル２が軸受１９を介して回転自在に設け
られている。ターンテーブル２は、モータ２０によって
所望の回転数で回転し、例えば半導体ウェーハの払拭を
行う場合は低速で回転するのに対し、ウェーハの水切り
乾燥を行う場合には高速で回転する。
に係る半導体ウェーハの払拭乾燥装置９ａ〜９ｄの構成
について説明する。図２に示すように、本実施例の各払
拭乾燥装置９ａ〜９ｄには、チャンバ３が形成されてお
り、このチャンバ３内に、キャリアプレート１を載置す
るターンテーブル２が軸受１９を介して回転自在に設け
られている。ターンテーブル２は、モータ２０によって
所望の回転数で回転し、例えば半導体ウェーハの払拭を
行う場合は低速で回転するのに対し、ウェーハの水切り
乾燥を行う場合には高速で回転する。
【００１８】チャンバ３には、例えば金網などにより形
成された内チャンバ２１が形成されており、また、チャ
ンバ３の上面にはエアーシリンダ２２などの駆動部によ
って開閉する蓋２３が設けられている。この蓋２３には
ターンテーブル２に載置されたキャリアプレート１の半
導体ウェーハＷに対して清浄な空気を吹き付けるファン
やフィルタを有するクリーンユニット２４が取り付けら
れており、ターンテーブル２にキャリアプレート１を載
置したあとに蓋２３を閉じると、当該クリーンユニット
２４が作動してウェーハＷに清浄空気を供給する。
成された内チャンバ２１が形成されており、また、チャ
ンバ３の上面にはエアーシリンダ２２などの駆動部によ
って開閉する蓋２３が設けられている。この蓋２３には
ターンテーブル２に載置されたキャリアプレート１の半
導体ウェーハＷに対して清浄な空気を吹き付けるファン
やフィルタを有するクリーンユニット２４が取り付けら
れており、ターンテーブル２にキャリアプレート１を載
置したあとに蓋２３を閉じると、当該クリーンユニット
２４が作動してウェーハＷに清浄空気を供給する。
【００１９】さらに、チャンバ３の底壁にはドレン管２
５が設けられており、図示しない排気ファンを作動させ
ることにより、チャンバ３内の空気や水分を外部に排出
するようになっている。
５が設けられており、図示しない排気ファンを作動させ
ることにより、チャンバ３内の空気や水分を外部に排出
するようになっている。
【００２０】図３はターンテーブル２を示す平面図（蓋
２３は便宜上省略している）であるが、本実施例の払拭
乾燥装置９ａ〜９ｄでは、このターンテーブル２に載置
されたキャリアプレート１に対して洗浄液を吹き付ける
洗浄液供給ノズル４と払拭するパッド（払拭手段）５を
備えている。パッド５は、図３および図４に示すよう
に、ベース２６に設けられたリニアガイド２７に沿って
支軸２８が上下移動可能に設けられており、さらに当該
支軸２８は、軸受２９を介して回転可能に設けられてい
る。支軸２８の上下移動は、エアーシリンダ３０などの
駆動部によって行われ、一方、支軸２８の回転はプーリ
３１およびベルト３２を介してステッピングモータ３３
により行われる。「３４」は支軸２８に固定されたプレ
ート３５を検出する近接スイッチであり、支軸２８の下
限を検出することによりエアーシリンダ３０を制御す
る。
２３は便宜上省略している）であるが、本実施例の払拭
乾燥装置９ａ〜９ｄでは、このターンテーブル２に載置
されたキャリアプレート１に対して洗浄液を吹き付ける
洗浄液供給ノズル４と払拭するパッド（払拭手段）５を
備えている。パッド５は、図３および図４に示すよう
に、ベース２６に設けられたリニアガイド２７に沿って
支軸２８が上下移動可能に設けられており、さらに当該
支軸２８は、軸受２９を介して回転可能に設けられてい
る。支軸２８の上下移動は、エアーシリンダ３０などの
駆動部によって行われ、一方、支軸２８の回転はプーリ
３１およびベルト３２を介してステッピングモータ３３
により行われる。「３４」は支軸２８に固定されたプレ
ート３５を検出する近接スイッチであり、支軸２８の下
限を検出することによりエアーシリンダ３０を制御す
る。
【００２１】支軸２８の先端には、海綿３６を有するア
ーム３７が取り付けられており、ステッピングモータ３
３によって支軸２８が回転すると、キャリアプレート１
を載置しているときにはアーム３７が図３に示すように
角度αだけ揺動する。また、キャリアプレート１を搬入
あるいは搬出するときや待機中においては、海綿３６の
乾燥を防止するために待避位置Ｑまで回動し、この待避
