TWI653101B - 基板洗淨裝置、基板處理裝置、基板洗淨方法及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

於基板洗淨裝置中，於研磨頭接觸藉由旋轉夾頭而旋轉之基板之一面之狀態下，該研磨頭至少於基板之中心與外周部之間移動。藉此，基板之一面經研磨頭研磨，而去除存在於基板之一面上之污染。此時，研磨頭之污染之去除能力對應於基板之半徑方向之位置而變化。所謂污染之去除能力係指藉由研磨而磨去附著於基板之一面之污染物、以及殘存於基板之一面之吸附痕跡及接觸痕跡等的能力。污染之去除能力例如可藉由調整自研磨頭作用於基板之一面之按壓力而變化。

Description

基板洗淨裝置、基板處理裝置、基板洗淨方法及基板處理方法
本發明係關於一種進行基板之洗淨之基板洗淨裝置、基板處理裝置、基板洗淨方法及基板處理方法。
於半導體裝置等之製造中之微影步驟中，藉由對基板上供給抗蝕液等塗佈液而形成塗佈膜。藉由對塗佈膜曝光後進行顯影，而於塗佈膜形成特定之圖案。對塗佈膜被曝光之前之基板進行洗淨處理(例如參照日本專利特開2009-123800號公報)。 於日本專利特開2009-123800號公報中記載有具有洗淨/乾燥處理單元之基板處理裝置。於洗淨/乾燥處理單元中，藉由旋轉夾頭使基板於水平地保持之狀態下旋轉。於該狀態下，藉由對基板之表面供給洗淨液，而沖洗基板之表面上所附著之塵埃等。又，藉由利用洗淨液及洗淨刷洗淨基板之整個背面及外周端部，而去除基板之整個背面及外周端部上所附著之污染物。
較理想為使形成於基板之圖案更微細化。若於基板之背面殘存污染物、例如塵埃或經SiO2 膜或SiN膜覆蓋之塵埃等，或於基板之背面殘存吸附痕跡或接觸痕跡等，則基板之背面變得不均勻，難以高精度地進行曝光處理。因此，圖案形成之精度降低。因此，必須將殘存於基板之背面之污染物、吸附痕跡及接觸痕跡等去除。然而，於日本專利特開2009-123800號公報所記載之洗淨/乾燥處理單元中，難以將牢固地附著於基板之背面之污染物、以及牢固地形成於基板之背面之吸附痕跡及接觸痕跡等去除。 本發明之目的在於提供一種能夠使基板之一面潔淨且均勻之基板洗淨裝置、基板處理裝置、基板洗淨方法及基板處理方法。 (1)按照本發明之一態樣之基板洗淨裝置係去除基板之一面之污染者，且具備：旋轉保持部，其將基板以水平姿勢保持並使其旋轉；研磨工具，其構成為能夠接觸基板之一面；第1移動部，其使研磨工具一邊接觸藉由旋轉保持部而旋轉之基板之一面，一邊至少於該基板之中心與外周部之間移動；及控制部，其以對應於藉由旋轉保持部而旋轉之基板之半徑方向之位置而使研磨工具之污染之去除能力變化之方式控制第1移動部及旋轉保持部之至少一者。 於該基板洗淨裝置中，於研磨工具接觸旋轉之基板之一面之狀態下，使該研磨工具至少於該基板之中心與外周部之間移動。於此情形時，藉由利用研磨工具對基板之一面進行研磨，而去除基板之一面之牢固之污染。 根據上述構成，藉由於基板之一面之存在污染之部分與不存在污染之部分使利用研磨工具之污染之去除能力變化，可防止基板之一面被不均勻地研磨並且去除污染。藉此，可使基板之一面潔淨且均勻。 (2)亦可為，控制部係藉由使利用第1移動部對研磨工具之按壓力變化，而使研磨工具對基板之一面之污染之去除能力變化。藉此，以簡單之控制便可使利用研磨工具之污染之去除能力變化。 (3)亦可為，控制部係藉由利用第1移動部使研磨工具於基板之中心與外周部之間之移動速度變化，而使研磨工具之污染之去除能力變化。藉此，以簡單之控制便可使利用研磨工具之污染之去除能力變化。 (4)亦可為，第1移動部包含使研磨工具繞上下方向之軸旋轉之旋轉驅動部，且控制部藉由一邊使研磨工具接觸基板之一面，一邊使利用旋轉驅動部使研磨工具旋轉之速度變化，而使研磨工具之污染之去除能力變化。藉此，以簡單之控制便可使利用研磨工具之污染之去除能力變化。 (5)亦可為，控制部藉由使利用旋轉保持部之基板之旋轉速度變化，而使研磨工具之污染之去除能力變化。藉此，以簡單之控制便可使利用研磨工具之污染之去除能力變化。 (6)亦可為，基板洗淨裝置進而具備：刷，其能夠接觸藉由旋轉保持部而旋轉之基板之一面；及第2移動部，其於研磨工具與基板之一面接觸及研磨工具之移動後，使刷接觸由旋轉保持部保持之基板之一面。 於此情形時，於利用研磨工具進行基板之一面之研磨後，藉由刷將基板之一面洗淨。藉此，去除因基板之一面之研磨而產生之污染物。因此，可使基板之一面更潔淨。 (7)按照本發明之另一態樣之基板處理裝置係以鄰接於曝光裝置之方式配置者，具備：塗佈裝置，其於基板之上表面塗佈感光性膜；上述基板洗淨裝置；及搬送裝置，其於塗佈裝置、基板洗淨裝置及曝光裝置之間搬送基板；且基板洗淨裝置於利用曝光裝置對基板進行曝光處理前去除作為基板之一面之下表面之污染。 於該基板處理裝置中，藉由上述基板洗淨裝置去除曝光處理前之基板之下表面之污染。根據上述基板洗淨裝置，可使基板之下表面潔淨且均勻。其結果為，抑制因基板之下表面之污染所引起之基板之處理不良之產生。 (8)按照本發明之又一態樣之基板洗淨方法係將基板之一面之污染去除者，包括以下步驟：將基板以水平姿勢保持並使其旋轉；使研磨工具一邊接觸藉由旋轉之步驟旋轉之基板之一面，一邊至少於該基板之中心與外周部之間移動；及對應於藉由旋轉步驟而旋轉之基板之半徑方向之位置，而使利用研磨工具之污染之去除能力變化。 於該基板洗淨方法中，於研磨工具接觸旋轉之基板之一面之狀態下，該研磨工具至少於該基板之中心與外周部之間移動。於此情形時，藉由利用研磨工具研磨基板之一面，而去除基板之一面之牢固之污染。 根據上述方法，藉由於基板之一面之存在污染之部分與不存在污染之部分使利用研磨工具之污染之去除能力變化，可防止基板之一面被不均勻地研磨並且去除污染。藉此，可使基板之一面潔淨且均勻。 (9)按照本發明之又一態樣之基板處理方法包括以下步驟：於基板之上表面塗佈感光性膜；對塗佈有感光性膜之基板進行曝光；及於曝光步驟之前，藉由上述基板洗淨方法將作為基板之一面之下表面之污染去除。 於該基板處理方法中，藉由上述基板洗淨方法將曝光處理前之基板之下表面之污染去除。根據上述基板洗淨方法，可使基板之下表面潔淨且均勻。其結果為，抑制因基板之下表面之污染所引起之基板之處理不良之產生。
以下，使用圖式對本發明之一實施形態之基板洗淨裝置、基板處理裝置、基板洗淨方法及基板處理方法進行說明。再者，於以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等。又，所謂基板之上表面係指朝向上方之基板之面，所謂基板之下表面係指朝向下方之基板之面。 (1)基板洗淨裝置 圖1係表示本發明之一實施形態之基板洗淨裝置之概略構成之模式性俯視圖，圖2係於箭頭M之方向上觀察圖1之基板洗淨裝置700之模式性側視圖，圖3係於箭頭N之方向上觀察圖1之基板洗淨裝置700之模式性側視圖。 如圖1～圖3所示，基板洗淨裝置700包含旋轉夾頭200、防護機構300、複數個(本例中為3個)交接機構350、基板研磨部400、基板洗淨部500、殼體710、液體收容槽720及研磨洗淨控制器780。圖2及圖3中省略研磨洗淨控制器780之圖示。 殼體710具有4個側壁711、712、713、714(圖1)、頂壁部715(圖2)及底面部716(圖2)。側壁711、713相互對向，並且側壁712、714相互對向。於側壁711形成有用以於殼體710之內部與外部之間將基板W搬入及搬出之未圖示之開口。再者，圖1中省略頂壁部715之圖示，圖2中省略側壁713之圖示，圖3中省略側壁714之圖示。 於以下之說明中，將自殼體710之內部通過側壁711朝向殼體710之外側之方向稱為基板洗淨裝置700之前方，將自殼體710之內部通過側壁713朝向殼體710之外側之方向稱為基板洗淨裝置700之後方。又，將自殼體710之內部通過側壁712朝向殼體710之外側之方向稱為基板洗淨裝置700之左方，將自殼體710之內部通過側壁714朝向殼體710之外側之方向稱為基板洗淨裝置700之右方。 於殼體710之內部，在中央部上方之位置設置有旋轉夾頭200。旋轉夾頭200將基板W以水平姿勢保持並使其旋轉。圖1～圖3中，由旋轉夾頭200保持之基板W以較粗之二點鏈線表示。如圖2及圖3所示，旋轉夾頭200經由配管連接於流體供給系統98。流體供給系統98包含配管、閥、流量計、調整器、泵、溫度調節器等，能夠對旋轉夾頭200之後述之液體供給管215(圖6)供給洗淨液。 於旋轉夾頭200之下方，以包圍旋轉夾頭200之下方之空間之方式設置有防護機構300及3個交接機構350。防護機構300包含防護件310及防護件升降驅動部320。旋轉夾頭200、防護機構300及3個交接機構350之詳細情況於下文敍述。 於較防護機構300及複數個交接機構350靠左方設置有基板研磨部400。基板研磨部400包含臂410及臂支持柱420。臂支持柱420於後方之側壁713之附近沿上下方向延伸。臂410於其一端部於臂支持柱420之內部可升降且可旋轉地被支持之狀態下自臂支持柱420沿水平方向延伸。 於臂410之另一端部安裝有研磨頭ph，該研磨頭ph係藉由研磨將由旋轉夾頭200保持之基板W之下表面之污染去除。於本發明中，所謂基板W之污染係指基板W因污染物、吸附痕跡或接觸痕跡等而變髒之狀態。 研磨頭ph具有圓柱形狀，例如由分散有研磨粒之PVA(聚乙烯醇)海綿所形成。於臂410之內部設置有使研磨頭ph繞其軸心旋轉之驅動系統(參照後述之圖4)。研磨頭ph之外徑小於基板W之直徑。於基板W之直徑為300 mm之情形時，研磨頭ph之外徑設定為例如20 mm左右。 於研磨頭ph之附近之臂410之部分安裝有噴嘴410N。如圖2所示，噴嘴410N經由配管連接於流體供給系統98。流體供給系統98可對噴嘴410N供給洗淨液。本實施形態中，使用純水作為洗淨液。噴嘴410N之噴出口朝向研磨頭ph之上端面(研磨面)周邊。 於未進行利用研磨頭ph之研磨之狀態下，臂410以於基板洗淨裝置700之前後方向上延伸之方式支持於臂支持柱420。此時，研磨頭ph位於由旋轉夾頭200保持之基板W之外側(左方)。如此，將於臂410在前後方向上延伸之狀態下配置研磨頭ph之位置稱為頭待機位置p1。圖1中，頭待機位置p1以二點鏈線表示。 於進行利用研磨頭ph之研磨時，臂410以臂支持柱420為中心旋轉。藉此，於較基板W更下方之高度下，如圖1中較粗之箭頭a1所示，研磨頭ph於與由旋轉夾頭200保持之基板W之中心對向之位置與頭待機位置p1之間移動。又，以研磨頭ph之上端面(研磨面)接觸基板W之下表面之方式調整臂410之高度。 