JPH11238714A - 洗浄方法 - Google Patents

洗浄方法

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JPH11238714A
JPH11238714A JP5600298A JP5600298A JPH11238714A JP H11238714 A JPH11238714 A JP H11238714A JP 5600298 A JP5600298 A JP 5600298A JP 5600298 A JP5600298 A JP 5600298A JP H11238714 A JPH11238714 A JP H11238714A
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cleaning
wafer
substrate
rotated
brushes
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JP5600298A
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Nobuo Konishi
信夫 小西
Keizo Hirose
圭蔵 廣瀬
Kenji Sekiguchi
賢治 関口
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板例えばウエハWの回転数あるいは洗浄ブ
ラシの回転数をウエハWの面内において変化させること
により、洗浄能力のウエハWの面内におけるバラツキを
抑えること。 【解決手段】 ウエハWを基板保持部2にて水平な方向
に回転させると共に、ウエハWの表面及び裏面に第1及
び第2の洗浄ブラシ41,61を夫々接触させ、これら
ブラシ41,61を鉛直な軸のまわりに一定の回転数で
回転させ、かつこれらをウエハWの中央部と周縁部との
間で移動させながら洗浄を行なう。ウエハWを、中央部
を洗浄するときには例えばa(aは50〜1000)r
pmで回転させ、周縁部を洗浄するときには例えばa/
10rpmで回転させるように、ウエハWの周速度を洗
浄位置において変化させると、各洗浄位置における洗浄
ブラシ41,61に対するウエハWの速度が一定になる
ので、洗浄能力がウエハWの面内においてほぼ一様とな
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば成膜処理や
研磨処理を行った基板の洗浄に用いられる洗浄方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、半導体デバイスが形成される半導体ウエハ(以下
「ウエハ」という)の表面の清浄度を高く維持する必要
がある。このため各々の製造プロセスや処理プロセスの
前後には必要に応じてウエハ表面を洗浄しているが、例
えば成膜工程や研磨工程の後にも例えば図6に示す洗浄
装置を用いてウエハ表面の洗浄が行われている。
【0003】前記洗浄装置について簡単に説明すると、
この装置はウエハWの外周全体を保持すると共に水平方
向に回転可能なウエハ保持部11と、ウエハWの表面に
所定の圧力で接触されるブラシ12と、ウエハ保持部1
1とウエハWの周囲を包囲し、垂直方向に移動可能なカ
ップ13とを備えて構成されている。
【0004】このような洗浄装置では、ウエハWとブラ
シ12とを鉛直な軸のまわりに夫々一定の回転数で回転
させ、ウエハWの表面にブラシ12を介して洗浄液を供
給すると共に、当該ブラシ12をウエハWの表面に押し
当てて、図7に示すようにウエハWの一方の周縁部から
中央部を通り他方の周縁部まで移動させながら、こうし
てウエハWとブラシ12とを相対的に摺動させることに
より、ウエハW表面の粒子汚染物を除去している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の方
