JP3604546B2 - 処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板例えば半導体ウエハに対して研磨処理を行う処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)の製造プロセスの中に、CMP(Chemical mechanical polishing)と呼ばれる研磨プロセスがある。このCMPプロセスは、研磨布の表面に粒子を含む研磨液を滴下し、この研磨布の表面をウエハに押し付けて、当該ウエハの表面の一部を機械的かつ化学的研磨により除去する方法であり、例えば多層配線形成工程中のエッチバックと呼ばれる工程に適用されている。
【0003】
従来のCMPプロセスでは、例えば図8に示すCMP装置において、表面に研磨層である研磨布11が形成された回転テ−ブル12に、ウエハ保持機構13に保持させたウエハ10を所定の圧力で圧接させ、ノズル14から研磨液を前記研磨布11の表面に供給しながら、回転テ−ブル12を回転させると共にウエハ保持機構13をモ−タ15により回転させて、こうしてウエハ10を回転テ−ブル12上で自転させ、かつ相対的に公転させることによってウエハ10の表面を研磨していた。
【0004】
このようにしてCMP処理されたウエハ10は次工程の洗浄装置に搬送され、ウエハ表面に残存する研磨液や削り滓が洗浄される。この際ウエハの搬送を大気中で行うと、研磨液等は乾燥しやすいので、搬送中に前記スラリ等が乾燥してしまうが、これらは乾燥するとウエハ表面から落ちにくくなって、洗浄処理にかなり時間がかかってしまう。このためウエハ10はCMP装置から洗浄装置までウェット搬送されている(図9参照)。つまりウエハ10は水中搬送されるか、または水の入った容器内に収納されて搬送されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述のCMP装置では、ウエハ10より大きい研磨布11が用いられており、しかもこの研磨布11は回転テ−ブル12により回転するように構成されているので、装置がかなり大型化してしまうという問題がある。また大きい研磨布11全体に研磨液を供給しているので、研磨液の消費量がかなり多くなってしまい、研磨液は高価であることからコスト的な問題もある。
【0006】
またCMP処理と洗浄処理という一連の処理全体について見ると、CMP装置と洗浄装置とが別ユニットになっており、さらにウエハ10はこれらの装置の間をウェット搬送されるので、装置全体がかなり大型化してしまうという問題もある。ここで近年のウエハ10の大型化に伴って、CMP装置は益々大きくなっていることから、これらの問題の解決が望まれている。
【0007】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は基板を研磨するにあたり、研磨層の研磨面に供給される研磨液の消費量を少なくすることができる処理装置を提供することにある。また本発明の他の目的は基板を研磨してから洗浄するにあたり、装置全体の小型化を図ることができる処理装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
このため本発明の処理装置は、基板を保持し、基板の面方向に沿って回転する基板保持部と、研磨面が基板の被処理面よりも小さい研磨層と、前記研磨面が前記基板保持部に保持されている基板の被処理面に対向するようにかつ基板の面方向に沿って回転するように前記研磨層を保持する保持部と、前記基板の被処理面に研磨液を供給する研磨液供給部と、前記基板保持部に保持されている基板の被処理面を、前記研磨層による研磨後に洗浄するために前記保持部に保持された洗浄ブラシと、前記基板の被処理面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、を備え、前記研磨層と前記洗浄ブラシは前記保持部により基板の外側の待機位置と前記基板を処理する処理位置との間で移動され、研磨層は洗浄ブラシよりも移動方向の先方側に位置して基板の被処理面上を移動することを特徴とする
【0009】
このような構成によれば、基板を基板保持部に保持して回転させながら研磨層を基板の中心部と周縁部との間で移動させるようにしているので、研磨層は基板よりも小さくて済む。従って研磨層の研磨面に研磨液を供給するにあたり、従来のように大きな研磨層を保持して基板側を移動させていた場合に比べ、コストの高い研磨液の消費量が少なくなり、研磨層を基板より小さくできることからコストアップを抑えることができる。