位置Ｑに設けられた待機ポット３８に海綿３６が浸漬さ
れる。
ーム３７が取り付けられており、ステッピングモータ３
３によって支軸２８が回転すると、キャリアプレート１
を載置しているときにはアーム３７が図３に示すように
角度αだけ揺動する。また、キャリアプレート１を搬入
あるいは搬出するときや待機中においては、海綿３６の
乾燥を防止するために待避位置Ｑまで回動し、この待避
位置Ｑに設けられた待機ポット３８に海綿３６が浸漬さ
れる。
【００２２】待機ポット３８には、少量の界面活性剤が
含まれた純水が満たされており、アーム先端に取り付け
られた海綿３６を待機ポット３８中に浸漬させることに
より、界面活性剤を含む純水を介在させながら当該海綿
３６で半導体ウェーハＷの表面を払拭する。
含まれた純水が満たされており、アーム先端に取り付け
られた海綿３６を待機ポット３８中に浸漬させることに
より、界面活性剤を含む純水を介在させながら当該海綿
３６で半導体ウェーハＷの表面を払拭する。
【００２３】一方、パッド５による払拭を行う場合や払
拭終了後に半導体ウェーハに対して少量の界面活性剤を
含む純水を吹き付けるために、チャンバ３内には洗浄液
供給ノズル４が揺動可能に設けられている。この洗浄液
供給ノズル４は、上述したパッド５とほぼ同じような構
成であり、ベース３９に設けられたリニアガイド４０に
沿って支軸４１が上下移動可能に設けられている。さら
に当該支軸４１は、軸受４２を介して回転可能に設けら
れており、支軸４１の上下移動は、エアーシリンダ４３
などの駆動部によって行われ、一方、支軸４１の回転は
プーリ４４およびベルト４５を介してステッピングモー
タ４６により行われる。「４７」は支軸４１に固定され
たプレート４８を検出する近接スイッチであり、支軸４
１の下限を検出することによりエアーシリンダ４３を制
御する。
拭終了後に半導体ウェーハに対して少量の界面活性剤を
含む純水を吹き付けるために、チャンバ３内には洗浄液
供給ノズル４が揺動可能に設けられている。この洗浄液
供給ノズル４は、上述したパッド５とほぼ同じような構
成であり、ベース３９に設けられたリニアガイド４０に
沿って支軸４１が上下移動可能に設けられている。さら
に当該支軸４１は、軸受４２を介して回転可能に設けら
れており、支軸４１の上下移動は、エアーシリンダ４３
などの駆動部によって行われ、一方、支軸４１の回転は
プーリ４４およびベルト４５を介してステッピングモー
タ４６により行われる。「４７」は支軸４１に固定され
たプレート４８を検出する近接スイッチであり、支軸４
１の下限を検出することによりエアーシリンダ４３を制
御する。
【００２４】支軸４１の先端には、ノズル４９を有する
アーム５０が取り付けられており、ステッピングモータ
４６によって支軸４１が回転すると、キャリアプレート
１を載置しているときにはアーム５０が図３に示すよう
に角度βだけ揺動する。なお、キャリアプレート１を搬
入あるいは搬出するときや待機中においては待避位置Ｒ
まで回動する。
アーム５０が取り付けられており、ステッピングモータ
４６によって支軸４１が回転すると、キャリアプレート
１を載置しているときにはアーム５０が図３に示すよう
に角度βだけ揺動する。なお、キャリアプレート１を搬
入あるいは搬出するときや待機中においては待避位置Ｒ
まで回動する。
【００２５】次に作用を説明する。まず研磨を終了した
半導体ウェーハＷをキャリアプレート１に張り付けた状
態のまま、ハンドリングロボット６を用いてキャリアプ
レート１を把持し、順次搬入位置Ｐまで移載する。この
搬入位置Ｐに移載されたキャリアプレートをハンドリン
グロボット７を用いて各払拭乾燥装置のターンテーブル
に移載するが、移載の順序は図１に示す左側からとす
る。これは、キャリアプレート１から研磨剤などの不純
物が他のキャリアプレート１に滴下するのを防止するた
めである。
半導体ウェーハＷをキャリアプレート１に張り付けた状
態のまま、ハンドリングロボット６を用いてキャリアプ
レート１を把持し、順次搬入位置Ｐまで移載する。この
搬入位置Ｐに移載されたキャリアプレートをハンドリン
グロボット７を用いて各払拭乾燥装置のターンテーブル
に移載するが、移載の順序は図１に示す左側からとす
る。これは、キャリアプレート１から研磨剤などの不純
物が他のキャリアプレート１に滴下するのを防止するた
