JP2018046108A5 - - Google Patents
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Description
基板に形成されるパターンをより微細化することが望まれている。基板の裏面に汚染物が残存したり、基板の裏面に吸着痕または接触痕等が残存すると、基板の裏面が不均一となり、高い精度で露光処理を行うことが難しい。そのため、パターン形成の精度が低下する。したがって、基板の裏面に残存する汚染物、吸着痕および接触痕等を除去する必要がある。しかしながら、特許文献1に記載された洗浄/乾燥処理ユニットでは、基板の裏面に強固に付着する汚染物、ならびに基板の裏面に強固に形成される吸着痕および接触痕等を除去することは難しい。
本発明の目的は、基板の一面を清浄かつ均一にすることが可能な基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法を提供することである。
(2)制御部は、基板の一面に対する第1の移動部による研磨具の押圧力を変化させることにより研磨具による汚染の除去能力を変化させてもよい。それにより、簡単な制御で研磨具による汚染の除去能力を変化させることができる。
(3)制御部は、基板の中心と外周部との間における第1の移動部による研磨具の移動速度を変化させることにより研磨具による汚染の除去能力を変化させてもよい。それにより、簡単な制御で研磨具による汚染の除去能力を変化させることができる。
筐体710は、4つの側壁711,712,713,714(図1)、天井部715(図2)および底面部716(図2)を有する。側壁711,713が互いに対向するとともに、側壁712,714が互いに対向する。側壁711には、筐体710の内部と外部との間で基板Wを搬入および搬出するための図示しない開口が形成されている。なお、図1では天井部715の図示が省略され、図2では側壁713の図示が省略され、図3では側壁714の図示が省略される。
基本的に、一定の回転速度で基板Wが回転する場合、上記の速度差は、研磨ヘッドphが基板Wの中心WCから基板Wの外周端部WEに近づくにつれて一定の割合で大きくなる。そのため、基板Wの下面全体を均一な除去能力で研磨する場合には、図18に一点鎖線で示すように、基板Wの回転速度は、研磨ヘッドphが基板Wの中心WCから基板Wの外周端部WEに近づくにつれて一定の割合で連続的に小さくなるように調整される。
(7)基板処理装置
図19は、図1の基板洗浄装置700を備えた基板処理装置100の模式的平面図である。図19および後述する図20〜図22には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
図19は、図1の基板洗浄装置700を備えた基板処理装置100の模式的平面図である。図19および後述する図20〜図22には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
熱処理装置PHPにおいては、基板Wの加熱処理が行われる。密着強化処理ユニットPAHPにおいては、基板Wと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットPAHPにおいて、基板WにHMDS(ヘキサメチルジシラザン)等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Wに加熱処理が行われる。冷却ユニットCPにおいては、基板Wの冷却処理が行われる。
Claims (9)
- 基板の一面の汚染を除去する基板洗浄装置であって、
基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、
基板の前記一面に接触可能に構成された研磨具と、
前記研磨具を前記回転保持部により回転される基板の前記一面に接触させつつ少なくとも当該基板の中心と外周部との間で移動させる第1の移動部と、
前記回転保持部により回転される基板の半径方向の位置に応じて前記研磨具による汚染の除去能力を変化させるように前記第1の移動部および前記回転保持部の少なくとも一方を制御する制御部とを備えた、基板洗浄装置。 - 前記制御部は、前記基板の前記一面に対する前記第1の移動部による前記研磨具の押圧力を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項1記載の基板洗浄装置。
- 前記制御部は、前記基板の中心と外周部との間における前記第1の移動部による前記研磨具の移動速度を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項1または2記載の基板洗浄装置。
- 前記第1の移動部は、前記研磨具を上下方向の軸の周りで回転させる回転駆動部を含み、
前記制御部は、前記研磨具を前記基板の前記一面に接触させつつ前記回転駆動部による前記研磨具の回転速度を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。 - 前記制御部は、前記回転保持部による基板の回転速度を変化させることにより前記研磨具による汚染の除去能力を変化させる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 前記回転保持部により回転される基板の前記一面に接触可能なブラシと、
基板の前記一面への前記研磨具の接触および前記研磨具の移動の後、前記ブラシを前記回転保持部により保持された基板の前記一面に接触させる第2の移動部とをさらに備えた、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。 - 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板の上面に感光性膜を塗布する塗布装置と、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板洗浄装置と、
前記塗布装置、前記基板洗浄装置および前記露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備え、
前記基板洗浄装置は、前記露光装置による基板の露光処理前に基板の前記一面としての下面の汚染を除去する、基板処理装置。 - 基板の一面の汚染を除去する基板洗浄方法であって、
基板を水平姿勢で保持して回転させるステップと、
前記回転させるステップにより回転される基板の前記一面に研磨具を接触させつつ少なくとも当該基板の中心と外周部との間で移動させるステップと、
前記回転させるステップにより回転される基板の半径方向の位置に応じて前記研磨具による汚染の除去能力を変化させるステップとを含む、基板洗浄方法。 - 基板の上面に感光性膜を塗布するステップと、
前記感光性膜が塗布された基板を露光するステップと、
前記露光するステップの前に請求項8記載の基板洗浄方法により基板の前記一面としての下面の汚染を除去するステップとを含む、基板処理方法。
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