法で洗浄されたウエハWを観察すると、中央部にパ−テ
ィクルが残存する傾向が見られる。このことから洗浄処
理時の洗浄能力は、ウエハWの中央部よりも周縁部の方
が大きいと考えられるが、この理由については次のよう
に推察される。つまり洗浄能力を決定する因子の一つと
してブラシ12とウエハWとの間の摺動力が挙げられ、
この摺動力の大きさはブラシ12とウエハWの回転速度
等に起因して決定される。
【0006】上述の方法ではウエハWは一定の回転数で
回転しているので、例えば図8に示すようにウエハWの
外縁上のある位置が位置P1から位置P2まで移動した
場合に、中央部近傍の位置における単位時間あたりに変
異する周方向の距離x1と周縁部近傍の位置における単
位時間あたりに変異する周方向の距離x2とを比べる
と、距離x2の方が距離x1よりも大きい。このためウ
エハWの中心から直径方向に離れた位置における周方向
の速度(以下この速度を「周速度」という)は、ウエハ
Wの中心から離れるに連れて大きくなる。一方ブラシ1
2は中央部においても周縁部においても一定の速度で回
転しているので、ウエハWとブラシ12との間の摺動力
は、周速度の大きい周縁部の方が中央部よりも大きくな
り、これにより周縁部の洗浄能力が大きくなると考えら
れる。
【0007】ところで量産ラインでは、洗浄処理後のウ
エハWを任意に抜き取ってウエハWに付着したパ−ティ
クルの評価をしているが、上述のようにウエハの面内に
おける洗浄能力が一様でないと、洗浄能力を決定する因
子とパ−ティクルの量や付着位置等との関係の解析をウ
エハ面内の夫々の位置で行わなくてはならないので、解
析作業が煩雑になるという問題がある。
【0008】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、基板の面内における洗浄能力の
バラツキを抑えることができる洗浄方法を提供すること
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】このため本発明の洗浄方
法は、基板の被洗浄面に洗浄面が前記被洗浄面よりも小
さい洗浄部材の洗浄面を接触させ、前記被洗浄面に洗浄
液を供給しながら、基板と洗浄部材とを共に回転させて
前記被洗浄面を洗浄する方法において、基板の中央領域
を洗浄するときには基板及び洗浄部材の一方を第1の回
転数で回転させると共に、基板の周縁領域を洗浄すると
きには前記基板及び洗浄部材の一方を第1の回転数より
も小さい第2の回転数で回転させることを特徴とし、こ
の場合基板及び洗浄部材の他方は一定の回転数で回転さ
せる。
【0010】このような方法では、例えば洗浄部材を一
定の回転数で回転させる場合、中央領域を洗浄するとき
には、基板を第1の回転数で回転させ、周縁領域を洗浄
するときには、基板を第1の回転数よりも小さい第2の
回転数で回転させることにより、基板の面内における洗
浄能力のバラツキが抑えられる。
【0011】また本発明方法では、基板の被洗浄面に洗
浄面が前記被洗浄面よりも小さい洗浄部材の洗浄面を接
触させ、前記基板の被洗浄面に洗浄液を供給しながら、
基板と洗浄部材とを共に回転させて前記被洗浄面を洗浄
する方法において、基板の中央領域を洗浄するときには
基板と洗浄部材とを高速で回転させると共に、基板の周
縁領域を洗浄するときには前記基板と洗浄部材とを低速
で回転させるようにしてもよい。
【0012】
【発明の実施の形態】図1は本発明方法を実施するため
の洗浄装置の一例を示す断面図であり、図2はその平面
図である。図中2は基板であるウエハWを、表面が上を
向くように水平な状態(ほぼ水平な状態も含む)で保持
すると共に、当該ウエハWを水平な方向に回転させるた
めの基板保持部であり、21はウエハWの周縁部の下方
側を覆う回転筒であって、この回転筒21は鉛直な軸の
まわりに回転可能に構成されている。
【0013】つまり前記回転筒21の下部側の、上部側
