TWI654036B - Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium - Google Patents

Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium

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TWI654036B
TWI654036B TW106131947A TW106131947A TWI654036B TW I654036 B TWI654036 B TW I654036B TW 106131947 A TW106131947 A TW 106131947A TW 106131947 A TW106131947 A TW 106131947A TW I654036 B TWI654036 B TW I654036B
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岩井俊樹
町田英作
岡田吉文
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日商斯庫林集團股份有限公司
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract

本發明之基板處理方法包括：基板保持步驟，其將基板保持為水平；基板旋轉步驟，其使上述保持水平之基板繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線旋轉；刷接觸步驟，其使用以將上述保持水平之基板之上表面洗淨之刷與旋轉狀態之上述基板之上表面接觸；刷移動步驟，其與上述刷接觸步驟並行地，使上述刷在與上述保持水平之基板之上表面之中央接觸之位置和與該基板之上表面之外周接觸之位置之間移動；及速度設定步驟，其將上述基板之上表面以與該基板同心之圓形之假想線分割為數個區域，對各上述區域設定優先度，以上述區域優先度越高則上述刷之移動速度越低之方式設定上述刷移動步驟中之上述刷之移動速度。

Description

基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理方法、基板處理裝置及記錄有用以使設於基板處理裝置之電腦執行基板處理方法之程式且可由電腦讀取之記錄媒體。
成為處理對象之基板例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等基板。
於利用對基板逐片進行處理之單片式基板處理裝置執行之基板處理中，為了將基板之上表面物理性地洗淨，有時利用刷將保持於旋轉夾盤之基板之上表面洗淨。於下述專利文獻1所記載之基板處理方法中，一面使刷抵接於旋轉之基板之上表面，一面使該刷於水平方向上掃描。藉此，將基板之上表面之整體洗淨。
[專利文獻]
[專利文獻1]2016-149470號公報
於專利文獻1所記載之基板處理方法中，於基板之上 表面之污染情況存在不均之情形等時，有於基板上產生污垢未充分地被去除之部位之虞。另一方面，為了將基板之上表面之整體充分地洗淨，可考慮延長刷抵接於基板之上表面之時間。然而，於該方法中，有基板之洗淨所需之時間增大之虞。其結果，有處理量(每單位時間之基板之處理片數)降低之虞。
因此，本發明之目的之一在於提供一種可抑制處理量之降低且可將基板之上表面徹底地洗淨之基板處理方法、基板處理裝置、及記錄有用以使設於基板處理裝置之電腦執行基板處理方法之程式且可由電腦讀取之記錄媒體。
本發明之一實施形態提供一種基板處理方法，該基板處理方法包括：基板保持步驟，其將基板保持為水平；基板旋轉步驟，其使上述保持水平之基板繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線旋轉；刷接觸步驟，其使用以將上述保持水平之基板之上表面洗淨之刷接觸至旋轉狀態之上述基板之上表面；刷移動步驟，其與上述刷接觸步驟並行，使上述刷在與上述保持水平之基板之上表面之中央接觸之位置及與該基板之上表面之外周接觸之位置之間移動；及速度設定步驟，其將上述基板之上表面以與該基板同心之圓形之假想線分割為數個區域，對各上述區域設定優先度，以上述區域優先度越高則上述刷之移動速度越低之方式設定上述刷移動步驟中之上述刷之移動速度。
根據該方法，以與旋轉狀態之基板同心之圓形之假想線將基板之上表面分割為數個區域。對各區域設定優先度。與刷接觸步驟並行地執行之刷移動步驟中之刷之移動速度係以優先度越 高則速度越低之方式設定。因此，優先度越高之區域進行越長時間之洗淨。因此，藉由預先以附著於基板之污垢越難去除之區域則優先度越高之方式設定各區域之優先度，而將基板之上表面中污垢難以去除之區域充分地洗淨。另一方面，基板之上表面中污垢容易去除之區域之洗淨時間縮短。因此，可抑制處理量之降低，且將基板之上表面徹底地洗淨。
於本發明之一實施形態中，上述速度設定步驟包含如下步驟，即，基於以上述基板之上表面之污染程度越高則優先度越高之方式設定之上述優先度，針對上述區域中之每一個設定上述刷移動步驟中之上述刷之移動速度。
根據該方法，基板之污染程度越高之區域則優先度越高。因此，將基板之上表面中污染程度相對較高之區域充分地洗淨。另一方面，基板之上表面中污染程度相對較低之區域之洗淨時間縮短。因此，可抑制處理量之降低，且將基板之上表面徹底地洗淨。
於本發明之一實施形態中，上述速度設定步驟包含如下步驟，即，將執行上述刷移動步驟之合計時間設為T，將上述區域之數量設為i，將自上述旋轉軸線起算為第i個之上述區域之上述優先度設為wi，將自上述旋轉軸線起算為第i個之上述區域中之上述刷之移動距離設為ri，將自上述旋轉軸線起算為第i個之上述區域中之上述刷之移動時間設為ti，將自上述旋轉軸線起算為第i個之上述區域中之上述刷之移動速度設為vi，基於下述式(1)及式(2)設定各上述區域中之上述刷之移動速度。
根據該方法，藉由指定執行刷移動步驟之合計時間T、區域之數量i、第i個區域之優先度wi、及第i個區域中之刷之移動距離ri且使用式(1)而算出第i個區域中之刷之移動時間ti。然後，藉由將根據式(1)算出之移動時間ti、及所指定之移動距離ri代入至式(2)而算出刷之移動速度vi。因此，各區域中之刷之移動速度vi係以自刷移動步驟開始起經過時間T之後(按照預先所指定之時間)刷移動步驟結束之方式設定。由此，可確實地抑制處理量之降低。
於本發明之一實施形態中，上述刷接觸步驟包含相對於旋轉狀態之上述基板之上表面壓抵上述刷之刷壓抵步驟。又，上述基板處理方法進而包含壓抵狀態設定步驟，該壓抵狀態設定步驟係對各上述區域設定第2優先度，以上述第2優先度越高之上述區域則壓抵量或壓抵壓越高之方式對各上述區域設定上述刷相對於旋轉狀態之上述基板之壓抵量或壓抵壓。刷之壓抵量係指刷與基板之上表面接觸之後刷(之重心)朝向基板之上表面移動之移動量。
根據該方法，刷相對於旋轉狀態之基板之壓抵量或壓抵壓係第2優先度越高之區域則越高。此處，刷之壓抵量或壓抵壓越高則越容易將附著於基板之上表面之污垢去除。因此，基板之上表面中第2優先度相對較高之區域之洗淨時間縮短。另一方面，相較於以始終固定之壓抵量(壓抵壓)相對於基板壓抵刷之基板處理， 可抑制刷之消耗。其結果，可謀求刷之長壽命化。因此，可抑制處理量之降低，且將基板之上表面徹底地洗淨。