また研磨液の消費量を少なくしてコストアップを抑えることができると共に、研磨と洗浄とを1つの処理装置で行うことができるので、処理装置全体を小型化することができる。
【0010】
この場合前記研磨液供給部は、例えば研磨層の研磨面の反対側の面から、研磨層に設けられた孔を介して研磨面側に供給するものである。また前記基板保持部は、例えば基板の下面を水平な状態で保持して水平な方向に回転させるように構成され、前記研磨層は、研磨面が水平な状態で下を向くようにかつ水平な方向に回転可能に研磨層保持部に保持される。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の処理装置の実施の形態の一例について説明するが、図1は処理装置の平面図であり、図2はその断面図である。図中2は処理室であり、内部には基板であるウエハWを、被処理面が上を向くようにほぼ水平な状態で保持すると共に、当該ウエハWを水平な方向に回転させるための基板保持部をなすウエハ保持部3が設けられている。当該ウエハ保持部3は例えば真空チャック機構を備え、例えばウエハWの下面側全体を吸着保持すると共に、モ−タ32により鉛直な回転軸31を介して水平な方向に回転できるように構成されている。
【0015】
このようなウエハ保持部3の周囲には、当該ウエハ保持部3とウエハWの周辺を囲むように筒状のカップ4が設けられている。このカップ4は処理室2の底部に配設された底板22上に起立するように設けられた筒状の外カップ部41と、外カップ部41の内側に設けられ、昇降可能な筒状の内カップ部42とを有している。
【0016】
内カップ部42は上部側が内側に傾斜し、さらに上端部が内側に水平に伸び出すように形成されている。また下縁の一部に取り付けられた昇降ロッド43を介して昇降機構44により昇降できるように構成されており、こうして内カップ部42は上端部がウエハWの上方側に位置する処理位置と上端部がウエハ保持部3の表面より下方側に位置する載置位置との間で昇降されるようになっている。さらに前記外カップ部41と内カップ部42とは、内カップ部42が前記処理位置に位置しているときに、互いに高さ方向に重なり合うように構成されている。
【0017】
カップ4の外側には研磨機構5が設けられており、この研磨機構5は、研磨体50と、研磨体50を支持する研磨層保持部をなす研磨ア−ム51と、研磨ア−ム51を垂直方向及び水平方向に移動させるための研磨ア−ム駆動部6とを備えている。
【0018】
研磨体50は例えば図3及び図4に示すように、筒状の研磨体本体52の下端側に、例えば発泡ウレタンや不織布等からなる研磨層をなす研磨パッド53を取り付けて構成されており、研磨パッド53の下面が研磨面を構成している。またこの研磨パッド53にはスラリが通過可能な大きさの多数のスラリ供給孔53aが垂直方向に連通するように形成されている。さらに研磨パッド53は前記研磨面の直径がウエハWよりも小さくなるように形成され、例えば直径はウエハWの1/4程度になるように設定されている。
【0019】
前記研磨パッド53の上面の回転中心には回転軸54の先端側が取り付けられており、この回転軸54の基端側は例えば研磨ア−ム51の下面の先端側に取り付けられている。また回転軸54は支持杆55を介して研磨体本体52の内壁面の研磨体本体52の上端部から下がった位置に接続されている。
【0020】
一方回転軸54の基端側は、例えば研磨ア−ム51の内部に設けられた従動プ−リ56a、駆動プ−リ56b、タイミングベルト56cを介して、研磨ア−ム51の基端側に取り付けられたモ−タ57の駆動軸57aに接続されており、こうして研磨体50はモ−タ57の駆動により水平方向に回転できるようになっている。
【0021】
さらに研磨体本体52の上部側には、研磨体本体52の内部に研磨液をなす粒子を含むスラリSを供給するための研磨液供給部をなすスラリノズル58が、先端側が前記支持杆55の上方側に位置して研磨体本体52の内部に開口するように、研磨体本体52と支持杆55に緩衝しない位置に設けられている。このスラリノズル58の基端側は研磨ア−ム51の下面に取り付けられていて、研磨ア−ム51の内部に設けられた図示しないスラリ供給管から当該スラリノズル58にスラリが供給されるようになっている。こうして研磨体本体52、研磨パッド53及びスラリノズル58は夫々研磨ア−ム51に支持されるが、この際スラリノズル58は固定され、研磨体本体52及び研磨パッド53が水平方向に回転できるように支持されることになる。