に比べてわずかに縮径した縮径部22の外周囲には、モ
−タ31の回転軸31aに設けられた駆動プ−リ32と
の間にベルト33が架け渡されており、モ−タ31の回
転力が当該縮径部22に伝達されるようになっている。
一方縮径部22の内側にはベアリング機構23を介して
垂直な筒状体24が設けられていて、この筒状体24の
下端側は水平な固定板20の上面に接続されている。
【0014】前記モ−タ31は回転数が制御部34によ
り制御されるように構成されており、これによりモ−タ
31の回転によって回転筒22が回転数を制御された状
態で筒状体24のまわりに回転され、こうしてウエハW
が回転数を制御されながら鉛直な軸のまわりに回転され
るようになっている。
【0015】前記回転筒21の上部開口部の上縁の例え
ば6か所の位置には、保持部材25が水平な回転軸25
aを介して水平な軸のまわりに回転可能に取り付けられ
ている。この保持部材25は例えば内周面の途中で内側
に傾斜していて、当該内周面の傾斜部の直ぐ上側でウエ
ハWの外端面を保持するように構成されており、当該保
持部材25によりウエハWの外周面の6か所の位置が保
持されるようになっている。またこの保持部材25には
図示しない重錘が設けられており、回転筒21が回転し
たときに、当該保持部材25の上部側が遠心力により内
側に倒れてウエハWの周縁部の挟圧力が大きくなるよう
になっている。
【0016】基板保持部2に保持されたウエハWの表面
には、ウエハ表面を洗浄するための第1の洗浄ブラシ4
1が水平な支持ア−ム42に支持されて設けられてい
る。この支持ア−ム42は駆動機構43により水平方向
及び垂直方向に移動可能に構成されており、これにより
洗浄ブラシ41は基板保持部2に保持されたウエハWの
外側の待機位置とウエハWを洗浄するときの洗浄位置と
の間で移動されると共に、洗浄位置にあるときにはウエ
ハ表面上を中央部を通り、一方の周縁部から他方の周縁
部まで移動するように構成されている。
【0017】この洗浄ブラシ41は例えば円柱体形状に
構成されていて、その下面がウエハWと接触して当該ウ
エハWを洗浄する洗浄面をなしている。洗浄ブラシ41
は洗浄面の直径がウエハWの直径よりも小さくなるよう
に形成されており、また洗浄液が洗浄ブラシ41の内部
を通り洗浄面を介してウエハW表面に供給されるように
なっている。
【0018】洗浄ブラシ41の上面には例えば図3に示
すように鉛直な回転軸44が取り付けられており、この
回転軸44の他端側は例えば図3に示すように支持ア−
ム42の中に埋設されている。また支持ア−ム42に
は、モ−タ45と、このモ−タ45の回転軸45aに設
けられた駆動プ−リ46と、回転軸44の外面に設けら
れた従動プ−リ47と、駆動プ−リ46と従動プ−リ4
7との間に架け渡されたベルト48とが内蔵されてい
て、モ−タ45の回転力が回転軸44に伝達され、これ
により洗浄ブラシ41が一定の回転数で鉛直な軸のまわ
りに回転されるようになっている。
【0019】さらに基板保持部2に保持されたウエハW
の表面には、ウエハ表面に洗浄液を供給するための第1
のノズル51が水平な支持ア−ム52に支持されて基板
保持部2に保持されたウエハWの外側の待機位置と、ウ
エハWを洗浄するときの洗浄位置との間で駆動機構53
により水平方向及び垂直方向に移動可能に構成されてい
る。
【0020】また基板保持部2の回転筒21の内部に
は、ウエハWの裏面を洗浄するための第2の洗浄ブラシ
61が折り畳み式のブラシア−ム62に支持されて設け
られている。この洗浄ブラシ61は第1の洗浄ブラシ4
1と同様に構成されており、上面がウエハWの裏面と接
触し、当該ウエハWを洗浄する洗浄面をなしている。ま
たブラシア−ム62に内蔵された図示しないモ−タによ
り回転軸63を介して鉛直な軸のまわりに一定の回転数
で回転可能に構成されている。
【0021】さらに回転筒21の内部にはウエハWの裏
面に洗浄液を供給するための第2のノズル54が設けら
れており、前記ブラシア−ム62とノズル54は前記固
定板20に形成された孔部20aを介して夫々駆動部6
4,55に接続されていて、洗浄ブラシ61はブラシア
−ム62により、ウエハWの一方の周縁部から中央部を
通り他方の周縁部まで移動するようになっている。
【0022】さらにこの例では、駆動機構43及び駆動
部64において検出された第1の洗浄ブラシ41及び第
2の洗浄ブラシ65の位置情報に基づいて、前記制御部
34によりモ−タ31の回転数が制御されるように構成
されている。本実施の形態では、ウエハWの表面及び裏
面の両面が被洗浄面に相当し、第1及び第2の洗浄ブラ
シ41,61が洗浄部材に相当する。
【0023】続いて上述の洗浄装置にて実施される本発
明の洗浄方法について説明する。先ず第1の洗浄ブラシ
41及び第1のノズル51を待機位置に位置させた状態
で、図示しない搬送ア−ムにて保持したウエハWを保持
部材25で囲まれた領域の上方側から下降させることに
より保持部材25に受け渡す。なおこの例では8インチ
サイズのウエハWを用い、洗浄ブラシ41、61として
はブラシの直径が2cmであるものを用いている。、こ
うして基板保持部2にウエハWを水平に保持させた後、
洗浄ブラシ41及びノズル51をウエハWの上方側に移
動させ、第1及び第2の洗浄ブラシ41,61をウエハ
Wの表面及び裏面に夫々所定の押圧力で接触させると共
に、洗浄液を、第1及び第2のノズル51,54及び第
1及び第2の洗浄ブラシ41,61の内部からウエハW
の表面及び裏面に供給する。そして回転筒21を回転数
を制御した状態で例えば時計回りに回転させる一方、各
洗浄ブラシ41,61を例えば0rpm〜100rpm
の間の一定の回転数で、この場合洗浄ブラシ41を例え
ば時計回りに、洗浄ブラシ61を例えば反時計回りに夫
々回転させながら洗浄処理を行う。
【0024】この際洗浄ブラシ41,61は支持ア−ム
42及びブラシア−ム62により、例えば図4の平面図
及び図5に示すように、ウエハW上を一方の周縁部(A
位置)から中央部(B位置)を通り他方の周縁部(C位
置)に至るまで水平方向に、かつこれら洗浄ブラシ4
1,61がウエハWを挟んで互いに対象な位置にあるよ
うに移動させながら洗浄処理を行う。
【0025】そして本発明方法では、洗浄ブラシ41,
61がウエハWの中央領域即ちウエハWの中心の近傍領
域(B位置の近傍領域)を洗浄しているときには、ウエ
ハWを第1の回転数例えばa(50〜1000)rpm
で回転させ(図5(a))、洗浄ブラシ41,61が中
央領域から周縁領域に向けて移動するに連れて、ウエハ
Wの回転数を第1の回転数よりも小さい第2の回転数に
向けて徐々に小さくしていき(図5(b))、洗浄ブラ
シ41,61がウエハWの周縁領域即ちウエハWの外縁
近傍領域(A位置及びC位置の近傍領域)を洗浄すると
きには、ウエハWを前記第2の回転数例えばa/5〜a
/2rpmで回転させて洗浄処理が行われる。
【0026】このように洗浄ブラシ41,61がウエハ
Wと接触している位置(洗浄位置)によってウエハWの
回転数を制御すると、ウエハWと洗浄ブラシ41,61
との間の摺動力についてウエハWの面内全体における差
が小さくなるかあるいはほぼ一定となるので基板の面内
における洗浄能力のバラツキを抑えることができる。
【0027】即ち従来のようにウエハWの回転数が一定
である場合には、既述のようにウエハW上の位置の周速
度はウエハW中心から離れるに連れて大きくなるので洗
浄能力は中央領域よりも周縁領域の方が大きかったが、
上述の実施の形態のように、中央領域を洗浄するときに
は洗浄能力を高めるためにウエハWの回転数を大きく
し、一方周縁領域を洗浄するときにはウエハWの回転数
を小さくすると、洗浄位置におけるウエハWの周速度の
差が小さくなる。従って洗浄ブラシ41、61の回転数
が一定であれば、洗浄ブラシ41、61に対するウエハ
Wの速度について、洗浄位置によるバラツキが小さくな