於本發明之一實施形態中，上述壓抵狀態設定步驟包含如下步驟，即，基於以上述基板之上表面之污染程度越高則優先度越高之方式設定之上述第2優先度，設定上述壓抵量或上述壓抵壓。
根據該方法，基板之上表面之污染程度越高之區域則第2優先度越高。又，如上所述，第2優先度越高之區域則壓抵量或壓抵壓越高。因此，污染程度相對較高之區域中之基板之上表面之洗淨時間縮短。另一方面，相較於以始終固定之壓抵量(壓抵壓)相對於基板壓抵刷之基板處理，可抑制刷之消耗。其結果，可謀求刷之長壽命化。因此，可抑制處理量之降低，且將基板之上表面徹底地洗淨。
於本發明之一實施形態中，上述刷接觸步驟包含相對於旋轉狀態之上述基板之上表面壓抵上述刷之刷壓抵步驟。又，上述基板處理方法包含壓抵狀態設定步驟，該壓抵狀態設定步驟以與上述刷之移動速度成反比例地變化之方式設定上述刷相對於旋轉狀態之上述基板之壓抵量或壓抵壓。
根據該方法，刷相對於基板之壓抵量或壓抵壓係以與刷之移動速度成反比例地變化之方式設定。亦即，刷壓抵步驟中之刷相對於基板之壓抵量或壓抵壓係刷之移動速度越低則越高。因此，優先度越高之區域則該壓抵量或壓抵壓越高。因此，優先度相對較高之區域之基板之上表面之洗淨時間縮短。因此，可抑制處理量之降低，且將基板之上表面徹底地洗淨。
於本發明之一實施形態中，上述基板處理方法進而包括：刷升降步驟，其與上述刷移動步驟並行地使上述刷升降；及鉛垂位置設定步驟，其以於使上述刷沿著上述基板之上表面之狀態下執行上述刷移動步驟之方式，針對上述區域中之每一個設定上述刷升降步驟中之上述刷之鉛垂方向位置。
根據該方法，與刷移動步驟並行地執行刷升降步驟。以於使刷沿著基板之上表面之狀態下執行刷移動步驟之方式，針對每個區域設定刷升降步驟中之刷之鉛垂方向位置。因此，即便基板產生翹曲，亦可維持刷與基板之上表面接觸之狀態。因此，可抑制基板之上表面之洗淨之不均。因此，將基板之上表面更徹底地洗淨。
於本發明之另一實施形態中，基板處理裝置包括：基板保持單元，其將基板保持為水平；基板旋轉單元，其使由上述基板保持單元保持之基板繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線旋轉；刷，其將由上述基板保持單元保持之基板之上表面洗淨；刷接觸單元，其使上述刷接觸至由上述基板保持單元保持之基板之上表面；刷移動單元，其使上述刷於水平方向上移動；及控制器，其控制上述基板旋轉單元、上述刷接觸單元及上述刷移動單元。
又，控制器以執行如下步驟之方式程式化：基板旋轉步驟，其使上述保持水平之基板旋轉；刷接觸步驟，其使上述刷接觸至上述保持水平之基板；刷移動步驟，其與上述刷接觸步驟並行，使上述刷在與上述保持水平之基板之上表面之中央接觸之位置及與該基板之上表面之外周接觸之位置之間移動；及速度設定步驟，其將上述基板之上表面以與該基板同心之圓形之假想線分割為 數個區域，對各上述區域設定優先度，以上述區域優先度越高則上述刷之移動速度越低之方式設定上述刷移動步驟中之上述刷之移動速度。
根據該構成，以與旋轉狀態之基板同心之圓形之假想線將基板之上表面分割為數個區域。對各區域設定優先度。刷移動步驟中之刷之移動速度係以優先度越高則速度越低之方式設定。因此，優先度越高之區域進行越長時間之洗淨。因此，藉由預先以附著於基板之污垢越難去除之區域則優先度越高之方式設定各區域之優先度，而將基板之上表面中污垢難以去除之區域充分地洗淨。另一方面，基板之上表面中污垢容易去除之區域之洗淨時間縮短。因此，可抑制處理量之降低，且將基板之上表面徹底地洗淨。
於本發明之另一實施形態中，優先度以基板之上表面之污染程度越高則優先度越高之方式設定。
根據該構成，基板之污染程度越高之區域則優先度越高。因此，將基板之上表面中污染程度相對較高之區域充分地洗淨。另一方面，基板之上表面中污染程度相對較低之區域之洗淨時間縮短。因此，可抑制處理量之降低，且將基板之上表面徹底地洗淨。
於本發明之另一實施形態中，上述控制器以執行如下步驟之方式程式化，即，將執行上述刷移動步驟之合計時間設為T，將上述區域之數量設為i，將自上述旋轉軸線起算為第i個之上述區域之上述優先度設為wi，將自上述旋轉軸線起算為第i個之上述區域中之上述刷之移動距離設為ri，將自上述旋轉軸線起算為第i個之上述區域中之上述刷之移動時間設為ti，將自上述旋轉軸線起 算為第i個之上述區域中之上述刷之移動速度設為vi，基於下述式(1)及式(2)設定各上述區域中之上述刷之移動速度。
根據該構成，藉由指定執行刷移動步驟之合計時間T、區域之數量i、第i個區域之優先度wi、及第i個區域中之刷之移動距離ri且使用式(1)而算出第i個區域中之刷之移動時間ti。然後，藉由將根據式(1)算出之移動時間ti、及所指定之移動距離ri代入至式(2)而算出移動速度vi。因此，各區域中之刷之移動速度vi係以自刷移動步驟開始起經過時間T之後(按照預先所指定之時間)刷移動步驟結束之方式設定。由此，可確實地抑制處理量之降低。
於本發明之另一實施形態中，上述基板處理裝置進而包括相對於上述保持水平之基板之上表面壓抵上述刷之刷壓抵單元。又，上述控制器以執行如下步驟之方式程式化：刷壓抵步驟，其相對於旋轉狀態之上述基板之上表面壓抵上述刷；及壓抵狀態設定步驟，其對各上述區域設定第2優先度，以上述第2優先度越高之上述區域則壓抵量或壓抵壓越高之方式對各上述區域設定上述刷相對於旋轉狀態之上述基板之壓抵量或壓抵壓。
根據該構成，第2優先度越高之區域則刷相對於旋轉狀態之基板之壓抵量或壓抵壓越高。此處，刷之壓抵量或壓抵壓越 高，則越容易將附著於基板之上表面之污垢去除。因此，第2優先度相對較高之區域之洗淨時間縮短。另一方面，相較於以始終固定之壓抵量(壓抵壓)相對於基板壓抵刷之基板處理，可抑制刷之消耗。其結果，可謀求刷之長壽命化。因此，可抑制處理量之降低，且將基板之上表面徹底地洗淨。
於本發明之另一實施形態中，控制器以執行如下步驟之方式程式化，即，基於以上述基板之上表面之污染程度越高則優先度越高之方式設定之上述第2優先度，設定上述壓抵量或上述壓抵壓。
根據該構成，基板之上表面之污染程度越高之區域則第2優先度越高。又，如上所述，第2優先度越高之區域則壓抵量或壓抵壓越高。因此，污染程度相對較高之區域中之基板之上表面之洗淨時間縮短。另一方面，相較於以始終固定之壓抵量(壓抵壓)相對於基板壓抵刷之基板處理，可抑制刷之消耗。其結果，可謀求刷之長壽命化。因此，可抑制處理量之降低，且將基板之上表面徹底地洗淨。
於本發明之另一實施形態中，上述基板處理裝置進而包括相對於上述保持水平之基板之上表面壓抵上述刷之刷壓抵單元。又，上述控制器以執行如下步驟之方式程式化：刷壓抵步驟，其相對於旋轉狀態之上述基板之上表面壓抵上述刷；及壓抵狀態設定步驟，其以與上述刷之移動速度成反比例地變化之方式設定上述刷相對於旋轉狀態之上述基板之壓抵量或壓抵壓。
根據該構成，刷相對於基板之壓抵量或壓抵壓係以與刷之移動速度成反比例地變化之方式設定。亦即，刷相對於基板之 壓抵量或壓抵壓係刷之移動速度越低則相對於基板之壓抵量或壓抵壓越高。因此，優先度越高之區域則該壓抵量或壓抵壓越高。因此，優先度相對較高之區域之基板之上表面之洗淨時間縮短。因此，可抑制處理量之降低，且將基板之上表面徹底地洗淨。
