JP2018046108A - 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 - Google Patents
基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018046108A JP2018046108A JP2016178817A JP2016178817A JP2018046108A JP 2018046108 A JP2018046108 A JP 2018046108A JP 2016178817 A JP2016178817 A JP 2016178817A JP 2016178817 A JP2016178817 A JP 2016178817A JP 2018046108 A JP2018046108 A JP 2018046108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- unit
- cleaning
- polishing
- contamination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 754
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 282
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 253
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 291
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims abstract description 98
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 75
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 74
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 59
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 49
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 15
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 10
- 238000007790 scraping Methods 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 73
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 49
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 48
- 238000011161 development Methods 0.000 description 34
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 34
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 20
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 20
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 18
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 102100030373 HSPB1-associated protein 1 Human genes 0.000 description 6
- 101000843045 Homo sapiens HSPB1-associated protein 1 Proteins 0.000 description 6
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
- B24B29/02—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- B08B1/12—
-
- B08B1/20—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
- B08B11/02—Devices for holding articles during cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/04—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by a combination of operations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/033—Other grinding machines or devices for grinding a surface for cleaning purposes, e.g. for descaling or for grinding off flaws in the surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
- B24B55/06—Dust extraction equipment on grinding or polishing machines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02096—Cleaning only mechanical cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Abstract
Description
図1は本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の概略構成を示す模式的平面図であり、図2は図1の基板洗浄装置700を矢印Mの方向に見た模式的側面図であり、図3は図1の基板洗浄装置700を矢印Nの方向に見た模式的側面図である。
図1〜図3の基板研磨部400および基板洗浄部500は、アーム410,510の他端部に設けられる部材(研磨ヘッドphおよび洗浄ブラシcb)が異なる点を除いて基本的に同じ構成を有する。そこで、基板研磨部400および基板洗浄部500のうち、代表して基板研磨部400の構成を説明する。
まず、図1のスピンチャック200によって保持される基板Wの外周端部の構造を説明する。図5は、基板Wの外周端部の構造を示す拡大側面図である。図5に示すように、基板Wの外周端部WEは、上面側のベベル部1、下面側のベベル部2および端面3を含む。以下の説明においては、基板Wの下面周縁部とは、基板Wのベベル部2から所定の幅だけ内側までの領域を意味し、その幅は研磨ヘッドphおよび洗浄ブラシcbの外径よりも小さい。
図8は図1の基板洗浄装置700の制御系統の構成を示すブロック図である。図8には、研磨洗浄コントローラ780の機能的な構成が示される。研磨洗浄コントローラ780は、スピンチャック制御部781、受け渡し機構制御部782、ガード昇降制御部783、基板上面用液供給制御部784、除去情報記憶部785、研磨制御部790および洗浄制御部795を含む。研磨制御部790は、さらに回転制御部791、昇降制御部792、アーム制御部793および基板下面用液供給制御部794を含む。図8の研磨洗浄コントローラ780の各部の機能は、CPUが制御プログラムを実行することにより実現される。
図1の基板洗浄装置700においては、例えば基板Wが筐体710内に搬入された後、基板Wの上面の洗浄、基板Wの下面の研磨および基板Wの下面の洗浄がこの順で連続的に実行される。このときの基板洗浄装置700の基本動作について説明する。
基板Wの研磨時において、基板Wの下面のうち汚染が存在しない領域は、汚染が除去されることなく研磨されるので過剰に研磨されやすい。一方、基板Wの下面のうち汚染が存在する領域は、汚染が除去されつつ研磨されるので研磨されにくい。そのため、研磨ヘッドphによる汚染の除去能力が一定に保たれた状態で、汚染が存在する部分と汚染が存在しない部分とが研磨されると、研磨後の基板Wの下面における複数の部分で表面状態に差が生じる。例えば、汚染の程度が低い領域では基板Wの外表面が過剰に擦り取られ、汚染の程度が高い領域では基板Wの外表面がほとんど擦り取られない。それにより、研磨後の基板Wの下面が不均一になる。