るので、これらの速度によって決定される摺動力が揃う
ようになる。このため洗浄処理後にウエハWの特定の一
部にパ−ティクルが残存するようなことがなくなる。
【0028】また量産ラインで、洗浄処理後のウエハW
を任意に抜き取ってウエハWに付着したパ−ティクルの
評価をする際、洗浄能力を決定する因子とパ−ティクル
の量や付着位置等との関係の解析をウエハ面内のある位
置について行えば、その結果をウエハW全体について適
用できるので、解析作業が容易になるという利点があ
る。
【0029】さらにまた上述のように本発明方法をウエ
ハWの両面を洗浄するタイプの洗浄装置に適用した場合
には、ウエハWの表面及び裏面を同時に洗浄することが
できるので、従来ウエハWの両面を洗浄する場合には必
要であった反転装置が不要となり、従来装置に比べて洗
浄装置全体が小形化するうえ、洗浄処理時間が大幅に短
縮され、スル−プットが向上するなどの利点が得られ
る。
【0030】ここでウエハWの中央部の洗浄能力を高め
るためには、既述のようにウエハWの回転数を大きくす
ることが必要であるが、ウエハWの回転数を大きくし過
ぎると、周縁領域での速度が大きくなり過ぎ、当該周縁
領域の洗浄液の流速がかなり早くなって、洗浄ブラシ4
1,61が浮いてしまう。このため当該周縁領域では却
って洗浄能力が低下してしまうことから、前記第1の速
度は1000rpm程度に設定することが望ましい。さ
らに洗浄ブラシ41,61の回転数は機構上あまり大き
くできず、また回転数を大きくし過ぎると磨耗が起こっ
てしまうことから、70〜100rpmの範囲内に設定
することが望ましい。
【0031】上述の実施の形態では、ウエハWの両面の
洗浄に本発明方法の洗浄方法を適用したが、ウエハWの
表面の洗浄に本発明方法を適用してもよい。この場合ウ
エハWの表面が被洗浄面に相当し、第1の洗浄ブラシ4
1が洗浄部材に相当する。また同様にウエハWの裏面の
洗浄に本発明方法を適用してもよい。
【0032】以上において本発明方法では、ウエハWの
回転数を一定にし、洗浄ブラシ41,61の回転数を変
化させるようにしてもよい。この場合には例えば洗浄ブ
ラシ41,61は,駆動機構43及び駆動部64におい
て検出された洗浄ブラシ41,61の位置情報に基づい
て、図示しない制御部によりモ−タ45等の回転数が制
御されるように構成される。
【0033】そしてウエハWを一定の回転数例えば50
〜1000rpmで回転させる一方、ウエハWの中央領
域を洗浄するときには、洗浄ブラシ41,61を第1の
回転数例えばb(b=2〜200)rpmで回転させ
(図5(a))、洗浄位置が中央領域から周縁領域に向
けて移動するに連れて、これらブラシ41,61の回転
数を第1の回転数よりも小さい第2の回転数に向けて徐
々に小さくしていき(図5(b))、ウエハWの周縁領
域を洗浄するときには、これら洗浄ブラシ41,61を
前記第2の回転数例えばb/2rpmで回転させる(図
5(c))。
【0034】このような方法でも、ウエハWの速度の小
さい中央領域では洗浄ブラシ41,61の速度が大き
く、ウエハWの速度の大きい周縁領域では洗浄ブラシ4
1,61の速度が小さくて、中央領域と周縁領域の間で
はウエハWは徐々に速度が大きくなる一方洗浄ブラシ4
1,61は徐々に速度が小さくなるので、ウエハWと洗
浄ブラシ41,61との間の摺動力はウエハWの面内に
おいてほぼ一定となり、これにより洗浄能力のウエハW
の面内におけるバラツキが抑えられる。
【0035】さらに本発明方法では、ウエハWの回転数
と洗浄ブラシ41,61の回転数を共に変化させるよう
にしてもよく、この場合にはウエハWの中央領域を洗浄
するときにはウエハWと洗浄ブラシ41,61とを高速
で回転させ、洗浄位置が中央領域から周縁領域に向けて
移動するに連れて、これらウエハWと洗浄ブラシ41,
61の回転数を徐々に小さくしていき、周縁領域を洗浄