於本發明之另一實施形態中，上述基板處理裝置進而包括使上述刷升降之刷升降單元。又，上述控制器以執行如下步驟之方式程式化：刷升降步驟，其與上述刷接觸步驟並行地使上述刷升降；及鉛垂位置設定步驟，其以於使上述刷沿著上述基板之上表面之狀態下執行上述刷移動步驟之方式，針對每一個上述區域設定上述刷升降步驟中之上述刷之鉛垂方向位置。
根據該構成，與刷移動步驟並行地執行刷升降步驟。以於使刷沿著基板之上表面之狀態下執行刷移動步驟之方式，針對每個區域設定刷升降步驟中之刷之鉛垂方向位置。因此，即便基板產生翹曲，亦可維持刷與基板之上表面接觸之狀態。因此，可抑制基板之上表面之洗淨之不均。因此，將基板之上表面更徹底地洗淨。
本發明之又一實施形態提供一種記錄媒體，其可由電腦讀取，並記錄有用以使設於基板處理裝置之電腦執行上述基板處理方法之程式。根據該構成，可發揮與上述同樣之效果。
本發明中之上述之或進而其他之目的、特徵及效果根據以下參照隨附圖式所敍述之實施形態之說明而明確。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制器
4‧‧‧測定單元
5‧‧‧旋轉夾盤
6‧‧‧操作單元
10‧‧‧處理液噴嘴
13‧‧‧腔室
21‧‧‧旋轉基座
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧電動馬達
24‧‧‧抽吸口
25‧‧‧抽吸路徑
27‧‧‧抽吸機構
31‧‧‧刷
31a‧‧‧洗淨面
32‧‧‧刷保持器
33‧‧‧保持器安裝部
34‧‧‧支持軸
35‧‧‧刷臂
36‧‧‧刷移動機構
37‧‧‧刷水平驅動機構
38‧‧‧刷鉛垂驅動機構
39‧‧‧壓抵狀態變更機構
40‧‧‧抽吸閥
41‧‧‧處理液閥
42‧‧‧處理液流量調節閥
50‧‧‧抽吸管
51‧‧‧處理液供給管
67‧‧‧電腦本體
68‧‧‧周邊裝置
69‧‧‧CPU
70‧‧‧主記憶裝置
71‧‧‧輔助記憶裝置
72‧‧‧讀取裝置
73‧‧‧通信裝置
74‧‧‧製程配方
75‧‧‧保存資料
76‧‧‧表格
a1‧‧‧旋轉軸線
a2‧‧‧刷轉動軸線
r、r1、ri、rn‧‧‧移動距離
t1、ti‧‧‧移動時間
v、v1、v2、v3、vi、vn‧‧‧移動速度
w、w1、wi、wn‧‧‧優先度
y‧‧‧第2優先度
A、A1、A2、A3、Ai、An‧‧‧區域
C‧‧‧載體
CR、IR‧‧‧搬送機械手
HC‧‧‧主電腦
L、Ln‧‧‧假想線
LP‧‧‧裝載埠
M‧‧‧可移媒體
P‧‧‧程式
R‧‧‧半徑
S1~S12、T1~T9‧‧‧步驟
T‧‧‧合計時間
W‧‧‧基板
圖1係用以說明本發明之一實施形態之基板處理裝置之內部之 佈局的圖解性俯視圖。
圖2係用以說明設於上述基板處理裝置之處理單元之一構成例的圖解性縱剖面圖。
圖3係用以說明上述基板處理裝置之主要部分之電氣構成之方塊圖。
圖4係用以對利用上述基板處理裝置執行之基板處理之一例進行說明之流程圖。
圖5A係上述基板處理之刷移動步驟(圖4之S6)中之基板之示意性前視圖。
圖5B係上述基板處理之刷移動步驟(圖4之S6)中之基板之示意性俯視圖。
圖6係用以對利用設於上述基板處理裝置之控制手段設定各區域中之刷之移動速度的方法之一例進行說明的流程圖。
圖7A係基於利用圖6所示之方法設定之刷的移動速度製成之曲線圖之一例。
圖7B係基於利用圖6所示之方法設定之刷的移動速度製成之曲線圖之一例。
圖8A係表示各區域中之第2優先度與刷之壓抵力的關係之一例之表。
圖8B係表示針對每個區域所設定之壓抵壓之曲線圖之一例。
圖9A係產生翹曲之基板之示意性前視圖。
圖9B係產生翹曲之基板之示意性前視圖。
圖10係表示於圖6所示之方法中由控制手段獲取之資訊之一例之表。
圖1係用以說明本發明之一實施形態之基板處理裝置1之內部之佈局的圖解性俯視圖。基板處理裝置1係對矽晶圓等基板W逐片進行處理之單片式裝置。於本實施形態中，基板W係圓形狀之基板。
基板處理裝置1包含：數個處理單元2，其等對基板W進行處理；數個裝載埠LP，其等分別保持有收容利用處理單元2處理之數片基板W之載體C；搬送機械手IR及CR，其等於裝載埠LP與處理單元2之間搬送基板W；及控制器3，其控制基板處理裝置1。
基板處理裝置1包含：測定單元4，其測定自數個裝載埠LP搬出之基板W之狀態；及操作單元6，其用以操作基板處理裝置1。操作單元6具有顯示關於基板處理之資訊之顯示部(未圖示)、及用以供作業者輸入關於基板處理之資訊之輸入部(未圖示)。
搬送機械手IR於載體C與搬送機械手CR之間搬送基板W。搬送機械手CR於搬送機械手IR與處理單元2之間搬送基板W。數個處理單元2例如具有同樣之構成。
圖2係用以說明處理單元2之一構成例之圖解性縱剖面圖。
處理單元2包含：旋轉夾盤5，其一面將一片基板W以水平姿勢保持，一面使基板W繞經過基板W之中央部之鉛垂之旋轉軸線a1旋轉；及處理液噴嘴10，其對基板W之上表面供給去離子水(DIW：Deionized Water)等處理液。處理單元2進而包含收容旋轉夾盤5之腔室13(參照圖1)。雖省略圖示，但於腔室13形成 有用以將基板W搬入/搬出之搬入/搬出口。於腔室13設有開關該搬入/搬出口之擋板單元。
旋轉夾盤5亦可為藉由吸附作為非器件形成面之基板W之背面(下表面)而將基板W保持為水平之真空式之夾盤。旋轉夾盤5亦可為藉由在水平方向上夾持基板W而將基板W保持為水平之夾持式之夾盤。於本實施形態中，表示旋轉夾盤5為真空式之夾盤之例。
旋轉夾盤5包含旋轉基座21、旋轉軸22、及對旋轉軸22賦予旋轉力之電動馬達23。旋轉軸22沿著旋轉軸線a1沿鉛垂方向延伸。旋轉軸22之上端與旋轉基座21之下表面中央結合。旋轉基座21具有沿著水平方向之圓盤形狀。
於旋轉基座21之上表面形成有用以抽吸配置於旋轉基座21之上表面之基板W而使旋轉基座21保持基板W的數個抽吸口24。抽吸口24經由形成於旋轉基座21及旋轉軸22之內部之抽吸路徑25而連結於抽吸管50。抽吸管50連結於真空泵等抽吸機構27。於抽吸管50介裝有用以開關其路徑之抽吸閥40。旋轉基座21及抽吸機構27包含於用以將基板W保持為水平之基板保持單元。
亦可不同於該實施形態而使抽吸管50延伸至旋轉基座21及旋轉軸22之內部。於此情形時，抽吸管50中延伸至旋轉基座21及旋轉軸22之內部之部分構成抽吸路徑25。
藉由利用電動馬達23使旋轉軸22旋轉，而使基板W繞旋轉軸線a1旋轉。以下，將以旋轉軸線a1為中心之半徑方向稱為旋轉半徑方向。旋轉半徑方向亦為基板W之徑向。將旋轉半徑 方向之內側簡稱為「徑向內側」。將旋轉半徑方向之外側簡稱為「徑向外側」。旋轉軸22及電動馬達23包含於使基板W繞旋轉軸線a1旋轉之基板旋轉單元。
於本實施形態中，處理液噴嘴10係以朝向基板W之上表面之旋轉中心吐出處理液之方式配置之固定噴嘴。自處理液供給源經由處理液供給管51而對處理液噴嘴10供給DIW等處理液。於處理液供給管51介裝有用以開關處理液供給管51內之流路之處理液閥41、及用以調節處理液供給管51中之處理液之流量之處理液流量調節閥42。處理液噴嘴10無須為固定噴嘴。處理液噴嘴10亦可為至少於水平方向上移動之移動噴嘴。