於較防護機構300及複數個之交接機構350靠右方設置有基板洗淨部500。基板洗淨部500包含臂510及臂支持柱520。臂支持柱520於後方之側壁713之附近沿上下方向延伸。臂510於其一端部於臂支持柱520之內部可升降且可旋轉地被支持之狀態下自臂支持柱520沿水平方向延伸。 於臂510之另一端部安裝有洗淨刷cb，該洗淨刷cb對由旋轉夾頭200保持之基板W之下表面進行洗淨時不研磨。洗淨刷cb具有圓柱形狀，例如由PVA海綿形成。於臂510之內部設置有使洗淨刷cb繞其軸心旋轉之驅動系統(未圖示)。本例中，洗淨刷cb之外徑與研磨頭ph之外徑相等。再者，洗淨刷cb之外徑與研磨頭ph之外徑亦可設定為互不相同之大小。 於洗淨刷cb之附近之臂510之部分安裝有噴嘴510N。如圖2所示，噴嘴510N經由配管連接於流體供給系統98。流體供給系統98可對噴嘴510N供給洗淨液。噴嘴510N之噴出口朝向洗淨刷cb之上端面(洗淨面)周邊。 於未進行利用洗淨刷cb之洗淨之狀態下，臂510以於基板洗淨裝置700之前後方向上延伸之方式支持於臂支持柱520。此時，洗淨刷cb位於由旋轉夾頭200保持之基板W之外側(右方)。如此，將於臂510在前後方向上延伸之狀態下配置洗淨刷cb之位置稱為刷待機位置p2。圖1中，刷待機位置p2以二點鏈線表示。 於進行利用洗淨刷cb之洗淨時，臂510以臂支持柱520為中心旋轉。藉此，於較基板W更下方之高度下，如圖1中較粗之箭頭a2所示，洗淨刷cb於與由旋轉夾頭200保持之基板W之中心對向之位置與刷待機位置p2之間移動。又，以洗淨刷cb之上端面(洗淨面)接觸基板W之下表面之方式調整臂510之高度。 於基板洗淨裝置700之底面部716上，以位於旋轉夾頭200、防護機構300、複數個交接機構350、基板研磨部400及基板洗淨部500之下方之方式設置有液體收容槽720。液體收容槽720接住自殼體710內之各部落下之洗淨液。如圖2及圖3所示，於液體收容槽720設置有廢液部721。廢液部721經由配管連接於廢棄系統99。 研磨洗淨控制器780包含CPU(中央運算處理裝置)、ROM(唯讀記憶體)及RAM(隨機存取記憶體)等。ROM中記憶控制程式。CPU藉由使用RAM執行ROM中記憶之控制程式而控制基板洗淨裝置700之各部之動作。 於本實施形態之基板洗淨裝置700中，於利用基板研磨部400之研磨頭ph進行之基板W之下表面之研磨時，可使利用研磨頭ph之污染之去除能力對應於基板W之半徑方向之位置而變化。此處，所謂去除能力係指去除基板W之污染之能力，具體而言，係指藉由研磨磨去附著於基板之一面(本例中為下表面)之污染物、殘存於基板之一面之吸附痕跡、或殘存於基板之一面之接觸痕跡等的能力。 於研磨洗淨控制器780之ROM或RAM中進而記憶有去除資訊，該去除資訊表示應對應於基板W之半徑方向之位置而設定之污染之去除能力。去除資訊例如藉由基板洗淨裝置700之使用者操作未圖示之操作部而產生。去除資訊之詳細情況於下文敍述。 (2)基板研磨部及基板洗淨部之詳細情況 圖1～圖3之基板研磨部400及基板洗淨部500除了設置於臂410、510之另一端部之構件(研磨頭ph及洗淨刷cb)不同之方面以外，具有基本上相同之構成。因此，基板研磨部400及基板洗淨部500中，代表性地說明基板研磨部400之構成。 圖4係表示圖1及圖2之基板研磨部400之構成之模式性側視圖。如圖4所示，臂410包含一體地連接之臂一端部411、臂本體部412及臂另一端部413。於臂支持柱420之內部設置有可升降地支持臂410之臂一端部411之臂升降驅動部430。又，於臂支持柱420之內部設置有臂旋轉驅動部440，該臂旋轉驅動部440支持臂410及臂升降驅動部430使之可繞臂支持柱420之軸心旋轉。 於臂一端部411之內部設置有滑輪417及馬達418。滑輪417連接於馬達418之旋轉軸。又，於臂另一端部413之內部設置有旋轉支持軸414及滑輪415。研磨頭ph安裝於旋轉支持軸414之上端部。滑輪415安裝於旋轉支持軸414之下端部。進而，於臂本體部412之內部設置有連接2個滑輪415、417之皮帶416。若馬達418基於圖1之研磨洗淨控制器780之控制而動作，則馬達418之旋轉力經由滑輪417、皮帶416、滑輪415及旋轉支持軸414而傳遞至研磨頭ph。藉此，研磨頭ph繞上下方向之軸旋轉。 臂升降驅動部430包含沿鉛垂方向延伸之線性導軌431、氣缸432及電動氣動調整器433。於線性導軌431，可升降地安裝有臂一端部411。於該狀態下，臂一端部411連接於氣缸432。 氣缸432設置為藉由經由電動氣動調整器433被供給空氣而能夠於鉛垂方向上伸縮。電動氣動調整器433係由圖1之研磨洗淨控制器780控制之電氣控制式調整器。氣缸432之長度對應於自電動氣動調整器433賦予至氣缸432之空氣之壓力而變化。藉此，臂一端部411移動至與氣缸432之長度對應之高度。 臂旋轉驅動部440包含例如馬達及複數個齒輪等，由圖1之研磨洗淨控制器780予以控制。於臂支持柱420進而設置有用以檢測臂410之旋轉角度之編碼器441。編碼器441以研磨頭ph位於頭待機位置p1時之臂410之延伸之方向為基準而檢測臂410之旋轉角度，將表示檢測結果之信號賦予至圖1之研磨洗淨控制器780。藉此，反饋控制臂410之旋轉角度。 (3)旋轉夾頭、防護機構及複數個基板交接機構之詳細情況 首先，對藉由圖1之旋轉夾頭200保持之基板W之外周端部之構造進行說明。圖5係表示基板W之外周端部之構造之放大側視圖。如圖5所示，基板W之外周端部WE包含上表面側之斜面部1、下表面側之斜面部2及端面3。於以下之說明中，所謂基板W之下表面周緣部係指自基板W之斜面部2至相隔特定寬度之內側之區域，該寬度小於研磨頭ph及洗淨刷cb之外徑。 圖6係用以說明圖1之旋轉夾頭200及其周邊構件之構成之概略側視圖，圖7係用以說明圖1之旋轉夾頭200及其周邊構件之構成之概略俯視圖。圖6及圖7中，由旋轉夾頭200保持之基板W以較粗之二點鏈線表示。 如圖6及圖7所示，旋轉夾頭200包含旋轉馬達211、圓板狀之旋轉板213、板支持構件214、4個磁板231A、231B、232A、232B、4個磁體升降機構233A、233B、234A、234B、複數個夾盤銷220及複數個輔助銷290。 旋轉馬達211於較圖1之殼體710內部之中央略靠上方之位置由未圖示之支持構件支持。旋轉馬達211具有向下方延伸之旋轉軸212。於旋轉軸212之下端部安裝有板支持構件214。藉由板支持構件214而水平地支持旋轉板213。藉由旋轉馬達211進行動作，旋轉軸212旋轉，旋轉板213繞鉛垂軸旋轉。 於旋轉軸212及板支持構件214插通有液體供給管215。液體供給管215之一端較板支持構件214之下端部向下方突出。液體供給管215之另一端經由配管連接於流體供給系統98。於由旋轉夾頭200保持之基板W之上表面上，可自流體供給系統98通過液體供給管215噴出洗淨液。 複數個夾盤銷220關於旋轉軸212以等角度間隔設置於旋轉板213之周緣部。本例中，8個夾盤銷220關於旋轉軸212以45度間隔設置於旋轉板213之周緣部。各夾盤銷220包含軸部221、銷支持部222、保持部223及磁體224。 軸部221以於垂直方向上貫通旋轉板213之方式設置。銷支持部222以自軸部221之下端部朝水平方向延伸之方式設置。保持部223以自銷支持部222之前端部向下方突出之方式設置。又，於旋轉板213之上表面側，於軸部221之上端部安裝有磁體224。 各夾盤銷220能夠以軸部221為中心而繞鉛垂軸旋轉，能夠切換為保持部223接觸基板W之外周端部WE(圖5)之關閉狀態與保持部223遠離基板W之外周端部WE之打開狀態。再者，本例中，於磁體224之N極位於內側之情形時，各夾盤銷220成為關閉狀態，於磁體224之S極位於內側之情形時，各夾盤銷220成為打開狀態。又，於關閉狀態下，保持部223接觸基板W之斜面部1、2(圖5)。 於旋轉板213之上方，如圖7所示，以沿以旋轉軸212為中心之圓周方向排列之方式配置有圓弧狀之4個磁板231A、231B、232A、232B。4個磁板231A、231B、232A、232B中之磁板232A藉由圖1之基板研磨部400之臂410進行旋轉而位於研磨頭ph移動之路徑之上方。又，磁板232B藉由圖1之基板洗淨部500之臂510進行旋轉而位於洗淨刷cb移動之路徑之上方。 磁板231A、231B、232A、232B之各者於外側具有S極，於內側具有N極。磁體升降機構233A、233B、234A、234B使磁板231A、231B、232A、232B分別升降。藉此，磁板231A、231B、232A、232B能夠於較夾盤銷220之磁體224高之上方位置與和夾盤銷220之磁體224大致相等之高度之下方位置之間獨立地移動。 藉由磁板231A、231B、232A、232B之升降，各夾盤銷220切換為打開狀態與關閉狀態。具體而言，各夾盤銷220於複數個磁板231A、231B、232A、232B中最接近之磁板位於上方位置之情形時成為打開狀態。另一方面，各夾盤銷220於最接近之磁板位於下方位置之情形時成為關閉狀態。 如圖6及圖7所示，複數個輔助銷290以關於旋轉軸212以等角度間隔且不與複數個夾盤銷220干涉之方式設置於旋轉板213之周緣部。本例中，8個輔助銷290關於旋轉軸212以45度間隔設置於旋轉板213之周緣部。各輔助銷290於相鄰之2個夾盤銷220之中間位置以於垂直方向上貫通旋轉板213之方式配置。於各夾盤銷220成為關閉狀態，保持部223接觸基板W之斜面部1、2(圖5)之狀態下，各輔助銷290之一部分接觸基板W之斜面部1。此時，輔助銷290之下端部以未較基板W向下方突出之方式形成。 輔助銷290於基板W之下表面之研磨時，使基板W產生對抗藉由基板研磨部400之研磨頭ph對基板W之下表面施加之按壓力的反作用力。又，輔助銷290於基板W之下表面之洗淨時，使基板W產生對抗藉由基板洗淨部500之洗淨刷cb對基板W之下表面施加之按壓力的反作用力。 如上所述，防護機構300包含防護件310及防護件升降驅動部320。圖6中，以縱截面圖表示防護件310。防護件310具有關於旋轉夾頭200之旋轉軸212呈旋轉對稱之形狀，設置於較旋轉夾頭200及其下方之空間靠外側。防護件升降驅動部320使防護件310升降。防護件310於基板W之研磨及洗淨時接住自基板W飛散之洗淨液，導向圖1之液體收容槽720。 複數個交接機構350以旋轉夾頭200之旋轉軸212為中心以等角度間隔配置於防護件310之外側。