図19は、図1の基板洗浄装置700を備えた基板処理装置の模式的平面図である。図19および後述する図20〜図22には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
図20は、主として図19の塗布処理部121、塗布現像処理部131および洗浄乾燥処理部161を示す基板処理装置100の模式的側面図である。
図21は、主として図19の熱処理部123,133および洗浄乾燥処理部162を示す基板処理装置100の模式的側面図である。図21に示すように、熱処理部123は、上方に設けられる上段熱処理部301および下方に設けられる下段熱処理部302を有する。上段熱処理部301および下段熱処理部302には、複数の熱処理装置PHP、複数の密着強化処理ユニットPAHPおよび複数の冷却ユニットCPが設けられる。
図22は、主として図19の搬送部122,132,163を示す側面図である。図22に示すように、搬送部122は、上段搬送室125および下段搬送室126を有する。搬送部132は、上段搬送室135および下段搬送室136を有する。上段搬送室125には搬送装置(搬送ロボット)127が設けられ、下段搬送室126には搬送装置128が設けられる。また、上段搬送室135には搬送装置137が設けられ、下段搬送室136には搬送装置138が設けられる。
図19〜図22を参照しながら基板処理装置100の動作を説明する。インデクサブロック11のキャリア載置部111(図19)に、未処理の基板Wが収容されたキャリア113が載置される。搬送装置115は、キャリア113から基板載置部PASS1,PASS3(図22)に未処理の基板Wを搬送する。また、搬送装置115は、基板載置部PASS2,PASS4(図22)に載置された処理済の基板Wをキャリア113に搬送する。
(a)上記の基板洗浄装置700においては、基板Wの下面の汚染の分布に基づいて、基板Wの半径方向における位置に応じた除去能力で基板Wの下面が研磨ヘッドphにより研磨される。
(a)上記実施の形態では、基板洗浄装置700は、基板Wの下面を研磨することが可能に構成されるが、本発明はこれに限定されない。基板洗浄装置700は、基板Wの上面を研磨可能に構成されてもよい。例えば、基板洗浄装置700は、上記のスピンチャック200に代えて基板Wの下面を吸着保持するスピンチャックと、そのスピンチャックにより回転される基板Wの上面上に研磨ヘッドphを接触させつつ少なくとも当該基板Wの中心と外周端部WEとの間で移動させる移動部とを備えてもよい。この場合、基板Wの上面を清浄かつ均一にすることができる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
3 端面
11 インデクサブロック
12 第1の処理ブロック
13 第2の処理ブロック
14 インターフェイスブロック
14A 洗浄乾燥処理ブロック
14B 搬入搬出ブロック
15 露光装置
15a 基板搬入部
15b 基板搬出部
21,22,23,24,32,34 塗布処理室
25,35,200 スピンチャック
27,37 カップ
28 処理液ノズル
29 ノズル搬送機構
31,33 現像処理室
38 現像ノズル
39 移動機構
50,60 流体ボックス部
81〜84,91〜95,161,162 洗浄乾燥処理室
98 流体供給系
99 廃棄系
100 基板処理装置
111 キャリア載置部
112,122,132,163 搬送部
113 キャリア
114 メインコントローラ
115,127,128,137,138,141,142,146 搬送装置
121 塗布処理部
123,133 熱処理部
125,135 上段搬送室
126,136 下段搬送室
129 塗布処理ユニット
131 塗布現像処理部
139 現像処理ユニット
211 スピンモータ
212,352 回転軸
213 スピンプレート
214 プレート支持部材
215 液供給管
220 チャックピン
221 軸部
222 ピン支持部
223 保持部
224 マグネット
231A,231B,232A,232B マグネットプレート
233A,233B,234A,234B マグネット昇降機構
290 補助ピン
300 ガード機構
301,303 上段熱処理部
302,304 下段熱処理部
310 ガード
320 ガード昇降駆動部
350 受け渡し機構
351 昇降回転駆動部
353,410,510 アーム
354 保持ピン
400 基板研磨部
410N,510N ノズル
411 アーム一端部
412 アーム本体部
413 アーム他端部
414 回転支持軸
415,417 プーリ
416 ベルト
418 モータ
420,520 アーム支持柱
430 アーム昇降駆動部
431 リニアガイド
432 エアシリンダ
433 電空レギュレータ
440 アーム回転駆動部
441 エンコーダ
500 基板洗浄部
700 基板洗浄装置
710 筐体
711,712,713,714 側壁
715 天井部
716 底面部
720 液受けバット
721 廃液部
780 研磨洗浄コントローラ
781 スピンチャック制御部
782 受け渡し機構制御部
783 ガード昇降制御部
784 基板上面用液供給制御部
785 除去情報記憶部
790 研磨制御部
791 回転制御部
792 昇降制御部
793 アーム制御部
794 基板下面用液供給制御部
795 洗浄制御部
B 磁力線
cb 洗浄ブラシ
CP 冷却ユニット
EEW エッジ露光部
p1 ヘッド待機位置
p2 ブラシ待機位置
PAHP 密着強化処理ユニット
PASS1〜PASS9 基板載置部
ph 研磨ヘッド
PHP 熱処理装置
P−BF1,P−BF2 載置兼バッファ部
P−CP 載置兼冷却部
R1 第1の領域
R2 第2の領域
R3 第3の領域
R4 第4の領域
SD2 洗浄乾燥処理ユニット
W 基板
WC 中心
WE 外周端部
Claims (9)
- 基板の一面の汚染を除去する基板洗浄装置であって、
基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、
基板の前記一面に接触可能に構成された研磨具と、
前記研磨具を前記回転保持部により回転される基板の前記一面に接触させつつ少なくとも当該基板の中心と外周部との間で移動させる第1の移動部と、
前記回転保持部により回転される基板の半径方向の位置に応じて前記研磨具による汚染の除去能力を変化させるように前記第1の移動部および前記回転保持部の少なくとも一方を制御する制御部とを備えた、基板洗浄装置。 - 前記制御部は、前記基板の前記一面に対する前記第1の移動部による前記洗浄具の押圧力を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項1記載の基板洗浄装置。
- 前記制御部は、前記基板の中心と外周部との間における前記第1の移動部による前記洗浄具の移動速度を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項1または2記載の基板洗浄装置。
- 前記第1の移動部は、前記研磨具を上下方向の軸の周りで回転させる回転駆動部を含み、
前記制御部は、前記研磨具を前記基板の前記一面に接触させつつ前記回転駆動部による前記研磨具の回転速度を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。 - 前記制御部は、前記回転保持部による基板の回転速度を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 前記回転保持部により回転される基板の前記一面に接触可能なブラシと、
基板の前記一面への前記研磨具の接触および前記研磨具の移動の後、前記ブラシを前記回転保持部により保持された基板の前記一面に接触させる第2の移動部とをさらに備えた、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。 - 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板の上面に感光性膜を塗布する塗布装置と、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板洗浄装置と、
前記塗布装置、前記基板洗浄装置および前記露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備え、
前記基板洗浄装置は、前記露光装置による基板の露光処理前に基板の前記一面としての下面の汚染を除去する、基板処理装置。 - 基板の一面の汚染を除去する基板洗浄方法であって、
基板を水平姿勢で保持して回転させるステップと、
前記回転させるステップにより回転される基板の前記一面に研磨具を接触させつつ少なくとも当該基板の中心と外周部との間で移動させるステップと、