處理液噴嘴10亦可為供給DIW以外之淋洗液之淋洗液噴嘴。所謂淋洗液，除DIW以外，亦可例示碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如，10~100ppm左右)之鹽酸水、還原水(氫水)等。自處理液噴嘴10供給至基板W之處理液亦可為淋洗液以外之液體。自處理液噴嘴10供給至基板W之處理液例如可為藥液，亦可為異丙醇(IPA，Isopropanol)等液狀之有機溶劑。亦可將數種處理液自1個以上之噴嘴依次供給至基板W。
處理單元2包含：刷31，其用以將基板W之上表面洗淨；刷臂35，其支持刷31；刷移動機構36，其藉由使刷臂35移動而使刷31移動；及壓抵狀態變更機構39，其變更刷31相對於基板W之上表面之壓抵量或壓抵力。再者，所謂刷31之壓抵量，係指於刷31與基板W之上表面接觸之後，刷31(之重心)朝向基板W之上表面移動之移動量。
刷31保持於配置在刷31之上方之刷保持器32。刷 保持器32安裝於配置在刷保持器32之上方之保持器安裝部33。保持器安裝部33支持於自保持器安裝部33向上方延伸之支持軸34。支持軸34自刷臂35向下方突出。
刷31係利用聚乙烯醇(PVA，polyvinyl alcohol)等合成樹脂製成之可彈性變形之海棉刷。刷31自刷保持器32向下方突出。刷31包含配置於較刷保持器32更靠下方之洗淨面31a。洗淨面31a相對於基板W之上表面於上下方向上對向。洗淨面31a於俯視下較基板W小。洗淨面31a於刷31未壓抵於基板W之自由狀態下，可為與基板W之上表面平行之平面，亦可為向下方凸出之半球面。於洗淨面31a為圓形之情形時，洗淨面31a之直徑例如為20mm。但是，洗淨面31a之大小不限於此。刷31不限於海棉刷。刷31亦可為具備利用樹脂製之數個纖維形成之毛束之刷。
壓抵狀態變更機構39係例如為氣缸等使刷31於鉛垂方向上下之致動器。壓抵狀態變更機構39配置於刷臂35內。處理單元2亦可於刷臂35內配備使刷31相對於刷臂35繞鉛垂之旋轉軸線a1旋轉之刷自轉機構。刷自轉機構藉由使支持軸34繞著其中心線旋轉而使刷31自轉。
刷移動機構36包含：刷水平驅動機構37，其使刷臂35水平地移動；及刷鉛垂驅動機構38，其使刷臂35鉛垂地移動。圖2表示刷水平驅動機構37係使刷臂35繞位於旋轉夾盤5之周圍之鉛垂之刷轉動軸線a2轉動之刷回旋機構之例。刷水平驅動機構37亦可為使刷臂35呈直線狀地於水平方向上移動之刷滑動機構。刷水平驅動機構37係使刷31於水平方向上移動之刷移動單元之一例。刷鉛垂驅動機構38係使刷31升降之刷升降單元之一例。
刷31能夠藉由刷水平驅動機構37使刷臂35移動而於待機位置與中央位置之間移動。刷31於位於待機位置時，於俯視下位於旋轉夾盤5之周圍。刷31於位於中央位置時，與基板W之上表面之中央接觸。刷31於位於待機位置與中央位置之間之外周位置時，與基板W之上表面之外周接觸。所謂基板W之上表面之中央，係指基板W之上表面與旋轉軸線a1交叉之部分。又，所謂基板W之上表面之外周，係指基板W之上表面中較基板W之周緣略靠基板W之內側(中心側)之部分。
圖3係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電氣構成之方塊圖。控制器3包含電腦本體67、及連接於電腦本體67之周邊裝置68。電腦本體67包含執行各種命令之CPU69(central processing unit：中央處理裝置)、及記憶資訊之主記憶裝置70。周邊裝置68包含：輔助記憶裝置71，其記憶程式等資訊；讀取裝置72，其自可移媒體M讀取資訊；及通信裝置73，其與主電腦HC等外部裝置通信。
電腦本體67連接於輔助記憶裝置71、讀取裝置72、及通信裝置73之各者。電腦本體67進而連接於搬送機械手IR或處理單元2等各裝置。電腦本體67與輔助記憶裝置71等之各者進行資訊之交換。
CPU69執行記憶於輔助記憶裝置71之程式P或藉由讀取裝置72自可移媒體M讀取之程式P。輔助記憶裝置71內之程式P亦可為預先安裝於控制器3者。輔助記憶裝置71內之程式P亦可為通過讀取裝置72而自可移媒體M傳送至輔助記憶裝置71者。輔助記憶裝置71內之程式P亦可為通過通信裝置73而自外部 裝置傳送至輔助記憶裝置71者。
輔助記憶裝置71係即便不供給電力亦保持記憶之非揮發性記憶體。輔助記憶裝置71例如係硬碟驅動器等磁記憶裝置。輔助記憶裝置71亦可為磁記憶裝置以外之非揮發性記憶體。
可移媒體M係即便不供給電力亦保持記憶之非揮發性記憶體。可移媒體M例如係壓縮光碟等光碟或記憶卡等半導體記憶體。可移媒體M亦可為光碟及半導體記憶體以外之非揮發性記憶體。可移媒體M係記錄有程式P之可由電腦讀取之記錄媒體之一例。
主電腦HC與控制器3進行通信。主電腦HC針對每一基板W向控制器3指定識別資訊，上述識別資訊係表示對基板W進行之一系列步驟之製程配方74之識別資訊。
於輔助記憶裝置71記憶有數種製程配方74。製程配方74包含製程配方識別資訊、基板處理條件及基板處理順序。電腦本體67自輔助記憶裝置71讀入由主電腦HC所指定之製程配方74。然後，電腦本體67按照所指定之製程配方74製作利用處理單元2處理該基板W之處理排程。其後，控制器3使搬送機械手IR、CR、測定單元4、操作單元6、電動馬達23、抽吸機構27、刷移動機構36、壓抵狀態變更機構39及閥類40~42等基板處理裝置1之控制對象(資源)執行處理排程。
圖4係用以說明利用基板處理裝置1進行之基板處理之一例之流程圖。於利用基板處理裝置1進行之基板處理中，基於藉由控制器3製作之處理排程，例如，如圖4所示般，依序執行步驟S1~S12。
首先，未處理之基板W由搬送機械手IR、CR自載體C搬入至處理單元2，並交接給旋轉夾盤5(S1)。然後，控制器3藉由驅動抽吸機構27且打開抽吸閥40而使抽吸機構27抽吸基板W。藉此，開始使基板W以與旋轉基座21之上表面接觸之狀態水平保持於旋轉夾盤5的基板保持步驟(S2)。其後，基板W於被搬送機械手CR搬出之前之期間以保持水平之狀態維持。
然後，控制器3驅動電動馬達23而使旋轉保持於旋轉夾盤5之基板W旋轉的基板旋轉步驟開始(S3)。基板旋轉步驟亦可持續至下述旋轉乾燥(S9)開始為止。
然後，控制器3將處理液閥41打開而自處理液噴嘴10朝向旋轉狀態之基板W之上表面供給DIW等處理液。藉此，開始處理液供給步驟(S4)。供給至旋轉狀態之基板W之上表面之處理液藉由離心力而沿著基板W之上表面向徑向外側流動。藉此，處理液遍佈基板W之上表面之整體。
其次，控制器3控制刷水平驅動機構37，而使刷31自待機位置移動至中央位置。然後，控制器3執行控制刷鉛垂驅動機構38而使刷31之洗淨面31a與旋轉狀態之基板W之上表面之中央接觸的刷接觸步驟(S5)。如此，刷鉛垂驅動機構38作為使刷31與由旋轉基座21保持之基板W之上表面接觸之刷接觸單元發揮功能。
於刷接觸步驟中，控制器3亦可控制壓抵狀態變更機構39而將刷31壓抵於基板W之上表面(刷壓抵步驟)。若將刷31壓抵於基板W，則藉由刷31之彈性變形而洗淨面31a進一步密接於基板W。如此，壓抵狀態變更機構39作為相對於基板W之上表面壓抵基板W之上表面之刷壓抵單元發揮功能。
其後，控制器3使控制刷水平驅動機構37而使與基板W之上表面接觸之狀態之刷31自中央位置移動至外周位置的刷移動步驟開始(S6)。亦即，與刷接觸步驟並行地執行刷移動步驟。藉此，刷31與基板W之上表面之整體摩擦，而將基板W之上表面之整體擦洗洗淨。