各交接機構350包含升降旋轉驅動部351、旋轉軸352、臂353及保持銷354。 旋轉軸352以自升降旋轉驅動部351向上方延伸之方式設置。臂353以自旋轉軸352之上端部向水平方向延伸之方式設置。保持銷354以可保持基板W之外周端部WE之方式設置於臂353之前端部。藉由升降旋轉驅動部351，旋轉軸352進行升降動作及旋轉動作。藉此，保持銷354於水平方向及上下方向上移動。 (4)基板洗淨裝置之控制系統 圖8係表示圖1之基板洗淨裝置700之控制系統之構成之方塊圖。圖8中表示研磨洗淨控制器780之功能性構成。研磨洗淨控制器780包含旋轉夾頭控制部781、交接機構控制部782、防護件升降控制部783、基板上表面用液體供給控制部784、去除資訊記憶部785、研磨控制部790及洗淨控制部795。研磨控制部790進而包含旋轉控制部791、升降控制部792、臂控制部793及基板下表面用液體供給控制部794。圖8之研磨洗淨控制器780之各部之功能係藉由CPU執行控制程式而實現。 研磨控制部790之各構成要素控制基板研磨部400之各部之動作。更具體而言，旋轉控制部791係藉由控制基板研磨部400之馬達418而調整研磨頭ph(圖4)之旋轉速度。升降控制部792係藉由控制基板研磨部400之電動氣動調整器433而調整研磨頭ph(圖4)之高度。臂控制部793係藉由基於來自基板研磨部400之編碼器441之信號控制臂旋轉驅動部440而反饋控制臂410(圖4)之旋轉角度。基板下表面用液體供給控制部794係藉由控制流體供給系統98而調整自基板研磨部400之噴嘴410N(圖4)向基板W之洗淨液之供給量。 洗淨控制部795控制基板洗淨部500之動作。如上所述，基板洗淨部500具有基本上與基板研磨部400相同之構成。因此，洗淨控制部795亦具有基本上與研磨控制部790相同之構成。 旋轉夾頭控制部781控制旋轉夾頭200之各部之動作。交接機構控制部782控制設置於基板洗淨裝置700之複數個交接機構350之動作。防護件升降控制部783藉由控制防護機構300之防護件升降驅動部320(圖1)而調整防護件310(圖1)之高度。基板上表面用液體供給控制部784藉由控制流體供給系統98而調整自旋轉夾頭200之液體供給管215(圖6)向基板W之洗淨液之供給量。去除資訊記憶部785主要由研磨洗淨控制器780之ROM或RAM之一部分構成，記憶上述去除資訊。 (5)利用基板洗淨裝置之基板之下表面之研磨及洗淨 於圖1之基板洗淨裝置700中，例如於將基板W搬入至殼體710內後，依序連續地執行基板W之上表面之洗淨、基板W之下表面之研磨及基板W之下表面之洗淨。對此時之基板洗淨裝置700之基本動作進行說明。 圖9及圖10係表示向殼體710內搬入基板W時之基板洗淨裝置700之動作之側視圖。首先，如圖9(a)所示，防護件310移動至較夾盤銷220低之位置。繼而，複數個交接機構350(圖6)之保持銷354通過防護件310之上方而移動至旋轉板213之下方。藉由未圖示之搬送機構將基板W載置於複數個保持銷354上。 此時，所有的磁板231A、231B、232A、232B(圖7)位於上方位置。於此情形時，磁板231A、231B、232A、232B之磁力線B於夾盤銷220之磁體224之高度上自內側朝向外側。藉此，各夾盤銷220之磁體224之S極被吸引至內側。因此，各夾盤銷220成為打開狀態。 其次，如圖9(b)所示，複數個保持銷354於保持基板W之狀態下上升。藉此，基板W移動至複數個夾盤銷220之保持部223間。又，基板W之斜面部1(圖5)接觸複數個輔助銷290。 繼而，如圖10(a)所示，所有的磁板231A、231B、232A、232B(圖7)移動至下方位置。於此情形時，各夾盤銷220之磁體224之N極被吸引至內側，各夾盤銷220成為關閉狀態。藉此，於基板W之斜面部1(圖5)接觸複數個輔助銷290之狀態下，藉由各夾盤銷220之保持部223而保持基板W之斜面部1、2(圖5)。其後，複數個保持銷354移動至旋轉夾頭200之外側。 其次，如圖10(b)所示，防護件310移動至包圍由夾盤銷220保持之基板W之高度。於該狀態下，開始基板W之上表面之洗淨。 圖11係用以對基板W之上表面之洗淨進行說明之側視圖。如圖11所示，於洗淨基板W之上表面時，於藉由旋轉夾頭200使基板W旋轉之狀態下，經由液體供給管215將洗淨液供給至基板W之上表面。洗淨液藉由離心力而擴散至基板W之整個上表面，向外側飛散。藉此，沖洗附著於基板W之上表面之塵埃等。 圖12係用以對基板W之下表面之研磨進行說明之側視圖。於研磨基板W之下表面時，於藉由旋轉夾頭200使基板W旋轉之狀態下，自基板研磨部400之噴嘴410N噴出洗淨液。又，基板研磨部400之研磨頭ph自圖1之頭待機位置p1移動至與基板W之下表面中心部對向之位置，研磨頭ph上升至上端面接觸基板W之下表面為止。研磨頭ph之上端面接觸基板W且研磨頭ph被按壓至基板W之下表面。於該狀態下，如圖12中較粗之箭頭所示，研磨頭ph自基板W之下表面中心部移動至下表面周緣部。此時，研磨頭ph繞其軸心旋轉。如此，藉由研磨頭ph研磨基板W之下表面。於基板W之下表面之研磨後，研磨頭ph移動至較基板W靠下方之預先規定之高度，並移動至圖1之頭待機位置p1為止。 於藉由研磨頭ph研磨基板W之下表面周緣部時，有研磨頭ph與複數個夾盤銷220相干涉之可能性。因此，本例中，於研磨頭ph到達基板W之下表面周緣部時，藉由圖7之磁體升降機構234A將圖7之磁板232A自下方位置移動至上方位置。藉此，各夾盤銷220於與複數個磁板231A、231B、232A、232B中之磁板232A對應之區域局部地成為打開狀態。於此情形時，由於磁板232A位於研磨頭ph之移動路徑之上方，故而防止研磨頭ph與複數個夾盤銷220相干涉。 利用研磨頭ph之基板W之下表面之研磨係基於去除資訊記憶部785(圖8)中記憶之去除資訊而進行控制。藉此，對應於基板W之半徑方向之位置，調整利用研磨頭ph之污染之去除能力。關於基於去除資訊之研磨之具體例於下文敍述。 於利用研磨頭ph進行之基板W之下表面周緣部之研磨後，圖7之磁板232A自上方位置移動至下方位置。藉此，基板W由所有的夾盤銷220保持。 圖13係用以對基板W之下表面之洗淨進行說明之側視圖。於洗淨基板W之下表面時，於藉由旋轉夾頭200使基板W旋轉之狀態下，自基板洗淨部500之噴嘴510N噴出洗淨液。又，基板洗淨部500之洗淨刷cb自圖1之刷待機位置p2移動至與基板W之下表面中心部對向之位置，且洗淨刷cb上升至上端面接觸基板W之下表面為止。洗淨刷cb之上端面接觸基板W，且洗淨刷cb以預先規定之壓力被按壓至基板W之下表面。於該狀態下，如圖13中較粗之箭頭所示，洗淨刷cb自基板W之下表面中心部移動至下表面周緣部。此時，洗淨刷cb可繞其軸心旋轉，亦可不旋轉。如此，藉由洗淨刷cb洗淨基板W之下表面。藉此，將基板W之下表面之研磨時自基板W剝離之污染物物理性地去除並進行沖洗。於基板W之下表面之洗淨後，洗淨刷cb移動至較基板W靠下方之預先規定之高度，並移動至圖1之刷待機位置p2。 於藉由洗淨刷cb洗淨基板W之下表面周緣部時，有洗淨刷cb與複數個夾盤銷220相干涉之可能性。因此，本例中，於洗淨刷cb到達基板W之下表面周緣部時，藉由圖7之磁體升降機構234B將圖7之磁板232B自下方位置移動至上方位置。藉此，各夾盤銷220於與複數個磁板231A、231B、232A、232B中之磁板232B對應之區域局部地成為打開狀態。於此情形時，由於磁板232B位於洗淨刷cb之移動路徑之上方，故而防止洗淨刷cb與複數個夾盤銷220相干涉。 於利用洗淨刷cb之基板W之下表面周緣部之洗淨後，圖7之磁板232B自上方位置移動至下方位置。藉此，基板W由所有的夾盤銷220保持。 如上所述，於進行基板W之下表面周緣部之研磨及洗淨時，任一夾盤銷220自基板W之外周端部WE離開。此時，該夾盤銷220之附近之基板W之外周端部WE未由夾盤銷220保持。於此種狀態下，相鄰於該夾盤銷220之2個輔助銷290抵接於基板W之斜面部1，使基板W產生對抗自研磨頭ph或洗淨刷cb賦予至基板W之按壓力的反作用力。因此，防止基板W之彎曲。 於基板W之上表面之洗淨處理、基板W之下表面之研磨處理及基板W之下表面之洗淨處理後，進行基板W之乾燥處理。於此情形時，於由所有的夾盤銷220保持基板W之狀態下，使該基板W高速旋轉。藉此，甩掉附著於基板W之洗淨液，使基板W乾燥。 再者，於基板W之乾燥處理時，亦可經由液體供給管215對基板W供給惰性氣體(例如氮氣)或空氣(air)等氣體。於此情形時，藉由形成於旋轉板213與基板W之間之氣流將基板W上之洗淨液向外側吹散。藉此，可高效率地使基板W乾燥。 藉由結束基板W之乾燥處理，以與基板W之搬入時相反之順序將基板W自殼體710搬出。 (6)去除資訊及基板之下表面之研磨之詳細情況 於基板W之研磨時，基板W之下表面中不存在污染之區域不去除污染地進行研磨，因此容易過量地研磨。另一方面，基板W之下表面中存在污染之區域一邊被去除污染一邊被研磨，因此難以研磨。因此，若於將利用研磨頭ph之污染之去除能力保持為固定之狀態下，研磨存在污染之部分與不存在污染之部分，則於研磨後之基板W之下表面之複數個部分，表面狀態產生差異。例如，於污染程度較低之區域，基板W之外表面被過量地摩擦，於污染程度較高之區域，基板W之外表面幾乎未被摩擦。藉此，研磨後之基板W之下表面變得不均勻。 搬入至基板洗淨裝置700之基板W之下表面之污染分佈可基於對搬入至基板洗淨裝置700之前之基板W實施之處理之內容、基板W之搬送方法及基板W之保管方法進行推斷。因此，本實施形態中，將如下去除資訊記憶於圖8之去除資訊記憶部785中，該去除資訊表示基於推斷為產生於基板W之下表面之污染分佈，為了使研磨後之基板W之下表面均勻而應對應於基板W之半徑方向之位置設定之污染之去除能力。 圖14係表示推斷為產生於基板W之下表面之污染分佈之一例的圖。圖14之例中，推斷為產生於基板W之下表面之污染分佈以具有圓形狀或圓環形狀之第1～第4區域R1～R4表示。 第1區域R1具有圓形狀，位於基板W之中央。第2區域R2具有圓環形狀，包圍第1區域R1。第3區域R3具有圓環形狀，包圍第2區域R2。第4區域R4具有圓環形狀，包圍第3區域R3。於圖14中，對第1及第3區域R1、R3標附共通之點圖案。又，對第2及第4區域R2、R4標附互不相同之種類之影線。第1～第4區域R1～R4之外緣以基板W之中心WC為基準而呈同心圓狀排列。 第1～第4區域R1～R4中之第2區域R2於基板W之半徑方向上位於中心WC與外周端部WE之間之大致中間。