めである。
【００２６】キャリアプレート１をターンテーブル２に
載置する場合にはエアーシリンダ２２を作動させて蓋２
３を開放しておくが、キャリアプレート１を載置すると
順次蓋２３を閉じ、クリーンユニット２４を作動させて
ウェーハに清浄な空気を供給する。
載置する場合にはエアーシリンダ２２を作動させて蓋２
３を開放しておくが、キャリアプレート１を載置すると
順次蓋２３を閉じ、クリーンユニット２４を作動させて
ウェーハに清浄な空気を供給する。
【００２７】ターンテーブル２が設けられたチャンバ３
内には、半導体ウェーハに洗浄液を吹き付ける洗浄液供
給ノズル４と半導体ウェーハを払拭するパッド５とが設
けられているため、まずターンテーブル２を低速で回転
させながら、洗浄液供給ノズル４を揺動させキャリアプ
レート１に張り付けられた半導体ウェーハＷに界面活性
剤を含んだ純水を吹き付ける。これと同時に、パッド５
を半導体ウェーハＷに接触する位置まで下降させ、かつ
揺動させながら半導体ウェーハＷの表面を海綿３６によ
り払拭する。
内には、半導体ウェーハに洗浄液を吹き付ける洗浄液供
給ノズル４と半導体ウェーハを払拭するパッド５とが設
けられているため、まずターンテーブル２を低速で回転
させながら、洗浄液供給ノズル４を揺動させキャリアプ
レート１に張り付けられた半導体ウェーハＷに界面活性
剤を含んだ純水を吹き付ける。これと同時に、パッド５
を半導体ウェーハＷに接触する位置まで下降させ、かつ
揺動させながら半導体ウェーハＷの表面を海綿３６によ
り払拭する。
【００２８】このようにして半導体ウェーハの表面に残
留した研磨剤を除去すると、パッド５の海綿３６を待機
ポット３８に戻す一方で、洗浄液供給ノズル４からさら
に純水を供給する。ついで、純水の供給を停止したの
ち、ターンテーブル２を高速で回転させることにより遠
心力を利用した半導体ウェーハＷの水切り乾燥を行う。
留した研磨剤を除去すると、パッド５の海綿３６を待機
ポット３８に戻す一方で、洗浄液供給ノズル４からさら
に純水を供給する。ついで、純水の供給を停止したの
ち、ターンテーブル２を高速で回転させることにより遠
心力を利用した半導体ウェーハＷの水切り乾燥を行う。
【００２９】研磨剤の除去が完了した半導体ウェーハＷ
は、キャリアプレート１に張り付けられた状態で、ハン
ドリングロボット７によりチャンバ３から搬出され、第
１のローラコンベア１６に順次移送され、この第１のロ
ーラコンベア１６から第２のローラコンベア１７を介し
て後工程であるウェーハの剥離工程に送られる。
は、キャリアプレート１に張り付けられた状態で、ハン
ドリングロボット７によりチャンバ３から搬出され、第
１のローラコンベア１６に順次移送され、この第１のロ
ーラコンベア１６から第２のローラコンベア１７を介し
て後工程であるウェーハの剥離工程に送られる。
【００３０】なお、以上説明した実施例は、本発明の理
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上述した実施例に開示された各要素は、本発明の技
術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨
である。
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上述した実施例に開示された各要素は、本発明の技
術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨
である。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、研磨
装置により研磨を終了した半導体ウェーハに対して搬
入、払拭、乾燥および搬出という一連の作業を全て自動
的に行うように構成したので、作業工程の無人化を達成
することができ、半導体ウェーハの研磨加工に要する作
業工数の低減を図ることができる。
装置により研磨を終了した半導体ウェーハに対して搬
入、払拭、乾燥および搬出という一連の作業を全て自動
的に行うように構成したので、作業工程の無人化を達成
することができ、半導体ウェーハの研磨加工に要する作
業工数の低減を図ることができる。
【００３２】また、かかる一連の作業には作業者が介在
する余地がないことから、作業者が持ち込む塵埃等の不
純物が半導体ウェーハに付着したり、作業ミスによるウ