然後，控制器3控制刷鉛垂驅動機構38而使位於外周位置之刷31退避至上方(S7)。藉此，刷31離開基板W之上表面。其後，使刷31移動至待機位置。處理液閥41於刷31離開基板W之後關閉。藉此，停止向基板W供給DIW(S8)。其後，使基板W之旋轉加速至乾燥速度(例如，數千rpm)。藉此，將附著於基板W之純水甩至基板W之周圍，而使基板W乾燥(S9)。控制器3控制電動馬達23，而於基板W乾燥之後使基板W之旋轉停止(S10)。然後，控制器3將抽吸閥40關閉，其後，使利用抽吸機構27進行之抽吸停止。藉此，解除旋轉基座21對基板W之保持(S11)。
其後，搬送機械手CR進入至處理單元2，自旋轉夾盤5抄取經處理過之基板W，並向處理單元2外搬出(S12)。該基板W自搬送機械手CR交接給搬送機械手IR，並藉由搬送機械手IR而收納至載體C。
以此方式，數個基板處理步驟(刷移動步驟或刷接觸步驟)以製程配方74所指定之基板處理條件且以製程配方74所指定之基板處理順序執行。
圖5A及圖5B係刷移動步驟(圖4之S6)中之基板W之示意圖。圖5A係前視圖，圖5B係俯視圖。
此處，於執行圖4所示之基板處理之前，控制器3設 定作為製程配方74之一部分之刷移動步驟(圖4之S6)中之刷31之移動速度v(速度設定步驟)。
具體而言，控制器3以與旋轉狀態之基板W同心之圓形狀之假想線L沿著旋轉半徑方向將基板W之上表面分割。然後，控制器3對數個區域A之各者設定優先度w。假想線L之中心於俯視下與旋轉軸線a1一致。移動速度v係處於與區域A對向之位置之刷31之移動速度之旋轉半徑方向分量。將處於與區域A對向之位置之刷31移動之距離之旋轉半徑方向分量稱為移動距離r。
亦將自旋轉軸線a1起算為第n(n：2以上之自然數)個之區域A稱為區域An。亦將區域An中之優先度w稱為優先度wn。亦將成為區域A(n-1)與區域An之交界之假想線L稱為假想線Ln。亦將區域An中之移動距離r稱為移動距離rn。亦將自旋轉軸線a1起算為第n個之區域An中之刷31之移動速度v稱為移動速度vn。於圖5A及圖5B中，表示刷31處於與區域A1對向之位置之狀態。於刷31位於與區域An對向之位置時，俯視下之刷31之中心與區域An對向。
優先度w係以附著於基板W之上表面之微粒等污垢越難去除之區域A則優先度越高之方式設定。詳細而言，以基板W之上表面之污染程度越高則優先度w越高之方式設定優先度w。所謂基板W之上表面之污染程度較高，係指附著於基板W之上表面之污垢之量(例如，微粒之數量)較多。基板W之上表面之污染程度越高，則越難將污垢自基板W之上表面去除。
附著於基板W之上表面之微粒之數量例如係藉由設於測定單元4之微粒計數器等，於基板W自裝載埠LP被搬送至處 理單元2之期間予以測定。附著於基板W之上表面之微粒之數量亦可藉由設置於基板處理裝置1之外部之微粒計數器事先予以測定。又，亦可不測定實施基板處理之基板W之微粒之數量，而係預測利用基板處理裝置1處理之前之基板W之污染狀態，並將該預測作為基板W之上表面之污染程度之指標。
越難去除污垢之區域A，基板W之洗淨需要越長之時間。因此，刷移動步驟(圖4之S6)中之刷31之移動速度v係以優先度w越高之區域A則移動速度越低之方式設定。再者，於基板W之上表面，污垢附著於外周附近之量尤其多，外周附近之區域A相較於中央附近之區域A，污染程度較高。
又，並非必須以污染程度越高則優先度w越高之方式設定優先度w。例如，亦可以污垢(例如微粒)相對於基板W之上表面之吸附程度越高之區域A則優先度w越高之方式設定優先度w。污垢(例如微粒)相對於基板W之上表面之吸附程度越高，則越難將污垢自基板W之上表面去除。
其次，對各區域A中之刷31之移動速度v之設定方法詳細地進行說明。圖6係用以對利用控制器3設定各區域A中之刷31之移動速度v之方法之一例進行說明的流程圖。於圖6中，表示n≧3之情形之例。
首先，控制器3獲取製程配方資訊(步驟T1)。所謂製程配方資訊係指各種參數之值，例如，可列舉執行刷移動步驟之時間之合計(合計時間T)或成為基板處理之對象之基板W之半徑R等。合計時間T例如係5秒~20秒左右之時間。半徑R例如係150mm。控制器3亦可自記憶於控制器3之輔助記憶裝置71之資訊中 獲取該等製程配方資訊。控制器3亦可自作業者輸入至操作單元6(參照圖2)之輸入部之資訊中獲取。
然後，控制器3獲取作業者輸入至操作單元6之輸入部之刷31之移動距離r1、…、r(n-1)(步驟T2)。然後，判定移動距離r1、…、r(n-1)之和[r1+…+r(n-1)]是否小於基板W之半徑R(步驟T3)。若移動距離r1、…、r(n-1)之和[r1+…+r(n-1)]成為半徑R以上，則無法設定移動距離rn。於移動距離r1、…、r(n-1)之和[r1+…+r(n-1)]不小於基板W之半徑R之情形(步驟T3中為否)時，對作業者發出警報(步驟T4)。其後，重複自步驟T2起之處理，直至於步驟T3中判斷移動距離r1、…、r(n-1)之和[r1+…+r(n-1)]小於基板W之半徑R為止。
於移動距離r1、…、r(n-1)之和[r1+…+r(n-1)]小於基板W之半徑R之情形(步驟T3中為是)時，控制器3獲取作業者輸入至操作單元6之輸入部之優先度w1、…、wn(步驟T5)。
然後，控制器3使用藉由步驟T1至步驟T5所獲取之合計時間T、移動距離r及優先度w而算出各區域A中之移動速度v1、…、vn(步驟T6)。具體而言，基於下述式(1)及式(2)算出各區域A中之移動速度v1、…、vn。
於式(1)及式(2)中，區域A之數量設為i(i：自然數)， 自旋轉軸線a1起算為第i個之區域Ai中之刷31之優先度設為wi。又，於式(1)及式(2)中，自旋轉軸線a1起算為第i個之區域Ai中之刷31之移動距離r設為ri。又，於式(1)及式(2)中，自旋轉軸線a1起算為第i個之區域Ai中之刷31之移動時間設為ti，自旋轉軸線a1起算為第i個之區域Ai中之刷31之移動速度v設為vi。如上所述，T表示執行刷移動步驟之合計時間。
根據式(1)計算移動時間ti。如式(1)所示，移動時間ti係優先度wi越高則越長。然後，基於利用式(1)計算出之移動時間ti及式(2)算出移動速度vi。藉由對所有區域A算出移動速度vi而獲得移動速度v1、…、vn。
然後，控制器3判斷所算出之移動速度v1、…、vn是否為刷水平驅動機構37之機械性能(規格)之範圍內(步驟T7)。於所算出之移動速度v1、…、vn為刷水平驅動機構37之機械性能之範圍外之情形(步驟T7中為否)時，對作業者發出警報(步驟T8)。其後，重複自步驟T5起之處理，直至判斷於步驟T7中算出之移動速度v1、…、vn為刷水平驅動機構37之機械性能之範圍內為止。
於所算出之移動速度v1、…、vn為刷水平驅動機構37之機械性能之範圍內之情形(步驟T7中為是)時，將所算出之移動速度v1、…、vn作為保存資料75(參照圖3)記憶並保存於輔助記憶裝置71等(步驟T9)。保存資料75亦可一併包含所算出之移動速度v1、…、vn及移動時間t1、…、tn。然後，控制器3基於記憶於輔助記憶裝置71之保存資料75設定製程配方74內之刷31之移動速度v(速度設定步驟)。