推斷第2區域R2於例如基板W之下表面被後述之旋轉夾頭25、35(圖20)吸附保持時容易產生吸附痕跡。又，推斷第2區域R2例如因基板W之下表面被未圖示之複數個升降銷支持而容易產生接觸痕跡。 另一方面，第1～第4區域R1～R4中之第4區域R4位於基板W之下表面周緣部。推斷第4區域R4於例如對基板W之上表面供給後述之抗蝕膜用處理液或抗蝕覆蓋膜用處理液等時，該處理液之一部分作為污染物牢固地附著之可能性較高。又，推斷第4區域R4例如因基板W收容於後述之載體113(圖19)內而容易產生接觸痕跡。進而，推斷第4區域R4因例如基板W被後述之搬送裝置115等(圖19)保持而容易產生接觸痕跡。 如上所述，基板W之下表面之污染包含因吸附痕跡及接觸痕跡所產生之污染、及因處理液附著所產生之污染。該等兩種污染中，因處理液附著所產生之污染有處理液累積地附著於基板W之可能性，因此認為與因吸附痕跡及接觸痕跡所產生之污染相比，污染程度較高。根據該等，推斷於第2區域R2存在因吸附痕跡及接觸痕跡所產生之中程度之污染，推斷於第4區域R4存在因接觸痕跡及處理液所產生之高程度之污染。 另一方面，於第1～第4區域R1～R4中之第1及第3區域R1、R3，其他構件接觸或附著污染物之可能性較低。因此，推斷第1及第3區域R1、R3幾乎不存在污染，較為潔淨。 利用研磨頭ph之污染之去除能力可藉由控制自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力、研磨頭ph之移動速度、研磨頭ph之旋轉速度及基板W之旋轉速度中之至少一者而進行調整。於去除資訊記憶部785(圖8)中記憶有與圖14之污染分佈對應之去除資訊之情形時，研磨控制部790(圖8)如例如以下所述般控制基板研磨部400或旋轉夾頭200。 於以下之說明中，如圖14所示，將自基板W之中心WC至第1區域R1之外緣(第2區域R2之內緣)之距離設為d1，將自基板W之中心WC至第2區域R2之外緣(第3區域R3之內緣)之距離設為d2。又，將自基板W之中心WC至第3區域R3之外緣(第4區域R4之內緣)之距離設為d3，將自基板W之中心WC至第4區域R4之外緣(基板W之外周端部WE)之距離設為d4。 圖15係表示基於與圖14之污染分佈對應之去除資訊的基板研磨部400之一控制例之圖。圖15中，使用曲線圖表示自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力與基板W之下表面上之研磨頭ph之位置之關係。於圖15之曲線圖中，縱軸表示自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力，橫軸表示自基板W之中心WC至研磨頭ph中最接近基板W之外周端部WE之部分的距離、即基板W之半徑方向上之研磨頭ph之位置。自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力係藉由圖8之升降控制部792控制圖8之電動氣動調整器433而進行調整。 此處，去除能力係自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力越大則越高，自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力越小則越低。因此，圖15之例中，於研磨頭ph位於第1及第3區域R1、R3之距離0至距離d1之間及距離d2至距離d3之間，自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力保持為接近於0之固定值。藉此，防止第1及第3區域R1、R3被研磨頭ph過量地研磨。 又，於研磨頭ph位於第2區域R2之距離d1至距離d2之間，以自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力較與第1及第3區域R1、R3對應之按壓力變高之方式調整。本例中，與第2區域R2對應之按壓力設定為與第1及第3區域R1、R3對應之按壓力之約2倍。藉此，認為產生於第2區域R2之吸附痕跡及接觸痕跡等藉由研磨頭ph以中程度之去除能力適當地去除。此時，第2區域R2被研磨至與第1及第3區域R1、R3相同之程度。 又，於研磨頭ph位於第4區域R4之距離d3至距離d4之間，以自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力較與第1、第2及第3區域R1、R2、R3對應之任一按壓力變高之方式調整。本例中，與第4區域R4對應之按壓力設定為與第1及第3區域R1、R3對應之按壓力之約3倍。藉此，認為產生於第4區域R4之吸附痕跡及接觸痕跡以及牢固地附著於第4區域R4之處理液等污染物藉由研磨頭ph以高程度之去除能力適當地去除。此時，第4區域R4被研磨至與第1及第3區域R1、R3相同之程度。 再者，本例中，與基板W之半徑方向之位置對應之按壓力亦可作為去除資訊預先記憶於圖8之去除資訊記憶部785中。 又，本例中，為了更準確地控制自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力，亦可於基板研磨部400設置用以檢測該按壓力之檢測器(荷重元等)。於此情形時，圖8之升降控制部792亦可基於該檢測器之檢測而反饋控制按壓力。 圖16係表示基於與圖14之污染分佈對應之去除資訊的基板研磨部400之另一控制例之圖。圖16中，使用曲線圖表示基板W之半徑方向上之研磨頭ph之移動速度與基板W之下表面上之研磨頭ph之位置之關係。於圖16之曲線圖中，縱軸表示基板W之半徑方向上之研磨頭ph之移動速度，橫軸表示自基板W之中心WC至研磨頭ph中最接近基板W之外周端部WE之部分的距離、即基板W之半徑方向上之研磨頭ph之位置。基板W之半徑方向上之研磨頭ph之移動速度係藉由圖8之臂控制部793控制圖8之臂旋轉驅動部440而進行調整。 此處，於基板W之下表面中研磨頭ph之移動速度較低之區域，研磨頭ph之接觸時間變長，因此去除能力變高。另一方面，於基板W之下表面中研磨頭ph之移動速度較高之區域，研磨頭ph之接觸時間變短，因此去除能力變低。因此，於圖16之例中，於研磨頭ph位於第1及第3區域R1、R3之距離0至距離d1之間及距離d2至距離d3之間，研磨頭ph之移動速度保持為相對較高之固定值。藉此，防止第1及第3區域R1、R3被研磨頭ph過量地研磨。 又，於研磨頭ph位於第2區域R2之距離d1至距離d2之間，以研磨頭ph之移動速度較與第1及第3區域R1、R3對應之移動速度變低之方式調整。本例中，與第2區域R2對應之移動速度設定為與第1及第3區域R1、R3對應之移動速度之約1/2。藉此，認為產生於第2區域R2之吸附痕跡及接觸痕跡等藉由研磨頭ph以中程度之去除能力適當地去除。此時，第2區域R2被研磨至與第1及第3區域R1、R3相同之程度。 又，於研磨頭ph位於第4區域R4之距離d3至距離d4之間，以研磨頭ph之移動速度較與第1、第2及第3區域R1、R2、R3對應之任一移動速度變低之方式調整，保持為接近於0之值。本例中，與第4區域R4對應之移動速度設定為與第1及第3區域R1、R3對應之移動速度之約1/3。藉此，認為產生於第4區域R4之吸附痕跡及接觸痕跡以及牢固地附著於第4區域R4之處理液等污染物藉由研磨頭ph以高程度之去除能力適當地去除。此時，第4區域R4被研磨至與第1及第3區域R1、R3相同之程度。 再者，本例中，與基板W之半徑方向之位置對應之研磨頭ph之移動速度亦可作為去除資訊預先記憶於圖8之去除資訊記憶部785中。 圖17係表示基於與圖14之污染分佈對應之去除資訊的基板研磨部400之又一控制例之圖。圖17中，使用曲線圖表示繞研磨頭ph之軸心旋轉之研磨頭ph之旋轉速度與基板W之下表面上之研磨頭ph之位置之關係。於圖17之曲線圖中，縱軸表示研磨頭ph之旋轉速度，橫軸表示自基板W之中心WC至研磨頭ph中最接近基板W之外周端部WE之部分的距離、即基板W之半徑方向上之研磨頭ph之位置。研磨頭ph之旋轉速度係藉由圖8之旋轉控制部791控制圖8之馬達418而進行調整。 此處，去除能力係研磨頭ph之旋轉速度越高則越高，研磨頭ph之旋轉速度越低則越低。因此，圖17之例中，於研磨頭ph位於第1及第3區域R1、R3之距離0至距離d1之間及距離d2至距離d3之間，研磨頭ph之旋轉速度保持為接近於0之固定值。藉此，防止第1及第3區域R1、R3被研磨頭ph過量地研磨。 又，於研磨頭ph位於第2區域R2之距離d1至距離d2之間，以研磨頭ph之旋轉速度較與第1及第3區域R1、R3對應之研磨頭ph之旋轉速度變高之方式調整。本例中，與第2區域R2對應之研磨頭ph之旋轉速度設定為與第1及第3區域R1、R3對應之研磨頭ph之旋轉速度之約2倍。藉此，認為產生於第2區域R2之吸附痕跡及接觸痕跡等藉由研磨頭ph以中程度之去除能力適當地去除。此時，第2區域R2被研磨至與第1及第3區域R1、R3相同之程度。 又，於研磨頭ph位於第4區域R4之距離d3至距離d4之間，以研磨頭ph之旋轉速度較與第1、第2及第3區域R1、R2、R3對應之任一旋轉速度變高之方式調整。本例中，與第4區域R4對應之研磨頭ph之旋轉速度設定為與第1及第3區域R1、R3對應之研磨頭ph之旋轉速度之約3倍。藉此，藉由研磨頭ph以較高程度之去除能力，適當地去除推判於第4區域R4中產生之吸附痕跡及接觸痕跡以及牢固地附著於第4區域R4之處理液等污染物。此時，第4區域R4被研磨至與第1及第3區域R1、R3相同之程度。 再者，本例中，與基板W之半徑方向之位置對應之研磨頭ph之旋轉速度亦可作為去除資訊而預先記憶於圖8之去除資訊記憶部785中。 圖18係表示基於與圖14之污染分佈對應之去除資訊的旋轉夾頭200之一控制例之圖。圖18中，使用曲線圖表示藉由旋轉夾頭200而旋轉之基板W之旋轉速度與基板W之下表面上之研磨頭ph之位置之關係。於圖18之曲線圖中，縱軸表示基板W之旋轉速度，橫軸表示自基板W之中心WC至研磨頭ph中最接近基板W之外周端部WE之部分的距離、即基板W之半徑方向上之研磨頭ph之位置。基板W之旋轉速度係藉由圖8之旋轉夾頭控制部781控制圖8之旋轉夾頭200而予以調整。 此處，去除能力係根據基板W之圓周方向上之研磨頭ph與基板W上之研磨頭ph之接觸部分之相對速度差而決定。具體而言，去除能力係研磨頭ph與基板W上之研磨頭ph之接觸部分之間之速度差越大則越高，該速度差越小則越低。 基本上，於基板W以固定之旋轉速度旋轉之情形時，上述速度差隨著研磨頭ph自基板W之中心WC向基板W之外周端部WE靠近而以一定之比率變大。