するときにはウエハWと洗浄ブラシ41,61とを低速
で回転させる。またウエハWの速度をウエハWの面内全
体に亘って揃えるために、ウエハWと洗浄ブラシ41,
61のいずれか一方の速度を中央領域を洗浄するときに
は高速にし、周縁領域を洗浄するときには低速にして、
他方の速度は微調整用に変化させるようにしてもよい。
【0036】このように洗浄ブラシ41,61の回転数
を変化させる場合やウエハWと洗浄ブラシ41,61の
回転数を共に変化させる場合でも、上述の例と同様にウ
エハWの回転数は1000rpm程度以下に設定するこ
とが望ましく、洗浄ブラシ41,61の回転数は70〜
100rpmの範囲内に設定することが望ましい。
【0037】また本発明方法では中央領域を洗浄すると
きと周縁領域を洗浄するときのみだけ、ウエハWや洗浄
ブラシ41,61の速度を変化させるようにして、洗浄
位置が中央領域から周縁領域に移動している間はウエハ
W等をある一定の回転数で回転させるようにしてもよ
い。さらに本発明方法では基板の両面を洗浄する場合の
みならず、基板の片面を洗浄する場合にも適用できる。
【0038】
【発明の効果】本発明によれば、基板の速度あるいは洗
浄ブラシの回転数を基板の面内において変化させること
により、基板の面内における洗浄能力のバラツキを低減
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法を実施するための洗浄装置の一例を
示す縦断側面図である。
【図2】前記洗浄装置を示す平面図である。
【図3】前記洗浄装置の一部を示す縦断側面図である。
【図4】本発明方法の一例の作用を説明するための平面
図である。
【図5】本発明方法の一例の作用を説明するための工程
図である。
【図6】本発明方法の他の例の作用を説明するための工
程図である。
【図7】従来の洗浄装置を示す縦断側面図である。
【図8】従来の洗浄装置の作用を説明するための平面図
である。
【図9】ウエハ上のある位置の速度を説明するための平
面図である。
【符号の説明】
2, 基板保持部 21 回転筒 25 保持部材 31,45 モ−タ 33 ベルト 34 制御部 41,61 洗浄ブラシ 51,54 ノズル W 半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関口 賢治 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレ クトロン九州株式会社プロセス開発センタ −内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の被洗浄面に洗浄面が前記被洗浄面
    よりも小さい洗浄部材の洗浄面を接触させ、前記被洗浄
    面に洗浄液を供給しながら、基板と洗浄部材とを共に回
    転させて前記被洗浄面を洗浄する方法において、 基板の中央領域を洗浄するときには基板及び洗浄部材の
    一方を第1の回転数で回転させると共に、基板の周縁領
    域を洗浄するときには前記基板及び洗浄部材の一方を第
    1の回転数よりも小さい第2の回転数で回転させること
    を特徴とする洗浄方法。
  2. 【請求項2】 基板及び洗浄部材の他方は一定の回転数
    で回転させることを特徴とする請求項1記載の洗浄方
    法。
  3. 【請求項3】 基板の被洗浄面に洗浄面が前記被洗浄面
    よりも小さい洗浄部材の洗浄面を接触させ、前記基板の
    被洗浄面に洗浄液を供給しながら、基板と洗浄部材とを
    共に回転させて前記被洗浄面を洗浄する方法において、 基板の中央領域を洗浄するときには基板と洗浄部材とを
    高速で回転させると共に、基板の周縁領域を洗浄すると
    きには前記基板と洗浄部材とを低速で回転させることを
    特徴とする洗浄方法。
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