各區域A中之刷31之移動速度v無須始終固定。移動速度v例如亦可以於刷31當前對向之區域A與自徑向外側鄰接於該區域A之區域A之交界附近降低的方式設定。又，所算出之移動速度v1、…、vn亦可用作對應之區域A1…、An中之刷31之移動速度v之最大值(峰值)。即，移動速度v亦可以如下方式設定，即，於刷31當前對向之區域A與自徑向內側鄰接於該區域A之區域A之交界附近增大並達到所算出之移動速度v1、…、vn，其後，於刷31當前對向之區域A與自徑向外側鄰接於該區域A之區域A之交界附近降低。
圖7A及圖7B係基於利用圖6所示之方法設定之刷31之移動速度v製成之曲線圖之一例。
控制器3亦可基於保存資料75與製程配方資訊而製作如圖7A或圖7B所示之曲線圖。
圖7A所示之曲線圖係表示刷移動步驟(S6)中之刷31之位置與刷31之移動速度v之關係的曲線圖之一例。於圖7A所示之曲線圖中，將刷31之位置設為橫軸。所謂刷31之位置係指俯視下之刷31之中心之位置。橫軸將旋轉軸線a1之位置設為原點。於圖7A所示之曲線圖中，將刷31之移動速度v設為縱軸。於該曲線圖中，表示n=3之例。於該曲線圖中，將作為保存資料75保存之移動速度v1、v2、v3用作各區域A1、A2、A3中之移動速度v之最大值。
於圖7B所示之曲線圖中，將刷31之位置設為縱軸，將旋轉軸線a1之位置設為基準(原點)。又，於圖7B所示之曲線圖中，將經過時間設為縱軸。所謂經過時間係指刷移動步驟開始之後 所經過之時間。將刷移動步驟開始之瞬間設為基準(原點)。
控制器3可使該等曲線圖顯示於操作單元6(參照圖1)之顯示部。藉此，基板處理裝置1之作業者可在視覺上確認各區域A中之刷31之移動速度v。
根據本實施形態，以與旋轉狀態之基板W同心之圓形之假想線L將基板W分割為數個區域A，並對各區域A設定優先度w。與刷接觸步驟並行地執行之刷移動步驟中之刷31之移動速度v係以優先度w越高則移動速度越低之方式設定。因此，優先度w越高之區域A進行越長時間之洗淨。因此，藉由預先以附著於基板W之污垢越難去除之區域A則優先度w越高之方式設定各區域A之優先度w，而將基板W之上表面中污垢難以去除之區域A充分地洗淨。另一方面，基板W之上表面中污垢容易去除之區域A之洗淨時間縮短。因此，可抑制處理量之降低，且將基板W之上表面徹底地洗淨。
又，根據本實施形態，基板W之污染程度越高之區域A，則優先度w越高。因此，將基板W之上表面中污染程度相對較高之區域A充分地洗淨。另一方面，基板W之上表面中污染程度相對較低之區域A之洗淨時間縮短。因此，可抑制處理量之降低，且將基板W之上表面徹底地洗淨。又，根據本實施形態，藉由指定執行刷移動步驟之合計時間T、區域A之數量i、第i個區域A之優先度wi、及第i個區域A中之刷31之移動距離ri，且使用式(1)，而算出第i個區域A中之刷31之移動時間ti。各區域Ai中之移動時間ti之和成為預先所指定之時間(合計時間T)。然後，藉由將根據式(1)算出之移動時間ti、及所指定之移動距離ri代入至 式(2)，而算出與各移動時間ti對應之移動速度vi。因此，各區域Ai中之刷之移動速度vi以自刷移動步驟開始起經過時間T後(按照預先所指定之時間)刷移動步驟結束之方式設定。由此，可確實地抑制處理量之降低。
於上述實施形態中之基板處理裝置1進行之基板處理中，亦可於執行圖4所示之基板處理之前，藉由控制器3設定刷移動步驟(圖4之S6)中之刷31之壓抵力或壓抵壓。
具體而言，控制器3對各區域A設定第2優先度y，以第2優先度y越高之區域A則刷31相對於基板W之壓抵力或壓抵壓越高之方式，設定該壓抵力或壓抵壓(壓抵力設定步驟、壓抵壓設定步驟)。
圖8A係表示各區域A中之第2優先度y與刷31之壓抵力之關係之一例的表。亦將自旋轉軸線a1起算為第n個之區域An中之第2優先度y稱為yn(未圖示)。圖8A表示n=5之例。所謂微粒數係指每單位面積之微粒之個數。
第2優先度y係以基板W之污染程度越高之區域A則第2優先度y越高之方式設定。詳細而言，第2優先度y係以附著於基板W之上表面之微粒之數量越多則壓抵力越高之方式設定。壓抵力亦可以與微粒數成比例地變化之方式設定。
於刷壓抵步驟中，刷31相對於基板W之上表面之壓抵力(壓抵壓)係使用應變計等壓力感測器(未圖示)測定。藉此，檢測刷31之壓抵力(壓抵壓)。藉此，確認刷31相對於基板W之上表面之壓抵力(壓抵壓)與壓抵力(壓抵壓)設定步驟中所設定之壓抵力(壓抵壓)一致。又，控制器3亦可根據刷31之洗淨面31a之表面積 與壓抵力算出壓抵壓而設定壓抵壓。
於該基板處理中，刷31相對於旋轉狀態之基板W之壓抵壓係第2優先度y越高之區域A則越高。因此，基板W之上表面中第2優先度y相對較高之區域A之洗淨時間縮短。另一方面，相較於以始終固定之壓抵壓壓抵刷31之基板處理，可抑制刷31之消耗。其結果，可謀求刷31之長壽命化。因此，可抑制處理量之降低，且將基板W之上表面徹底地洗淨。
又，根據該基板處理，基板W之上表面之污染程度越高則刷31相對於基板W之壓抵壓越高。因此，污染程度相對較高之區域A中之基板W之上表面之洗淨時間縮短。另一方面，相較於相對於基板W以始終固定之壓抵壓壓抵刷31之基板處理，可抑制刷31之消耗。其結果，可謀求刷31之長壽命化。因此，可抑制處理量之降低，且將基板W之上表面徹底地洗淨。
亦可不同於該基板處理，而以污垢(例如微粒)相對於基板W之上表面之吸附程度越高之區域A則第2優先度y越高的方式設定第2優先度y。
圖8B係將區域A設為橫軸而表示各區域A中之刷31相對於基板W之壓抵壓之曲線圖。控制器3亦可使如圖8B之表示各區域A中之刷31之壓抵壓之曲線圖顯示於操作單元6(參照圖2)之顯示部。藉此，作業者可在視覺上確認各區域A中之污染程度(微粒之數量)。
又，於上述實施形態中之基板處理裝置1進行之基板處理中，控制器3亦可與刷移動步驟(圖4之S6)並行地控制刷鉛垂驅動機構38，而使刷31升降(刷升降步驟)。控制器3亦可於執行 圖4所示之基板處理之前，針對每個區域A設定刷升降步驟中之刷31之鉛垂方向位置(鉛垂位置設定步驟)。於鉛垂位置設定步驟中，以於使刷31沿著基板W之上表面之狀態下執行刷移動步驟之方式設定刷31之鉛垂方向位置。
如圖9A所示，基板W存在如下情況，即，基板W以隨著自旋轉軸線a1朝向徑向外側因而朝向下方之方式翹曲。即，存在基板W向上翹曲之情形。於此情形時，基板W之外周附近之位置與基板W之中央附近相比，鉛垂方向上之基板W之上表面之位置較低。反之，如圖9B所示，基板W存在如下情況，即，基板W以隨著自旋轉軸線a1朝向徑向外側因而朝向上方之方式翹曲。即，存在基板W向下翹曲之情形。於此情形時，基板W之外周附近之位置與基板W之中央附近相比，鉛垂方向上之基板W之上表面之位置較高。
於該基板處理中，與刷移動步驟並行地執行刷升降步驟。以於使刷31沿著基板W之上表面之狀態下執行刷移動步驟之方式，針對每個區域A設定刷升降步驟中之刷31之鉛垂方向位置。因此，即便基板W產生如圖9A或圖9B所示之翹曲，亦可維持刷31與基板W之上表面接觸之狀態。因此，可抑制基板W之上表面之洗淨之不均。因此，將基板W之上表面更徹底地洗淨。
本發明並不限定於以上所說明之實施形態，能進而以其他之形態實施。
例如，於控制器3設定各區域A中之刷31之移動速度時，亦可使用保存於輔助記憶裝置71之表格76(參照圖3)。於表格76中，如圖10所示，輸入有各區域A中之刷31之移動距離 r1、…、r(n-1)與各區域A中之優先度w1、…、wn之組合之數個模式。於圖6之步驟T2中，控制器3亦可自表格76中獲取各區域A中之刷31之移動距離r1、…、r(n-1)。於圖6之步驟T4中，控制器3亦可自表格76中獲取各區域A中之優先度w1、…、wn。