ェーハの損傷などが未然に防止でき、半導体ウェーハの
研磨品質の向上を図ることが可能となる。
する余地がないことから、作業者が持ち込む塵埃等の不
純物が半導体ウェーハに付着したり、作業ミスによるウ
ェーハの損傷などが未然に防止でき、半導体ウェーハの
研磨品質の向上を図ることが可能となる。
【図１】本発明の半導体ウェーハの払拭乾燥装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図４】図３のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図５】図３のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
１…キャリアプレート ２…ターンテーブル ３…チャンバ ４…洗浄液供給ノズル ５…払拭手段 ６，７…ハンドリングロボット
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304
Claims (1)
- 【請求項１】キャリアプレート（１）に張り付けられた
複数の半導体ウェーハ（Ｗ）の表面を払拭したのち前記
キャリアプレート（１）を回転させることにより半導体
ウェーハ（Ｗ）の水切り乾燥を行う半導体ウェーハの払
拭乾燥装置において、 前記キャリアプレート（１）を載置するターンテーブル
（２）が回転自在に支持されたチャンバ（３）と、 前記チャンバ（３）内に揺動可能に設けられ、前記ター
ンテーブル（２）に載置されたキャリアプレート（１）
の半導体ウェーハ（Ｗ）に対して洗浄液を吹き付ける洗
浄液供給ノズル（４）と、 前記チャンバ（３）内に揺動可能に設けられ、前記ター
ンテーブル（２）に載置されたキャリアプレート（１）
の半導体ウェーハ（Ｗ）の表面に接触して払拭する払拭
手段（５）と、 前記キャリアプレート（１）を搬入および搬出するロボ
ット（６，７）と、を備えたことを特徴とする半導体ウ
ェーハの払拭乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05082821A JP3137491B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 半導体ウェーハの払拭乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05082821A JP3137491B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 半導体ウェーハの払拭乾燥装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295893A JPH06295893A (ja) | 1994-10-21 |
| JP3137491B2 true JP3137491B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=13785072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05082821A Expired - Lifetime JP3137491B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 半導体ウェーハの払拭乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3137491B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040045198A (ko) * | 2002-11-22 | 2004-06-01 | 김경진 | 웨이퍼 세정 및 건조 장치 |
-
1993
- 1993-04-09 JP JP05082821A patent/JP3137491B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06295893A (ja) | 1994-10-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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