前記回転させるステップにより回転される基板の半径方向の位置に応じて前記研磨具による汚染の除去能力を変化させるステップとを含む、基板洗浄方法。 - 基板の上面に感光性膜を塗布するステップと、
前記感光性膜が塗布された基板を露光するステップと、
前記露光するステップの前に請求項8記載の基板洗浄方法により基板の前記一面としての下面の汚染を除去するステップとを含む、基板処理方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016178817A JP6740065B2 (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 |
CN201710790418.0A CN107818928B (zh) | 2016-09-13 | 2017-09-05 | 基板清洗装置、基板处理装置、基板清洗方法及基板处理方法 |
US15/697,727 US20180071883A1 (en) | 2016-09-13 | 2017-09-07 | Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method |
TW106130752A TWI653101B (zh) | 2016-09-13 | 2017-09-08 | 基板洗淨裝置、基板處理裝置、基板洗淨方法及基板處理方法 |
KR1020170116556A KR102008061B1 (ko) | 2016-09-13 | 2017-09-12 | 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 세정 방법 및 기판 처리 방법 |
US16/840,520 US11203094B2 (en) | 2016-09-13 | 2020-04-06 | Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016178817A JP6740065B2 (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018046108A true JP2018046108A (ja) | 2018-03-22 |
JP2018046108A5 JP2018046108A5 (ja) | 2019-11-14 |
JP6740065B2 JP6740065B2 (ja) | 2020-08-12 |
Family
ID=61559442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016178817A Active JP6740065B2 (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20180071883A1 (ja) |
JP (1) | JP6740065B2 (ja) |
KR (1) | KR102008061B1 (ja) |
CN (1) | CN107818928B (ja) |
TW (1) | TWI653101B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020155759A (ja) * | 2019-03-13 | 2020-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム、および接合方法 |
WO2023047746A1 (ja) * | 2021-09-22 | 2023-03-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
WO2023176051A1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108705421A (zh) * | 2018-08-21 | 2018-10-26 | 德清明宇电子科技有限公司 | 一种e型磁芯打磨装置 |
JP7442314B2 (ja) * | 2019-12-24 | 2024-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
CN112223084A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-15 | 陈明福 | 一种汽车生产用零部件抛光设备 |
CN112298923B (zh) * | 2020-11-10 | 2021-10-29 | 常德东旺建材科技有限责任公司 | 一种环保砖生产用的砖料输送装置 |
CN112958752B (zh) * | 2021-01-29 | 2022-04-08 | 景德镇航胜航空机械有限公司 | 一种铝镁合金精密压铸件表面处理工艺 |
US20230340687A1 (en) * | 2021-03-17 | 2023-10-26 | Ebara Corporation | Plating apparatus and cleaning method of contact member of plating apparatus |
JP2022152042A (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-12 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
CN113042425B (zh) * | 2021-04-30 | 2022-04-29 | 深圳源明杰科技股份有限公司 | 一种智能卡表面清洗机 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10223597A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JPH118212A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Sony Corp | ウェーハ洗浄方法及びその装置 |
JPH1140530A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置 |
JPH11238714A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
JP2002198345A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 半導体ウエハの洗浄方法 |
JP2009238861A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2011103394A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Seiwa Kogyo Kk | 基板処理装置 |
JP2012023209A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置、これを備える塗布現像装置、および基板洗浄方法 |
JP2016025259A (ja) * | 2014-07-23 | 2016-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09148295A (ja) | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
JP3756284B2 (ja) | 1997-04-30 | 2006-03-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
JPH11138426A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 研磨装置 |
JP3333733B2 (ja) * | 1998-02-20 | 2002-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置 |
US20020023715A1 (en) | 2000-05-26 | 2002-02-28 | Norio Kimura | Substrate polishing apparatus and substrate polishing mehod |
JP3916846B2 (ja) * | 2000-05-26 | 2007-05-23 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置及び基板研磨方法 |
KR100877044B1 (ko) * | 2000-10-02 | 2008-12-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 세정처리장치 |