又，與圖6所示之例不同，於n=2之情形之刷31的移動速度v之設定方法中，控制器3於步驟T2中獲取移動距離r1，於步驟T3中判斷移動距離r1是否小於基板W之半徑R。
又，亦可不同於上述實施形態而使用速度設定步驟中所設定之優先度w作為第2優先度y。又，於壓抵力(壓抵壓)設定步驟中，刷31相對於旋轉狀態之基板W之壓抵力(壓抵壓)亦可以與刷31之移動速度v成反比例地變化之方式設定。根據該基板處理，刷壓抵步驟中之刷31相對於基板W之壓抵壓係刷31之移動速度越低則壓抵壓越高。此處，如上所述，優先度w係刷31之移動速度v越低則優先度越高，刷31之移動速度v越高則優先度越低。因此，優先度w越高之區域則該壓抵力(壓抵壓)越高。優先度w相對較高之區域A之基板W之上表面之洗淨時間縮短。因此，可抑制處理量之降低，且將基板W之上表面徹底地洗淨。
又，亦可不同於上述實施形態，而控制器3以與刷31之移動速度v成反比例地變化之方式設定壓抵量。又，控制器3亦可執行以第2優先度y越高之區域A則壓抵量越高之方式設定刷31相對於旋轉狀態之基板W之壓抵量的壓抵量設定步驟。總之，控制器3只要執行設定刷31相對於旋轉狀態之基板W之壓抵力(壓抵壓)或壓抵量、即設定壓抵狀態之壓抵狀態設定步驟即可。
又，於上述實施形態中，於刷移動步驟(圖4之S6) 中，刷31自中央位置朝向外周位置移動。然而，亦可不同於上述實施形態，而於刷移動步驟中，刷31自外周位置朝向中央位置移動。又，刷31亦可自外周位置朝向中央位置移動之後，再次朝向外周位置移動。
對本發明之實施形態詳細地進行了說明，但該等僅為用以使本發明之技術內容明確之具體例，本發明不應限定於該等具體例而進行解釋，本發明之範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
本申請案與於2016年9月26日向日本專利廳提出之日本專利特願2016-187246號對應，且上述申請案之所有揭示以引用之形式併入於本文中。

Claims (18)

  1. 一種基板處理方法，其包含有：基板保持步驟，其將基板保持為水平；基板旋轉步驟，其使上述被保持為水平之基板，繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線旋轉；刷接觸步驟，其使用以將上述被保持為水平之基板之上表面洗淨之刷，接觸旋轉狀態下之上述基板之上表面；刷移動步驟，其與上述刷接觸步驟並行地，使上述刷在與上述被保持為水平之基板之上表面之中央接觸的位置、和與該基板之上表面之外周接觸的位置之間移動；及速度設定步驟，其將上述基板之上表面以與該基板同心之圓形之假想線分割為數個區域，對各個上述區域設定優先度，並以上述優先度越高之上述區域則上述刷之移動速度越低之方式，來設定上述刷移動步驟中上述刷之移動速度；上述速度設定步驟包含有如下之步驟：以上述刷移動步驟在自上述刷移動步驟開始後經過既定時間便結束之方式，計算出各個上述區域中上述刷之移動時間，並根據所計算出之上述移動時間來設定各個上述區域中上述刷之移動速度。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中，上述速度設定步驟包含有如下之步驟：根據上述基板之上表面之污染程度越高便被設定為越高之上述優先度，而針對每個上述區域設定上述刷移動步驟中上述刷之移動速度。
  3. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述速度設定步驟包含有如下之步驟：將上述刷移動步驟被執行之合計時間設為T，將 上述區域之數量設為i，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域之上述優先度設為wi，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域中上述刷之移動距離設為ri，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域中上述刷之移動時間設為ti，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域中上述刷之移動速度設為vi，並根據下述式(1)及式(2)來設定各個上述區域中上述刷之移動速度；
  4. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述刷接觸步驟包含有將上述刷壓抵於旋轉狀態下之上述基板之上表面之刷壓抵步驟，且該基板處理方法進一步包含有壓抵狀態設定步驟，該壓抵狀態設定步驟對各個上述區域設定第2優先度，並以上述第2優先度越高之上述區域則上述刷對旋轉狀態下之上述基板之壓抵量或壓抵壓越高之方式，對各個上述區域設定該壓抵量或壓抵壓。
  5. 如請求項4之基板處理方法，其中，上述壓抵狀態設定步驟包含有如下之步驟：根據上述基板之上表面之污染程度越高便被設定為越高之上述第2優先度，來設定上述壓抵量或上述壓抵壓。
  6. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，上述刷接觸步驟包含有將上述刷壓抵於旋轉狀態下之上述基板之上表面之刷壓抵步驟，且該基板處理方法進一步包含有壓抵狀態設定步驟，該壓抵狀態設 定步驟以與上述刷之移動速度成反比例地變化之方式，來設定上述刷對旋轉狀態下之上述基板之壓抵量或壓抵壓。
  7. 如請求項1或2之基板處理方法，其中，其進一步包含有：刷升降步驟，其與上述刷移動步驟並行地使上述刷升降；及鉛垂位置設定步驟，其以上述刷移動步驟在使上述刷沿著上述基板之上表面之狀態下被執行之方式，針對每個上述區域設定上述刷升降步驟中上述刷之鉛垂方向位置。
  8. 一種基板處理方法，其包含有：基板保持步驟，其將基板保持為水平；基板旋轉步驟，其使上述被保持為水平之基板，繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線旋轉；刷接觸步驟，其使用以將上述被保持為水平之基板之上表面洗淨之刷，接觸旋轉狀態下之上述基板之上表面；刷移動步驟，其與上述刷接觸步驟並行地，使上述刷在與上述被保持為水平之基板之上表面之中央接觸的位置、和與該基板之上表面之外周接觸的位置之間移動；及速度設定步驟，其將上述基板之上表面以與該基板同心之圓形之假想線分割為數個區域，對各個上述區域設定優先度，並以上述優先度越高之上述區域則上述刷之移動速度越低之方式，來設定上述刷移動步驟中上述刷之移動速度；上述速度設定步驟包含有如下之步驟：將上述刷移動步驟被執行之合計時間設為T，將上述區域之數量設為i，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域之上述優先度設為wi，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域中上述刷之移動距離設為ri，將自上述旋轉軸線起第i 個上述區域中上述刷之移動時間設為ti，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域中上述刷之移動速度設為vi，並根據下述式(1)及式(2)來設定各個上述區域中上述刷之移動速度；