因此，於以均勻之去除能力研磨基板W之整個下表面之情形時，如圖18中以單點鏈線所示，基板W之旋轉速度以隨著研磨頭ph自基板W之中心WC向基板W之外周端部WE靠近而以一定之比率連續地變小之方式調整。 圖18之例中，於研磨頭ph位於第1及第3區域R1、R3之距離0至距離d1之間及距離d2至距離d3之間，以上述速度差保持為固定值之方式調整基板W之旋轉速度。藉此，防止第1及第3區域R1、R3被研磨頭ph不均勻地研磨。 又，於研磨頭ph位於第2區域R2之距離d1至距離d2之間，以上述速度差較與第1及第3區域R1、R3對應之速度差變大之方式調整基板W之旋轉速度。藉此，認為產生於第2區域R2之吸附痕跡及接觸痕跡等藉由研磨頭ph以中程度之去除能力適當地去除。此時，第2區域R2被研磨至與第1及第3區域R1、R3相同之程度。 又，於研磨頭ph位於第4區域R4之距離d3至距離d4之間，以上述速度差較與第1、第2及第3區域R1、R2、R3對應之任一速度差變大之方式調整基板W之旋轉速度。藉此，認為產生於第4區域R4之吸附痕跡及接觸痕跡以及牢固地附著於第4區域R4之處理液等污染物藉由研磨頭ph以高程度之去除能力適當地去除。此時，第4區域R4被研磨至與第1及第3區域R1、R3相同之程度。 再者，本例中，與基板W之半徑方向之位置對應之基板W之旋轉速度亦可作為去除資訊預先記憶於圖8之去除資訊記憶部785中。 如上所述，於本實施形態之基板洗淨裝置700中，基於與推斷之污染分佈對應之去除資訊，藉由研磨頭ph以與基板W之半徑方向上之位置對應之去除能力研磨基板W之下表面。因此，可防止基板W之下表面被不均勻地研磨並且適當地去除基板W之下表面之污染。 再者，如上所述，利用研磨頭ph之污染之去除能力之程度依存於自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力、研磨頭ph之移動速度、研磨頭ph之旋轉速度及基板W之旋轉速度而變化。因此，去除能力可藉由自研磨頭ph作用於基板W之下表面之按壓力、研磨頭ph之移動速度、研磨頭ph之旋轉速度及基板W之旋轉速度中之1種要素而進行調整，亦可藉由複數種要素之組合而進行調整。 於藉由研磨頭ph之按壓力、移動速度及旋轉速度之任一者調整去除能力之情形時，基板W之旋轉速度較佳為如圖18中以單點鏈線所表示般，以隨著研磨頭ph自基板W之中心WC向外周端部WE靠近而基板W之旋轉速度變低之方式調整。 (7)基板處理裝置 圖19係具備圖1之基板洗淨裝置700之基板處理裝置100之模式性俯視圖。於圖19及後述之圖20～圖22中，為了使位置關係明確，標附表示相互正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於鉛垂方向。 如圖19所示，基板處理裝置100具備裝載區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。藉由洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B構成傳遞區塊14。以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式配置曝光裝置15。於曝光裝置15中，藉由液浸法對基板W進行曝光處理。 裝載區塊11包含複數個載體載置部111及搬送部112。於各載體載置部111載置有多段地收納複數個基板W之載體113。 於搬送部112設置有主控制器114及搬送裝置115。主控制器114控制基板處理裝置100之各種構成要素。搬送裝置115一邊保持基板W一邊搬送該基板W。 第1處理區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123以隔著搬送部122對向之方式設置。於搬送部122與裝載區塊11之間設置有載置基板W之基板載置部PASS1及後述之基板載置部PASS2～PASS4(參照圖22)。於搬送部122設置有搬送基板W之搬送裝置127及後述之搬送裝置128(參照圖22)。 第2處理區塊13包含塗佈顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。塗佈顯影處理部131及熱處理部133以隔著搬送部132對向之方式設置。於搬送部132與搬送部122之間設置有載置基板W之基板載置部PASS5及後述之基板載置部PASS6～PASS8(參照圖22)。於搬送部132設置有搬送基板W之搬送裝置137及後述之搬送裝置138(參照圖22)。 洗淨乾燥處理區塊14A包含洗淨乾燥處理部161、162及搬送部163。洗淨乾燥處理部161、162以隔著搬送部163對向之方式設置。於搬送部163設置有搬送裝置141、142。 於搬送部163與搬送部132之間設置有載置兼緩衝部P-BF1及後述之載置兼緩衝部P-BF2(參照圖22)。 又，於搬送裝置141、142之間，以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式設置有基板載置部PASS9及後述之載置兼冷卻部P-CP(參照圖22)。 於搬入搬出區塊14B設置有搬送裝置146。搬送裝置146進行相對於曝光裝置15之基板W之搬入及搬出。於曝光裝置15設置有用以搬入基板W之基板搬入部15a及用以搬出基板W之基板搬出部15b。 (8)塗佈處理部及塗佈顯影處理部之構成 圖20係主要表示圖19之塗佈處理部121、塗佈顯影處理部131及洗淨乾燥處理部161之基板處理裝置100之模式性側視圖。 如圖20所示，於塗佈處理部121階層性地設置有塗佈處理室21、22、23、24。於塗佈處理室21～24之各者設置有塗佈處理單元(旋轉塗佈機)129。於塗佈顯影處理部131階層性地設置有顯影處理室31、33及塗佈處理室32、34。於顯影處理室31、33之各者設置有顯影處理單元(旋轉顯影機)139，於塗佈處理室32、34之各者設置有塗佈處理單元129。 各塗佈處理單元129具備保持基板W之旋轉夾頭25及以覆蓋旋轉夾頭25之周圍之方式設置之承杯27。本實施形態中，於各塗佈處理單元129設置有2組旋轉夾頭25及承杯27。旋轉夾頭25由未圖示之驅動裝置(例如電動馬達)旋轉驅動。又，如圖19所示，各塗佈處理單元129具備噴出處理液之複數個處理液噴嘴28及搬送該處理液噴嘴28之噴嘴搬送機構29。 於塗佈處理單元129中，藉由未圖示之驅動裝置使旋轉夾頭25旋轉，並且複數個處理液噴嘴28中之任一處理液噴嘴28藉由噴嘴搬送機構29而移動至基板W之上方，自該處理液噴嘴28噴出處理液。藉此，於基板W上塗佈處理液。又，自未圖示之邊緣清洗噴嘴對基板W之周緣部噴出清洗液。藉此，去除附著於基板W之周緣部之處理液。 於塗佈處理室22、24之塗佈處理單元129中，抗反射膜用處理液自處理液噴嘴28供給至基板W。於塗佈處理室21、23之塗佈處理單元129中，抗蝕膜用處理液自處理液噴嘴28供給至基板W。於塗佈處理室32、34之塗佈處理單元129中，抗蝕覆蓋膜用處理液自處理液噴嘴28供給至基板W。 顯影處理單元139與塗佈處理單元129同樣地具備旋轉夾頭35及承杯37。又，如圖19所示，顯影處理單元139具備噴出顯影液之2個顯影噴嘴38及使該顯影噴嘴38沿X方向移動之移動機構39。 於顯影處理單元139中，藉由未圖示之驅動裝置使旋轉夾頭35旋轉，並且一顯影噴嘴38一邊沿X方向移動一邊對各基板W供給顯影液，其後，另一顯影噴嘴38一邊移動一邊對各基板W供給顯影液。於此情形時，藉由對基板W供給顯影液，而進行基板W之顯影處理。又，本實施形態中，自2個顯影噴嘴38噴出互不相同之顯影液。藉此，可對各基板W供給兩種顯影液。 於洗淨乾燥處理部161階層性地設置有洗淨乾燥處理室81、82、83、84。於洗淨乾燥處理室81～84之各者設置有圖1之基板洗淨裝置700。於基板洗淨裝置700中，進行曝光處理前之基板W之上表面洗淨處理、下表面研磨處理、下表面洗淨處理及乾燥處理。 此處，設置於洗淨乾燥處理部161之複數個基板洗淨裝置700之研磨洗淨控制器780亦可作為局部控制器設置於洗淨乾燥處理部161之上部。或者，圖19之主控制器114亦可執行藉由複數個基板洗淨裝置700之研磨洗淨控制器780執行之各種處理。 如圖19及圖20所示，於塗佈處理部121中以鄰接於塗佈顯影處理部131之方式設置有流體箱部50。同樣地，於塗佈顯影處理部131中以鄰接於洗淨乾燥處理區塊14A之方式設置有流體箱部60。於流體箱部50及流體箱部60內，收納有與對塗佈處理單元129及顯影處理單元139之處理液及顯影液之供給以及自塗佈處理單元129及顯影處理單元139之排液及排氣等相關之流體關聯機器。流體關聯機器包含導管、套圈、閥、流量計、調整器、泵、溫度調節器等。 (9)熱處理部之構成 圖21係主要表示圖19之熱處理部123、133及洗淨乾燥處理部162之基板處理裝置100之模式性側視圖。如圖21所示，熱處理部123具有設置於上方之上段熱處理部301及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302設置有複數個熱處理裝置PHP、複數個密接強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。 於熱處理裝置PHP中進行基板W之加熱處理。於密接強化處理單元PAHP中，進行用以提高基板W與抗反射膜之密接性之密接強化處理。具體而言，於密接強化處理單元PAHP中，於基板W塗佈HMDS(六甲基二矽氮烷)等密接強化劑並且對基板W進行加熱處理。於冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理。 熱處理部133具有設置於上方之上段熱處理部303及設置於下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304設置有冷卻單元CP、複數個熱處理裝置PHP及邊緣曝光部EEW。 於邊緣曝光部EEW中，對形成於基板W上之抗蝕膜之周緣部之一定寬度之區域進行曝光處理(邊緣曝光處理)。於上段熱處理部303及下段熱處理部304中，以相鄰於洗淨乾燥處理區塊14A之方式設置之熱處理裝置PHP構成為可自洗淨乾燥處理區塊14A搬入基板W。 於洗淨乾燥處理部162階層性地設置有洗淨乾燥處理室91、92、93、94、95。於洗淨乾燥處理室91～95之各者設置有洗淨乾燥處理單元SD2。