【0022】
前記研磨ア−ム駆動部6は、研磨ア−ム51を水平方向に移動させるための例えばモ−タからなる回転機構61と、研磨ア−ム51を昇降させるための例えばボ−ルネジ機構からなる昇降機構62とを組み合わせて構成されている。こうして研磨ア−ム51はカップ4の外側の待機位置とウエハW表面上の研磨位置との間で水平方向に移動可能、昇降可能に構成され、研磨体50はウエハWの回転中心と周縁部近傍位置との間で移動されるようになっている。
【0023】
さらに研磨機構5の外側には洗浄機構7が設けられており、この洗浄機構7は、洗浄ブラシ70と、洗浄ブラシ70を支持するための洗浄ア−ム71と、洗浄ア−ム71を垂直方向及び水平方向に移動させるための洗浄ア−ム駆動部72とを備えている。洗浄ブラシ70は例えば支持部70aの下方側に例えばナイロンやモヘヤなどにより構成されたブラシ部70bを備えて構成され、ブラシ部70bのウエハWと対向する面の大きさはウエハWよりも小さくなるように形成されている。
【0024】
この洗浄ブラシ70は、洗浄ア−ム71の下面の先端側に、前記研磨パッド53と同様に図示しない回転軸を介して図示しないモ−タにより水平方向に回転可能に取り付けられている。また洗浄ア−ム駆動部72は前記研磨ア−ム駆動部6と同様に、回転機構と昇降機構(いずれも図示せず)とを組み合わせて構成されている。これにより洗浄ア−ム71は研磨機構5の外側の待機位置とウエハW表面上の洗浄位置との間で水平方向に移動可能、昇降可能に構成され、洗浄ブラシ70はウエハWの回転中心と周縁部近傍位置との間で移動されるようになっている。
【0025】
さらにまたカップ4の研磨機構5と反対側の外側には、洗浄液ノズル機構73が設けられており、この洗浄液ノズル機構73は、洗浄液をウエハ表面に供給するための洗浄液ノズル74と、洗浄液ノズル74を支持するためのノズルア−ム75と、ノズルア−ム75を垂直方向及び水平方向に移動させるためのノズルア−ム駆動部76とを備えている。
【0026】
前記洗浄液ノズル74は例えばノズルア−ム75の下面の先端側に取り付けられている。またノズルア−ム駆動部76は前記研磨ア−ム駆動部6と同様に回転機構と昇降機構とを(いずれも図示せず)組み合わせて構成されており、これによりノズルア−ム75はカップ4の外側の待機位置とウエハWの上方側の供給位置との間で水平方向に移動可能、昇降可能に構成される。
【0027】
このような処理室2の側壁部の一部にはウエハWの搬出入口2aが形成されていて、この搬出入口2aは常時は開閉部材21により閉じられている。この開閉部材21は例えば内カップ部42の昇降機構44により昇降されて、搬出入口2aを開閉するように構成されている。また処理室2の天井部のほぼ中央には多数の空気供給孔23が同心円状に穿設されると共に、底板22には多数の通気孔24が同心円状に穿設されており、この通気孔24は処理室2の底部に設けられた排気口25を介して図示しない排液・排気手段に連通されている。図1中20は搬送ア−ムである。
【0028】
続いて上述の処理装置の作用について図5に基づいて説明する。先ず開閉手段21を開けて、ウエハWを搬送ア−ム20により処理室2内に搬入する。処理室2内では、図5(a)に示すように、内カップ部42を載置位置まで下降させ、ウエハ保持部3の表面を内カップ部42の上端部より上方側に位置させた状態で、ウエハ保持部3に設けられた図示しない突出ピンと搬送ア−ム20との協動作用により、ウエハ保持部3にウエハWを載置し、ウエハ保持部3上にウエハWを真空吸着させる。一方搬送ア−ム20は処理室2の外へ退出させる。
【0029】
次いでウエハWに対して研磨処理を行うが、この研磨処理では先ず図5(b)に示すように、回転機構61により研磨ア−ム51を介して研磨体50を待機位置から処理位置まで水平方向に移動させて、当該研磨体50を例えば図6に示すように、図中ウエハWの下部側の周縁部近傍位置(A位置)の上方側に位置させた後、図5(c)に示すように昇降機構62により下降させて、研磨パッド53をウエハWの表面(被処理面)に所定の圧力で接触させる。一方内カップ部42は処理位置まで上昇させ、これによりウエハ保持部3とウエハWとの周辺がカップ4により囲まれると共に、搬出入口2aが開閉手段21により閉じられる。