  9. 一種基板處理裝置，其包含有：基板保持單元，其將基板保持為水平；基板旋轉單元，其使由上述基板保持單元所保持之基板，繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線旋轉；刷，其將由上述基板保持單元所保持之基板之上表面洗淨；刷接觸單元，其使上述刷接觸由上述基板保持單元所保持之基板之上表面；刷移動單元，其使上述刷沿著水平方向移動；以及控制器，其控制上述基板旋轉單元、上述刷接觸單元及上述刷移動單元；上述控制器以執行如下之步驟之方式被程式化：基板旋轉步驟，其使上述被保持為水平之基板旋轉；刷接觸步驟，其使上述刷接觸旋轉狀態下之上述基板之上表面；刷移動步驟，其與上述刷接觸步驟並行地，使上述刷在與被保持為水平之上述基板之上表面之中央接觸的位置、和與該基板之上表面之外周接觸的位置之間移動；及速度設定步驟，其將被保持為水平之上述基板之上表面以與該基板同心之圓形之假想線分割為數個區域，對各個上述區域設定優先 度，並以上述優先度越高之上述區域則上述刷之移動速度越低之方式，來設定上述刷移動步驟中上述刷之移動速度；且上述控制器被程式化為：在上述速度設定步驟中，以上述刷移動步驟在自上述刷移動步驟開始後經過既定時間便結束之方式，計算出各個上述區域中上述刷之移動時間，並根據所計算出之上述移動時間來設定各個上述區域中上述刷之移動速度。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述優先度被設定為上述基板之上表面之污染程度越高則越高。
  11. 如請求項9或10之基板處理裝置，其中，上述控制器被程式化為：在上述速度設定步驟中，將上述刷移動步驟被執行之合計時間設為T，將上述區域之數量設為i，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域之上述優先度設為wi，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域中上述刷之移動距離設為ri，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域中上述刷之移動時間設為ti，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域中上述刷之移動速度設為vi，並根據下述式(1)及式(2)來設定各個上述區域中上述刷之移動速度；
  12. 如請求項9或10之基板處理裝置，其中，其進一步包含有將上述刷壓抵於上述被保持為水平之基板之上表面之刷壓抵單元，且上述控制器以執行如下之步驟之方式被程式化：刷壓抵步驟，其將上述刷壓抵於旋轉狀態下之上述基板之上表面；及壓抵狀態設定 步驟，其對各個上述區域設定第2優先度，並以上述第2優先度越高之上述區域則上述刷對旋轉狀態下之上述基板之壓抵量或壓抵壓越高之方式，對各個上述區域設定該壓抵量或壓抵壓。
  13. 如請求項12之基板處理裝置，其中，上述控制器以執行如下之步驟之方式被程式化：根據上述基板之上表面之污染程度越高便被設定為越高之上述第2優先度，來設定上述壓抵量或上述壓抵壓。
  14. 如請求項9或10之基板處理裝置，其中，其進一步包含有將上述刷壓抵於上述被保持為水平之基板之上表面之刷壓抵單元，且上述控制器以執行如下之步驟之方式被程式化：刷壓抵步驟，其將上述刷壓抵於旋轉狀態下之上述基板之上表面；及壓抵狀態設定步驟，其以與上述刷之移動速度成反比例地變化之方式，來設定上述刷對旋轉狀態下之上述基板之壓抵量或壓抵壓。
  15. 如請求項9或10之基板處理裝置，其中，其進一步包含有使上述刷升降之刷升降單元，且上述控制器以執行如下之步驟之方式被程式化：刷升降步驟，其與上述刷接觸步驟並行地使上述刷升降；及鉛垂位置設定步驟，其以上述刷移動步驟在使上述刷沿著上述基板之上表面之狀態下被執行之方式，針對每個上述區域設定上述刷升降步驟中上述刷之鉛垂方向位置。
  16. 一種基板處理裝置，其包含有：基板保持單元，其將基板保持為水平；基板旋轉單元，其使由上述基板保持單元所保持之基板，繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線旋轉；刷，其將由上述基板保持單元所保持之基板之上表面洗淨； 刷接觸單元，其使上述刷接觸由上述基板保持單元所保持之基板之上表面；刷移動單元，其使上述刷沿著水平方向移動；以及控制器，其控制上述基板旋轉單元、上述刷接觸單元及上述刷移動單元；上述控制器以執行如下之步驟之方式被程式化：基板旋轉步驟，其使上述被保持為水平之基板旋轉；刷接觸步驟，其使上述刷接觸旋轉狀態下之上述基板之上表面；刷移動步驟，其與上述刷接觸步驟並行地，使上述刷在與被保持為水平之上述基板之上表面之中央接觸的位置、和與該基板之上表面之外周接觸的位置之間移動；及速度設定步驟，其將被保持為水平之上述基板之上表面以與該基板同心之圓形之假想線分割為數個區域，對各個上述區域設定優先度，並以上述優先度越高之上述區域則上述刷之移動速度越低之方式，來設定上述刷移動步驟中上述刷之移動速度；且上述控制器被程式化為：在上述速度設定步驟中，將上述刷移動步驟被執行之合計時間設為T，將上述區域之數量設為i，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域之上述優先度設為wi，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域中上述刷之移動距離設為ri，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域中上述刷之移動時間設為ti，將自上述旋轉軸線起第i個上述區域中上述刷之移動速度設為vi，並根據下述式(1)及式(2)來設定各個上述區域中上述刷之移動速度；[數1]
  17. 一種基板處理方法，其包含有：基板保持步驟，其將基板保持為水平；基板旋轉步驟，其使上述被保持為水平之基板，繞沿著鉛垂方向之旋轉軸線旋轉；刷接觸步驟，其使用以將上述被保持為水平之基板之上表面洗淨之刷，接觸旋轉狀態下之上述基板之上表面；刷移動步驟，其與上述刷接觸步驟並行地，使上述刷在與上述被保持為水平之基板之上表面之中央接觸的位置、和與該基板之上表面之外周接觸的位置之間移動；及速度設定步驟，其將上述基板之上表面以與該基板同心之圓形之假想線分割為數個區域，對各個上述區域設定優先度，並以上述優先度越高之上述區域則上述刷之移動速度越低之方式，來設定上述刷移動步驟中上述刷之移動速度；上述刷接觸步驟包含有將上述刷壓抵於旋轉狀態下之上述基板之上表面之刷壓抵步驟，且該基板處理方法進一步包含有壓抵狀態設定步驟，該壓抵狀態設定步驟以與上述刷之移動速度成反比例地變化之方式，來設定上述刷對旋轉狀態下之上述基板之壓抵量或壓抵壓。
  18. 一種記錄媒體，其可由電腦讀取，並記錄有用以使被設於基板處理裝置之電腦執行請求項1或2所記載之基板處理方法之程式。
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