洗淨乾燥處理單元SD2除了未設置基板研磨部400之方面及一體地設置圖7之磁板231A、231B、232A之方面以外，具有與基板洗淨裝置700相同之構成。於洗淨乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後之基板W之上表面洗淨處理、下表面洗淨處理及乾燥處理。 (10)搬送部之構成 圖22係主要表示圖19之搬送部122、132、163之側視圖。如圖22所示，搬送部122具有上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132具有上段搬送室135及下段搬送室136。於上段搬送室125設置有搬送裝置(搬送機械手)127，於下段搬送室126設置有搬送裝置128。又，於上段搬送室135設置有搬送裝置137，於下段搬送室136設置有搬送裝置138。 於搬送部112與上段搬送室125之間設置有基板載置部PASS1、PASS2，於搬送部112與下段搬送室126之間設置有基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬送室125與上段搬送室135之間設置有基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬送室126與下段搬送室136之間設置有基板載置部PASS7、PASS8。 於上段搬送室135與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬送室136與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163中，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。 搬送裝置127構成為能夠於基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、塗佈處理室21、22(圖20)及上段熱處理部301(圖21)之間搬送基板W。搬送裝置128構成為能夠於基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、塗佈處理室23、24(圖20)及下段熱處理部302(圖21)之間搬送基板W。 搬送裝置137構成為能夠於基板載置部PASS5、PASS6、載置兼緩衝部P-BF1、顯影處理室31(圖20)、塗佈處理室32(圖20)及上段熱處理部303(圖21)之間搬送基板W。搬送裝置138構成為能夠於基板載置部PASS7、PASS8、載置兼緩衝部P-BF2、顯影處理室33(圖20)、塗佈處理室34(圖20)及下段熱處理部304(圖21)之間搬送基板W。 搬送部163之搬送裝置141(圖19)構成為能夠於載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2及洗淨乾燥處理部161(圖20)之間搬送基板W。 搬送部163之搬送裝置142(圖19)構成為能夠於載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2、洗淨乾燥處理部162(圖21)、上段熱處理部303(圖21)及下段熱處理部304(圖21)之間搬送基板W。 (11)基板處理裝置之動作 一邊參照圖19～圖22一邊對基板處理裝置100之動作進行說明。於裝載區塊11之載體載置部111(圖19)載置有收容有未處理之基板W之載體113。搬送裝置115自載體113向基板載置部PASS1、PASS3(圖22)搬送未處理之基板W。又，搬送裝置115將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖22)之處理完成之基板W搬送至載體113。 於第1處理區塊12中，搬送裝置127(圖22)將載置於基板載置部PASS1之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖21)、冷卻單元CP(圖21)及塗佈處理室22(圖20)。其次，搬送裝置127將藉由塗佈處理室22形成有抗反射膜之基板W依序搬送至熱處理裝置PHP(圖21)、冷卻單元CP(圖21)及塗佈處理室21(圖20)。繼而，搬送裝置127將藉由塗佈處理室21形成有抗蝕膜之基板W依序搬送至熱處理裝置PHP(圖21)及基板載置部PASS5(圖22)。 於此情形時，於密接強化處理單元PAHP中對基板W進行密接強化處理後，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於抗反射膜之形成之溫度。其次，於塗佈處理室22中，藉由塗佈處理單元129(圖20)而於基板W上形成抗反射膜。繼而，於熱處理裝置PHP中，於進行基板W之熱處理後，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適於抗蝕膜之形成之溫度。其次，於塗佈處理室21中，藉由塗佈處理單元129(圖20)而於基板W上形成抗蝕膜。其後，於熱處理裝置PHP中進行基板W之熱處理，該基板W載置於基板載置部PASS5。 又，搬送裝置127將載置於基板載置部PASS6(圖22)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖22)。 搬送裝置128(圖22)將載置於基板載置部PASS3之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖21)、冷卻單元CP(圖21)及塗佈處理室24(圖20)。其次，搬送裝置128將藉由塗佈處理室24形成有抗反射膜之基板W依序搬送至熱處理裝置PHP(圖21)、冷卻單元CP(圖21)及塗佈處理室23(圖20)。繼而，搬送裝置128將藉由塗佈處理室23形成有抗蝕膜之基板W依序搬送至熱處理裝置PHP(圖21)及基板載置部PASS7(圖22)。 又，搬送裝置128(圖22)將載置於基板載置部PASS8(圖22)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖22)。塗佈處理室23、24(圖20)及下段熱處理部302(圖21)中之基板W之處理內容與上述塗佈處理室21、22(圖20)及上段熱處理部301(圖21)中之基板W之處理內容相同。 於第2處理區塊13中，搬送裝置137(圖22)將載置於基板載置部PASS5之抗蝕膜形成後之基板W依序搬送至塗佈處理室32(圖20)、熱處理裝置PHP(圖21)、邊緣曝光部EEW(圖21)及載置兼緩衝部P-BF1(圖22)。於此情形時，於塗佈處理室32中，藉由塗佈處理單元129(圖20)，於基板W上形成抗蝕覆蓋膜。其後，於熱處理裝置PHP中進行基板W之熱處理，將該基板W搬入至邊緣曝光部EEW。繼而，於邊緣曝光部EEW中對基板W進行邊緣曝光處理。將邊緣曝光處理後之基板W載置於載置兼緩衝部P-BF1。 又，搬送裝置137(圖22)自鄰接於洗淨乾燥處理區塊14A之熱處理裝置PHP(圖21)取出利用曝光裝置15進行曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送裝置137將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖21)、顯影處理室31(圖20)、熱處理裝置PHP(圖21)及基板載置部PASS6(圖22)。 於此情形時，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於顯影處理之溫度後，於顯影處理室31中藉由顯影處理單元139去除抗蝕覆蓋膜並且進行基板W之顯影處理。其後，於熱處理裝置PHP中進行基板W之熱處理，將該基板W載置於基板載置部PASS6。 搬送裝置138(圖22)將載置於基板載置部PASS7之抗蝕膜形成後之基板W依序搬送至塗佈處理室34(圖20)、熱處理裝置PHP(圖21)、邊緣曝光部EEW(圖21)及載置兼緩衝部P-BF2(圖22)。 又，搬送裝置138(圖22)自鄰接於洗淨乾燥處理區塊14A之熱處理裝置PHP(圖21)取出利用曝光裝置15進行曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送裝置138將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖21)、顯影處理室33(圖20)、熱處理裝置PHP(圖21)及基板載置部PASS8(圖22)。顯影處理室33、塗佈處理室34及下段熱處理部304中之基板W之處理內容與上述顯影處理室31、塗佈處理室32(圖20)及上段熱處理部303(圖21)中之基板W之處理內容相同。 於洗淨乾燥處理區塊14A中，搬送裝置141(圖19)將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖22)之基板W搬送至洗淨乾燥處理部161之基板洗淨裝置700(圖20)。繼而，搬送裝置141將基板W自基板洗淨裝置700搬送至載置兼冷卻部P-CP(圖22)。於此情形時，於基板洗淨裝置700中進行基板W之研磨、洗淨及乾燥處理後，於載置兼冷卻部P-CP中，將基板W冷卻至適於曝光裝置15(圖19)中之曝光處理之溫度。 搬送裝置142(圖19)將載置於基板載置部PASS9(圖22)之曝光處理後之基板W搬送至洗淨乾燥處理部162之洗淨乾燥處理單元SD2(圖21)。又，搬送裝置142將洗淨及乾燥處理後之基板W自洗淨乾燥處理單元SD2搬送至上段熱處理部303之熱處理裝置PHP(圖21)或下段熱處理部304之熱處理裝置PHP(圖21)。於該熱處理裝置PHP中進行曝光後烘烤(PEB)處理。 於搬入搬出區塊14B中，搬送裝置146(圖19)將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖22)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15之基板搬入部15a(圖19)。又，搬送裝置146(圖19)自曝光裝置15之基板搬出部15b(圖19)取出曝光處理後之基板W，將該基板W搬送至基板載置部PASS9(圖22)。 再者，於曝光裝置15無法承收基板W之情形時，將曝光處理前之基板W暫時收容至載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。