WO2024024478A1 - 基板洗浄装置および基板洗浄方法 - Google Patents

基板洗浄装置および基板洗浄方法 Download PDF

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WO2024024478A1
WO2024024478A1 PCT/JP2023/025453 JP2023025453W WO2024024478A1 WO 2024024478 A1 WO2024024478 A1 WO 2024024478A1 JP 2023025453 W JP2023025453 W JP 2023025453W WO 2024024478 A1 WO2024024478 A1 WO 2024024478A1
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substrate
brush
pressing
cleaning
period
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PCT/JP2023/025453
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English (en)
French (fr)
Inventor
良平 帆角
克典 田中
航 矢野
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method that clean a substrate using a brush.
  • FPD Fluorescence Display
  • semiconductor substrates semiconductor substrates
  • optical disk substrates magnetic disk substrates
  • magneto-optical disk substrates magneto-optical disk substrates
  • photomask substrates ceramic substrates used in liquid crystal display devices or organic EL (Electro Luminescence) display devices, etc.
  • substrate processing apparatuses are used to perform various treatments on various substrates such as solar cell substrates.
  • a substrate cleaning device is used to clean the substrate.
  • Patent Document 1 describes a substrate processing apparatus that cleans the main surface of a substrate using a brush. Specifically, in the substrate processing apparatus, a processing liquid is supplied to the main surface (upper surface) of a rotating substrate held by a spin chuck. In this state, the brush is pressed onto the main surface of the substrate. Further, on the main surface of the substrate, the brush moves in a direction from the rotation center of the substrate toward the outer peripheral edge of the substrate. Thereby, the main surface of the substrate is cleaned.
  • a substrate cleaning apparatus that uses a brush to clean one surface of a substrate, such as the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, it is desired to improve the cleanliness of one surface of the substrate after cleaning. Furthermore, in a substrate cleaning apparatus, it is desired to reduce the amount of processing liquid (cleaning liquid) used to clean the substrate.
  • processing liquid cleaning liquid
  • An object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus and a substrate cleaning method that can improve the cleanliness of one side of a substrate after cleaning with a brush and reduce the amount of cleaning liquid used for cleaning one side of the substrate.
  • a substrate cleaning apparatus is a substrate cleaning apparatus that cleans one surface of a substrate, and includes a rotation holding part that holds and rotates the substrate, and a rotation holding part that rotates the substrate while being held by the rotation holding part.
  • a liquid supply unit that supplies cleaning liquid onto the one surface; a brush; and a brush drive unit that presses the brush toward the one surface of the substrate that is rotated while being held by the rotation holding unit during a predetermined pressing period.
  • the liquid supply unit supplies a cleaning liquid onto the one surface of the substrate at a predetermined reference flow rate before the pressing period, and during at least a part of the pressing period, the liquid supply unit The cleaning liquid is supplied onto the one surface at a flow rate lower than the reference flow rate, or the supply of the cleaning liquid is stopped.
  • a substrate cleaning method is a substrate cleaning method for cleaning one side of the substrate, which includes the steps of: rotating the substrate while being held by the rotation holding section; and rotating the substrate while being held by the rotation holding section.
  • the step of supplying a cleaning liquid includes supplying a cleaning liquid onto the one surface of the substrate at a predetermined reference flow rate before the pressing period, and during at least a part of the pressing period, applying the cleaning liquid to the surface of the substrate.
  • the method includes supplying the cleaning liquid onto the one surface at a flow rate lower than the reference flow rate, or stopping the supply of the cleaning liquid.
  • the present invention it is possible to improve the cleanliness of one side of the substrate after cleaning with a brush and to reduce the amount of cleaning liquid used for cleaning one side of the substrate.
  • FIG. 1 is a schematic side view showing an example of the configuration of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic side view showing an example of the state of the spin chuck and its peripheral members when one side of the substrate is cleaned in the substrate cleaning apparatus of FIG.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the mechanism by which the cleaning power of the substrate by the brush changes depending on the thickness of the boundary liquid layer.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the mechanism by which the cleaning power of the substrate by the brush changes depending on the thickness of the boundary liquid layer.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the mechanism by which the cleaning power of the substrate by the brush changes depending on the thickness of the boundary liquid layer.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a first example of cleaning one surface of a substrate by the substrate cleaning apparatus of FIG.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining a second example of cleaning one surface of a substrate by the substrate cleaning apparatus of FIG.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining a third example of cleaning one surface of a substrate by the substrate cleaning apparatus of FIG. 1.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining a fourth example of cleaning one surface of a substrate by the substrate cleaning apparatus of FIG.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining a fifth example of cleaning one surface of a substrate by the substrate cleaning apparatus of FIG.
  • substrates include semiconductor substrates (wafers), FPD (Flat Panel Display) substrates such as liquid crystal display devices or organic EL (Electro Luminescence) display devices, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and magneto-optical disks. substrate, photomask substrate, ceramic substrate, solar cell substrate, etc.
  • one surface of the substrate is a non-circuit-forming surface (back surface), and the other surface of the substrate is a circuit-forming surface (front surface).
  • the substrate has a circular shape except for the notch.
  • horizontal means substantially horizontal.
  • horizontal in the following explanation means that the target surface or line is parallel to a predetermined horizontal plane, and that it is within a certain angular range (for example, an angular range of 10 degrees) with respect to the predetermined horizontal plane. Including being slanted.
  • vertical means substantially vertical. Strictly speaking, vertical in the following explanation means that the target surface or line is parallel to a predetermined vertical plane, and that it is within a certain angular range (for example, 10° angular range) with respect to the predetermined vertical plane. Including being slanted.
  • FIG. 1 is a schematic side view showing an example of the configuration of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the substrate cleaning apparatus SSR includes a spin chuck 10, a liquid supply mechanism 20, a brush pressing mechanism 30, a control section 90, and a brush BR.
  • the spin chuck 10 is a mechanical chuck type spin chuck that holds the outer peripheral edge of the substrate W, and includes a spin base 11 , a plurality of chuck pins 12 , a chuck rotation drive unit 13 , and a rotation shaft 14 .
  • the spin base 11 is a disc-shaped member having a circular shape and a predetermined thickness.
  • the plurality of chuck pins 12 are arranged at equal intervals around the upper surface of the spin base 11.
  • Each chuck pin 12 is a rotary holding pin configured to be rotatable around a vertical axis.
  • Each of the plurality of chuck pins 12 rotates with the substrate W placed on the spin base 11. As a result, the plurality of chuck pins 12 respectively come into contact with a plurality of portions of the outer peripheral end of the substrate W, and the substrate W is held.
  • the chuck rotation drive section 13 includes a motor.
  • the rotating shaft 14 is the rotating shaft of the motor of the chuck rotation drive unit 13.
  • the chuck rotation drive unit 13 is provided on the installation surface SI so that the rotation shaft 14 extends upward.
  • the spin base 11 is fixed to the upper end of the rotating shaft 14 in a horizontal position.
  • the chuck rotation drive section 13 operates with the substrate W held on the spin base 11. Thereby, the substrate W rotates around the rotation axis 14 extending in the vertical direction.
  • a brush pressing mechanism 30 is provided at a side position of the spin chuck 10.
  • the brush pressing mechanism 30 includes an arm drive section 31, a rotating shaft 32, an arm 33, and a brush drive section 34.
  • the arm drive section 31 is mounted on the installation surface SI.
  • Arm drive section 31 includes a motor and a lifting device.
  • the rotation shaft 32 is provided so as to extend upward from the arm drive section 31, and is supported by the motor of the arm drive section 31 so as to be rotatable around a vertical axis. Further, the rotating shaft 32 is supported by an elevating device of the arm drive section 31 so as to be movable up and down.
  • An arm 33 is connected to the upper end of the rotating shaft 32 so as to extend in the horizontal direction.
  • a brush driving section 34 is provided at the tip of the arm 33.
  • a brush BR is provided at the lower end of the brush drive section 34.
  • the brush BR is formed of, for example, a porous PVA (polyvinyl alcohol) sponge or a PVA sponge in which abrasive grains are dispersed, and has a cleaning surface that can come into contact with one surface of the substrate W.
  • the brush drive section 34 includes a motor and a pressing device.
  • the brush BR is rotatably supported around a vertical axis by a motor of the brush drive section 34. Further, the brush BR can press the cleaning surface of the brush driving section 34 against one surface of the substrate W with a predetermined pressure when cleaning one surface of the substrate W, which will be described later, by the pressing device of the brush driving section 34. Supported.
  • the arm 33 rotates in a horizontal plane when the motor of the arm drive section 31 operates.
  • the brush BR provided in the brush driving section 34 moves between a position above the spin chuck 10 and a position outside the spin chuck 10 .
  • the arm 33 is raised or lowered by operating the lifting device of the arm driving section 31.
  • the brush BR provided in the brush drive unit 34 moves up or down together with the arm 33.
  • a liquid supply mechanism 20 is provided in association with the spin chuck 10.
  • the liquid supply mechanism 20 includes a cleaning liquid nozzle 21 , a cleaning liquid supply system 22 , a rinsing liquid nozzle 23 , and a rinsing liquid supply system 24 .
  • the cleaning liquid supply system 22 includes fluid-related equipment such as piping, pumps, and valves, and supplies cleaning liquid to the cleaning liquid nozzle 21 from a cleaning liquid supply source (not shown). In this case, the cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid nozzle 21.
  • a chemical solution such as BHF (buffered hydrofluoric acid), DHF (dilute hydrofluoric acid), hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, oxalic acid, or ammonia is used as the cleaning liquid.
  • BHF bifluoric acid
  • DHF dilute hydrofluoric acid
  • hydrofluoric acid hydrochloric acid
  • sulfuric acid nitric acid
  • phosphoric acid phosphoric acid
  • acetic acid oxalic acid
  • ammonia ammonia and hydrogen peroxide solution
  • SC2 mixed solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide solution
  • cleaning liquid carbonated water, ozonated water, hydrogen water, electrolyzed ionized water, or a mixture of any of the above-mentioned chemical liquids and pure water may be used instead of the above-mentioned chemical liquids.
  • the rinse liquid nozzle 23 includes fluid-related equipment such as piping, a pump, and a valve, and supplies cleaning liquid to the rinse liquid nozzle 23 from a rinse liquid supply source (not shown). In this case, the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle 23.
  • pure water for example, is used as the rinsing liquid.
  • carbonated water, ozonated water, hydrogen water, electrolyzed ionized water, etc. may be used instead of pure water, and organic solvents such as HFE (hydrofluoroether) or IPA (isopropyl alcohol) may be used. may be used.
  • the control unit 90 includes, for example, a CPU (central processing unit) and a memory or a microcomputer.
  • a substrate cleaning program is stored in the memory.
  • the control section 90 includes a substrate rotation control section 91, a liquid supply system control section 92, and a brush control section 93 as functional sections. These functional units are realized by the CPU of the control unit 90 executing the substrate cleaning program stored in the memory. Part or all of the functional units of the control unit 90 may be realized by hardware such as an electronic circuit.
  • the substrate rotation control unit 91 mainly controls the operation of the chuck rotation drive unit 13 after the substrate W is loaded into the substrate cleaning apparatus SSR and until the substrate W is unloaded from the substrate cleaning apparatus SSR.
  • the liquid supply system control unit 92 mainly controls the operations of the cleaning liquid supply system 22 and the rinsing liquid supply system 24 when cleaning one surface of the substrate W.
  • the brush control section 93 mainly controls the operations of the arm drive section 31 and the brush drive section 34 when cleaning one surface of the substrate W.
  • the brush BR is assumed to be held at a standby position on the side of the spin chuck 10.
  • a substrate W with one surface (back surface) facing upward is loaded into the substrate cleaning apparatus SSR in a horizontal position.
  • the substrate W carried into the substrate cleaning apparatus SSR is held by the spin chuck 10 with one surface of the substrate W facing upward. Further, by operating the chuck rotation drive section 13, the substrate W rotates at a predetermined rotation speed.
  • the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply system 22 through the cleaning liquid nozzle 21 to the rotation center of the rotating substrate W.
  • the cleaning liquid supplied onto the substrate W spreads over the entire surface of the substrate W due to centrifugal force, and a liquid film is formed on the substrate W. In other words, the entire surface of the substrate W is wetted by the cleaning liquid.
  • the brush pressing mechanism 30 operates while the supply of the cleaning liquid to the substrate W is continued or stopped.
  • the brush BR held at the standby position moves to a position above the rotation center of the substrate W.
  • the brush BR rotates around a vertical axis, and the cleaning surface of the brush BR is pressed against the rotation center on one surface of the substrate W with a predetermined pressure.
  • the brush BR moves on one surface of the substrate W from the rotation center of the substrate W toward the outer peripheral end of the substrate W. As a result, one surface of the substrate W is physically cleaned by the brush BR.
  • a rinsing liquid is supplied onto one surface of the rotating substrate W. Further, the brush BR is returned to the standby position. After the rinsing liquid is supplied to one surface of the substrate W for a certain period of time, the supply of the rinsing liquid to the substrate W is stopped. After that, the substrate W is rotated at high speed. As a result, droplets of the rinsing liquid adhering to the substrate W are shaken off, and the substrate W is dried. Finally, the rotation of the substrate W is stopped, and the cleaned and dried substrate W is carried out from the substrate cleaning apparatus SSR.
  • the present inventors also cleaned a plurality of substrates W using a brush BR with a plurality of mutually different pressing forces. Thereafter, a test was conducted to measure the cleanliness of a plurality of substrates W that were cleaned with different pressing forces. As a result, it was confirmed that when the pressing force increases beyond a certain range, the cleanliness of the substrate W after cleaning does not change significantly even if the magnitude of the pressing force changes.