【0030】
そして研磨体50及びウエハ保持部3を回転させ、スラリノズル58から研磨体本体52内にスラリを供給しながら、研磨体50を前記A位置からウエハ上部側の周縁部近傍位置(B位置)まで時計回りと反対方向に水平方向に移動させて研磨処理を行う(図6参照)。ここでスラリノズル58から供給されたスラリは、図4に示すように研磨パッド53の上部側に蓄積され、スラリ供給孔53aを介して下方側に通過していき、ウエハ表面に供給される。こうしてウエハWは自転しかつ研磨パッド53に対して相対的に公転しながら、その被処理面が研磨されていく。
【0031】
このようにして研磨処理を行ない、研磨体50を研磨ア−ム駆動部6により処理位置から待機位置まで移動させた後、ウエハWをウエハ保持部3に保持させたまま、研磨処理に引き続いて洗浄処理を行う。この洗浄処理では、図5(d)に示すように、先ず洗浄ブラシ70を洗浄ア−ム駆動部72により待機位置から洗浄位置まで水平方向に移動させ、当該洗浄ブラシ70を例えばウエハWの前記A位置の上方側に位置させた後下降させて、洗浄ブラシ70をウエハWの表面に所定の圧力で接触させる。
【0032】
これと同時に洗浄液ノズル74をノズルア−ム駆動部76により待機位置から供給位置まで水平方向に移動させ、当該洗浄液ノズル74を例えばウエハWの周縁部の内側近傍の上方側に位置させた後下降させて、洗浄液ノズル74をウエハW表面の近傍の所定位置に位置させる。
【0033】
そして研磨処理と同様に洗浄ブラシ70及びウエハ保持部3を回転させ、洗浄液ノズル74から洗浄液を供給しながら、洗浄ブラシ70を水平方向に移動させて洗浄処理を行い、ウエハW表面に残存するスラリや削り滓を洗浄液で洗い流す。この際処理室2では、空気供給孔23から処理室2内に流れる空気が内カップ部42の傾斜面及び内側面に沿って流れ、通気孔24を介して排気口25から排気されるので、これにより洗浄液のミストはこの空気流によって排気口25を介して排出される。またウエハWとウエハ保持部3の周辺はカップ4により囲まれているので、研磨処理や洗浄処理の際、飛散したスラリや洗浄液はカップ4の内側に付着し、こうしてスラリや洗浄液のカップ4の外部への飛散が抑えられる。
【0034】
このような処理装置では、研磨パッド53が小さいことから、研磨パッド53全体に研磨液を供給するとしても、研磨液の必要量が従来に比べてかなり少なくて済む。このため高価な研磨液の消費量が少なくなるので、コスト的にも有効である。また研磨パッド53がウエハWよりも小さいので、この研磨パッド53のウエハWに対する押圧力等の研磨条件をウエハWの面内で変えることができ、これによりウエハWの面内で任意の研磨量をコントロ−ルすることができる。さらにウエハWよりも小さい研磨パッド53を用いているので、ウエハよりも研磨布が大きい従来の装置に比べて、研磨体50自体がかなり小さくなる。またこれに伴い研磨体50を回転させるモ−タ等も小さくて済むので、研磨処理を行う装置自体を大幅に小型化することができる。
【0035】
さらに本実施の形態では研磨処理と洗浄処理とを一つの装置で行なうことができる。このためこれらの処理を別のユニットで行なう場合に比べて、別々に装置を用意する必要がないので、処理全体について見ると装置全体が大幅に小型化される。さらにまたウエハ保持部3にウエハWを保持させたまま、研磨体50と洗浄ブラシ70とを移動させれば研磨処理終了後に連続的に洗浄処理を行うことができるので、面倒なウェット搬送が不要となり、処理が簡素化されると共に、処理時間も大幅に短縮される。
【0036】
この際本実施の形態では、ウエハWをウエハ保持部3にて保持しておいて、研磨体50と洗浄パッド70を移動させれば洗浄処理を行うことができるので、研磨処理から洗浄処理に移行するまでに時間はほとんどかからない。またウエハWは処理室2内に密閉されているので乾燥しにくい状態にある。これらのことから洗浄処理を開始するまでの間にスラリ等が乾燥してしまうことがないので、洗浄処理においてはウエハW表面に残存するスラリや削り滓を短時間で洗い流すことができる。
【0037】