又，於第2處理區塊13之顯影處理單元139(圖20)無法承收曝光處理後之基板W之情形時，將曝光處理後之基板W暫時收容至載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。 於上述基板處理裝置100中，可同時進行設置於上段之塗佈處理室21、22、32、顯影處理室31及上段熱處理部301、303中之基板W之處理與設置於下段之塗佈處理室23、24、34、顯影處理室33及下段熱處理部302、304中之基板W之處理。藉此，可提高產出量而不用增加佔據面積。 此處，所謂基板W之正面係指形成抗反射膜、抗蝕膜及抗蝕覆蓋膜之面(主面)，所謂基板W之背面係指其相反側之面。於本實施形態之基板處理裝置100之內部，於基板W之正面朝向上方之狀態下，對基板W進行上述各種處理。即，對基板W之上表面進行各種處理。因此，本實施形態中，基板W之正面相當於本發明之基板之上表面，基板W之背面相當於本發明之基板之一面及下表面。 (12)效果 (a)於上述基板洗淨裝置700中，基於基板W之下表面之污染之分佈，藉由研磨頭ph以與基板W之半徑方向上之位置對應之去除能力研磨基板W之下表面。 於此情形時，藉由使用研磨頭ph研磨基板W之下表面，而去除基板W之下表面之牢固之污染。又，藉由於基板W之下表面之存在污染之部分與不存在污染之部分使利用研磨頭ph之污染之去除能力變化，可防止基板W之下表面被不均勻地研磨並且去除污染。該等之結果為，可使基板W之下表面潔淨且均勻。 (b)於基板洗淨裝置700中，於藉由基板研磨部400之研磨頭ph研磨基板W之下表面後，藉由基板洗淨部500之洗淨刷cb洗淨基板W之下表面。藉此，去除因基板W之下表面之研磨而產生之污染物。因此，可使基板W之下表面更潔淨。 (c)於基板處理裝置100中，藉由基板洗淨裝置700對曝光處理前之基板W之下表面進行研磨並洗淨。藉此，可使曝光處理前之基板W之下表面潔淨且均勻。其結果為，抑制因基板W之下表面之污染所引起之基板W之處理不良之產生。 (13)其他實施形態 (a)上述實施形態中，基板洗淨裝置700構成為能夠研磨基板W之下表面，但本發明並不限定於此。基板洗淨裝置700亦可構成為能夠研磨基板W之上表面。例如，基板洗淨裝置700亦可具備：旋轉夾頭，其代替上述旋轉夾頭200，吸附保持基板W之下表面；及移動部，其使研磨頭ph一邊接觸藉由該旋轉夾頭旋轉之基板W之上表面上一邊至少於該基板W之中心與外周端部WE之間移動。於此情形時，可使基板W之上表面潔淨且均勻。 (b)上述實施形態中，基板洗淨裝置700之研磨頭ph藉由於接觸基板W之下表面之狀態下自該基板W之中心WC沿半徑方向移動至外周端部WE而研磨基板W之下表面，但本發明並不限定於此。研磨頭ph亦可藉由於接觸基板W之下表面之狀態下於該基板W之中心WC與外周端部WE之間往返移動而研磨基板W之下表面。或者，研磨頭ph亦可藉由於接觸基板W之下表面之狀態下通過該基板W之中心WC而自基板W之一端部移動至另一端部而研磨基板W之下表面。 (c)上述實施形態中，基於圖8之去除資訊記憶部785中記憶之去除資訊而控制基板W之下表面之研磨，但本發明並不限定於此。亦可代替去除資訊而將表示如圖14所示之基板W之下表面之污染分佈之資訊記憶於研磨洗淨控制器780等中。進而，亦可於研磨洗淨控制器780中記憶表示污染程度與去除能力之關係之表。於此情形時，研磨洗淨控制器780之研磨控制部790或旋轉夾頭控制部781亦可基於預先記憶之污染分佈與上述表，以基板W之下表面變得潔淨且均勻之方式調整污染之去除能力。 如上所述，於基於污染分佈進行污染之去除能力之調整之情形時，亦可於基板洗淨裝置700中設置用以檢測基板W之下表面之實際之污染分佈之污染檢測裝置。藉此，於基板W之下表面之研磨時，可基於藉由污染檢測裝置檢測之污染分佈而調整污染之去除能力。 再者，污染檢測裝置亦可包含能夠拍攝基板W之下表面之至少一部分之拍攝裝置、及能夠基於由拍攝裝置獲取之圖像資料判定污染程度之處理裝置。 (d)上述實施形態中，於基板洗淨裝置700中設置有研磨基板W之下表面之基板研磨部400及洗淨基板W之下表面之基板洗淨部500，但本發明並不限定於此。亦可不於基板洗淨裝置700中設置基板洗淨部500。於此情形時，基板洗淨裝置700之構成簡化。 或者，亦可於基板洗淨裝置700中設置另一基板研磨部400代替基板洗淨部500。即，亦可於基板洗淨裝置700中設置2個基板研磨部400。於此情形時，可於基板W之半徑方向之複數個位置選擇性地使用複數個研磨頭ph。因此，基板W之下表面之研磨方法之自由度提高。 於在基板洗淨裝置700中設置複數個基板研磨部400之情形時，複數個基板研磨部400之研磨頭ph可由相互相同之素材製作，亦可由互不相同之素材製作。 再者，如上所述，於基板洗淨裝置700中未設置基板洗淨部500之情形時，亦可於圖19之洗淨乾燥處理部161設置基板洗淨裝置700及洗淨乾燥處理單元SD2。藉此，可藉由洗淨乾燥處理部161內之洗淨乾燥處理單元SD2洗淨利用基板洗淨裝置700進行研磨後之基板W之下表面。 (e)上述實施形態中，使用純水作為洗淨液，亦可使用BHF(緩衝氫氟酸)、DHF(稀氫氟酸)、氫氟酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、乙酸、草酸或氨水等化學液代替純水作為洗淨液。更具體而言，可使用氨水與過氧化氫水之混合溶液作為洗淨液，亦可使用TMAH(氫氧化四甲基氨)等鹼性溶液作為洗淨液。 (f)上述實施形態中，於基板洗淨裝置700之旋轉夾頭200設置有複數個輔助銷290，亦可不設置複數個輔助銷290。於此情形時，旋轉夾頭200之零件數量減少並且旋轉夾頭200之構成簡化。又，藉由於圖7之與磁板232A對應之區域使各夾盤銷220局部地成為打開狀態，可於研磨頭ph不與其他構件相干涉之狀態下使研磨頭ph接觸基板W之外周端部WE。藉此，可研磨基板W之外周端部WE(圖5)。進而，藉由於圖7之與磁板232B對應之區域使各夾盤銷220局部地成為打開狀態，可於洗淨刷cb不與其他構件相干涉之狀態下使洗淨刷cb接觸基板W之外周端部WE。藉此，可洗淨基板W之外周端部WE(圖5)。 (g)上述實施形態中，將藉由液浸法進行基板W之曝光處理之曝光裝置15作為基板處理裝置100之外部裝置而設置，但本發明並不限定於此。亦可將不使用液體而進行基板W之曝光處理之曝光裝置作為基板處理裝置100之外部裝置而設置。於此情形時，於塗佈處理室32、34之塗佈處理單元129中，亦可不於基板W上形成抗蝕覆蓋膜。因此，可使用塗佈處理室32、34作為顯影處理室。 (h)上述實施形態之基板處理裝置100為對基板W進行抗蝕膜之塗佈形成處理及顯影處理之基板處理裝置(所謂塗佈機/顯影機)，但設置基板洗淨裝置700之基板處理裝置並不限定於上述例。亦可將基板洗淨裝置700設置於對基板W進行洗淨處理等單一處理之基板處理裝置。例如，本發明之基板處理裝置亦可包括包含搬送裝置及基板載置部等之裝載區塊及1個或複數個基板洗淨裝置700。 (14)技術方案之各構成要素與實施形態之各部之對應關係 以下，對技術方案之各構成要素與實施形態之各構成要素之對應例進行說明，但本發明並不限定於下述例。 上述實施形態中，基板W為基板之例，基板W之上表面為基板W之上表面之例，基板W之下表面為基板W之一面及下表面之例，基板洗淨裝置700為基板洗淨裝置之例，旋轉夾頭200為旋轉保持部之例，研磨頭ph為研磨工具之例，基板研磨部400之臂410及臂支持柱420以及臂支持柱420之內部構成為第1移動部之例，研磨洗淨控制器780為控制部之例。 又，設置於基板研磨部400之臂410內部之旋轉支持軸414、滑輪415，417、皮帶416及馬達418為旋轉驅動部之例，基板洗淨部500之洗淨刷cb為刷之例，基板洗淨部500之臂510及臂支持柱520以及臂支持柱520之內部構成為第2移動部之例。 又，曝光裝置15為曝光裝置之例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，對基板W供給抗蝕膜用處理液之塗佈處理單元129為塗佈裝置之例，搬送裝置115、127、128、137、138、141、142、146為搬送裝置之例。 作為技術方案之各構成要素，亦可使用具有技術方案所記載之構成或功能之其他各種構成要素。 [產業上之可利用性] 本發明可有效地利用於洗淨基板之下表面之洗淨裝置。
1‧‧‧斜面部
2‧‧‧斜面部
3‧‧‧端面
11‧‧‧裝載區塊
12‧‧‧第1處理區塊
13‧‧‧第2處理區塊
14‧‧‧傳遞區塊
14A‧‧‧洗淨乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
21‧‧‧塗佈處理室
22‧‧‧塗佈處理室
23‧‧‧塗佈處理室
24‧‧‧塗佈處理室
25‧‧‧旋轉夾頭
27‧‧‧承杯
28‧‧‧處理液噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬送機構
31‧‧‧顯影處理室
32‧‧‧塗佈處理室
33‧‧‧顯影處理室
34‧‧‧塗佈處理室
35‧‧‧旋轉夾頭
37‧‧‧承杯
38‧‧‧顯影噴嘴
39‧‧‧移動機構
50‧‧‧流體箱部
60‧‧‧流體箱部
81‧‧‧洗淨乾燥處理室
82‧‧‧洗淨乾燥處理室
83‧‧‧洗淨乾燥處理室
84‧‧‧洗淨乾燥處理室
91‧‧‧洗淨乾燥處理室
92‧‧‧洗淨乾燥處理室
93‧‧‧洗淨乾燥處理室
94‧‧‧洗淨乾燥處理室
95‧‧‧洗淨乾燥處理室
98‧‧‧流體供給系統
99‧‧‧廢棄系統
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧載體載置部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧載體
114‧‧‧主控制器
115‧‧‧搬送裝置
121‧‧‧塗佈處理部
122‧‧‧搬送部
123‧‧‧熱處理部
125‧‧‧上段搬送室
126‧‧‧下段搬送室
127‧‧‧搬送裝置
128‧‧‧搬送裝置
129‧‧‧塗佈處理單元
131‧‧‧塗佈顯影處理部
132‧‧‧搬送部
133‧‧‧熱處理部
135‧‧‧上段搬送室
136‧‧‧下段搬送室
137‧‧‧搬送裝置
138‧‧‧搬送裝置
139‧‧‧顯影處理單元
141‧‧‧搬送裝置
142‧‧‧搬送裝置
146‧‧‧搬送裝置
161‧‧‧洗淨乾燥處理部