  • the present inventors studied conditions for improving the cleaning power of the substrate W regardless of the pressing force.
  • the one side of the substrate W needs to be wetted with the cleaning liquid so that the one side of the substrate W is not damaged due to contact of the brush BR with the substrate W.
  • Patent Document 1 when cleaning the substrate W with the brush BR, if there is a region on the substrate W where the thickness of the liquid film of the processing liquid (cleaning liquid) is small, the contaminants removed by the brush BR stay on the substrate W, and the substrate It has been thought that the cleanliness of W decreases. Therefore, in Patent Document 1, when cleaning the substrate W with the brush BR, not only the main surface of the substrate W is simply wetted, but also the reduction in the film thickness of the processing liquid (cleaning liquid) formed on the main surface of the substrate W is prevented. Methods to suppress this have been proposed.
  • the present inventors found that if the thickness of the liquid film of the cleaning liquid formed on the substrate W is large when cleaning the substrate W by the brush BR, It was considered that the cleaning power of the substrate W may be reduced.
  • FIG. 2 is a schematic side view showing an example of the state of the spin chuck 10 and its peripheral members when one surface of the substrate W is cleaned in the substrate cleaning apparatus SSR of FIG. 1.
  • the substrate W held by the spin chuck 10 is hatched to make it easier to understand the positional relationship between the brush BR and the substrate W. It is attached.
  • a liquid film of the cleaning liquid or rinsing liquid formed on the substrate W by supplying the cleaning liquid or rinsing liquid onto the substrate W is provided with a dot pattern.
  • the rotation shaft 14 of the spin chuck 10 rotates, and the substrate W rotates in a horizontal position, for example, as shown by the thick dashed-dotted arrow in FIG.
  • the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle 21 toward the rotation center position of the substrate W (hereinafter referred to as rotation center position P1).
  • rotation center position P1 the rotation center position of the substrate W
  • a liquid film L1 of the cleaning liquid is formed on one surface of the rotating substrate W.
  • the liquid film L1 shown in FIG. 2 has approximately the same thickness over the entire substrate W, but when the substrate W is rotating, the thickness of the liquid film L1 actually varies depending on the rotation center position P1. It gradually becomes smaller as it moves away from the substrate W in the radial direction.
  • the cleaning surface of the brush BR With the liquid film L1 formed on one surface of the substrate W, the cleaning surface of the brush BR is pressed against the one surface of the substrate W. At this time, the cleaning surface of the brush BR rotates around a vertical axis and is pressed against one surface of the substrate W with a predetermined pressure. Further, the brush BR moves from the rotation center position P1 on one surface of the substrate W to the position of the outer peripheral end of the substrate W (hereinafter referred to as the outer peripheral end position P2), as shown by the thick solid line arrow in FIG. move towards. At this time, the cleaning surface of the brush BR moves while being in contact with the one surface of the substrate W, so that the contaminants fixed on the one surface of the substrate W are peeled off by the brush BR and washed away by the cleaning liquid.
  • the substrate W is rotated.
  • the brush BR moves over one surface of the substrate W from the rotation center position P1 of the substrate W to the outer peripheral end position P2, following a linear or arcuate path.
  • the brush BR rotates around a vertical axis regardless of the rotation of the substrate W.
  • the cleaning liquid flows into the boundary between the cleaning surface of the brush BR and one surface of the substrate W, if the cleaning liquid does not flow smoothly at the boundary due to so-called poor drainage, the cleaning surface of the brush BR and the substrate A layer of cleaning liquid is formed between the W and one surface of the W.
  • a phenomenon is known as a hydroplane phenomenon.
  • the layer of cleaning liquid that is formed between the cleaning surface of the brush BR and one surface of the substrate W when the hydroplane phenomenon occurs will be referred to as a boundary liquid layer.
  • the present inventors estimated the mechanism by which the cleaning power of the substrate W by the brush BR changes depending on the thickness of the boundary liquid layer formed when the brush BR cleans one surface of the substrate W.
  • 3 to 5 are diagrams for explaining the mechanism by which the cleaning power of the substrate W by the brush BR changes depending on the thickness of the boundary liquid layer. As shown in FIGS. 3 to 5, it is assumed that three contaminants cn1, cn2, and cn3 of different sizes in the vertical direction are fixed on one surface of the substrate W.
  • the thickness of the liquid film L1 formed on the substrate W increases as shown in the example of FIG. becomes larger. If the hydroplane phenomenon described above occurs in this state, the amount of cleaning liquid flowing between the cleaning surface of the brush BR and one surface of the substrate W per unit time will increase, and the thickness Lt1 of the boundary liquid layer will increase. Presumed. In this case, when the brush BR moves on the substrate W, the cleaning surface of the brush BR comes into contact with the contaminant cn1 having a size larger than the thickness Lt1, but the contaminants cn2 and cn3 having a size smaller than the thickness Lt1. Do not come into contact with. As a result, the contaminants cn2 and cn3 having a size smaller than the thickness Lt1 are not removed by the brush BR.
  • the cleaning surface of the brush BR comes into contact with the contaminants cn1 and cn2 having a size larger than the thickness Lt2, but the contaminant cn3 having a size smaller than the thickness Lt2. Do not come into contact with. As a result, the contaminant cn3 having a size smaller than the thickness Lt2 is not removed by the brush BR.
  • the thickness of the liquid film L1 formed on the substrate W is This is significantly smaller than the example shown in FIG. In this state, when the above-mentioned hydroplane phenomenon occurs, the amount of cleaning liquid flowing between the cleaning surface of the brush BR and one surface of the substrate W per unit time becomes significantly small, and the thickness Lt3 of the boundary liquid layer decreases as shown in FIG. It is estimated that it will be sufficiently smaller than the example.
  • the present inventors Based on the mechanism estimated as described above, the present inventors reduce the amount of cleaning liquid supplied to the substrate W in the process of pressing the brush BR against the surface of the substrate W on which the liquid film L1 of the cleaning liquid is formed. We believe that it is possible to improve the cleaning power by doing this. Furthermore, based on the above mechanism, the present inventors have devised a plurality of cleaning examples that are considered suitable for improving the cleaning power of the brush BR on one surface of the substrate W. A plurality of cleaning examples will be described below.
  • the liquid film formation period the period during which a liquid film of cleaning liquid is formed on one surface of the rotating substrate W before the brush BR is pressed (the period required for so-called pre-wetting) will be referred to as the liquid film formation period.
  • the period during which the brush BR is pressed onto one surface of the rotating substrate W is referred to as a brush pressing movement period.
  • a period during which a rinsing liquid is supplied onto one surface of the rotating substrate W in order to remove cleaning liquid and contaminants remaining on the one surface of the substrate W is called a rinsing period.
  • a drying period a period in which the substrate W is spun off and dried by rotating at high speed while the supply of the cleaning liquid and the rinsing liquid to the substrate W is stopped is referred to as a drying period.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a first example of cleaning one surface of a substrate W by the substrate cleaning apparatus SSR of FIG. 1.
  • changes in the flow rates of the cleaning liquid and the rinsing liquid supplied onto one surface of the substrate W in the first cleaning example are shown in a time chart.
  • the horizontal axis represents time
  • the vertical axis represents supply flow rate.
  • the supply flow rate is the amount of liquid supplied to the substrate W per unit time.
  • the thick solid line represents the change over time in the flow rate of the cleaning liquid supplied to the substrate W from the cleaning liquid nozzle 21 in FIG. It represents the change over time in the flow rate of the supplied rinsing liquid.
  • the state of the substrate W and its surrounding area during a part of the period or time of the first cleaning example is shown in a schematic side view in a plurality of balloons.
  • the substrate W carried into the substrate cleaning apparatus SSR is held by the spin chuck 10 and rotated at a predetermined rotational speed.
  • the substrate rotation control unit 91 in FIG. 1 controls the chuck rotation drive unit 13 to hold the substrate W in a horizontal position and rotate it at a predetermined rotational speed from time t01 to time t05, which will be described later. Further, it is assumed that the brush BR is in the standby position in the initial state.
  • a liquid film formation period is set from time t01 to time t02.
  • the liquid supply system control unit 92 in FIG. 1 controls the cleaning liquid supply system 22 in FIG. 1 so that the cleaning liquid is supplied to the substrate W at a predetermined reference flow rate rf.
  • the liquid supply system control unit 92 controls the rinsing liquid supply system 24 in FIG. 1 so that the rinsing liquid is not supplied to the substrate W.
  • the reference flow rate rf is set such that a liquid film is formed on at least one entire surface of the substrate W within a liquid film formation period predetermined by experiment or simulation, taking into account, for example, the size of the substrate W and the viscosity of the cleaning liquid. Set.
  • a liquid film L1 of the cleaning liquid is formed on one surface of the substrate W during the liquid film formation period, as shown in the balloon b1 in the lower part of FIG.
  • a brush pressing movement period is set from time t02 to time t03.
  • the liquid supply system control unit 92 controls the cleaning liquid supply system 22 and the rinsing liquid supply system 24 so that the cleaning liquid and the rinsing liquid are not supplied to the substrate W.
  • the brush control unit 93 in FIG. 1 controls the arm drive unit 31 in FIG. control.
  • the brush control unit 93 also controls the brush drive unit 34 in FIG. Control.
  • the thickness of the liquid film L1 is smaller than the thickness during the liquid film formation period, and the brush BR is placed on one surface of the substrate W. is pressed.
  • the cleaning power for the substrate W is improved compared to the case where the flow rate of the cleaning liquid supplied to the substrate W is maintained at the reference flow rate rf.
  • a rinsing period is set from time t03 to time t04.
  • the liquid supply system control unit 92 controls the rinsing liquid supply system 24 so that the rinsing liquid is supplied to the substrate W at the reference flow rate rf. Further, the liquid supply system control unit 92 controls the cleaning liquid supply system 22 so that the cleaning liquid is not supplied to the substrate W.
  • a liquid film L2 of the rinsing liquid is formed on one surface of the substrate W during the rinsing period.
  • the brush control section 93 controls the arm drive section 31 so that the brush BR returns to the standby position during the rinsing period.
  • a drying period is set from time t04 to time t05.
  • the liquid supply system control unit 92 controls the cleaning liquid supply system 22 and the rinsing liquid supply system 24 so that the cleaning liquid and the rinsing liquid are not supplied to the substrate W.
  • the rinsing liquid on the substrate W is shaken off, and the substrate W is dried.
  • the cleaning liquid is not supplied to the substrate W during the brush pressing movement period, so that a liquid film of the cleaning liquid is formed on the substrate W when the substrate W is cleaned by the brush BR.
  • the thickness of L1 is suppressed from increasing.
  • the cleaning power of the substrate W by the brush BR is improved compared to the case where the cleaning liquid is continuously supplied to the substrate W at the reference flow rate rf during the brush pressing movement period.
  • the flow rate af may be maintained constant, which is smaller than rf. Also in this case, the cleaning power of the substrate W by the brush BR is improved compared to the case where the cleaning liquid is continuously supplied to the substrate W at the reference flow rate rf during the brush pressing movement period.
  • the above flow rate af is determined so that the thickness of the boundary liquid layer becomes more appropriate after considering the pressing force of the brush BR against the substrate W, the relative speed between the brush BR and the substrate W, the viscosity of the cleaning liquid, etc. It is preferable to set it to .
  • the flow rate of the rinsing liquid supplied to the substrate W during the rinsing period may be smaller than the reference flow rate rf, or may be larger than the reference flow rate rf.
  • Second Cleaning Example Regarding the second cleaning example, the differences from the first cleaning example will be explained.
  • a specific position on the path of the brush BR moving from the rotation center position P1 to the outer peripheral end position P2 during the brush pressing movement period will be referred to as a specific position.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining a second example of cleaning one surface of the substrate W by the substrate cleaning apparatus SSR of FIG. 1. Similar to the example in the upper part of FIG. 6, in the upper part of FIG. 7, changes in the flow rates of the cleaning liquid and the rinsing liquid supplied onto one surface of the substrate W in the second cleaning example are shown in a time chart. In addition, in the lower part of FIG. 7, as in the example in the lower part of FIG. Illustrated in the figure.
  • the liquid supply system control unit 92 continuously supplies the substrate W with the reference flow rate rf from time t02 to time ta, which is before time t03.
  • the cleaning liquid supply system 22 is controlled so that the cleaning liquid is supplied.
  • the liquid supply system control unit 92 controls the rinsing liquid supply system 24 so that the rinsing liquid is not supplied to the substrate W from time t02 to time ta.
  • the time ta is the time when the brush BR reaches the specific position P3 during the brush pressing movement period.
  • the thickness of the liquid film L1 is equal to the thickness during the liquid film formation period.
  • the brush BR is pressed onto one surface of the substrate W in substantially the same state.
  • the liquid supply system control unit 92 controls the cleaning liquid supply system 22 and the rinsing liquid supply system 24 so that the cleaning liquid and the rinsing liquid are not supplied to the substrate W from time ta to time t03.
  • the thickness of the liquid film L1 is smaller than the thickness during the liquid film formation period.
  • the brush BR is pressed onto one surface of the substrate W while the brush BR is also small.
  • the flow rate of the cleaning liquid supplied to the substrate W is maintained at the reference flow rate rf until the brush BR moves from the specific position P3 to the outer peripheral end position P2.
  • the cleaning power of the substrate W is improved compared to the above.