上述の例では、研磨処理終了後研磨体50を待機位置に移動させてから、洗浄ブラシ70を洗浄位置に移動させて洗浄処理を行うようにしたが、研磨体50の後に続いて洗浄ブラシ70が移動するように、研磨ア−ム51と洗浄ア−ム71の移動を制御するようにしてもよい。なお研磨体50はモ−タ57により回転する場合に限らず、回転自在に研磨ア−ム51に支持しておき、ウエハWの回転により回転力が与えられて自転するように構成してもよい。
【0038】
また本発明では図7に示すように処理装置を構成してもよい。この例は研磨体50と洗浄ブラシ70とを共通の保持部をなす移動ア−ム81に取り付け、移動ア−ム8を移動ア−ム駆動部8により移動させるようにしたものである。この際研磨体50と洗浄ブラシ70は、研磨体50が洗浄ブラシ70の先を移動するように、移動ア−ム81が時計回りと反対方向に移動する場合では、図7に示すように、移動ア−ム81の右側に研磨体50が取り付けられ、左側に洗浄ブラシ70が取り付けられる。また移動ア−ム81は上述の研磨ア−ム51と、移動ア−ム駆動部8は上述の研磨ア−ム駆動部6と夫々同様に構成されており、この例では洗浄液ノズル機構73は移動ア−ム81の外側に配置されている。その他の構成は上述の実施の形態と同様である。
【0039】
このような処理装置では、処理の際、研磨体50と洗浄ブラシ70とは移動ア−ム駆動部8により移動ア−ム81を介して一体となってウエハW表面上を移動するが(図7(b)参照)、研磨体50の後に続いて洗浄ブラシ70が移動するように構成されているので、研磨処理の後に洗浄処理が行われることになる。このような構成では移動ア−ムが共通化されるので、上述の装置に比べてさらに装置の簡易化を図ることができる。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、基板を研磨するにあたり、研磨層が基板よりも小さくて済むので、研磨層の研磨面に供給する研磨液の消費量を少なくすることができる。また本発明によれば、基板を研磨した後に洗浄するにあたり、処理装置全体を小形化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の処理装置の一実施の形態を示す平面図である。
【図2】本発明の処理装置の一実施の形態を示す断面図である。
【図3】前記処理装置の研磨体の一例を示す斜視図である。
【図4】前記処理装置の研磨体の一例を示す断面図である。
【図5】本発明の処理装置の作用を説明するための工程図である。
【図6】本発明の処理装置の作用を説明するための平面図である。
【図7】本発明の処理装置の他の例を示す平面図と側面図である。
【図8】従来のCMP処理装置を示す側面図である。
【図9】従来の処理工程を示す説明図である。
【符号の説明】
3 ウエハ保持部
5 研磨機構
50 研磨体
51 研磨ア−ム
6 研磨ア−ム駆動部
7 洗浄機構
70 洗浄ブラシ
71 洗浄ア−ム
72 洗浄ア−ム駆動部
74 洗浄液ノズル
8 移動ア−ム駆動部
81 移動ア−ム
W 半導体ウエハ
S スラリ
Claims (3)
- 基板を保持し、基板の面方向に沿って回転する基板保持部と、
研磨面が基板の被処理面よりも小さい研磨層と、
前記研磨面が前記基板保持部に保持されている基板の被処理面に対向するようにかつ基板の面方向に沿って回転するように前記研磨層を保持する保持部と、
前記基板の被処理面に研磨液を供給する研磨液供給部と、
前記基板保持部に保持されている基板の被処理面を、前記研磨層による研磨後に洗浄するために前記保持部に保持された洗浄ブラシと、
前記基板の被処理面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、を備え、
前記研磨層と前記洗浄ブラシは前記保持部により基板の外側の待機位置と前記基板を処理する処理位置との間で移動され、研磨層は洗浄ブラシよりも移動方向の先方側に位置して基板の被処理面上を移動することを特徴とする処理装置。 - 前記研磨液供給部は、研磨層の研磨面の反対側の面から、研磨層に設けられた孔を介して研磨面側に供給するものであることを特徴とする請求項1記載の処理装置。
- 前記基板保持部は、基板の下面を水平な状態で保持して水平な方向に回転させるように構成され、前記研磨層は、研磨面が水平な状態で下を向くようにかつ水平な方向に回転可能に保持部に保持されていることを特徴とする請求項2記載の処理装置。
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