162‧‧‧洗淨乾燥處理部
163‧‧‧搬送部
200‧‧‧旋轉夾頭
211‧‧‧旋轉馬達
212‧‧‧旋轉軸
213‧‧‧旋轉板
214‧‧‧板支持構件
215‧‧‧液體供給管
220‧‧‧夾盤銷
221‧‧‧軸部
222‧‧‧銷支持部
223‧‧‧保持部
224‧‧‧磁體
231A‧‧‧磁板
231B‧‧‧磁板
232A‧‧‧磁板
232B‧‧‧磁板
233A‧‧‧磁體升降機構
233B‧‧‧磁體升降機構
234A‧‧‧磁體升降機構
234B‧‧‧磁體升降機構
290‧‧‧輔助銷
300‧‧‧防護機構
301‧‧‧上段熱處理部
302‧‧‧下段熱處理部
303‧‧‧上段熱處理部
304‧‧‧下段熱處理部
310‧‧‧防護件
320‧‧‧防護件升降驅動部
350‧‧‧交接機構
351‧‧‧升降旋轉驅動部
352‧‧‧旋轉軸
353‧‧‧臂
354‧‧‧保持銷
400‧‧‧基板研磨部
410‧‧‧臂
410N‧‧‧噴嘴
411‧‧‧臂一端部
412‧‧‧臂本體部
413‧‧‧臂另一端部
414‧‧‧旋轉支持軸
415‧‧‧滑輪
416‧‧‧皮帶
417‧‧‧滑輪
418‧‧‧馬達
420‧‧‧臂支持柱
430‧‧‧臂升降驅動部430
431‧‧‧線性導軌
432‧‧‧氣缸
433‧‧‧電動氣動調整器
440‧‧‧臂旋轉驅動部
441‧‧‧編碼器
500‧‧‧基板洗淨部
510‧‧‧臂
510N‧‧‧噴嘴
520‧‧‧臂支持柱
700‧‧‧基板洗淨裝置
710‧‧‧殼體
711‧‧‧側壁
712‧‧‧側壁
713‧‧‧側壁
714‧‧‧側壁
715‧‧‧頂壁部
716‧‧‧底面部
720‧‧‧液體收容槽
721‧‧‧廢液部
780‧‧‧研磨洗淨控制器
781‧‧‧旋轉夾頭控制部
782‧‧‧交接機構控制部
783‧‧‧防護件升降控制部
784‧‧‧基板上表面用液體供給控制部
785‧‧‧去除資訊記憶部
790‧‧‧研磨控制部
791‧‧‧旋轉控制部
792‧‧‧升降控制部
793‧‧‧臂控制部
794‧‧‧基板下表面用液體供給控制部
795‧‧‧洗淨控制部
a1‧‧‧箭頭
a2‧‧‧箭頭
B‧‧‧磁力線
cb‧‧‧洗淨刷
CP‧‧‧冷卻單元
d1‧‧‧距離
d2‧‧‧距離
d3‧‧‧距離
d4‧‧‧距離
EEW‧‧‧邊緣曝光部
M‧‧‧箭頭
N‧‧‧箭頭
p1‧‧‧頭待機位置
p2‧‧‧刷待機位置
PAHP‧‧‧密接強化處理單元
PASS1‧‧‧基板載置部
PASS2‧‧‧基板載置部
PASS3‧‧‧基板載置部
PASS4‧‧‧基板載置部
PASS5‧‧‧基板載置部
PASS6‧‧‧基板載置部
PASS7‧‧‧基板載置部
PASS8‧‧‧基板載置部
PASS9‧‧‧基板載置部
P-BF1‧‧‧載置兼緩衝部
P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
ph‧‧‧研磨頭
PHP‧‧‧熱處理裝置
R1‧‧‧第1區域
R2‧‧‧第2區域
R3‧‧‧第3區域
R4‧‧‧第4區域
SD2‧‧‧洗淨乾燥處理單元
W‧‧‧基板
WC‧‧‧中心
WE‧‧‧外周端部
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1係表示本發明之一實施形態之基板洗淨裝置之概略構成之模式性俯視圖。 圖2係於箭頭M之方向上觀察圖1之基板洗淨裝置之模式性側視圖。 圖3係於箭頭N之方向上觀察圖1之基板洗淨裝置之模式性側視圖。 圖4係表示圖1及圖2之基板研磨部之構成之模式性側視圖。 圖5係表示基板之外周端部之構造之放大側視圖。 圖6係用以說明圖1之旋轉夾頭及其周邊構件之構成之概略側視圖。 圖7係用以說明圖1之旋轉夾頭及其周邊構件之構成之概略俯視圖。 圖8係表示圖1之基板洗淨裝置之控制系統之構成之方塊圖。 圖9(a)及(b)係表示向殼體內搬入基板時之基板洗淨裝置之動作之側視圖。 圖10(a)及(b)係表示向殼體內搬入基板時之基板洗淨裝置之動作之側視圖。 圖11係用以對基板之上表面之洗淨進行說明之側視圖。 圖12係用以對基板之下表面之研磨進行說明之側視圖。 圖13係用以對基板之下表面之洗淨進行說明之側視圖。 圖14係表示推斷為產生於基板之下表面之污染分佈之一例之圖。 圖15係表示基於與圖14之污染分佈對應之去除資訊之基板研磨部之一控制例的圖。 圖16係表示基於與圖14之污染分佈對應之去除資訊之基板研磨部之另一控制例的圖。 圖17係表示基於與圖14之污染分佈對應之去除資訊之基板研磨部之又一控制例的圖。 圖18係表示基於與圖14之污染分佈對應之去除資訊之旋轉夾頭之一控制例的圖。 圖19係具備圖1之基板洗淨裝置之基板處理裝置之模式性俯視圖。 圖20係主要表示圖19之塗佈處理部、塗佈顯影處理部及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置之模式性側視圖。 圖21係主要表示圖19之熱處理部及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置之模式性側視圖。 圖22係主要表示圖19之搬送部之側視圖。

Claims (11)

  1. 一種基板洗淨裝置，其係去除基板之下表面之污染者，且具備：旋轉保持部，其將基板以水平姿勢保持並使其旋轉；研磨工具，其構成為能夠接觸基板之上述下表面；第1移動部，其使上述研磨工具一邊接觸藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之上述下表面，一邊至少於該基板之中心與外周部之間移動；及控制部，其以基板之半徑方向之基板之周緣部之位置處的上述研磨工具之污染之去除能力較基板之半徑方向之其他位置處的上述研磨工具之污染之去除能力更高之方式，控制上述第1移動部及上述旋轉保持部之至少一者。
  2. 一種基板洗淨裝置，其係去除基板之下表面之污染者，且具備：旋轉保持部，其將基板以水平姿勢保持並使其旋轉；研磨工具，其構成為能夠接觸基板之上述下表面；第1移動部，其使上述研磨工具一邊接觸藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之上述下表面，一邊至少於該基板之中心與外周部之間移動；及控制部；且藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板自基板之中心朝半徑方向定義有：第1區域，包含基板之中心；第2環狀區域，包圍上述第1區域；第3環狀區域，包圍上述第2環狀區域；及第4環狀區域，包圍上述第3環狀區域且包含基板之外周端部；上述控制部係以對應於上述第2環狀區域及第4環狀區域之位置處的上述研磨工具之污染之去除能力較對應於上述第1區域及第3環狀區域之位置處的上述研磨工具之污染之去除能力更高之方式，控制上述第1移動部及上述旋轉保持部之至少一者。
  3. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其中上述控制部係藉由使利用上述第1移動部之上述研磨工具對上述基板之上述下表面之按壓力變化，而使上述研磨工具之污染之去除能力變化。
  4. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其中上述控制部係藉由使利用上述第1移動部使上述研磨工具於上述基板之中心與外周部之間之移動速度變化，而使上述研磨工具之污染之去除能力變化。
  5. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其中上述第1移動部包含使上述研磨工具繞上下方向之軸旋轉之旋轉驅動部，且上述控制部藉由一邊使上述研磨工具接觸上述基板之上述下表面，一邊使利用上述旋轉驅動部之上述研磨工具之旋轉速度變化，而使上述研磨工具之污染之去除能力變化。
  6. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其中上述控制部藉由使利用上述旋轉保持部之基板之旋轉速度變化，而使上述研磨工具之污染之去除能力變化。
  7. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其進而具備：刷，其能夠接觸藉由上述旋轉保持部而旋轉之基板之上述下表面；及第2移動部，其於上述研磨工具與基板之上述下表面接觸及上述研磨工具之移動後，使上述刷接觸藉由上述旋轉保持部保持之基板之上述下表面。
  8. 一種基板處理裝置，其係以鄰接於曝光裝置之方式配置者，具備：塗佈裝置，其於基板之上表面塗佈感光性膜；如請求項1或2之基板洗淨裝置；及搬送裝置，其於上述塗佈裝置、上述基板洗淨裝置及上述曝光裝置之間搬送基板；且上述基板洗淨裝置於利用上述曝光裝置對基板進行曝光處理前去除基板之上述下表面之污染。
  9. 一種基板洗淨方法，其係去除基板之下表面之污染者，且包括以下步驟：將基板以水平姿勢保持並使其旋轉；使研磨工具一邊接觸藉由上述旋轉步驟而旋轉之基板之上述下表面，一邊至少於該基板之中心與外周部之間移動；及以基板之半徑方向之基板之周緣部之位置處的上述研磨工具之污染之去除能力較基板之半徑方向之其他位置處的上述研磨工具之污染之去除能力更高之方式，根據藉由上述旋轉步驟而旋轉之基板之半徑方向之位置，而使利用上述研磨工具之污染之去除能力變化。
  10. 一種基板洗淨方法，其係去除基板之下表面之污染者，且包括以下步驟：將基板以水平姿勢保持並使其旋轉；及使研磨工具一邊接觸藉由上述旋轉步驟而旋轉之基板之上述下表面，一邊至少於該基板之中心與外周部之間移動；藉由上述旋轉步驟而旋轉之基板自基板之中心朝半徑方向定義有：第1區域，包含基板之中心；第2環狀區域，包圍上述第1區域；第3環狀區域，包圍上述第2環狀區域；及第4環狀區域，包圍上述第3環狀區域且包含基板之外周端部；上述基板洗淨方法進一步包括以下步驟：以對應於上述第2環狀區域及第4環狀區域之位置處的上述研磨工具之污染之去除能力較對應於上述第1區域及第3環狀區域之位置處的上述研磨工具之污染之去除能力更高之方式，根據藉由上述旋轉步驟而旋轉之基板之半徑方向之位置，而使利用上述研磨工具之污染之去除能力變化。
  11. 一種基板處理方法，其包括以下步驟：於基板之上表面塗佈感光性膜；對塗佈有上述感光性膜之基板進行曝光；及於上述曝光步驟之前，藉由如請求項9或10之基板洗淨方法將基板之上述下表面之污染去除。
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