  • the cleaning liquid formed on the substrate W during the part of the period is The thickness of the liquid film L1 is suppressed from increasing. Therefore, the cleaning power of the substrate W by the brush BR is improved during a part of the brush pressing movement period. Therefore, by appropriately determining the specific position P3, it is possible to locally improve the cleaning power of the brush BR on a part of one surface of the substrate W.
  • the specific position P3 may be set, for example, at an intermediate position between the rotation center position P1 and the outer peripheral end position P2 in the radial direction of the substrate W.
  • the specific position P3 may be set at a position closer to the outer peripheral end of the substrate W than an intermediate position in the radial direction of the substrate W. In these cases, the cleaning power of the substrate W by the brush BR can be improved at least in the area near the outer peripheral edge of the substrate W.
  • the cleaning power of the substrate W by the brush BR is improved compared to the case where the cleaning liquid is continuously supplied to the substrate W at the reference flow rate rf during the brush pressing movement period. do.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining a third example of cleaning one surface of a substrate W by the substrate cleaning apparatus SSR of FIG. 1.
  • changes in the flow rates of the cleaning liquid and the rinsing liquid supplied onto one surface of the substrate W in the third cleaning example are shown in a time chart.
  • the state of the substrate W and its surrounding area during a part of the period or time of the third cleaning example is shown in a schematic side view in a plurality of balloons, similar to the example in the lower part of FIG. Illustrated in the figure.
  • the liquid supply system control unit 92 supplies the cleaning liquid to the substrate W at a flow rate af smaller than the reference flow rate rf from time t02 to time ta, as shown in the upper part of FIG.
  • the cleaning liquid supply system 22 is controlled as follows. In this case, as shown in the balloons b7 to b9 in the lower part of FIG. 8, the thickness of the liquid film L1 increases in stages in the order of time t02 and ta until the brush BR moves from the rotation center position P1 to the specific position P3. becomes smaller. Thereby, the cleaning power of the substrate W by the brush BR is adjusted sequentially in a plurality of regions in the radial direction of the substrate W.
  • the cleaning power of the substrate W by the brush BR is improved compared to the case where the cleaning liquid is continuously supplied to the substrate W at the reference flow rate rf during the brush pressing movement period.
  • the brush BR moves while being pressed onto the one surface of the substrate W a plurality of times (twice in this example). Specifically, the brush BR moves from the rotation center position P1 to the outer peripheral end position P2 while being pressed by one surface of the rotating substrate W. Next, the brush BR moves to a position above the outer peripheral end position P2 so as to be separated from the substrate W, and moves toward a position above the rotation center position P1. When the brush BR reaches a position above the rotation center position P1, the brush BR is pressed against one surface of the substrate W again.
  • the brush BR moves from the rotation center position P1 to the outer peripheral end position P2 while being pressed by one surface of the rotating substrate W.
  • the period during which the brush BR moves from the outer peripheral end position P2 of the substrate W to the rotation center position P1 while separating from the substrate W will be referred to as a brush separation movement period.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining a fourth example of cleaning one surface of the substrate W by the substrate cleaning apparatus SSR of FIG. 1. Similar to the example in the upper part of FIG. 6, in the upper part of FIG. 9, changes in the flow rates of the cleaning liquid and the rinsing liquid supplied onto one surface of the substrate W in the fourth cleaning example are shown in a time chart. In addition, in the lower part of FIG. 9, the state of the substrate W and its surrounding area during a part of the period or time of the fourth cleaning example is shown in a schematic side view in a plurality of balloons, similar to the example in the lower part of FIG. Illustrated in the figure.
  • a liquid film formation period, a brush pressing movement period, a brush separation movement period, a brush pressing movement period, a rinsing period, and a drying period are set in this order.
  • the two brush pressing movement periods are set to be aligned on the time axis with the brush separation movement period in between.
  • the same operation as the first cleaning example is performed from the start time t01 of the liquid film formation period to the end time t03 of the first brush pressing movement period.
  • the cleaning liquid is not supplied to the substrate W during the first brush pressing movement period.
  • the brush control unit 93 controls the arm drive unit 31 so that the brush BR moves from the outer peripheral end position P2 toward the rotation center position P1 while separating from the substrate W from time t03 to time t04. .
  • the liquid supply system control unit 92 controls the cleaning liquid supply system 22 so that the cleaning liquid is supplied to the substrate W at the reference flow rate rf.
  • the same operation as the rinsing period of the first cleaning example (the period from time t03 to time t04 in FIG. 6) is performed from time t05 to time t06. Further, the same operation as the drying period of the first cleaning example (the period from time t04 to time t05 in FIG. 6) is performed from time t06 to time t07.
  • the cleaning liquid is not supplied to the substrate W during the brush pressing movement period, similarly to the first cleaning example.
  • the thickness of the liquid film L1 of the cleaning liquid formed on the substrate W is suppressed from increasing.
  • the cleaning power of the substrate W by the brush BR is improved compared to the case where the cleaning liquid is continuously supplied to the substrate W at the reference flow rate rf during the brush pressing movement period.
  • one surface of the substrate W is repeatedly cleaned by the brush BR multiple times. Therefore, the cleanliness of one surface of the substrate W after cleaning is further improved.
  • cleaning liquid is supplied to the substrate W during the brush separation movement period. Therefore, even if the brush pressing movement period is repeated multiple times with the brush separation movement period in between, one surface of the substrate W is prevented from drying.
  • the cleaning liquid may be supplied to the substrate W at a flow rate lower than the reference flow rate rf and greater than 0 during the brush separation movement period.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining a fifth example of cleaning one surface of a substrate W by the substrate cleaning apparatus SSR of FIG. 1.
  • changes in the flow rates of the cleaning liquid and the rinsing liquid supplied onto one surface of the substrate W in the fifth cleaning example are shown in a time chart.
  • the state of the substrate W and its surrounding area during a part of the period or time of the fifth cleaning example is shown in a schematic side view in a plurality of balloons, similar to the example in the lower part of FIG. Illustrated in the figure.
  • a liquid film formation period, a brush pressing movement period, a brush separation movement period, a brush pressing movement period, a rinsing period, and a drying period are set in this order.
  • the setting order of these plurality of periods is the same as in the fourth cleaning example.
  • the fifth cleaning example differs from the fourth cleaning example in that the cleaning liquid is supplied to the substrate W during the first brush pressing movement period and the second brush pressing movement period.
  • the liquid supply system control unit 92 controls the cleaning liquid supply system 22 so that the cleaning liquid is supplied to the substrate W at a flow rate af smaller than the reference flow rate rf. do. Further, during the second brush press movement period, the liquid supply system control unit 92 controls the cleaning liquid supply system 22 so that the cleaning liquid is supplied to the substrate W at a flow rate bf larger than the reference flow rate rf.
  • the liquid film L1 thickness becomes smaller.
  • the cleaning power of the substrate W by the brush BR is improved compared to the case where the cleaning liquid is continuously supplied to the substrate W at the reference flow rate rf during the brush pressing movement period.
  • the flow rate of the cleaning liquid supplied to the substrate W during the brush separation movement period may be larger than the reference flow rate rf, or may be smaller than the reference flow rate rf.
  • the flow rate bf of the cleaning liquid supplied to the substrate W during the second brush pressing movement period is equal to the flow rate bf of the cleaning liquid supplied to the substrate W during the first brush pressing movement period. It only needs to be larger than the flow rate af. Therefore, the flow rate of the cleaning liquid supplied to the substrate W during the second brush pressing movement period may be larger than the reference flow rate rf, or may be smaller than the reference flow rate rf.
  • the present inventors conducted a plurality of confirmation tests in order to confirm the relationship between the flow rate of the cleaning liquid supplied to the substrate W during the brush pressing movement period and the cleaning power of the substrate W by the brush BR.
  • Each of the multiple confirmation tests was basically conducted as follows.
  • a test substrate with a predetermined amount of contaminants attached to one surface is prepared.
  • the test substrate is cleaned using the substrate cleaning apparatus SSR shown in FIG. 1 using a cleaning method corresponding to each confirmation test.
  • the degree to which each test substrate after cleaning has become clean from the contaminated state before cleaning is measured as the contamination removal rate. It can be said that the higher the removal rate, the higher the cleaning power of the substrate W by the brush BR, and the higher the cleanliness of the test substrate after cleaning. This measurement can be performed using a particle counter.
  • the cleaning methods and test results for each confirmation test will be explained below.
  • the film formation period, brush press movement period, rinsing period, and drying period are set in this order, and the test substrate is cleaned with the brush BR in accordance with the set order. processed.
  • a mixed solution of a chemical solution and pure water was supplied as a cleaning solution onto one surface of the test substrate during the brush press movement period.
  • the supply flow rate of the chemical liquid was 400 mL/min
  • the supply flow rate of pure water was 400 mL/min. Therefore, the supply flow rate (total flow rate) of the mixed liquid of the chemical solution and pure water was 800 mL/min.
  • the method was the same as the first confirmation test except that the supply flow rates of the chemical solution and pure water supplied to the test board during the brush pressing movement period were different.
  • the test substrate was cleaned using a brush BR.
  • the supply flow rate of the chemical solution was 200 mL/min and the supply flow rate of pure water was 200 mL/min during the brush pressing movement period. Therefore, the supply flow rate (total flow rate) of the mixed liquid of the chemical solution and pure water was 400 mL/min.
  • the loaded substrate W is held in a horizontal position by the spin chuck 10. Further, the substrate W is rotated by the spin chuck 10 around an axis parallel to the vertical direction. A cleaning liquid is supplied onto one surface of the substrate W at a reference flow rate rf. As a result, a liquid film L1 of the cleaning liquid is formed on one surface of the substrate W. Thereafter, during the brush pressing movement period, the brush BR is pressed against one surface of the substrate W rotating by the spin chuck 10, and one surface of the substrate W is cleaned.
  • the flow rate of the cleaning liquid supplied to one surface of the substrate W becomes lower than the reference flow rate rf, or the cleaning liquid is not supplied to one surface of the substrate W.
  • the one surface of the substrate W is The thickness of the boundary liquid layer can be made smaller than when the cleaning liquid is supplied at a flow rate of rf. This improves the cleaning power of the brush BR on one surface of the substrate W. As a result, the cleanliness of one surface of the substrate W after cleaning is improved.
  • the amount of cleaning liquid used for cleaning the substrate W can be reduced. Therefore, the amount of cleaning liquid consumed can be reduced.
  • the reference flow rate rf of the cleaning liquid supplied to the substrate W during the liquid film formation period is set so as to shorten the liquid film formation period as much as possible while taking into consideration the rotational speed of the substrate W, the viscosity of the cleaning liquid, etc. It is preferable. By shortening the liquid film formation period, the throughput of the cleaning process for the substrate W is improved.
  • the cleaning liquid is supplied to the substrate W during the liquid film formation period, but the present invention is not limited thereto.
  • a rinsing liquid may be supplied to the substrate W instead of the cleaning liquid.
  • the brush BR rotates (rotates) around the vertical axis when cleaning one surface of the substrate W, but the present invention is not limited to this.
  • the brush BR does not need to rotate around the vertical axis when cleaning one surface of the substrate W.
  • the rotational speed of the substrate W may be changed as appropriate during the brush pressing movement period.
  • the rotational speed of the substrate W may decrease continuously or stepwise as the brush BR moves from the rotational center position P1 toward the outer peripheral end position P2.
  • the rotation speed of the substrate W may increase continuously or stepwise as the brush BR moves from the rotation center position P1 toward the outer peripheral end position P2.
  • the non-circuit-forming surface (back surface) of the substrate W is cleaned, but the present invention is not limited thereto.
  • the substrate W to be cleaned is a substrate on which circuits are not formed, such as a bare wafer
  • the circuit-formed surface (front surface) of the substrate W may be cleaned by the brush BR in the substrate cleaning apparatus SSR.
  • the substrate W to be processed has a circular shape except for the notch, but the substrate W may have a rectangular shape.
  • the substrate cleaning apparatus SSR is an example of the substrate cleaning apparatus
  • the spin chuck 10 is an example of a rotating holding part
  • the cleaning liquid nozzle 21 and the cleaning liquid supply system 22 are examples of a liquid supply part
  • the brush BR is an example of a brush
  • the brush pressing movement period is an example of a pressing period
  • the brush pressing mechanism 30 is an example of a brush pressing mechanism
  • the reference flow rate rf is an example of a reference flow rate
  • the specific position P3 is an example of a specific position This is an example in which the brush separation movement period is a non-pressing period.
  • the plurality of brush press movement periods in FIGS. 9 and 10 are examples of a plurality of press periods
  • the two brush press movement periods in FIG. 10 are examples of a first press period and a second press period
  • the flow rate af in FIG. 10 is an example of the first flow rate
  • the flow rate bf in FIG. 10 is an example of the second flow rate.
  • the substrate cleaning apparatus includes: A substrate cleaning device that cleans one side of a substrate, a rotation holding unit that rotates the substrate while holding it; a liquid supply unit that supplies a cleaning liquid onto the one surface of the substrate that is rotated while being held by the rotation holding unit; brush and a brush pressing mechanism that presses the brush toward the one surface of the rotating substrate held by the rotation holding part during a predetermined pressing period;
  • the liquid supply section includes: Before the pressing period, supplying a cleaning liquid onto the one surface of the substrate at a predetermined standard flow rate; During at least part of the pressing period, the cleaning liquid is supplied onto the one surface of the substrate at a flow rate lower than the reference flow rate, or the supply of the cleaning liquid is stopped.
  • cleaning liquid is supplied onto one surface of the substrate at a standard flow rate before the pressing period. As a result, a liquid film of the cleaning liquid is formed on one surface of the substrate. Thereafter, during the pressing period, the brush is pressed against one surface of the substrate which is being rotated by the rotation holding section, thereby cleaning one surface of the substrate.
  • the flow rate of the cleaning liquid supplied to one side of the substrate is lower than the reference flow rate, or the cleaning liquid is not supplied to one side of the substrate.
  • the thickness of the cleaning liquid layer can be made smaller than when the cleaning liquid is supplied to one side of the substrate at a standard flow rate. can. This improves the ability of the brush to clean one surface of the substrate. As a result, the cleanliness of one surface of the substrate after cleaning is improved.
  • the amount of cleaning liquid used for cleaning the substrate can be reduced. Therefore, the amount of cleaning liquid consumed can be reduced.
  • the cleaning power of the brush on one side of the substrate is further improved during the pressing period.
  • the cleanliness of one surface of the substrate after cleaning is further improved.
  • the brush pressing mechanism presses the brush toward the one surface of the substrate while moving the brush from the rotation center of the substrate that is rotated while being held by the rotation holding section to the outer peripheral end of the substrate. move it towards
  • the liquid supply section includes: Supplying a cleaning liquid onto the one surface from the start of the pressing period until the brush reaches a specific position between the rotation center and the outer peripheral end, The supply of the cleaning liquid may be stopped from the time when the brush reaches the specific position until the end of the pressing period.
  • the cleaning power of the brush is further improved in the region of one surface of the substrate where the cleaning liquid is not supplied and the brush is pressed.
  • the cleanliness of the area including at least the outer peripheral edge of one surface of the substrate after cleaning is further improved.
  • the pressing period includes a plurality of pressing periods arranged in order on the time axis, A predetermined non-pressing period is set between each two pressing periods adjacent on the time axis among the plurality of pressing periods,
  • the brush pressing mechanism is During each pressing period, while pressing the brush toward the one surface of the substrate, the brush is moved from the rotation center of the substrate that is rotated while being held by the rotation holding part toward the outer peripheral end of the substrate; during each non-pressing period, moving the brush from the outer peripheral end toward the rotation center while separating the brush from the one surface of the substrate;
  • the liquid supply section includes: during each pressing period, stopping the supply of the cleaning liquid; A cleaning liquid may be supplied onto the one surface of the substrate during each non-pressing period.
  • the cleaning power of the brush on one side of the substrate is further improved during each pressing period. Furthermore, one surface of the substrate is cleaned multiple times with a brush. As a result, the cleanliness of one surface of the substrate after cleaning is further improved.
  • the pressing period includes a first pressing period and a second pressing period arranged in order on the time axis, A predetermined non-pressing period is set between the first pressing period and the second pressing period, The brush pressing mechanism is During each of the first pressing period and the second pressing period, while pressing the brush toward the one surface of the substrate, the brush is held by the rotation holding section and rotated.
  • the liquid supply section includes: During the first pressing period, supplying a cleaning liquid onto the one surface of the substrate at a first flow rate smaller than the reference flow rate; During the second pressing period, the cleaning liquid may be supplied onto the one surface of the substrate at a second flow rate that is larger than the first flow rate.
  • the cleaning liquid is supplied onto one surface of the substrate at the first flow rate during the first pressing period, the cleaning power of the brush on one surface of the substrate is further improved.
  • the cleaning liquid is supplied onto one surface of the substrate at a second flow rate that is larger than the first flow rate.
  • the substrate cleaning method described in Section 6 includes: A substrate cleaning method for cleaning one side of a substrate, the method comprising: holding and rotating the substrate by a rotation holding unit; supplying a cleaning liquid onto the one surface of the substrate that is rotated while being held by the rotation holding unit; during a predetermined pressing period, pressing the brush toward the one surface of the rotating substrate held by the rotation holding part,
  • the step of supplying the cleaning liquid includes: Before the pressing period, supplying a cleaning liquid onto the one surface of the substrate at a predetermined reference flow rate;
  • the method includes supplying the cleaning liquid onto the one surface of the substrate at a flow rate lower than the reference flow rate or stopping the supply of the cleaning liquid during at least part of the pressing period.
  • a cleaning liquid is supplied onto one surface of the substrate at a standard flow rate before the pressing period. As a result, a liquid film of the cleaning liquid is formed on one surface of the substrate. Thereafter, during the pressing period, the brush is pressed against one surface of the substrate which is being rotated by the rotation holding section, thereby cleaning one surface of the substrate.
  • the flow rate of the cleaning liquid supplied to one side of the substrate is lower than the reference flow rate, or the cleaning liquid is not supplied to one side of the substrate.
  • the thickness of the cleaning liquid layer can be made smaller than when the cleaning liquid is supplied to one side of the substrate at a standard flow rate. can. This improves the ability of the brush to clean one surface of the substrate. As a result, the cleanliness of one surface of the substrate after cleaning is improved.
  • the amount of cleaning liquid used for cleaning the substrate can be reduced. Therefore, the amount of cleaning liquid consumed can be reduced.
  • the pressing step includes, during the pressing period, pressing the brush toward the one surface of the substrate while moving the brush from the center of rotation of the substrate that is rotated while being held by the rotation holding unit to the outer peripheral end of the substrate. including moving towards The step of supplying the cleaning liquid may include stopping the supply of the cleaning liquid during the pressing period.
  • the cleaning power of the brush on one side of the substrate is further improved during the pressing period.
  • the cleanliness of one surface of the substrate after cleaning is further improved.
  • the pressing step includes, during the pressing period, pressing the brush toward the one surface of the substrate while moving the brush from the rotation center of the substrate, which is rotated while being held by the rotation holding unit, to the outer peripheral end of the substrate. including moving towards
  • the step of supplying the cleaning liquid includes: Supplying a cleaning liquid onto the one surface from the start of the pressing period until the brush reaches a specific position between the rotation center and the outer peripheral end; 7.
  • the cleaning power of the brush is further improved in the region of one surface of the substrate where the cleaning liquid is not supplied and the brush is pressed.
  • the cleanliness of the area including at least the outer peripheral edge of one surface of the substrate after cleaning is further improved.
  • the pressing period includes a plurality of pressing periods arranged in order on the time axis, A predetermined non-pressing period is set between each two pressing periods adjacent on the time axis among the plurality of pressing periods,
  • the pressing step includes: During each pressing period, while pressing the brush toward the one surface of the substrate, the brush is moved from the center of rotation of the substrate, which is rotated while being held by the rotation holding section, toward the outer peripheral edge of the substrate.
  • the step of supplying the cleaning liquid includes: stopping the supply of the cleaning liquid during each pressing period;
  • the method may include supplying a cleaning liquid onto the one surface of the substrate during each non-pressing period.
  • the cleaning power of the brush on one side of the substrate is further improved during each pressing period. Furthermore, one surface of the substrate is cleaned multiple times with a brush. As a result, the cleanliness of one surface of the substrate after cleaning is further improved.
  • the pressing period includes a first pressing period and a second pressing period arranged in order on the time axis, A predetermined non-pressing period is set between the first pressing period and the second pressing period,
  • the pressing step includes: During each of the first pressing period and the second pressing period, the substrate is rotated while the brush is held by the rotation holding section while pressing the brush toward the one surface of the substrate.
  • the step of supplying the cleaning liquid includes: During the first pressing period, supplying a cleaning liquid onto the one surface of the substrate at a first flow rate smaller than the reference flow rate; The method may include supplying a cleaning liquid onto the one surface of the substrate at a second flow rate that is larger than the first flow rate during the second pressing period.
  • the cleaning liquid is supplied onto one surface of the substrate at the first flow rate during the first pressing period, the cleaning power of the brush on one surface of the substrate is further improved.
  • the cleaning liquid is supplied onto one surface of the substrate at a second flow rate that is larger than the first flow rate.
  • the cleanliness of the substrate after cleaning using the brush is improved, so the yield of products obtained by substrate processing is improved. Therefore, since unnecessary substrate processing is reduced, energy saving in substrate processing can be realized. Furthermore, since the use of wasteful chemicals and the like can be reduced, it is possible to contribute to reducing pollution of the global environment.

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Abstract

基板洗浄装置は、スピンチャック、液供給機構、ブラシ押圧機構およびブラシを備える。スピンチャックは、基板を保持しつつ回転させる。液供給機構は、スピンチャックにより保持されて回転する基板の一面上に洗浄液を供給する。ブラシ押圧機構は、予め定められた押圧期間中、ブラシを回転する基板の一面に向けて押圧する。液供給機構は、押圧期間の前に、基板の一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給する。また、液供給機構は、押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、基板の一面上に基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止する。

Description

基板洗浄装置および基板洗浄方法
　本発明は、ブラシを用いて基板を洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
　液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板を洗浄するために、基板洗浄装置が用いられる。
　基板洗浄装置の一例として、特許文献１には、ブラシを用いて基板の主面を洗浄する基板処理装置が記載されている。具体的には、その基板処理装置においては、スピンチャックにより保持されて回転する基板の主面（上面）に処理液が供給される。この状態で、基板の主面上にブラシが押し当てられる。また、基板の主面上で、ブラシが、基板の回転中心から基板の外周端部に向く方向に移動する。それにより、基板の主面が洗浄される。
特許第６９６８５４７号公報
　特許文献１に記載された基板処理装置のように、ブラシを用いて基板の一面を洗浄する基板洗浄装置においては、洗浄後の基板の一面の清浄度を向上させることが望まれる。また、基板洗浄装置においては、基板の洗浄に用いられる処理液（洗浄液）の量を低減することが望まれる。
　本発明の目的は、ブラシによる洗浄後の基板の一面の清浄度を向上させるとともに基板の一面の洗浄に用いる洗浄液の消費量を低減可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することである。
　本発明の一局面に従う基板洗浄装置は、基板の一面を洗浄する基板洗浄装置であって、前記基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給する液供給部と、ブラシと、予め定められた押圧期間中、前記ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するブラシ駆動部とを備え、前記液供給部は、前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給し、前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止する。
　本発明の他の局面に従う基板洗浄方法は、基板の一面を洗浄する基板洗浄方法であって、回転保持部により前記基板を保持しつつ回転させるステップと、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給するステップと、予め定められた押圧期間中、ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するステップとを含み、前記洗浄液を供給するステップは、前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給することと、前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止することとを含む。
　本発明によれば、ブラシによる洗浄後の基板の一面の清浄度を向上させるとともに基板の一面の洗浄に用いる洗浄液の消費量を低減することが可能になる。
図１は本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の構成の一例を示す模式的側面図である。 図２は図１の基板洗浄装置において基板の一面が洗浄されるときのスピンチャックおよびその周辺部材の状態の一例を示す模式的側面図である。 図３は境界液層の厚みに応じてブラシによる基板の洗浄力が変化するメカニズムを説明するための図である。 図４は境界液層の厚みに応じてブラシによる基板の洗浄力が変化するメカニズムを説明するための図である。 図５は境界液層の厚みに応じてブラシによる基板の洗浄力が変化するメカニズムを説明するための図である。 図６は図１の基板洗浄装置による基板の一面の第１の洗浄例を説明するための図である。 図７は図１の基板洗浄装置による基板の一面の第２の洗浄例を説明するための図である。 図８は図１の基板洗浄装置による基板の一面の第３の洗浄例を説明するための図である。 図９は図１の基板洗浄装置による基板の一面の第４の洗浄例を説明するための図である。 図１０は図１の基板洗浄装置による基板の一面の第５の洗浄例を説明するための図である。
　以下、本発明の実施の形態に係る基板洗浄装置およびそれを備える基板洗浄方法について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板（ウエハ）、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、以下の説明では、基板の一面が非回路形成面（裏面）であり、基板の他面が回路形成面（表面）である。また、基板は、ノッチを除いて円形状を有する。
　さらに、以下の説明において、水平とは実質的に水平であることを意味する。厳密には、以下の説明における水平とは、対象となる面または線が所定の水平面に対して平行であること、および所定の水平面に対してある程度の角度範囲（例えば１０°の角度範囲）内で傾斜していることを含む。また、鉛直とは実質的に鉛直であることを意味する。厳密には、以下の説明における鉛直とは、対象となる面または線が所定の鉛直面に平行であること、および所定の鉛直面に対してある程度の角度範囲（例えば１０°の角度範囲）内で傾斜していることを含む。
　１．基板洗浄装置の構成
　図１は、本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の構成の一例を示す模式的側面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲは、スピンチャック１０、液供給機構２０、ブラシ押圧機構３０、制御部９０およびブラシＢＲを備える。スピンチャック１０は、基板Ｗの外周端部を保持するメカチャック式のスピンチャックであり、スピンベース１１、複数のチャックピン１２、チャック回転駆動部１３および回転軸１４を含む。
　スピンベース１１は、円形状を有するとともに所定の厚みを有する円板状部材である。複数のチャックピン１２は、スピンベース１１の上面周縁部に等間隔で配置されている。各チャックピン１２は、鉛直方向の軸の周りで回転可能に構成された回転式保持ピンである。スピンベース１１上に基板Ｗが配置された状態で複数のチャックピン１２の各々が回転する。それにより、基板Ｗの外周端部の複数の部分に複数のチャックピン１２がそれぞれ当接し、基板Ｗが保持される。
　チャック回転駆動部１３はモータを含む。回転軸１４は、チャック回転駆動部１３のモータの回転軸である。チャック回転駆動部１３は、回転軸１４が上方に向かって延びるように設置面ＳＩ上に設けられている。スピンベース１１は、回転軸１４の上端に水平姿勢で固定されている。スピンベース１１上に基板Ｗが保持された状態でチャック回転駆動部１３が動作する。それにより、基板Ｗが鉛直方向に延びる回転軸１４の周りで回転する。
　スピンチャック１０の側方の位置にブラシ押圧機構３０が設けられている。ブラシ押圧機構３０は、アーム駆動部３１、回転軸３２、アーム３３およびブラシ駆動部３４を含む。アーム駆動部３１は、設置面ＳＩ上に取り付けられている。アーム駆動部３１は、モータおよび昇降装置を含む。回転軸３２は、アーム駆動部３１から上方に延びるように設けられ、アーム駆動部３１のモータにより鉛直方向の軸の周りで回転可能に支持されている。また、回転軸３２は、アーム駆動部３１の昇降装置により昇降可能に支持されている。
　回転軸３２の上端部には、アーム３３が水平方向に延びるように連結されている。アーム３３の先端にブラシ駆動部３４が設けられている。ブラシ駆動部３４の下端部にはブラシＢＲが設けられている。ブラシＢＲは、例えば多孔質のＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジまたは砥粒が分散されたＰＶＡスポンジにより形成され、基板Ｗの一面に接触可能な洗浄面を有する。
　ブラシ駆動部３４は、モータおよび押圧装置を含む。ブラシＢＲは、ブラシ駆動部３４のモータにより鉛直方向の軸の周りで回転可能に支持されている。また、ブラシＢＲは、ブラシ駆動部３４の押圧装置により、後述する基板Ｗの一面の洗浄時に、予め定められた圧力でブラシ駆動部３４の洗浄面を基板Ｗの一面に押圧することが可能に支持されている。
　上記の構成を有するブラシ押圧機構３０においては、アーム駆動部３１のモータが動作することにより、アーム３３が水平面内で回転する。それにより、ブラシ駆動部３４に設けられたブラシＢＲがスピンチャック１０の上方の位置とスピンチャック１０の上方の外側の位置との間で移動する。また、アーム駆動部３１の昇降装置が動作することにより、アーム３３が上昇または下降する。それにより、ブラシ駆動部３４に設けられたブラシＢＲがアーム３３とともに上昇または下降する。
　スピンチャック１０に付随して液供給機構２０が設けられている。液供給機構２０は、洗浄液ノズル２１、洗浄液供給系２２、リンス液ノズル２３およびリンス液供給系２４を含む。洗浄液供給系２２は、配管、ポンプおよびバルブ等の流体関連機器を含み、図示しない洗浄液供給源から洗浄液ノズル２１に洗浄液を供給する。この場合、洗浄液ノズル２１から洗浄液が吐出される。本実施の形態においては、洗浄液として、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。また、洗浄液としては、さらに他の薬液として、アンモニアと過酸化水素水との混合溶液（ＳＣ１）または塩酸と過酸化水素水との混合溶液（ＳＣ２）等を用いることもできる。なお、洗浄液としては、上記の薬液に代えて、炭酸水、オゾン水、水素水、電解イオン水、または上記のいずれかの薬液と純水との混合液等が用いられてもよい。
　リンス液ノズル２３は、配管、ポンプおよびバルブ等の流体関連機器を含み、図示しないリンス液供給源からリンス液ノズル２３に洗浄液を供給する。この場合、リンス液ノズル２３からリンス液が吐出される。本実施の形態においては、リンス液として、例えば純水が用いられる。なお、リンス液としては、純水に代えて、炭酸水、オゾン水、水素水または電解イオン水等が用いられてもよいし、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤が用いられてもよい。
　制御部９０は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリまたはマイクロコンピュータを含む。メモリには、基板洗浄プログラムが記憶されている。制御部９０は、機能部として基板回転制御部９１、液供給系制御部９２およびブラシ制御部９３を含む。これらの機能部は、制御部９０のＣＰＵがメモリに記憶された基板洗浄プログラムを実行することにより実現される。制御部９０の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウェアにより実現されてもよい。
　基板回転制御部９１は、主として、基板洗浄装置ＳＳＲに基板Ｗが搬入された後基板洗浄装置ＳＳＲから基板Ｗが搬出されるまでの間、チャック回転駆動部１３の動作を制御する。液供給系制御部９２は、主として、基板Ｗの一面の洗浄時に洗浄液供給系２２およびリンス液供給系２４の動作を制御する。ブラシ制御部９３は、主として、基板Ｗの一面の洗浄時にアーム駆動部３１およびブラシ駆動部３４の動作を制御する。
　上記の基板洗浄装置ＳＳＲにおける基本的な動作について説明する。初期状態で、ブラシＢＲは、スピンチャック１０の側方の待機位置に保持されているものとする。まず、基板洗浄装置ＳＳＲには、一面（裏面）が上方に向けられた基板Ｗが水平姿勢で搬入される。基板洗浄装置ＳＳＲに搬入された基板Ｗは、基板Ｗの一面が上方を向いた状態でスピンチャック１０により保持される。また、チャック回転駆動部１３が動作することにより、基板Ｗが予め定められた回転速度で回転する。
　次に、洗浄液供給系２２から洗浄液ノズル２１を通して回転する基板Ｗの回転中心に洗浄液が供給される。それにより、基板Ｗ上に供給された洗浄液が遠心力により基板Ｗの一面全体に広がり、基板Ｗ上に液膜が形成される。換言すれば、基板Ｗの一面全体が洗浄液により湿潤する。
　次に、基板Ｗへの洗浄液の供給が継続または停止された状態で、ブラシ押圧機構３０が動作する。それにより、待機位置に保持されていたブラシＢＲが基板Ｗの回転中心の上方の位置まで移動する。また、ブラシＢＲが鉛直方向の軸の周りで回転し、ブラシＢＲの洗浄面が予め定められた圧力で基板Ｗの一面における回転中心に押圧される。その後、ブラシＢＲが基板Ｗの一面上で、基板Ｗの回転中心から基板Ｗの外周端部に向けて移動する。これにより、基板Ｗの一面がブラシＢＲにより物理的に洗浄される。
　次に、回転する基板Ｗの一面上にリンス液が供給される。また、ブラシＢＲが待機位置に戻される。一定期間基板Ｗの一面にリンス液が供給された後、基板Ｗへのリンス液の供給が停止される。その後、基板Ｗが高速で回転される。それにより、基板Ｗ上に付着するリンス液の液滴が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。最後に、基板Ｗの回転が停止され、洗浄後の乾燥した基板Ｗが基板洗浄装置ＳＳＲから搬出される。
　２．ブラシＢＲによる洗浄力の向上に関する検討
　ブラシＢＲを用いて基板Ｗの一面を洗浄する洗浄方法の分野では、基板Ｗの一面に対するブラシＢＲの押圧力に応じて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力（基板Ｗにおける汚染物質の除去能力）が変化することが知られている。
　通常、基板Ｗの一面に対するブラシＢＲの押圧力が高いほどブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力は大きくなり、基板Ｗの一面に対するブラシＢＲの押圧力が低いほどブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力は小さくなる。したがって、ブラシＢＲを用いて基板Ｗの一面を洗浄する場合には、より高い圧力でブラシＢＲの洗浄面を基板Ｗの一面に押圧することにより、洗浄後の基板Ｗの清浄度が向上すると考えらえる。
　しかしながら、基板Ｗの一面に対するブラシＢＲの押圧力が過剰に高くなると、基板Ｗのサイズおよび厚み等によっては、当該基板Ｗが変形したり、当該基板Ｗが破損したりする可能性がある。したがって、ブラシＢＲの押圧力を高くすることのみで向上させることが可能な洗浄力には限界がある。また、本発明者らは、複数の基板Ｗについて、互いに異なる複数の押圧力でブラシＢＲを用いてそれぞれ洗浄を行った。その後、互いに異なる押圧力で洗浄された複数の基板Ｗの清浄度を測定する試験を行った。その結果、押圧力がある一定の範囲を超えて大きくなると、押圧力の大きさが変化しても洗浄後の基板Ｗの清浄度は大きく変化しないことを確認した。
　これらの点を考慮して、本発明者らは、押圧力によらず基板Ｗの洗浄力を向上させるための条件について検討した。ブラシＢＲを用いた基板Ｗの一面の洗浄時には、ブラシＢＲが基板Ｗに接触することにより基板Ｗの一面が損傷しないように、基板Ｗの一面が洗浄液で湿潤している必要がある。
　従来、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄時に、基板Ｗ上に処理液（洗浄液）の液膜の厚みが小さくなる領域があると、ブラシＢＲにより除去された汚染物質が基板Ｗ上に滞留し、基板Ｗの清浄度が低下すると考えられてきた。そのため、特許文献１では、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄時に、基板Ｗの主面を単に湿潤させるだけでなく、基板Ｗの主面上に形成される処理液（洗浄液）の膜厚の低下を抑制する方法が提案されている。
　これに対して、本発明者らは、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄のメカニズムを検討した結果、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄時に基板Ｗ上に形成される洗浄液の液膜の厚みが大きいと、基板Ｗの洗浄力が低下する可能性があると考えた。
　図２は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲにおいて基板Ｗの一面が洗浄されるときのスピンチャック１０およびその周辺部材の状態の一例を示す模式的側面図である。図２および後述する図３～図１０に示される模式的側面図では、ブラシＢＲと基板Ｗとの間の位置関係等が理解しやすいように、スピンチャック１０により保持される基板Ｗにハッチングを付している。また、基板Ｗ上に洗浄液またはリンス液が供給されることにより基板Ｗ上に形成される洗浄液またはリンス液の液膜にドットパターンを付している。
　基板Ｗの一面の洗浄時には、例えば、図２に太い一点鎖線の矢印で示すように、スピンチャック１０の回転軸１４が回転し、基板Ｗが水平姿勢で回転する。この状態で、洗浄液ノズル２１から基板Ｗの回転中心の位置（以下、回転中心位置Ｐ１と呼ぶ。）に向けて洗浄液が供給される。それにより、回転する基板Ｗの一面上に洗浄液の液膜Ｌ１が形成される。なお、図２に示される液膜Ｌ１は、基板Ｗの全体に渡ってほぼ同じ厚みを有するが、基板Ｗが回転している場合、液膜Ｌ１の厚みは、実際には、回転中心位置Ｐ１から基板Ｗの半径方向に遠ざかるにつれて漸次小さくなる。
　基板Ｗの一面上に液膜Ｌ１が形成された状態で、基板Ｗの一面にブラシＢＲの洗浄面が押し当てられる。このとき、ブラシＢＲの洗浄面は、鉛直方向の軸の周りで回転し、予め定められた圧力で基板Ｗの一面に押圧される。また、ブラシＢＲは、図２に太い実線の矢印で示すように、基板Ｗの一面上で回転中心位置Ｐ１から基板Ｗの外周端部の位置（以下、外周端部位置Ｐ２と呼ぶ。）に向かって移動する。このとき、ブラシＢＲの洗浄面が基板Ｗの一面に対して接触しつつ移動することにより、基板Ｗの一面上に固着した汚染物質が、ブラシＢＲにより剥離され、洗浄液により洗い流される。
　ここで、基板Ｗの一面の洗浄時には基板Ｗが回転する。一方、ブラシＢＲは、基板Ｗの回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２にかけて直線状または円弧状の経路をたどって基板Ｗの一面上を移動する。また、ブラシＢＲは、基板Ｗの回転とは無関係に鉛直方向の軸の周りで回転する。それにより、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄時には、互いに対向するブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面とが相対的に移動および回転する。
　この場合、例えばブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間の境界部分に洗浄液が流れ込む際に、いわゆる水はけ不良により当該境界部分で洗浄液が円滑に流れないと、ブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間に洗浄液の層が形成される。このような現象は、ハイドロプレーン現象として知られている。以下の説明では、ハイドロプレーン現象の発生時にブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間に形成される洗浄液の層を、境界液層と呼ぶ。
　ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄時にハイドロプレーン現象が発生することにより境界液層が形成されると、境界液層の厚みよりも小さいサイズを有する汚染物質は、ブラシＢＲにより物理的に除去することが難しいと考えられる。そこで、本発明者らは、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄時に形成される境界液層の厚みに応じてブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が変化するメカニズムを推定した。
　図３～図５は、境界液層の厚みに応じてブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が変化するメカニズムを説明するための図である。図３～図５に示すように、基板Ｗの一面上に鉛直方向のサイズが異なる３つの汚染物質ｃｎ１，ｃｎ２，ｃｎ３が固着している場合を想定する。
　ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄中に、比較的多量の洗浄液が基板Ｗの一面上に供給されると、図３の例に示すように、基板Ｗ上に形成される液膜Ｌ１の厚みが大きくなる。この状態で、上記のハイドロプレーン現象が発生すると、単位時間あたりにブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間に流れ込む洗浄液の量が大きくなり、境界液層の厚みＬｔ１が大きくなることが推定される。この場合、ブラシＢＲが基板Ｗ上で移動する際、ブラシＢＲの洗浄面は、厚みＬｔ１よりも大きいサイズを有する汚染物質ｃｎ１に接触するが、厚みＬｔ１よりも小さいサイズを有する汚染物質ｃｎ２，ｃｎ３には接触しない。それにより、厚みＬｔ１よりも小さいサイズを有する汚染物質ｃｎ２，ｃｎ３は、ブラシＢＲにより除去されない。
　一方、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄中に、中程度の量の洗浄液が基板Ｗの一面上に供給されると、図４の例に示すように、基板Ｗ上に形成される液膜Ｌ１の厚みは、図３の例に比べてやや小さくなる。この状態で、上記のハイドロプレーン現象が発生すると、単位時間あたりにブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間に流れ込む洗浄液の量がやや小さくなり、境界液層の厚みＬｔ２が図３の例に比べてやや小さくなることが推定される。この場合、ブラシＢＲが基板Ｗ上で移動する際、ブラシＢＲの洗浄面は、厚みＬｔ２よりも大きいサイズを有する汚染物質ｃｎ１，ｃｎ２に接触するが、厚みＬｔ２よりも小さいサイズを有する汚染物質ｃｎ３には接触しない。それにより、厚みＬｔ２よりも小さいサイズを有する汚染物質ｃｎ３は、ブラシＢＲにより除去されない。
　他方、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄中に、洗浄液が基板Ｗの一面上にほとんど供給されないと、図５の例に示すように、基板Ｗ上に形成される液膜Ｌ１の厚みは、図３の例に比べて著しく小さくなる。この状態で、上記のハイドロプレーン現象が発生すると、単位時間あたりにブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間に流れ込む洗浄液の量が著しく小さくなり、境界液層の厚みＬｔ３が図３の例に比べて十分に小さくなることが推定される。この場合、ブラシＢＲが基板Ｗ上で移動する際、ブラシＢＲの洗浄面は、厚みＬｔ３よりも大きいサイズを有する汚染物質ｃｎ１，ｃｎ２，ｃｎ３に接触する。それにより、ハイドロプレーン現象が発生する場合でも、基板Ｗ上の大部分の汚染物質が除去される。
　本発明者らは、上記のように推定されるメカニズムから、洗浄液の液膜Ｌ１が形成された基板Ｗの一面にブラシＢＲを押圧する過程で、基板Ｗに供給される洗浄液の量を低減することにより洗浄力を向上させることが可能であると考えた。また、本発明者らは、上記のメカニズムに基づいて、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄力を向上させるために好適と考えられる複数の洗浄例を案出した。以下、複数の洗浄例について説明する。
　３．第１の洗浄例
　以下の説明では、ブラシＢＲが押圧される前の回転する基板Ｗの一面上に洗浄液の液膜が形成される期間（いわゆるプリウェットに要する期間）を液膜形成期間と呼ぶ。また、液膜形成期間の後、回転する基板Ｗの一面上にブラシＢＲが押圧される期間をブラシ押圧移動期間と呼ぶ。また、ブラシ押圧移動期間の後、基板Ｗの一面上に残留する洗浄液および汚染物質を除去するために、回転する基板Ｗの一面上にリンス液が供給される期間をリンス期間と呼ぶ。さらに、リンス期間の後、基板Ｗへの洗浄液およびリンス液の供給が停止された状態で基板Ｗが高速回転されることにより基板Ｗが振り切り乾燥される期間を乾燥期間と呼ぶ。
　図６は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲによる基板Ｗの一面の第１の洗浄例を説明するための図である。図６の上段には、第１の洗浄例において、基板Ｗの一面上に供給される洗浄液およびリンス液の流量の変化がタイムチャートで示される。図６の上段のタイムチャートにおいては、横軸が時間を表し、縦軸が供給流量を表す。供給流量は、単位時間当たりに基板Ｗに供給される液の量である。さらに、そのタイムチャートにおいては、太い実線が図１の洗浄液ノズル２１から基板Ｗに供給される洗浄液の流量の経時的な変化を表し、太い一点鎖線が図１のリンス液ノズル２３から基板Ｗに供給されるリンス液の流量の経時的な変化を表す。図６の下段には、第１の洗浄例の一部の期間または時点における基板Ｗおよびその周辺部の状態が、複数の吹き出し内に模式的側面図で示される。
　初期状態で、基板洗浄装置ＳＳＲに搬入された基板Ｗがスピンチャック１０により保持され、所定の回転速度で回転しているものとする。図１の基板回転制御部９１は、後述する時点ｔ０１から時点ｔ０５にかけて、基板Ｗを水平姿勢で保持するとともに予め定められた回転速度で回転するようにチャック回転駆動部１３を制御する。また、初期状態で、ブラシＢＲは待機位置にあるものとする。
　図６の上段に示すように、時点ｔ０１から時点ｔ０２にかけて、液膜形成期間が設定されている。その液膜形成期間においては、図１の液供給系制御部９２は、予め定められた基準流量ｒｆで基板Ｗに洗浄液が供給されるように図１の洗浄液供給系２２を制御する。また、液供給系制御部９２は、基板Ｗにリンス液が供給されないように図１のリンス液供給系２４を制御する。基準流量ｒｆは、例えば基板Ｗのサイズおよび洗浄液の粘度を考慮した上で、実験またはシミュレーション等により予め定められた液膜形成期間内で少なくとも基板Ｗの一面全体に液膜が形成されるように設定される。これにより、図６の下段の吹き出しｂ１内に示すように、液膜形成期間中、基板Ｗの一面上に洗浄液の液膜Ｌ１が形成される。
　次に、時点ｔ０２から時点ｔ０３にかけて、ブラシ押圧移動期間が設定されている。そのブラシ押圧移動期間においては、液供給系制御部９２は、基板Ｗに洗浄液およびリンス液が供給されないように、洗浄液供給系２２およびリンス液供給系２４を制御する。
　一方、図１のブラシ制御部９３は、時点ｔ０２から時点ｔ０３にかけて、基板Ｗの一面上でブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２に移動するように、図１のアーム駆動部３１を制御する。また、ブラシ制御部９３は、ブラシＢＲが鉛直方向の軸の周りで回転するとともにブラシＢＲの洗浄面が基板Ｗの一面に所定の圧力で押圧されるように、図１のブラシ駆動部３４を制御する。この場合、図６の下段の吹き出しｂ２内に示すように、ブラシ押圧移動期間中は、液膜Ｌ１の厚みが液膜形成期間中の厚みよりも小さい状態で、基板Ｗの一面上にブラシＢＲが押圧される。それにより、ブラシ押圧移動期間中にハイドロプレーン現象が発生する場合でも、基板Ｗに供給される洗浄液の流量が基準流量ｒｆで維持される場合に比べて基板Ｗの洗浄力が向上する。
　次に、時点ｔ０３から時点ｔ０４にかけて、リンス期間が設定されている。そのリンス期間においては、液供給系制御部９２は、基準流量ｒｆで基板Ｗにリンス液が供給されるようにリンス液供給系２４を制御する。また、液供給系制御部９２は、基板Ｗに洗浄液が供給されないように洗浄液供給系２２を制御する。この場合、図６の下段の吹き出しｂ３内に示すように、リンス期間中、基板Ｗの一面上にリンス液の液膜Ｌ２が形成される。なお、ブラシ制御部９３は、リンス期間において、ブラシＢＲが待機位置に戻るようにアーム駆動部３１を制御する。
　最後に、時点ｔ０４から時点ｔ０５にかけて、乾燥期間が設定されている。その乾燥期間においては、液供給系制御部９２は、基板Ｗに洗浄液およびリンス液が供給されないように、洗浄液供給系２２およびリンス液供給系２４を制御する。これにより、基板Ｗ上のリンス液が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
　上記のように、第１の洗浄例によれば、ブラシ押圧移動期間中に、基板Ｗに洗浄液が供給されないので、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄時に、基板Ｗ上に形成される洗浄液の液膜Ｌ１の厚みが大きくなることが抑制される。それにより、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。
　なお、第１の洗浄例においては、図６の上段のグラフに太い点線で示すように、ブラシ押圧移動期間の開始時点ｔ０２から終了時点ｔ０３にかけて、基板Ｗに供給される洗浄液の流量を基準流量ｒｆよりも小さい流量ａｆで一定に維持してもよい。この場合においても、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。
　上記の流量ａｆは、基板Ｗに対するブラシＢＲの押圧力、ブラシＢＲと基板Ｗとの間の相対速度および洗浄液の粘度等を考慮した上で、境界液層の厚みがより適切な厚みとなるように設定されることが好ましい。
　また、第１の洗浄例においては、リンス期間中に基板Ｗに供給されるリンス液の流量は、基準流量ｒｆよりも小さくてもよいし、基準流量ｒｆよりも大きくてもよい。
　４．第２の洗浄例
　第２の洗浄例について、第１の洗浄例と異なる点を説明する。以下の説明では、ブラシ押圧移動期間中に回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２に移動するブラシＢＲの経路上の特定の位置を特定位置と呼ぶ。
　図７は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲによる基板Ｗの一面の第２の洗浄例を説明するための図である。図７の上段には、図６の上段の例と同様に、第２の洗浄例において、基板Ｗの一面上に供給される洗浄液およびリンス液の流量の変化がタイムチャートで示される。また、図７の下段には、図６の下段の例と同様に、第２の洗浄例の一部の期間または時点における基板Ｗおよびその周辺部の状態が、複数の吹き出し内に模式的側面図で示される。
　第２の洗浄例では、液供給系制御部９２は、図７の上段に示すように、時点ｔ０２から、時点ｔ０３よりも前の時点ｔａまでの間、基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給されるように、洗浄液供給系２２を制御する。また、液供給系制御部９２は、時点ｔ０２から時点ｔａまでの間、基板Ｗにリンス液が供給されないようにリンス液供給系２４を制御する。ここで、時点ｔａは、ブラシ押圧移動期間中でブラシＢＲが特定位置Ｐ３に到達したときの時点である。この場合、図７の下段の吹き出しｂ４，ｂ５に示すように、ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１から特定位置Ｐ３に移動するまでの間は、液膜Ｌ１の厚みが液膜形成期間中の厚みとほぼ同じ状態で、基板Ｗの一面上にブラシＢＲが押圧される。
　その後、液供給系制御部９２は、時点ｔａから時点ｔ０３までの間、基板Ｗに洗浄液およびリンス液が供給されないように洗浄液供給系２２およびリンス液供給系２４を制御する。この場合、図７の下段の吹き出しｂ６内に示すように、ブラシＢＲが特定位置Ｐ３から外周端部位置Ｐ２に移動するまでの間は、液膜Ｌ１の厚みが液膜形成期間中の厚みよりも小さい状態で、基板Ｗの一面上にブラシＢＲが押圧される。
　それにより、ブラシＢＲが特定位置Ｐ３から外周端部位置Ｐ２に移動するまでの間は、ハイドロプレーン現象が発生する場合でも、基板Ｗに供給される洗浄液の流量が基準流量ｒｆで維持される場合に比べて基板Ｗの洗浄力が向上する。
　上記のように、第２の洗浄例によれば、ブラシ押圧移動期間中の一部の期間に、基板Ｗに洗浄液が供給されないので、当該一部の期間において基板Ｗ上に形成される洗浄液の液膜Ｌ１の厚みが大きくなることが抑制される。それにより、ブラシ押圧移動期間中の一部の期間で、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。したがって、特定位置Ｐ３を適切に定めることにより、基板Ｗの一面の一部においてブラシＢＲによる洗浄力を局所的に向上させることができる。
　特定位置Ｐ３は、例えば、基板Ｗの半径方向における回転中心位置Ｐ１と外周端部位置Ｐ２との間の中間位置に設定されてもよい。あるいは、特定位置Ｐ３は、基板Ｗの半径方向における中間位置よりも基板Ｗの外周端部に近い位置に設定されてもよい。これらの場合、少なくとも基板Ｗの外周端部近傍の領域でブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力を向上させることができる。
　なお、第２の洗浄例においては、図７の上段のグラフに太い点線で示すように、ブラシ押圧移動期間中の時点ｔａから終了時点ｔ０３にかけて、基板Ｗに供給される洗浄液の流量を連続的に低下させてもよい。この場合においても、時点ｔａから時点ｔ０３の間は、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。
　５．第３の洗浄例
　第３の洗浄例について、第２の洗浄例と異なる点を説明する。図８は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲによる基板Ｗの一面の第３の洗浄例を説明するための図である。図８の上段には、図６の上段の例と同様に、第３の洗浄例において、基板Ｗの一面上に供給される洗浄液およびリンス液の流量の変化がタイムチャートで示される。また、図８の下段には、図６の下段の例と同様に、第３の洗浄例の一部の期間または時点における基板Ｗおよびその周辺部の状態が、複数の吹き出し内に模式的側面図で示される。
　第３の洗浄例では、液供給系制御部９２は、図８の上段に示すように、時点ｔ０２から時点ｔａまでの間、基板Ｗに基準流量ｒｆよりも小さい流量ａｆで洗浄液が供給されるように、洗浄液供給系２２を制御する。この場合、図８の下段の吹き出しｂ７～ｂ９に示すように、ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１から特定位置Ｐ３に移動するまでの間に、液膜Ｌ１の厚みが時点ｔ０２，ｔａの順で段階的に小さくなる。これにより、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が、基板Ｗの半径方向における複数の領域で順次調整される。
　なお、第３の洗浄例においては、図８の上段のグラフに太い点線で示すように、ブラシ押圧移動期間の開始時点ｔ０２から終了時点ｔ０３にかけて、基板Ｗに供給される洗浄液の流量を連続的に低下させてもよい。この場合においても、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。
　６．第４の洗浄例
　第４の洗浄例について、第１の洗浄例と異なる点を説明する。第４の洗浄例においては、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄時に、ブラシＢＲが複数回（本例では２回）にわたって基板Ｗの一面上に押圧されつつ移動する。具体的には、ブラシＢＲは、回転する基板Ｗの一面に押圧されつつ回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２にかけて移動する。次に、基板Ｗから離間するようにブラシＢＲが外周端部位置Ｐ２の上方の位置に移動し、回転中心位置Ｐ１の上方の位置に向かって移動する。ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１の上方の位置に到達すると、ブラシＢＲが再び基板Ｗの一面に押圧される。その後、ブラシＢＲは、回転する基板Ｗの一面に押圧されつつ回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２にかけて移動する。以下の説明では、ブラシＢＲが基板Ｗから離間しつつ基板Ｗの外周端部位置Ｐ２から回転中心位置Ｐ１まで移動する期間をブラシ離間移動期間と呼ぶ。
　図９は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲによる基板Ｗの一面の第４の洗浄例を説明するための図である。図９の上段には、図６の上段の例と同様に、第４の洗浄例において、基板Ｗの一面上に供給される洗浄液およびリンス液の流量の変化がタイムチャートで示される。また、図９の下段には、図６の下段の例と同様に、第４の洗浄例の一部の期間または時点における基板Ｗおよびその周辺部の状態が、複数の吹き出し内に模式的側面図で示される。
　第４の洗浄例では、図９の上段に示すように、液膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、ブラシ離間移動期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間がこの順で設定されている。このように、第４の洗浄例においては、時間軸上でブラシ離間移動期間を挟んで２つのブラシ押圧移動期間が並ぶように設定される。
　まず、第４の洗浄例では、液膜形成期間の開始時点ｔ０１から第１番目のブラシ押圧移動期間の終了時点ｔ０３までの間、第１の洗浄例と同じ動作が行われる。これにより、第１番目のブラシ押圧移動期間においては、基板Ｗに洗浄液が供給されない。それにより、図９の下段の吹き出しｂ１０に示すように、ブラシＢＲが基板Ｗの一面に押圧される間、基板Ｗの一面上に形成される液膜Ｌ１の厚みを小さくすることができる。したがって、高い洗浄力で基板Ｗの一面が洗浄される。
　次に、ブラシ制御部９３は、時点ｔ０３から時点ｔ０４にかけて、ブラシＢＲが基板Ｗから離間しつつ外周端部位置Ｐ２から回転中心位置Ｐ１に向かって移動するように、アーム駆動部３１を制御する。このとき、液供給系制御部９２は、基準流量ｒｆで基板Ｗに洗浄液が供給されるように洗浄液供給系２２を制御する。それにより、図９の下段の吹き出しｂ１１に示すように、ブラシＢＲが基板Ｗから離間している間、液膜Ｌ１の厚みが大きくなる。したがって、第１番目のブラシ押圧移動期間にブラシＢＲにより基板Ｗ上から剥離された汚染物質が基板Ｗ上に残留する場合でも、その汚染物質が多量の洗浄液により洗い流される。
　次に、時点ｔ０４で、ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１上に到達すると、ブラシＢＲが再度基板Ｗの一面に押圧される。また、時点ｔ０４から時点ｔ０５にかけて第１番目のブラシ押圧移動期間と同じ動作（ブラシＢＲの移動）が繰り返される。さらに、このとき基板Ｗに洗浄液が供給されない。それにより、図９の下段の吹き出しｂ１２に示すように、ブラシＢＲが基板Ｗの一面に押圧される間、基板Ｗの一面上に形成される液膜Ｌ１の厚みを小さくすることができる。
　その後、時点ｔ０５から時点ｔ０６にかけて第１の洗浄例のリンス期間（図６の時点ｔ０３から時点ｔ０４までの期間）と同様の動作が行われる。また、時点ｔ０６から時点ｔ０７にかけて第１の洗浄例の乾燥期間（図６の時点ｔ０４から時点ｔ０５までの期間）と同じ動作が行われる。
　上記のように、第４の洗浄例によれば、第１の洗浄例と同様に、ブラシ押圧移動期間中に、基板Ｗに洗浄液が供給されない。それにより、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄時に、基板Ｗ上に形成される洗浄液の液膜Ｌ１の厚みが大きくなることが抑制される。それにより、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。また、第４の洗浄例においては、基板Ｗの一面が複数回に渡ってブラシＢＲにより繰り返し洗浄される。したがって、洗浄後の基板Ｗの一面の清浄度がさらに向上する。
　さらに、第４の洗浄例においてはブラシ離間移動期間中に、基板Ｗに洗浄液が供給される。したがって、ブラシ押圧移動期間がブラシ離間移動期間を挟んで複数回繰り返される場合でも、基板Ｗの一面が乾燥することが防止される。
　なお、図９の例では、第４の洗浄例として、時間軸上で１つのブラシ離間移動期間を挟んで２つのブラシ押圧移動期間が設定されるが、第４の洗浄例においては、３または４以上のブラシ押圧移動期間が設定されてもよい。この場合、時間軸上で隣り合う各２つのブラシ押圧移動期間の間に１つのブラシ離間移動期間が設定される。また、第４の洗浄例においては、ブラシ離間移動期間中、基準流量ｒｆよりも低く０よりも大きい流量で基板Ｗに洗浄液が供給されてもよい。
　７．第５の洗浄例
　第５の洗浄例について、第４の洗浄例と異なる点を説明する。図１０は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲによる基板Ｗの一面の第５の洗浄例を説明するための図である。図１０の上段には、図６の上段の例と同様に、第５の洗浄例において、基板Ｗの一面上に供給される洗浄液およびリンス液の流量の変化がタイムチャートで示される。また、図１０の下段には、図６の下段の例と同様に、第５の洗浄例の一部の期間または時点における基板Ｗおよびその周辺部の状態が、複数の吹き出し内に模式的側面図で示される。
　第５の洗浄例においては、図１０の上段に示すように、液膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、ブラシ離間移動期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間がこの順で設定されている。これらの複数の期間の設定順序は、第４の洗浄例と同じである。しかしながら、第５の洗浄例では、第１番目のブラシ押圧移動期間および第２番目のブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに洗浄液が供給される点が第４の洗浄例とは異なる。
　具体的には、第１番目のブラシ押圧移動期間においては、液供給系制御部９２は、基板Ｗに基準流量ｒｆよりも小さい流量ａｆで洗浄液が供給されるように、洗浄液供給系２２を制御する。また、第２番目のブラシ押圧移動期間においては、液供給系制御部９２は、基板Ｗに基準流量ｒｆよりも大きい流量ｂｆで洗浄液が供給されるように、洗浄液供給系２２を制御する。
　この場合、第１番目のブラシ押圧移動期間においては、図１０の下段の吹き出しｂ１３に示すように、基板Ｗに供給される洗浄液の流量が基準流量ｒｆで維持される場合に比べて液膜Ｌ１の厚みが小さくなる。それにより、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。
　その後、ブラシ離間移動期間においては、図１０の下段の吹き出しｂ１４に示すように、基板Ｗに基準流量ｒｆの洗浄液が供給されるので、第１番目のブラシ押圧移動期間に基板Ｗから剥離されかつ基板Ｗ上に残留する汚染物質が、洗浄液により洗い流される。
　さらに、第２番目のブラシ押圧移動期間においては、図１０の下段の吹き出しｂ１５に示すように、基板Ｗに供給される洗浄液の流量が基準流量ｒｆで維持される場合に比べて液膜Ｌ１の厚みがさらに大きくなる。それにより、第１番目のブラシ押圧移動期間に基板Ｗから剥離されかつ基板Ｗ上に残留する汚染物質が、多量の洗浄液により円滑に洗い流される。また、このとき、ブラシＢＲに付着する汚染物質も洗浄液により洗い流される。
　なお、第５の洗浄例においては、ブラシ離間移動期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の流量は、基準流量ｒｆよりも大きくてもよいし、基準流量ｒｆよりも小さくてもよい。また、第５の洗浄例においては、第２番目のブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の流量ｂｆは、第１番目のブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の流量ａｆよりも大きければよい。したがって、第２番目のブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の流量は、基準流量ｒｆよりも大きくてもよいし、基準流量ｒｆよりも小さくてもよい。
　８．確認試験
　本発明者らは、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の流量と、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力との関係を確認するために、複数の確認試験を行った。複数の確認試験の各々は、基本的に以下の流れで行った。
　まず、一面に所定量の汚染物質が付着した試験用基板を用意する。続いて、図１の基板洗浄装置ＳＳＲを用いて各確認試験に対応する洗浄方法で試験用基板を洗浄する。その後、洗浄後の各試験用基板が、洗浄前の汚染状態からどの程度清浄になったかを汚染の除去率として測定する。除去率が高いほど、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が高く、洗浄後の試験用基板の清浄度が高いといえる。この測定はパーティクルカウンタを用いて行うことができる。以下、各確認試験に対応する洗浄方法とその試験結果について説明する。
　（ａ）第１の確認試験
　第１の確認試験では、膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間をこの順で設定し、設定された順に従って、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。ここで、第１の確認試験においては、ブラシ押圧移動期間中、試験用基板の一面上に薬液と純水との混合液を洗浄液として供給した。薬液の供給流量を４００ｍＬ／ｍｉｎとし、純水の供給流量を４００ｍＬ／ｍｉｎとした。したがって、薬液と純水との混合液の供給流量（合計の流量）は、８００ｍＬ／ｍｉｎであった。
　（ｂ）第２の確認試験
　第２の確認試験では、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される薬液および純水の供給流量が異なる点を除いて第１の確認試験と同じ方法で、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。第２の確認試験においては、ブラシ押圧移動期間中、薬液の供給流量を２００ｍＬ／ｍｉｎとし、純水の供給流量を２００ｍＬ／ｍｉｎとした。したがって、薬液と純水との混合液の供給流量（合計の流量）は、４００ｍＬ／ｍｉｎであった。
　（ｃ）第１の確認試験および第２の確認試験の結果
　第１の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は７１％であった。一方、第２の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は８２％であった。これにより、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される洗浄液（本件では、薬液および純水の混合液）の流量が小さいほど、洗浄力が向上することが確認された。
　（ｄ）第３の確認試験
　第３の確認試験では、膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間をこの順で設定し、設定された順に従って、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。ここで、第３の確認試験においては、ブラシ押圧移動期間中、試験用基板の一面上に薬液を洗浄液として供給した。薬液の供給流量を４００ｍＬ／ｍｉｎとした。
　（ｅ）第４の確認試験
　第４の確認試験では、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される薬液の供給流量が異なる点を除いて第３の確認試験と同じ方法で、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。第３の確認試験においては、ブラシ押圧移動期間中、薬液の供給流量を２００ｍＬ／ｍｉｎとした。
　（ｆ）第３の確認試験および第４の確認試験の結果
　第３の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は８８％であった。一方、第４の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は９１％であった。これにより、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される洗浄液（本件では、薬液）の流量が小さいほど、洗浄力が向上することが確認された。
　（ｇ）第５の確認試験
　第５の確認試験では、膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間をこの順で設定し、設定された順に従って、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。ここで、第５の確認試験においては、ブラシ押圧移動期間中、試験用基板の一面上に継続して一定量の薬液を洗浄液として供給した。
　（ｈ）第６の確認試験
　第６の確認試験では、ブラシ押圧移動期間の途中で試験用基板に供給される洗浄液の供給流量を０とした点を除いて第５の確認試験と同じ方法で、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。
　（ｉ）第５の確認試験および第６の確認試験の結果
　第５の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は６５％であった。一方、第６の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は７４％であった。また、第６の確認試験に係る試験用基板においては、洗浄液の供給停止後にブラシＢＲで押圧された領域に残留する汚染物質の量が他の領域上に残留する汚染物質の量に比べて十分に少ないことが確認された。これにより、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される洗浄液（本件では、薬液）の流量が小さいほど、洗浄力が向上することが確認された。
　（ｊ）第７の確認試験
　第７の確認試験では、膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、ブラシ離間移動期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間をこの順で設定し、設定された順に従って、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。ここで、第７の確認試験においては、各ブラシ押圧移動期間中、試験用基板の一面上に継続して一定量の薬液を洗浄液として供給した。
　（ｋ）第８の確認試験
　第８の確認試験では、各ブラシ押圧移動期間の途中で試験用基板に供給される洗浄液の供給流量を０とした点を除いて第７の確認試験と同じ方法で、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。
　（ｌ）第７の確認試験および第８の確認試験の結果
　第７の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は７４％であった。一方、第８の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は８０％であった。また、第８の確認試験に係る試験用基板においては、洗浄液の供給停止後にブラシＢＲで押圧された領域に残留する汚染物質の量が他の領域上に残留する汚染物質の量に比べて十分に少ないことが確認された。これにより、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される洗浄液（本件では、薬液）の流量が小さいほど、洗浄力が向上することが確認された。
　９．実施の形態の効果
　本実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲにおいては、搬入された基板Ｗがスピンチャック１０により水平姿勢で保持される。また、基板Ｗがスピンチャック１０により鉛直方向に平行な軸の周りで回転する。基板Ｗの一面上に基準流量ｒｆで洗浄液が供給される。それにより、基板Ｗの一面上に洗浄液の液膜Ｌ１が形成される。その後、ブラシ押圧移動期間中、スピンチャック１０により回転する基板Ｗの一面にブラシＢＲが押圧され、基板Ｗの一面が洗浄される。
　ブラシ押圧移動期間のうち少なくとも一部の期間中に、基板Ｗの一面に供給される洗浄液の流量が基準流量ｒｆよりも低くなるか、または基板Ｗの一面に洗浄液が供給されない。この場合、ブラシＢＲと基板Ｗの一面との間でハイドロプレーン現象が発生することにより、ブラシＢＲと基板Ｗの一面との間に境界液層が形成される場合でも、基板Ｗの一面に基準流量ｒｆで洗浄液が供給される場合に比べて、その境界液層の厚みを小さくすることができる。それにより、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄力が向上する。その結果、洗浄後の基板Ｗの一面の清浄度が向上する。さらに、上記の構成によれば、基板Ｗの洗浄に用いる洗浄液の量を低減することができる。したがって、洗浄液の消費量を低減することができる。
　なお、液膜形成期間中は、ブラシＢＲが基板Ｗに押圧されないのでハイドロプレーン現象の発生を考慮する必要がない。したがって、液膜形成期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の基準流量ｒｆは、基板Ｗの回転速度および洗浄液の粘度等を考慮しつつ液膜形成期間を可能な限り短縮できるように設定されることが好ましい。液膜形成期間が短縮されることにより、基板Ｗの洗浄処理のスループットが向上する。
　１０．他の実施の形態
　（ａ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲにおいては、液膜形成期間に基板Ｗに洗浄液が供給されるが、本発明はこれに限定されない。液膜形成期間には、基板Ｗに洗浄液に代えてリンス液が供給されてもよい。
　（ｂ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲにおいては、基板Ｗの一面の洗浄時にブラシＢＲが鉛直方向の軸の周りで回転する（自転する）が本発明はこれに限定されない。ブラシＢＲは、基板Ｗの一面の洗浄時に鉛直方向の軸の周りで回転しなくてもよい。
　（ｃ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲにおいては、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗの回転速度が適宜変更されてもよい。例えば、ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２に向かって移動するにつれて基板Ｗの回転速度が連続的または段階的に低下してもよい。あるいは、ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２に向かって移動するにつれて基板Ｗの回転速度が連続的または段階的に上昇してもよい。
　（ｄ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲにおいては、基板Ｗの非回路形成面（裏面）が洗浄されるが、本発明はこれに限定されない。洗浄対象となる基板Ｗが、ベアウェハ等の回路が未形成の基板である場合には、基板洗浄装置ＳＳＲにおいてブラシＢＲにより基板Ｗの回路形成面（表面）が洗浄されてもよい。
　（ｅ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、処理対象となる基板Ｗは、ノッチを除いて円形状を有するが、基板Ｗは矩形状を有してもよい。
　１１．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
　以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
　上記実施の形態においては、基板洗浄装置ＳＳＲが基板洗浄装置の例であり、スピンチャック１０が回転保持部の例であり、洗浄液ノズル２１および洗浄液供給系２２が液供給部の例であり、ブラシＢＲがブラシの例であり、ブラシ押圧移動期間が押圧期間の例であり、ブラシ押圧機構３０がブラシ押圧機構の例であり、基準流量ｒｆが基準流量の例であり、特定位置Ｐ３が特定位置の例であり、ブラシ離間移動期間が非押圧期間の例である。
　また、図９および図１０の複数のブラシ押圧移動期間が複数の押圧期間の例であり、図１０の２つのブラシ押圧移動期間が第１の押圧期間および第２の押圧期間の例であり、図１０の流量ａｆが第１の流量の例であり、図１０の流量ｂｆが第２の流量の例である。
　１２．実施の形態の総括
　（第１項）第１項に係る基板洗浄装置は、
　基板の一面を洗浄する基板洗浄装置であって、
　前記基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、
　前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給する液供給部と、
　ブラシと、
　予め定められた押圧期間中、前記ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するブラシ押圧機構とを備え、
　前記液供給部は、
　前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給し、
　前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止する。
　その基板洗浄装置においては、押圧期間の前に、基板の一面上に基準流量で洗浄液が供給される。それにより、基板の一面上に洗浄液の液膜が形成される。その後、押圧期間中、回転保持部により回転する基板の一面にブラシが押圧され、基板の一面が洗浄される。
　押圧期間のうち少なくとも一部の期間中に、基板の一面に供給される洗浄液の流量が基準流量よりも低くなるか、または基板の一面に洗浄液が供給されない。この場合、ブラシと基板の一面との間に洗浄液の層が形成される場合でも、基板の一面に基準流量で洗浄液が供給される場合に比べて、その洗浄液の層の厚みを小さくすることができる。それにより、ブラシによる基板の一面の洗浄力が向上する。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度が向上する。
　さらに、上記の構成によれば、基板の洗浄に用いる洗浄液の量を低減することができる。したがって、洗浄液の消費量を低減することができる。
　（第２項）第１項に記載の基板洗浄装置において、
　前記ブラシ押圧機構は、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
　前記液供給部は、前記押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止してもよい。
　この場合、押圧期間において、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がより向上する。
　（第３項）第１項に記載の基板洗浄装置において、
　前記ブラシ押圧機構は、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
　前記液供給部は、
　前記押圧期間の開始時点から前記ブラシが前記回転中心から前記回転中心と前記外周端部との間の特定位置に到達するまでの間、前記一面上に洗浄液を供給し、
　前記ブラシが前記特定位置に到達した時点から前記押圧期間の終了時点までの間、前記洗浄液の供給を停止してもよい。
　この場合、基板の一面のうち洗浄液が供給されずにブラシが押圧される領域において、ブラシによる洗浄力がより向上する。その結果、洗浄後の基板の一面のうち少なくとも外周端部を含む領域の清浄度がより向上する。
　（第４項）第１項に記載の基板洗浄装置において、
　前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ複数の押圧期間を含み、
　前記複数の押圧期間のうち時間軸上で隣り合う各２つの押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
　前記ブラシ押圧機構は、
　各押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
　各非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ当該ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させ、
　前記液供給部は、
　各押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止し、
　各非押圧期間中、前記基板の前記一面上に洗浄液を供給してもよい。
　この場合、各押圧期間において、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。さらに、基板の一面が複数回ブラシにより洗浄される。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がさらに向上する。
　（第５項）第１項に記載の基板洗浄装置において、
　前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ第１の押圧期間および第２の押圧期間を含み、
　前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
　前記ブラシ押圧機構は、
　前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の各々の期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ、当該ブラシを、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
　前記非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ当該ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させ、
　前記液供給部は、
　前記第１の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい第１の流量で洗浄液を供給し、
　前記第２の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液を供給してもよい。
　この場合、第１の押圧期間において、基板の一面上に第１の流量で洗浄液が供給されるので、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。その後、第２の押圧期間では、基板の一面上に第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液が供給される。それにより、第１の押圧期間中にブラシにより剥離された汚染物質が基板の一面上に残留する場合でも、それらの汚染物質が多量の洗浄液により円滑に洗い流される。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がさらに向上する。
　（第６項）第６項に記載の基板洗浄方法は、
　基板の一面を洗浄する基板洗浄方法であって、
　回転保持部により前記基板を保持しつつ回転させるステップと、
　前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給するステップと、
　予め定められた押圧期間中、ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するステップとを含み、
　前記洗浄液を供給するステップは、
　前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給することと、
　前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止することとを含む。
　その基板洗浄方法においては、押圧期間の前に、基板の一面上に基準流量で洗浄液が供給される。それにより、基板の一面上に洗浄液の液膜が形成される。その後、押圧期間中、回転保持部により回転する基板の一面にブラシが押圧され、基板の一面が洗浄される。
　押圧期間のうち少なくとも一部の期間中に、基板の一面に供給される洗浄液の流量が基準流量よりも低くなるか、または基板の一面に洗浄液が供給されない。この場合、ブラシと基板の一面との間に洗浄液の層が形成される場合でも、基板の一面に基準流量で洗浄液が供給される場合に比べて、その洗浄液の層の厚みを小さくすることができる。それにより、ブラシによる基板の一面の洗浄力が向上する。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度が向上する。
　さらに、上記の構成によれば、基板の洗浄に用いる洗浄液の量を低減することができる。したがって、洗浄液の消費量を低減することができる。
　（第７項）第６項に記載の基板洗浄方法において、
　前記押圧するステップは、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることを含み、
　前記洗浄液を供給するステップは、前記押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止することを含んでもよい。
　この場合、押圧期間において、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がより向上する。
　（第８項）第６項に記載の基板洗浄方法において、
　前記押圧するステップは、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることを含み、
　前記洗浄液を供給するステップは、
　前記押圧期間の開始時点から前記ブラシが前記回転中心から前記回転中心と前記外周端部との間の特定位置に到達するまでの間、前記一面上に洗浄液を供給することと、
　前記ブラシが前記特定位置に到達した時点から前記押圧期間の終了時点までの間、前記洗浄液の供給を停止することとを含む、請求項６記載の基板洗浄方法。
　この場合、基板の一面のうち洗浄液が供給されずにブラシが押圧される領域において、ブラシによる洗浄力がより向上する。その結果、洗浄後の基板の一面のうち少なくとも外周端部を含む領域の清浄度がより向上する。
　（第９項）第６項に記載の基板洗浄方法において、
　前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ複数の押圧期間を含み、
　前記複数の押圧期間のうち時間軸上で隣り合う各２つの押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
　前記押圧するステップは、
　各押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ、当該ブラシを、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることと、
　各非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ前記ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させることとを含み、
　前記洗浄液を供給するステップは、
　各押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止することと、
　各非押圧期間中、前記基板の前記一面上に洗浄液を供給することとを含んでもよい。
　この場合、各押圧期間において、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。さらに、基板の一面が複数回ブラシにより洗浄される。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がさらに向上する。
　（第１０項）第６項に記載の基板洗浄方法において、
　前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ第１の押圧期間および第２の押圧期間を含み、
　前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
　前記押圧するステップは、
　前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の各々の期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることと、
　前記非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ前記ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させることとを含み、
　前記洗浄液を供給するステップは、
　前記第１の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい第１の流量で洗浄液を供給することと、
　前記第２の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液を供給することとを含んでもよい。
　この場合、第１の押圧期間において、基板の一面上に第１の流量で洗浄液が供給されるので、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。その後、第２の押圧期間では、基板の一面上に第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液が供給される。それにより、第１の押圧期間中にブラシにより剥離された汚染物質が基板の一面上に残留する場合でも、それらの汚染物質が多量の洗浄液により円滑に洗い流される。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がさらに向上する。
　上記一連の実施形態に係る基板洗浄装置によれば、ブラシを用いた洗浄後の基板の清浄度が向上するので、基板処理により得られる製品の歩留まりが向上する。したがって、無駄な基板処理が低減されるので、基板処理の省エネルギー化が実現できる。また、無駄な薬液等の利用を低減することができるので、地球環境の汚染の低減に寄与することができる。

Claims (10)

  1. 基板の一面を洗浄する基板洗浄装置であって、
    　前記基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、
    　前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給する液供給部と、
    　ブラシと、
    　予め定められた押圧期間中、前記ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するブラシ押圧機構とを備え、
    　前記液供給部は、
    　前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給し、
    　前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止する、基板洗浄装置。
  2. 前記ブラシ押圧機構は、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
    　前記液供給部は、前記押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止する、請求項１記載の基板洗浄装置。
  3. 前記ブラシ押圧機構は、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
    　前記液供給部は、
    　前記押圧期間の開始時点から前記ブラシが前記回転中心から前記回転中心と前記外周端部との間の特定位置に到達するまでの間、前記一面上に洗浄液を供給し、
    　前記ブラシが前記特定位置に到達した時点から前記押圧期間の終了時点までの間、前記洗浄液の供給を停止する、請求項１記載の基板洗浄装置。
  4. 前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ複数の押圧期間を含み、
    　前記複数の押圧期間のうち時間軸上で隣り合う各２つの押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
    　前記ブラシ押圧機構は、
    　各押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
    　各非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ当該ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させ、
    　前記液供給部は、
    　各押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止し、
    　各非押圧期間中、前記基板の前記一面上に洗浄液を供給する、請求項１記載の基板洗浄装置。
  5. 前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ第１の押圧期間および第２の押圧期間を含み、
    　前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
    　前記ブラシ押圧機構は、
    　前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の各々の期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ、当該ブラシを、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
    　前記非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ当該ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させ、
    　前記液供給部は、
    　前記第１の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい第１の流量で洗浄液を供給し、
    　前記第２の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液を供給する、請求項１記載の基板洗浄装置。
  6. 基板の一面を洗浄する基板洗浄方法であって、
    　回転保持部により前記基板を保持しつつ回転させるステップと、
    　前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給するステップと、
    　予め定められた押圧期間中、ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するステップとを含み、
    　前記洗浄液を供給するステップは、
    　前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給することと、
    　前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止することとを含む、基板洗浄方法。
  7. 前記押圧するステップは、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることを含み、
    　前記洗浄液を供給するステップは、前記押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止することを含む、請求項６記載の基板洗浄方法。
  8. 前記押圧するステップは、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることを含み、
    　前記洗浄液を供給するステップは、
    　前記押圧期間の開始時点から前記ブラシが前記回転中心から前記回転中心と前記外周端部との間の特定位置に到達するまでの間、前記一面上に洗浄液を供給することと、
    　前記ブラシが前記特定位置に到達した時点から前記押圧期間の終了時点までの間、前記洗浄液の供給を停止することとを含む、請求項６記載の基板洗浄方法。
  9. 前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ複数の押圧期間を含み、
    　前記複数の押圧期間のうち時間軸上で隣り合う各２つの押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
    　前記押圧するステップは、
    　各押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ、当該ブラシを、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることと、
    　各非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ前記ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させることとを含み、
    　前記洗浄液を供給するステップは、
    　各押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止することと、
    　各非押圧期間中、前記基板の前記一面上に洗浄液を供給することとを含む、請求項６記載の基板洗浄方法。
  10. 前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ第１の押圧期間および第２の押圧期間を含み、
    　前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
    　前記押圧するステップは、
    　前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の各々の期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることと、
    　前記非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ前記ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させることとを含み、
    　前記洗浄液を供給するステップは、
    　前記第１の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい第１の流量で洗浄液を供給することと、
    　前記第２の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液を供給することとを含む、請求項６記載の基板洗浄方法。
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