US6683006B2 (en) * | 2001-06-25 | 2004-01-27 | Tokyo Electron Limited | Film forming method and film forming apparatus |
JP4939376B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2012-05-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
KR101004435B1 (ko) | 2008-11-28 | 2010-12-28 | 세메스 주식회사 | 기판 연마 장치 및 이를 이용한 기판 연마 방법 |
SG10201508329UA (en) * | 2014-10-10 | 2016-05-30 | Ebara Corp | Buffing apparatus and substrate processing apparatus |
JP6503194B2 (ja) * | 2015-02-16 | 2019-04-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
-
2016
- 2016-09-13 JP JP2016178817A patent/JP6740065B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-05 CN CN201710790418.0A patent/CN107818928B/zh active Active
- 2017-09-07 US US15/697,727 patent/US20180071883A1/en not_active Abandoned
- 2017-09-08 TW TW106130752A patent/TWI653101B/zh active
- 2017-09-12 KR KR1020170116556A patent/KR102008061B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-04-06 US US16/840,520 patent/US11203094B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10223597A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JPH118212A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Sony Corp | ウェーハ洗浄方法及びその装置 |
JPH1140530A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置 |
JPH11238714A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
JP2002198345A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 半導体ウエハの洗浄方法 |
JP2009238861A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2011103394A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Seiwa Kogyo Kk | 基板処理装置 |
JP2012023209A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置、これを備える塗布現像装置、および基板洗浄方法 |
JP2016025259A (ja) * | 2014-07-23 | 2016-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020155759A (ja) * | 2019-03-13 | 2020-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム、および接合方法 |
JP7365827B2 (ja) | 2019-03-13 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム、および接合方法 |
WO2023047746A1 (ja) * | 2021-09-22 | 2023-03-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
WO2023176051A1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200230778A1 (en) | 2020-07-23 |
US20180071883A1 (en) | 2018-03-15 |
KR20180029923A (ko) | 2018-03-21 |
JP6740065B2 (ja) | 2020-08-12 |
CN107818928A (zh) | 2018-03-20 |
US11203094B2 (en) | 2021-12-21 |
TW201811451A (zh) | 2018-04-01 |
TWI653101B (zh) | 2019-03-11 |
CN107818928B (zh) | 2023-12-15 |
KR102008061B1 (ko) | 2019-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6740065B2 (ja) | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 | |
JP6740066B2 (ja) | 基板洗浄装置、基板処理装置および基板洗浄方法 | |
KR101798320B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP5841389B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4845463B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6316082B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2006012880A (ja) | 基板反転装置、基板搬送装置、基板処理装置、基板反転方法、基板搬送方法および基板処理方法 | |
JP2010219434A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5002471B2 (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6992131B2 (ja) | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 | |
JP6684191B2 (ja) | 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置 | |
JP2008098598A (ja) | 露光・現像処理方法 | |
JP2008288447A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007173732A (ja) | 基板処理装置 | |
TWI654036B (zh) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JPH10247621A (ja) | レジスト処理方法及びレジスト処理システム | |
KR20230024704A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2010219435A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007317985A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190624 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200630 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200722 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6740065 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |