JP2024017903A - 基板洗浄装置および基板洗浄方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ブラシによる洗浄後の基板の一面の清浄度を向上させるとともに基板の一面の洗浄に用いる洗浄液の消費量を低減可能な基板洗浄装置を提供する。【解決手段】基板洗浄装置ＳＳＲは、スピンチャック１０、液供給機構２０、ブラシ押圧機構３０およびブラシＢＲを備える。スピンチャック１０は、基板Ｗを保持しつつ回転させる。液供給機構２０は、スピンチャック１０により保持されて回転する基板Ｗの一面上に洗浄液を供給する。ブラシ押圧機構３０は、予め定められた押圧期間中、ブラシＢＲを回転する基板Ｗの一面に向けて押圧する。液供給機構２０は、押圧期間の前に、基板Ｗの一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給する。また、液供給機構２０は、押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、基板Ｗの一面上に基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止する。【選択図】図１

Description

本発明は、ブラシを用いて基板を洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。

液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板を洗浄するために、基板洗浄装置が用いられる。

基板洗浄装置の一例として、特許文献１には、ブラシを用いて基板の主面を洗浄する基板処理装置が記載されている。具体的には、その基板処理装置においては、スピンチャックにより保持されて回転する基板の主面（上面）に処理液が供給される。この状態で、基板の主面上にブラシが押し当てられる。また、基板の主面上で、ブラシが、基板の回転中心から基板の外周端部に向く方向に移動する。それにより、基板の主面が洗浄される。

特許第６９６８５４７号公報

特許文献１に記載された基板処理装置のように、ブラシを用いて基板の一面を洗浄する基板洗浄装置においては、洗浄後の基板の一面の清浄度を向上させることが望まれる。また、基板洗浄装置においては、基板の洗浄に用いられる処理液（洗浄液）の量を低減することが望まれる。

本発明の目的は、ブラシによる洗浄後の基板の一面の清浄度を向上させるとともに基板の一面の洗浄に用いる洗浄液の消費量を低減可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することである。

本発明の一局面に従う基板洗浄装置は、基板の一面を洗浄する基板洗浄装置であって、前記基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給する液供給部と、ブラシと、予め定められた押圧期間中、前記ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するブラシ駆動部とを備え、前記液供給部は、前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給し、前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止する。

本発明の他の局面に従う基板洗浄方法は、基板の一面を洗浄する基板洗浄方法であって、回転保持部により前記基板を保持しつつ回転させるステップと、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給するステップと、予め定められた押圧期間中、ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するステップとを含み、前記洗浄液を供給するステップは、前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給することと、前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止することとを含む。

本発明によれば、ブラシによる洗浄後の基板の一面の清浄度を向上させるとともに基板の一面の洗浄に用いる洗浄液の消費量を低減することが可能になる。

本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の構成の一例を示す模式的側面図である。 図１の基板洗浄装置において基板の一面が洗浄されるときのスピンチャックおよびその周辺部材の状態の一例を示す模式的側面図である。 境界液層の厚みに応じてブラシによる基板の洗浄力が変化するメカニズムを説明するための図である。 境界液層の厚みに応じてブラシによる基板の洗浄力が変化するメカニズムを説明するための図である。 境界液層の厚みに応じてブラシによる基板の洗浄力が変化するメカニズムを説明するための図である。 図１の基板洗浄装置による基板の一面の第１の洗浄例を説明するための図である。 図１の基板洗浄装置による基板の一面の第２の洗浄例を説明するための図である。 図１の基板洗浄装置による基板の一面の第３の洗浄例を説明するための図である。 図１の基板洗浄装置による基板の一面の第４の洗浄例を説明するための図である。 図１の基板洗浄装置による基板の一面の第５の洗浄例を説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態に係る基板洗浄装置およびそれを備える基板洗浄方法について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板（ウエハ）、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、以下の説明では、基板の一面が非回路形成面（裏面）であり、基板の他面が回路形成面（表面）である。また、基板は、ノッチを除いて円形状を有する。

さらに、以下の説明において、水平とは実質的に水平であることを意味する。厳密には、以下の説明における水平とは、対象となる面または線が所定の水平面に対して平行であること、および所定の水平面に対してある程度の角度範囲（例えば１０°の角度範囲）内で傾斜していることを含む。また、鉛直とは実質的に鉛直であることを意味する。厳密には、以下の説明における鉛直とは、対象となる面または線が所定の鉛直面に平行であること、および所定の鉛直面に対してある程度の角度範囲（例えば１０°の角度範囲）内で傾斜していることを含む。

１．基板洗浄装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の構成の一例を示す模式的側面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲは、スピンチャック１０、液供給機構２０、ブラシ押圧機構３０、制御部９０およびブラシＢＲを備える。スピンチャック１０は、基板Ｗの外周端部を保持するメカチャック式のスピンチャックであり、スピンベース１１、複数のチャックピン１２、チャック回転駆動部１３および回転軸１４を含む。

スピンベース１１は、円形状を有するとともに所定の厚みを有する円板状部材である。複数のチャックピン１２は、スピンベース１１の上面周縁部に等間隔で配置されている。各チャックピン１２は、鉛直方向の軸の周りで回転可能に構成された回転式保持ピンである。スピンベース１１上に基板Ｗが配置された状態で複数のチャックピン１２の各々が回転する。それにより、基板Ｗの外周端部の複数の部分に複数のチャックピン１２がそれぞれ当接し、基板Ｗが保持される。

チャック回転駆動部１３はモータを含む。回転軸１４は、チャック回転駆動部１３のモータの回転軸である。チャック回転駆動部１３は、回転軸１４が上方に向かって延びるように設置面ＳＩ上に設けられている。スピンベース１１は、回転軸１４の上端に水平姿勢で固定されている。スピンベース１１上に基板Ｗが保持された状態でチャック回転駆動部１３が動作する。それにより、基板Ｗが鉛直方向に延びる回転軸１４の周りで回転する。

スピンチャック１０の側方の位置にブラシ押圧機構３０が設けられている。ブラシ押圧機構３０は、アーム駆動部３１、回転軸３２、アーム３３およびブラシ駆動部３４を含む。アーム駆動部３１は、設置面ＳＩ上に取り付けられている。アーム駆動部３１は、モータおよび昇降装置を含む。回転軸３２は、アーム駆動部３１から上方に延びるように設けられ、アーム駆動部３１のモータにより鉛直方向の軸の周りで回転可能に支持されている。また、回転軸３２は、アーム駆動部３１の昇降装置により昇降可能に支持されている。

回転軸３２の上端部には、アーム３３が水平方向に延びるように連結されている。アーム３３の先端にブラシ駆動部３４が設けられている。ブラシ駆動部３４の下端部にはブラシＢＲが設けられている。ブラシＢＲは、例えば多孔質のＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジまたは砥粒が分散されたＰＶＡスポンジにより形成され、基板Ｗの一面に接触可能な洗浄面を有する。

ブラシ駆動部３４は、モータおよび押圧装置を含む。ブラシＢＲは、ブラシ駆動部３４のモータにより鉛直方向の軸の周りで回転可能に支持されている。また、ブラシＢＲは、ブラシ駆動部３４の押圧装置により、後述する基板Ｗの一面の洗浄時に、予め定められた圧力でブラシ駆動部３４の洗浄面を基板Ｗの一面に押圧することが可能に支持されている。

上記の構成を有するブラシ押圧機構３０においては、アーム駆動部３１のモータが動作することにより、アーム３３が水平面内で回転する。それにより、ブラシ駆動部３４に設けられたブラシＢＲがスピンチャック１０の上方の位置とスピンチャック１０の上方の外側の位置との間で移動する。また、アーム駆動部３１の昇降装置が動作することにより、アーム３３が上昇または下降する。それにより、ブラシ駆動部３４に設けられたブラシＢＲがアーム３３とともに上昇または下降する。

スピンチャック１０に付随して液供給機構２０が設けられている。液供給機構２０は、洗浄液ノズル２１、洗浄液供給系２２、リンス液ノズル２３およびリンス液供給系２４を含む。洗浄液供給系２２は、配管、ポンプおよびバルブ等の流体関連機器を含み、図示しない洗浄液供給源から洗浄液ノズル２１に洗浄液を供給する。この場合、洗浄液ノズル２１から洗浄液が吐出される。本実施の形態においては、洗浄液として、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。また、洗浄液としては、さらに他の薬液として、アンモニアと過酸化水素水との混合溶液（ＳＣ１）または塩酸と過酸化水素水との混合溶液（ＳＣ２）等を用いることもできる。なお、洗浄液としては、上記の薬液に代えて、炭酸水、オゾン水、水素水、電解イオン水、または上記のいずれかの薬液と純水との混合液等が用いられてもよい。

リンス液ノズル２３は、配管、ポンプおよびバルブ等の流体関連機器を含み、図示しないリンス液供給源からリンス液ノズル２３に洗浄液を供給する。この場合、リンス液ノズル２３からリンス液が吐出される。本実施の形態においては、リンス液として、例えば純水が用いられる。なお、リンス液としては、純水に代えて、炭酸水、オゾン水、水素水または電解イオン水等が用いられてもよいし、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤が用いられてもよい。

制御部９０は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリまたはマイクロコンピュータを含む。メモリには、基板洗浄プログラムが記憶されている。制御部９０は、機能部として基板回転制御部９１、液供給系制御部９２およびブラシ制御部９３を含む。これらの機能部は、制御部９０のＣＰＵがメモリに記憶された基板洗浄プログラムを実行することにより実現される。制御部９０の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウェアにより実現されてもよい。

基板回転制御部９１は、主として、基板洗浄装置ＳＳＲに基板Ｗが搬入された後基板洗浄装置ＳＳＲから基板Ｗが搬出されるまでの間、チャック回転駆動部１３の動作を制御する。液供給系制御部９２は、主として、基板Ｗの一面の洗浄時に洗浄液供給系２２およびリンス液供給系２４の動作を制御する。ブラシ制御部９３は、主として、基板Ｗの一面の洗浄時にアーム駆動部３１およびブラシ駆動部３４の動作を制御する。

上記の基板洗浄装置ＳＳＲにおける基本的な動作について説明する。初期状態で、ブラシＢＲは、スピンチャック１０の側方の待機位置に保持されているものとする。まず、基板洗浄装置ＳＳＲには、一面（裏面）が上方に向けられた基板Ｗが水平姿勢で搬入される。基板洗浄装置ＳＳＲに搬入された基板Ｗは、基板Ｗの一面が上方を向いた状態でスピンチャック１０により保持される。また、チャック回転駆動部１３が動作することにより、基板Ｗが予め定められた回転速度で回転する。

次に、洗浄液供給系２２から洗浄液ノズル２１を通して回転する基板Ｗの回転中心に洗浄液が供給される。それにより、基板Ｗ上に供給された洗浄液が遠心力により基板Ｗの一面全体に広がり、基板Ｗ上に液膜が形成される。換言すれば、基板Ｗの一面全体が洗浄液により湿潤する。

次に、基板Ｗへの洗浄液の供給が継続または停止された状態で、ブラシ押圧機構３０が動作する。それにより、待機位置に保持されていたブラシＢＲが基板Ｗの回転中心の上方の位置まで移動する。また、ブラシＢＲが鉛直方向の軸の周りで回転し、ブラシＢＲの洗浄面が予め定められた圧力で基板Ｗの一面における回転中心に押圧される。その後、ブラシＢＲが基板Ｗの一面上で、基板Ｗの回転中心から基板Ｗの外周端部に向けて移動する。これにより、基板Ｗの一面がブラシＢＲにより物理的に洗浄される。

次に、回転する基板Ｗの一面上にリンス液が供給される。また、ブラシＢＲが待機位置に戻される。一定期間基板Ｗの一面にリンス液が供給された後、基板Ｗへのリンス液の供給が停止される。その後、基板Ｗが高速で回転される。それにより、基板Ｗ上に付着するリンス液の液滴が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。最後に、基板Ｗの回転が停止され、洗浄後の乾燥した基板Ｗが基板洗浄装置ＳＳＲから搬出される。

２．ブラシＢＲによる洗浄力の向上に関する検討
ブラシＢＲを用いて基板Ｗの一面を洗浄する洗浄方法の分野では、基板Ｗの一面に対するブラシＢＲの押圧力に応じて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力（基板Ｗにおける汚染物質の除去能力）が変化することが知られている。

通常、基板Ｗの一面に対するブラシＢＲの押圧力が高いほどブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力は大きくなり、基板Ｗの一面に対するブラシＢＲの押圧力が低いほどブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力は小さくなる。したがって、ブラシＢＲを用いて基板Ｗの一面を洗浄する場合には、より高い圧力でブラシＢＲの洗浄面を基板Ｗの一面に押圧することにより、洗浄後の基板Ｗの清浄度が向上すると考えらえる。

しかしながら、基板Ｗの一面に対するブラシＢＲの押圧力が過剰に高くなると、基板Ｗのサイズおよび厚み等によっては、当該基板Ｗが変形したり、当該基板Ｗが破損したりする可能性がある。したがって、ブラシＢＲの押圧力を高くすることのみで向上させることが可能な洗浄力には限界がある。また、本発明者らは、複数の基板Ｗについて、互いに異なる複数の押圧力でブラシＢＲを用いてそれぞれ洗浄を行った。その後、互いに異なる押圧力で洗浄された複数の基板Ｗの清浄度を測定する試験を行った。その結果、押圧力がある一定の範囲を超えて大きくなると、押圧力の大きさが変化しても洗浄後の基板Ｗの清浄度は大きく変化しないことを確認した。

これらの点を考慮して、本発明者らは、押圧力によらず基板Ｗの洗浄力を向上させるための条件について検討した。ブラシＢＲを用いた基板Ｗの一面の洗浄時には、ブラシＢＲが基板Ｗに接触することにより基板Ｗの一面が損傷しないように、基板Ｗの一面が洗浄液で湿潤している必要がある。

従来、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄時に、基板Ｗ上に処理液（洗浄液）の液膜の厚みが小さくなる領域があると、ブラシＢＲにより除去された汚染物質が基板Ｗ上に滞留し、基板Ｗの清浄度が低下すると考えられてきた。そのため、特許文献１では、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄時に、基板Ｗの主面を単に湿潤させるだけでなく、基板Ｗの主面上に形成される処理液（洗浄液）の膜厚の低下を抑制する方法が提案されている。

これに対して、本発明者らは、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄のメカニズムを検討した結果、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄時に基板Ｗ上に形成される洗浄液の液膜の厚みが大きいと、基板Ｗの洗浄力が低下する可能性があると考えた。

図２は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲにおいて基板Ｗの一面が洗浄されるときのスピンチャック１０およびその周辺部材の状態の一例を示す模式的側面図である。図２および後述する図３～図１０に示される模式的側面図では、ブラシＢＲと基板Ｗとの間の位置関係等が理解しやすいように、スピンチャック１０により保持される基板Ｗにハッチングを付している。また、基板Ｗ上に洗浄液またはリンス液が供給されることにより基板Ｗ上に形成される洗浄液またはリンス液の液膜にドットパターンを付している。

基板Ｗの一面の洗浄時には、例えば、図２に太い一点鎖線の矢印で示すように、スピンチャック１０の回転軸１４が回転し、基板Ｗが水平姿勢で回転する。この状態で、洗浄液ノズル２１から基板Ｗの回転中心の位置（以下、回転中心位置Ｐ１と呼ぶ。）に向けて洗浄液が供給される。それにより、回転する基板Ｗの一面上に洗浄液の液膜Ｌ１が形成される。なお、図２に示される液膜Ｌ１は、基板Ｗの全体に渡ってほぼ同じ厚みを有するが、基板Ｗが回転している場合、液膜Ｌ１の厚みは、実際には、回転中心位置Ｐ１から基板Ｗの半径方向に遠ざかるにつれて漸次小さくなる。

基板Ｗの一面上に液膜Ｌ１が形成された状態で、基板Ｗの一面にブラシＢＲの洗浄面が押し当てられる。このとき、ブラシＢＲの洗浄面は、鉛直方向の軸の周りで回転し、予め定められた圧力で基板Ｗの一面に押圧される。また、ブラシＢＲは、図２に太い実線の矢印で示すように、基板Ｗの一面上で回転中心位置Ｐ１から基板Ｗの外周端部の位置（以下、外周端部位置Ｐ２と呼ぶ。）に向かって移動する。このとき、ブラシＢＲの洗浄面が基板Ｗの一面に対して接触しつつ移動することにより、基板Ｗの一面上に固着した汚染物質が、ブラシＢＲにより剥離され、洗浄液により洗い流される。

ここで、基板Ｗの一面の洗浄時には基板Ｗが回転する。一方、ブラシＢＲは、基板Ｗの回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２にかけて直線状または円弧状の経路をたどって基板Ｗの一面上を移動する。また、ブラシＢＲは、基板Ｗの回転とは無関係に鉛直方向の軸の周りで回転する。それにより、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄時には、互いに対向するブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面とが相対的に移動および回転する。

この場合、例えばブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間の境界部分に洗浄液が流れ込む際に、いわゆる水はけ不良により当該境界部分で洗浄液が円滑に流れないと、ブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間に洗浄液の層が形成される。このような現象は、ハイドロプレーン現象として知られている。以下の説明では、ハイドロプレーン現象の発生時にブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間に形成される洗浄液の層を、境界液層と呼ぶ。

ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄時にハイドロプレーン現象が発生することにより境界液層が形成されると、境界液層の厚みよりも小さいサイズを有する汚染物質は、ブラシＢＲにより物理的に除去することが難しいと考えられる。そこで、本発明者らは、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄時に形成される境界液層の厚みに応じてブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が変化するメカニズムを推定した。

図３～図５は、境界液層の厚みに応じてブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が変化するメカニズムを説明するための図である。図３～図５に示すように、基板Ｗの一面上に鉛直方向のサイズが異なる３つの汚染物質ｃｎ１，ｃｎ２，ｃｎ３が固着している場合を想定する。

ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄中に、比較的多量の洗浄液が基板Ｗの一面上に供給されると、図３の例に示すように、基板Ｗ上に形成される液膜Ｌ１の厚みが大きくなる。この状態で、上記のハイドロプレーン現象が発生すると、単位時間あたりにブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間に流れ込む洗浄液の量が大きくなり、境界液層の厚みＬｔ１が大きくなることが推定される。この場合、ブラシＢＲが基板Ｗ上で移動する際、ブラシＢＲの洗浄面は、厚みＬｔ１よりも大きいサイズを有する汚染物質ｃｎ１に接触するが、厚みＬｔ１よりも小さいサイズを有する汚染物質ｃｎ２，ｃｎ３には接触しない。それにより、厚みＬｔ１よりも小さいサイズを有する汚染物質ｃｎ２，ｃｎ３は、ブラシＢＲにより除去されない。

一方、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄中に、中程度の量の洗浄液が基板Ｗの一面上に供給されると、図４の例に示すように、基板Ｗ上に形成される液膜Ｌ１の厚みは、図３の例に比べてやや小さくなる。この状態で、上記のハイドロプレーン現象が発生すると、単位時間あたりにブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間に流れ込む洗浄液の量がやや小さくなり、境界液層の厚みＬｔ２が図３の例に比べてやや小さくなることが推定される。この場合、ブラシＢＲが基板Ｗ上で移動する際、ブラシＢＲの洗浄面は、厚みＬｔ２よりも大きいサイズを有する汚染物質ｃｎ１，ｃｎ２に接触するが、厚みＬｔ２よりも小さいサイズを有する汚染物質ｃｎ３には接触しない。それにより、厚みＬｔ２よりも小さいサイズを有する汚染物質ｃｎ３は、ブラシＢＲにより除去されない。

他方、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄中に、洗浄液が基板Ｗの一面上にほとんど供給されないと、図５の例に示すように、基板Ｗ上に形成される液膜Ｌ１の厚みは、図３の例に比べて著しく小さくなる。この状態で、上記のハイドロプレーン現象が発生すると、単位時間あたりにブラシＢＲの洗浄面と基板Ｗの一面との間に流れ込む洗浄液の量が著しく小さくなり、境界液層の厚みＬｔ３が図３の例に比べて十分に小さくなることが推定される。この場合、ブラシＢＲが基板Ｗ上で移動する際、ブラシＢＲの洗浄面は、厚みＬｔ３よりも大きいサイズを有する汚染物質ｃｎ１，ｃｎ２，ｃｎ３に接触する。それにより、ハイドロプレーン現象が発生する場合でも、基板Ｗ上の大部分の汚染物質が除去される。

本発明者らは、上記のように推定されるメカニズムから、洗浄液の液膜Ｌ１が形成された基板Ｗの一面にブラシＢＲを押圧する過程で、基板Ｗに供給される洗浄液の量を低減することにより洗浄力を向上させることが可能であると考えた。また、本発明者らは、上記のメカニズムに基づいて、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄力を向上させるために好適と考えられる複数の洗浄例を案出した。以下、複数の洗浄例について説明する。

３．第１の洗浄例
以下の説明では、ブラシＢＲが押圧される前の回転する基板Ｗの一面上に洗浄液の液膜が形成される期間（いわゆるプリウェットに要する期間）を液膜形成期間と呼ぶ。また、液膜形成期間の後、回転する基板Ｗの一面上にブラシＢＲが押圧される期間をブラシ押圧移動期間と呼ぶ。また、ブラシ押圧移動期間の後、基板Ｗの一面上に残留する洗浄液および汚染物質を除去するために、回転する基板Ｗの一面上にリンス液が供給される期間をリンス期間と呼ぶ。さらに、リンス期間の後、基板Ｗへの洗浄液およびリンス液の供給が停止された状態で基板Ｗが高速回転されることにより基板Ｗが振り切り乾燥される期間を乾燥期間と呼ぶ。

図６は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲによる基板Ｗの一面の第１の洗浄例を説明するための図である。図６の上段には、第１の洗浄例において、基板Ｗの一面上に供給される洗浄液およびリンス液の流量の変化がタイムチャートで示される。図６の上段のタイムチャートにおいては、横軸が時間を表し、縦軸が供給流量を表す。供給流量は、単位時間当たりに基板Ｗに供給される液の量である。さらに、そのタイムチャートにおいては、太い実線が図１の洗浄液ノズル２１から基板Ｗに供給される洗浄液の流量の経時的な変化を表し、太い一点鎖線が図１のリンス液ノズル２３から基板Ｗに供給される洗浄液の流量の経時的な変化を表す。図６の下段には、第１の洗浄例の一部の期間または時点における基板Ｗおよびその周辺部の状態が、複数の吹き出し内に模式的側面図で示される。

初期状態で、基板洗浄装置ＳＳＲに搬入された基板Ｗがスピンチャック１０により保持され、所定の回転速度で回転しているものとする。図１の基板回転制御部９１は、後述する時点ｔ０１から時点ｔ０５にかけて、基板Ｗを水平姿勢で保持するとともに予め定められた回転速度で回転するようにチャック回転駆動部１３を制御する。また、初期状態で、ブラシＢＲは待機位置にあるものとする。

図６の上段に示すように、時点ｔ０１から時点ｔ０２にかけて、液膜形成期間が設定されている。その液膜形成期間においては、図１の液供給系制御部９２は、予め定められた基準流量ｒｆで基板Ｗに洗浄液が供給されるように図１の洗浄液供給系２２を制御する。また、液供給系制御部９２は、基板Ｗにリンス液が供給されないように図１のリンス液供給系２４を制御する。基準流量ｒｆは、例えば基板Ｗのサイズおよび洗浄液の粘度を考慮した上で、実験またはシミュレーション等により予め定められた液膜形成期間内で少なくとも基板Ｗの一面全体に液膜が形成されるように設定される。これにより、図６の下段の吹き出しｂ１内に示すように、液膜形成期間中、基板Ｗの一面上に洗浄液の液膜Ｌ１が形成される。

次に、時点ｔ０２から時点ｔ０３にかけて、ブラシ押圧移動期間が設定されている。そのブラシ押圧移動期間においては、液供給系制御部９２は、基板Ｗに洗浄液およびリンス液が供給されないように、洗浄液供給系２２およびリンス液供給系２４を制御する。

一方、図１のブラシ制御部９３は、時点ｔ０２から時点ｔ０３にかけて、基板Ｗの一面上でブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２に移動するように、図１のアーム駆動部３１を制御する。また、ブラシ制御部９３は、ブラシＢＲが鉛直方向の軸の周りで回転するとともにブラシＢＲの洗浄面が基板Ｗの一面に所定の圧力で押圧されるように、図１のブラシ駆動部３４を制御する。この場合、図６の下段の吹き出しｂ２内に示すように、ブラシ押圧移動期間中は、液膜Ｌ１の厚みが液膜形成期間中の厚みよりも小さい状態で、基板Ｗの一面上にブラシＢＲが押圧される。それにより、ブラシ押圧移動期間中にハイドロプレーン現象が発生する場合でも、基板Ｗに供給される洗浄液の流量が基準流量ｒｆで維持される場合に比べて基板Ｗの洗浄力が向上する。

次に、時点ｔ０３から時点ｔ０４にかけて、リンス期間が設定されている。そのリンス期間においては、液供給系制御部９２は、基準流量ｒｆで基板Ｗにリンス液が供給されるようにリンス液供給系２４を制御する。また、液供給系制御部９２は、基板Ｗに洗浄液が供給されないように洗浄液供給系２２を制御する。この場合、図６の下段の吹き出しｂ３内に示すように、リンス期間中、基板Ｗの一面上にリンス液の液膜Ｌ２が形成される。なお、ブラシ制御部９３は、リンス期間において、ブラシＢＲが待機位置に戻るようにアーム駆動部３１を制御する。

最後に、時点ｔ０４から時点ｔ０５にかけて、乾燥期間が設定されている。その乾燥期間においては、液供給系制御部９２は、基板Ｗに洗浄液およびリンス液が供給されないように、洗浄液供給系２２およびリンス液供給系２４を制御する。これにより、基板Ｗ上のリンス液が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。

上記のように、第１の洗浄例によれば、ブラシ押圧移動期間中に、基板Ｗに洗浄液が供給されないので、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄時に、基板Ｗ上に形成される洗浄液の液膜Ｌ１の厚みが大きくなることが抑制される。それにより、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。

なお、第１の洗浄例においては、図６の上段のグラフに太い点線で示すように、ブラシ押圧移動期間の開始時点ｔ０２から終了時点ｔ０３にかけて、基板Ｗに供給される洗浄液の流量を基準流量ｒｆよりも小さい流量ａｆで一定に維持してもよい。この場合においても、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。

上記の流量ａｆは、基板Ｗに対するブラシＢＲの押圧力、ブラシＢＲと基板Ｗとの間の相対速度および洗浄液の粘度等を考慮した上で、境界液層の厚みがより適切な厚みとなるように設定されることが好ましい。

また、第１の洗浄例においては、リンス期間中に基板Ｗに供給されるリンス液の流量は、基準流量ｒｆよりも小さくてもよいし、基準流量ｒｆよりも大きくてもよい。

４．第２の洗浄例
第２の洗浄例について、第１の洗浄例と異なる点を説明する。以下の説明では、ブラシ押圧移動期間中に回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２に移動するブラシＢＲの経路上の特定の位置を特定位置と呼ぶ。

図７は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲによる基板Ｗの一面の第２の洗浄例を説明するための図である。図７の上段には、図６の上段の例と同様に、第２の洗浄例において、基板Ｗの一面上に供給される洗浄液およびリンス液の流量の変化がタイムチャートで示される。また、図７の下段には、図６の下段の例と同様に、第２の洗浄例の一部の期間または時点における基板Ｗおよびその周辺部の状態が、複数の吹き出し内に模式的側面図で示される。

第２の洗浄例では、液供給系制御部９２は、図７の上段に示すように、時点ｔ０２から時点ｔ０３よりも前の時点ｔａまでの間、基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給されるように、洗浄液供給系２２を制御する。また、液供給系制御部９２は、時点ｔ０２から時点ｔａまでの間、基板Ｗにリンス液が供給されないようにリンス液供給系２４を制御する。ここで、時点ｔａは、ブラシ押圧移動期間中でブラシＢＲが特定位置Ｐ３に到達したときの時点である。この場合、図７の下段の吹き出しｂ４，ｂ５に示すように、ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１から特定位置Ｐ３に移動するまでの間は、液膜Ｌ１の厚みが液膜形成期間中の厚みとほぼ同じ状態で、基板Ｗの一面上にブラシＢＲが押圧される。

その後、液供給系制御部９２は、時点ｔａから時点ｔ０３までの間、基板Ｗに洗浄液およびリンス液が供給されないように洗浄液供給系２２およびリンス液供給系２４を制御する。この場合、図７の下段の吹き出しｂ６内に示すように、ブラシＢＲが特定位置Ｐ３から外周端部位置Ｐ２に移動するまでの間は、液膜Ｌ１の厚みが液膜形成期間中の厚みよりも小さい状態で、基板Ｗの一面上にブラシＢＲが押圧される。

それにより、ブラシＢＲが特定位置Ｐ３から外周端部位置Ｐ２に移動するまでの間は、ハイドロプレーン現象が発生する場合でも、基板Ｗに供給される洗浄液の流量が基準流量ｒｆで維持される場合に比べて基板Ｗの洗浄力が向上する。

上記のように、第２の洗浄例によれば、ブラシ押圧移動期間中の一部の期間に、基板Ｗに洗浄液が供給されないので、当該一部の期間において基板Ｗ上に形成される洗浄液の液膜Ｌ１の厚みが大きくなることが抑制される。それにより、ブラシ押圧移動期間中の一部の期間で、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。したがって、特定位置Ｐ３を適切に定めることにより、基板Ｗの一面の一部においてブラシＢＲによる洗浄力を局所的に向上させることができる。

特定位置Ｐ３は、例えば、基板Ｗの半径方向における回転中心位置Ｐ１と外周端部位置Ｐ２との間の中間位置に設定されてもよい。あるいは、特定位置Ｐ３は、基板Ｗの半径方向における中間位置よりも基板Ｗの外周端部に近い位置に設定されてもよい。これらの場合、少なくとも基板Ｗの外周端部近傍の領域でブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力を向上させることができる。

なお、第２の洗浄例においては、図７の上段のグラフに太い点線で示すように、ブラシ押圧移動期間中の時点ｔａから終了時点ｔ０３にかけて、基板Ｗに供給される洗浄液の流量を連続的に低下させてもよい。この場合においても、時点ｔａから時点ｔ０３の間は、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。

５．第３の洗浄例
第３の洗浄例について、第２の洗浄例と異なる点を説明する。図８は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲによる基板Ｗの一面の第３の洗浄例を説明するための図である。図８の上段には、図６の上段の例と同様に、第３の洗浄例において、基板Ｗの一面上に供給される洗浄液およびリンス液の流量の変化がタイムチャートで示される。また、図８の下段には、図６の下段の例と同様に、第３の洗浄例の一部の期間または時点における基板Ｗおよびその周辺部の状態が、複数の吹き出し内に模式的側面図で示される。

第３の洗浄例では、液供給系制御部９２は、図８の上段に示すように、時点ｔ０２から時点ｔａまでの間、基板Ｗに基準流量ｒｆよりも小さい流量ａｆで洗浄液が供給されるように、洗浄液供給系２２を制御する。この場合、図８の下段の吹き出しｂ７～ｂ９に示すように、ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１から特定位置Ｐ３に移動するまでの間に、液膜Ｌ１の厚みが時点ｔ０２，ｔａの順で段階的に小さくなる。これにより、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が、基板Ｗの半径方向における複数の領域で順次調整される。

なお、第３の洗浄例においては、図８の上段のグラフに太い点線で示すように、ブラシ押圧移動期間の開始時点ｔ０２から終了時点ｔ０３にかけて、基板Ｗに供給される洗浄液の流量を連続的に低下させてもよい。この場合においても、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。

６．第４の洗浄例
第４の洗浄例について、第１の洗浄例と異なる点を説明する。第４の洗浄例においては、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄時に、ブラシＢＲが複数回（本例では２回）にわたって基板Ｗの一面上に押圧されつつ移動する。具体的には、ブラシＢＲは、回転する基板Ｗの一面に押圧されつつ回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２にかけて移動する。次に、基板Ｗから離間するようにブラシＢＲが外周端部位置Ｐ２の上方の位置に移動し、回転中心位置Ｐ１の上方の位置に向かって移動する。ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１の上方の位置に到達すると、ブラシＢＲが再び基板Ｗの一面に押圧される。その後、ブラシＢＲは、回転する基板Ｗの一面に押圧されつつ回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２にかけて移動する。以下の説明では、ブラシＢＲが基板Ｗから離間しつつ基板Ｗの外周端部位置Ｐ２から回転中心位置Ｐ１まで移動する期間をブラシ離間移動期間と呼ぶ。

図９は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲによる基板Ｗの一面の第４の洗浄例を説明するための図である。図９の上段には、図６の上段の例と同様に、第４の洗浄例において、基板Ｗの一面上に供給される洗浄液およびリンス液の流量の変化がタイムチャートで示される。また、図９の下段には、図６の下段の例と同様に、第４の洗浄例の一部の期間または時点における基板Ｗおよびその周辺部の状態が、複数の吹き出し内に模式的側面図で示される。

第４の洗浄例では、図９の上段に示すように、液膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、ブラシ離間移動期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間がこの順で設定されている。このように、第４の洗浄例においては、時間軸上でブラシ離間移動期間を挟んで２つのブラシ押圧移動期間が並ぶように設定される。

まず、第４の洗浄例では、液膜形成期間の開始時点ｔ０１から第１番目のブラシ押圧移動期間の終了時点ｔ０３までの間、第１の洗浄例と同じ動作が行われる。これにより、第１番目のブラシ押圧移動期間においては、基板Ｗに洗浄液が供給されない。それにより、図９の下段の吹き出しｂ１０に示すように、ブラシＢＲが基板Ｗの一面に押圧される間、基板Ｗの一面上に形成される液膜Ｌ１の厚みを小さくすることができる。したがって、高い洗浄力で基板Ｗの一面が洗浄される。

次に、ブラシ制御部９３は、時点ｔ０３から時点ｔ０４にかけて、ブラシＢＲが基板Ｗから離間しつつ外周端部位置Ｐ２から回転中心位置Ｐ１に向かって移動するように、アーム駆動部３１を制御する。このとき、液供給系制御部９２は、基準流量ｒｆで基板Ｗに洗浄液が供給されるように洗浄液供給系２２を制御する。それにより、図９の下段の吹き出しｂ１１に示すように、ブラシＢＲが基板Ｗから離間している間、液膜Ｌ１の厚みが大きくなる。したがって、第１番目のブラシ押圧移動期間にブラシＢＲにより基板Ｗ上から剥離された汚染物質が基板Ｗ上に残留する場合でも、その汚染物質が多量の洗浄液により洗い流される。

次に、時点ｔ０４で、ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１上に到達すると、ブラシＢＲが再度基板Ｗの一面に押圧される。また、時点ｔ０４から時点ｔ０５にかけて第１番目のブラシ押圧移動期間と同じ動作（ブラシＢＲの移動）が繰り返される。さらに、このとき基板Ｗに洗浄液が供給されない。それにより、図９の下段の吹き出しｂ１２に示すように、ブラシＢＲが基板Ｗの一面に押圧される間、基板Ｗの一面上に形成される液膜Ｌ１の厚みを小さくすることができる。

その後、時点ｔ０５から時点ｔ０６にかけて第１の洗浄例のリンス期間（図６の時点ｔ０３から時点ｔ０４までの期間）と同様の動作が行われる。また、時点ｔ０６から時点ｔ０７にかけて第１の洗浄例の乾燥期間（図６の時点ｔ０４から時点ｔ０５までの期間）と同じ動作が行われる。

上記のように、第４の洗浄例によれば、第１の洗浄例と同様に、ブラシ押圧移動期間中に、基板Ｗに洗浄液が供給されない。それにより、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄時に、基板Ｗ上に形成される洗浄液の液膜Ｌ１の厚みが大きくなることが抑制される。それにより、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。また、第４の洗浄例においては、基板Ｗの一面が複数回に渡ってブラシＢＲにより繰り返し洗浄される。したがって、洗浄後の基板Ｗの一面の清浄度がさらに向上する。

さらに、第４の洗浄例においてはブラシ離間移動期間中に、基板Ｗに洗浄液が供給される。したがって、ブラシ押圧移動期間がブラシ離間移動期間を挟んで複数回繰り返される場合でも、基板Ｗの一面が乾燥することが防止される。

なお、図９の例では、第４の洗浄例として、時間軸上で１つのブラシ離間移動期間を挟んで２つのブラシ押圧移動期間が設定されるが、第４の洗浄例においては、３または４以上のブラシ押圧移動期間が設定されてもよい。この場合、時間軸上で隣り合う各２つのブラシ押圧移動期間の間に１つのブラシ離間移動期間が設定される。また、第４の洗浄例においては、ブラシ離間移動期間中、基準流量ｒｆよりも低く０よりも大きい流量で基板Ｗに洗浄液が供給されてもよい。

７．第５の洗浄例
第５の洗浄例について、第４の洗浄例と異なる点を説明する。図１０は、図１の基板洗浄装置ＳＳＲによる基板Ｗの一面の第５の洗浄例を説明するための図である。図１０の上段には、図６の上段の例と同様に、第５の洗浄例において、基板Ｗの一面上に供給される洗浄液およびリンス液の流量の変化がタイムチャートで示される。また、図１０の下段には、図６の下段の例と同様に、第５の洗浄例の一部の期間または時点における基板Ｗおよびその周辺部の状態が、複数の吹き出し内に模式的側面図で示される。

第５の洗浄例においては、図１０の上段に示すように、液膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、ブラシ離間移動期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間がこの順で設定されている。これらの複数の期間の設定順序は、第４の洗浄例と同じである。しかしながら、第５の洗浄例では、第１番目のブラシ押圧移動期間および第２番目のブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに洗浄液が供給される点が第４の洗浄例とは異なる。

具体的には、第１番目のブラシ押圧移動期間においては、液供給系制御部９２は、基板Ｗに基準流量ｒｆよりも小さい流量ａｆで洗浄液が供給されるように、洗浄液供給系２２を制御する。また、第２番目のブラシ押圧移動期間においては、液供給系制御部９２は、基板Ｗに基準流量ｒｆよりも大きい流量ｂｆで洗浄液が供給されるように、洗浄液供給系２２を制御する。

この場合、第１番目のブラシ押圧移動期間においては、図１０の下段の吹き出しｂ１３に示すように、基板Ｗに供給される洗浄液の流量が基準流量ｒｆで維持される場合に比べて液膜Ｌ１の厚みが小さくなる。それにより、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに基準流量ｒｆで継続して洗浄液が供給される場合に比べて、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が向上する。

その後、ブラシ離間移動期間においては、図１０の下段の吹き出しｂ１４に示すように、基板Ｗに基準流量ｒｆの洗浄液が供給されるので、第１番目のブラシ押圧移動期間に基板Ｗから剥離されかつ基板Ｗ上に残留する汚染物質が、洗浄液により洗い流される。

さらに、第２番目のブラシ押圧移動期間においては、図１０の下段の吹き出しｂ１５に示すように、基板Ｗに供給される洗浄液の流量が基準流量ｒｆで維持される場合に比べて液膜Ｌ１の厚みがさらに大きくなる。それにより、第１番目のブラシ押圧移動期間に基板Ｗから剥離されかつ基板Ｗ上に残留する汚染物質が、多量の洗浄液により円滑に洗い流される。また、このとき、ブラシＢＲに付着する汚染物質も洗浄液により洗い流される。

なお、第５の洗浄例においては、ブラシ離間移動期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の流量は、基準流量ｒｆよりも大きくてもよいし、基準流量ｒｆよりも小さくてもよい。また、第５の洗浄例においては、第２番目のブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の流量ｂｆは、第１番目のブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の流量ａｆよりも大きければよい。したがって、第２番目のブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の流量は、基準流量ｒｆよりも大きくてもよいし、基準流量ｒｆよりも小さくてもよい。

８．確認試験
本発明者らは、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の流量と、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力との関係を確認するために、複数の確認試験を行った。複数の確認試験の各々は、基本的に以下の流れで行った。

まず、一面に所定量の汚染物質が付着した試験用基板を用意する。続いて、図１の基板洗浄装置ＳＳＲを用いて各確認試験に対応する洗浄方法で試験用基板を洗浄する。その後、洗浄後の各試験用基板が、洗浄前の汚染状態からどの程度清浄になったかを汚染の除去率として測定する。除去率が高いほど、ブラシＢＲによる基板Ｗの洗浄力が高く、洗浄後の試験用基板の清浄度が高いといえる。この測定はパーティクルカウンタを用いて行うことができる。以下、各確認試験に対応する洗浄方法とその試験結果について説明する。

（ａ）第１の確認試験
第１の確認試験では、膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間をこの順で設定し、設定された順に従って、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。ここで、第１の確認試験においては、ブラシ押圧移動期間中、試験用基板の一面上に薬液と純水との混合液を洗浄液として供給した。薬液の供給流量を４００ｍＬ／ｍｉｎとし、純水の供給流量を４００ｍＬ／ｍｉｎとした。したがって、薬液と純水との混合液の供給流量（合計の流量）は、８００ｍＬ／ｍｉｎであった。

（ｂ）第２の確認試験
第２の確認試験では、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される薬液および純水の供給流量が異なる点を除いて第１の確認試験と同じ方法で、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。第２の確認試験においては、ブラシ押圧移動期間中、薬液の供給流量を２００ｍＬ／ｍｉｎとし、純水の供給流量を２００ｍＬ／ｍｉｎとした。したがって、薬液と純水との混合液の供給流量（合計の流量）は、４００ｍＬ／ｍｉｎであった。

（ｃ）第１の確認試験および第２の確認試験の結果
第１の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は７１％であった。一方、第２の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は８２％であった。これにより、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される洗浄液（本件では、薬液および純水の混合液）の流量が小さいほど、洗浄力が向上することが確認された。

（ｄ）第３の確認試験
第３の確認試験では、膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間をこの順で設定し、設定された順に従って、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。ここで、第３の確認試験においては、ブラシ押圧移動期間中、試験用基板の一面上に薬液を洗浄液として供給した。薬液の供給流量を４００ｍＬ／ｍｉｎとした。

（ｅ）第４の確認試験
第４の確認試験では、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される薬液の供給流量が異なる点を除いて第３の確認試験と同じ方法で、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。第３の確認試験においては、ブラシ押圧移動期間中、薬液の供給流量を２００ｍＬ／ｍｉｎとした。

（ｆ）第３の確認試験および第４の確認試験の結果
第３の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は８８％であった。一方、第４の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は９１％であった。これにより、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される洗浄液（本件では、薬液）の流量が小さいほど、洗浄力が向上することが確認された。

（ｇ）第５の確認試験
第５の確認試験では、膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間をこの順で設定し、設定された順に従って、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。ここで、第５の確認試験においては、ブラシ押圧移動期間中、試験用基板の一面上に継続して一定量の薬液を洗浄液として供給した。

（ｈ）第６の確認試験
第６の確認試験では、ブラシ押圧移動期間の途中で試験用基板に供給される洗浄液の供給流量を０とした点を除いて第５の確認試験と同じ方法で、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。

（ｉ）第５の確認試験および第６の確認試験の結果
第５の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は６５％であった。一方、第６の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は７４％であった。また、第６の確認試験に係る試験用基板においては、洗浄液の供給停止後にブラシＢＲで押圧された領域に残留する汚染物質の量が他の領域上に残留する汚染物質の量に比べて十分に少ないことが確認された。これにより、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される洗浄液（本件では、薬液）の流量が小さいほど、洗浄力が向上することが確認された。

（ｊ）第７の確認試験
第７の確認試験では、膜形成期間、ブラシ押圧移動期間、ブラシ離間移動期間、ブラシ押圧移動期間、リンス期間および乾燥期間をこの順で設定し、設定された順に従って、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。ここで、第７の確認試験においては、各ブラシ押圧移動期間中、試験用基板の一面上に継続して一定量の薬液を洗浄液として供給した。

（ｋ）第８の確認試験
第８の確認試験では、各ブラシ押圧移動期間の途中で試験用基板に供給される洗浄液の供給流量を０とした点を除いて第７の確認試験と同じ方法で、ブラシＢＲによる試験用基板の洗浄処理を行った。

（ｌ）第７の確認試験および第８の確認試験の結果
第７の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は７４％であった。一方、第８の確認試験の結果、洗浄後の試験用基板に残留する汚染物質のカウントに基づいて測定された汚染の除去率は８０％であった。また、第８の確認試験に係る試験用基板においては、洗浄液の供給停止後にブラシＢＲで押圧された領域に残留する汚染物質の量が他の領域上に残留する汚染物質の量に比べて十分に少ないことが確認された。これにより、ブラシ押圧移動期間中に試験用基板に供給される洗浄液（本件では、薬液）の流量が小さいほど、洗浄力が向上することが確認された。

９．実施の形態の効果
本実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲにおいては、搬入された基板Ｗがスピンチャック１０により水平姿勢で保持される。また、基板Ｗがスピンチャック１０により鉛直方向に平行な軸の周りで回転する。基板Ｗの一面上に基準流量ｒｆで洗浄液が供給される。それにより、基板Ｗの一面上に洗浄液の液膜Ｌ１が形成される。その後、ブラシ押圧移動期間中、スピンチャック１０により回転する基板Ｗの一面にブラシＢＲが押圧され、基板Ｗの一面が洗浄される。

ブラシ押圧移動期間のうち少なくとも一部の期間中に、基板Ｗの一面に供給される洗浄液の流量が基準流量ｒｆよりも低くなるか、または基板Ｗの一面に洗浄液が供給されない。この場合、ブラシＢＲと基板Ｗの一面との間でハイドロプレーン現象が発生することにより、ブラシＢＲと基板Ｗの一面との間に境界液層が形成される場合でも、基板Ｗの一面に基準流量ｒｆで洗浄液が供給される場合に比べて、その境界液層の厚みを小さくすることができる。それにより、ブラシＢＲによる基板Ｗの一面の洗浄力が向上する。その結果、洗浄後の基板Ｗの一面の清浄度が向上する。さらに、上記の構成によれば、基板Ｗの洗浄に用いる洗浄液の量を低減することができる。したがって、洗浄液の消費量を低減することができる。

なお、液膜形成期間中は、ブラシＢＲが基板Ｗに押圧されないのでハイドロプレーン現象の発生を考慮する必要がない。したがって、液膜形成期間中に基板Ｗに供給される洗浄液の基準流量ｒｆは、基板Ｗの回転速度および洗浄液の粘度等を考慮しつつ液膜形成期間を可能な限り短縮できるように設定されることが好ましい。液膜形成期間が短縮されることにより、基板Ｗの洗浄処理のスループットが向上する。

１０．他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲにおいては、液膜形成期間に基板Ｗに洗浄液が供給されるが、本発明はこれに限定されない。液膜形成期間には、基板Ｗに洗浄液に代えてリンス液が供給されてもよい。

（ｂ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲにおいては、基板Ｗの一面の洗浄時にブラシＢＲが鉛直方向の軸の周りで回転する（自転する）が本発明はこれに限定されない。ブラシＢＲは、基板Ｗの一面の洗浄時に鉛直方向の軸の周りで回転しなくてもよい。

（ｃ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲにおいては、ブラシ押圧移動期間中に基板Ｗの回転速度が適宜変更されてもよい。例えば、ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２に向かって移動するにつれて基板Ｗの回転速度が連続的または段階的に低下してもよい。あるいは、ブラシＢＲが回転中心位置Ｐ１から外周端部位置Ｐ２に向かって移動するにつれて基板Ｗの回転速度が連続的または段階的に上昇してもよい。

（ｄ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置ＳＳＲにおいては、基板Ｗの非回路形成面（裏面）が洗浄されるが、本発明はこれに限定されない。洗浄対象となる基板Ｗが、ベアウェハ等の回路が未形成の基板である場合には、基板洗浄装置ＳＳＲにおいてブラシＢＲにより基板Ｗの回路形成面（表面）が洗浄されてもよい。

（ｅ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、処理対象となる基板Ｗは、ノッチを除いて円形状を有するが、基板Ｗは矩形状を有してもよい。

１１．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

上記実施の形態においては、基板洗浄装置ＳＳＲが基板洗浄装置の例であり、スピンチャック１０が回転保持部の例であり、洗浄液ノズル２１および洗浄液供給系２２が液供給部の例であり、ブラシＢＲがブラシの例であり、ブラシ押圧移動期間が押圧期間の例であり、ブラシ押圧機構３０がブラシ押圧機構の例であり、基準流量ｒｆが基準流量の例であり、特定位置Ｐ３が特定位置の例であり、ブラシ離間移動期間が非押圧期間の例である。

また、図９および図１０の複数のブラシ押圧移動期間が複数の押圧期間の例であり、図１０の２つのブラシ押圧移動期間が第１の押圧期間および第２の押圧期間の例であり、図１０の流量ａｆが第１の流量の例であり、図１０の流量ｂｆが第２の流量の例である。

１２．実施の形態の総括
（第１項）第１項に係る基板洗浄装置は、
基板の一面を洗浄する基板洗浄装置であって、
前記基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、
前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給する液供給部と、
ブラシと、
予め定められた押圧期間中、前記ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するブラシ押圧機構とを備え、
前記液供給部は、
前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給し、
前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止する。

その基板洗浄装置においては、押圧期間の前に、基板の一面上に基準流量で洗浄液が供給される。それにより、基板の一面上に洗浄液の液膜が形成される。その後、押圧期間中、回転保持部により回転する基板の一面にブラシが押圧され、基板の一面が洗浄される。

押圧期間のうち少なくとも一部の期間中に、基板の一面に供給される洗浄液の流量が基準流量よりも低くなるか、または基板の一面に洗浄液が供給されない。この場合、ブラシと基板の一面との間に洗浄液の層が形成される場合でも、基板の一面に基準流量で洗浄液が供給される場合に比べて、その洗浄液の層の厚みを小さくすることができる。それにより、ブラシによる基板の一面の洗浄力が向上する。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度が向上する。

さらに、上記の構成によれば、基板の洗浄に用いる洗浄液の量を低減することができる。したがって、洗浄液の消費量を低減することができる。

（第２項）第１項に記載の基板洗浄装置において、
前記ブラシ押圧機構は、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
前記液供給部は、前記押圧時間中、前記洗浄液の供給を停止してもよい。

この場合、押圧期間において、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がより向上する。

（第３項）第１項に記載の基板洗浄装置において、
前記ブラシ押圧機構は、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
前記液供給部は、
前記押圧期間の開始時点から前記ブラシが前記回転中心から前記回転中心と前記外周端部との間の特定位置に到達するまでの間、前記一面上に洗浄液を供給し、
前記ブラシが前記特定位置に到達した時点から前記押圧期間の終了時点までの間、前記洗浄液の供給を停止してもよい。

この場合、基板の一面のうち洗浄液が供給されずにブラシが押圧される領域において、ブラシによる洗浄力がより向上する。その結果、洗浄後の基板の一面のうち少なくとも外周端部を含む領域の清浄度がより向上する。

（第４項）第１項に記載の基板洗浄装置において、
前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ複数の押圧期間を含み、
前記複数の押圧期間のうち時間軸上で隣り合う各２つの押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
前記ブラシ押圧機構は、
各押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
各非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ当該ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させ、
前記液供給部は、
各押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止し、
各非押圧期間中、前記基板の前記一面上に洗浄液を供給してもよい。

この場合、各押圧期間において、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。さらに、基板の一面が複数回ブラシにより洗浄される。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がさらに向上する。

（第５項）第１項に記載の基板洗浄装置において、
前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ第１の押圧期間および第２の押圧期間を含み、
前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
前記ブラシ押圧機構は、
前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の各々の期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ、当該ブラシを、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
前記非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ当該ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させ、
前記液供給部は、
前記第１の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい第１の流量で洗浄液を供給し、
前記第２の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液を供給してもよい。

この場合、第１の押圧期間において、基板の一面上に第１の流量で洗浄液が供給されるので、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。その後、第２の押圧期間では、基板の一面上に第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液が供給される。それにより、第１の押圧期間中にブラシにより剥離された汚染物質が基板の一面上に残留する場合でも、それらの汚染物質が多量の洗浄液により円滑に洗い流される。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がさらに向上する。

（第６項）第６項に記載の基板洗浄方法は、
基板の一面を洗浄する基板洗浄方法であって、
回転保持部により前記基板を保持しつつ回転させるステップと、
前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給するステップと、
予め定められた押圧期間中、ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するステップとを含み、
前記洗浄液を供給するステップは、
前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給することと、
前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止することとを含む。

その基板洗浄方法においては、押圧期間の前に、基板の一面上に基準流量で洗浄液が供給される。それにより、基板の一面上に洗浄液の液膜が形成される。その後、押圧期間中、回転保持部により回転する基板の一面にブラシが押圧され、基板の一面が洗浄される。

押圧期間のうち少なくとも一部の期間中に、基板の一面に供給される洗浄液の流量が基準流量よりも低くなるか、または基板の一面に洗浄液が供給されない。この場合、ブラシと基板の一面との間に洗浄液の層が形成される場合でも、基板の一面に基準流量で洗浄液が供給される場合に比べて、その洗浄液の層の厚みを小さくすることができる。それにより、ブラシによる基板の一面の洗浄力が向上する。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度が向上する。

さらに、上記の構成によれば、基板の洗浄に用いる洗浄液の量を低減することができる。したがって、洗浄液の消費量を低減することができる。

（第７項）第６項に記載の基板洗浄方法において、
前記押圧するステップは、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることを含み、
前記洗浄液を供給するステップは、前記押圧時間中、前記洗浄液の供給を停止することを含んでもよい。

この場合、押圧期間において、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がより向上する。

（第８項）第６項に記載の基板洗浄方法において、
前記押圧するステップは、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることを含み、
前記洗浄液を供給するステップは、
前記押圧期間の開始時点から前記ブラシが前記回転中心から前記回転中心と前記外周端部との間の特定位置に到達するまでの間、前記一面上に洗浄液を供給することと、
前記ブラシが前記特定位置に到達した時点から前記押圧期間の終了時点までの間、前記洗浄液の供給を停止することとを含む、請求項６記載の基板洗浄方法。

この場合、基板の一面のうち洗浄液が供給されずにブラシが押圧される領域において、ブラシによる洗浄力がより向上する。その結果、洗浄後の基板の一面のうち少なくとも外周端部を含む領域の清浄度がより向上する。

（第９項）第６項に記載の基板洗浄方法において、
前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ複数の押圧期間を含み、
前記複数の押圧期間のうち時間軸上で隣り合う各２つの押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
前記押圧するステップは、
各押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ、当該ブラシを、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることと、
各非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ前記ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させることとを含み、
前記洗浄液を供給するステップは、
各押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止することと、
各非押圧期間中、前記基板の前記一面上に洗浄液を供給することとを含んでもよい。

この場合、各押圧期間において、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。さらに、基板の一面が複数回ブラシにより洗浄される。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がさらに向上する。

（第１０項）第６項に記載の基板洗浄方法において、
前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ第１の押圧期間および第２の押圧期間を含み、
前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
前記押圧するステップは、
前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の各々の期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることと、
前記非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ前記ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させることとを含み、
前記洗浄液を供給するステップは、
前記第１の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい第１の流量で洗浄液を供給することと、
前記第２の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液を供給することとを含んでもよい。

この場合、第１の押圧期間において、基板の一面上に第１の流量で洗浄液が供給されるので、ブラシによる基板の一面の洗浄力がより向上する。その後、第２の押圧期間では、基板の一面上に第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液が供給される。それにより、第１の押圧期間中にブラシにより剥離された汚染物質が基板の一面上に残留する場合でも、それらの汚染物質が多量の洗浄液により円滑に洗い流される。その結果、洗浄後の基板の一面の清浄度がさらに向上する。

上記一連の実施形態に係る基板洗浄装置によれば、ブラシを用いた洗浄後の基板の清浄度が向上するので、基板処理により得られる製品の歩留まりが向上する。したがって、無駄な基板処理が低減されるので、基板処理の省エネルギー化が実現できる。また、無駄な薬液等の利用を低減することができるので、地球環境の汚染の低減に寄与することができる。

１…基板洗浄装置，１０…スピンチャック，１１…スピンベース，１２…チャックピン，１３…チャック回転駆動部，１４…回転軸，２０…液供給機構，２１…洗浄液ノズル，２２…洗浄液供給系，２３…リンス液ノズル，２４…リンス液供給系，３０…ブラシ押圧機構，３１…アーム駆動部，３２…回転軸，３３…アーム，３４…ブラシ駆動部，９０…制御部，９１…基板回転制御部，９２…液供給系制御部，９３…ブラシ制御部，ＢＲ…ブラシ，Ｌ１，Ｌ２…液膜，Ｐ１…回転中心位置，Ｐ２…外周端部位置，Ｐ３…特定位置，ＳＩ…設置面，ＳＳＲ…基板洗浄装置，Ｗ…基板，ｃｎ１，ｃｎ２，ｃｎ３…汚染物質

Claims (10)

1. 基板の一面を洗浄する基板洗浄装置であって、
   前記基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、
   前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給する液供給部と、
   ブラシと、
   予め定められた押圧期間中、前記ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するブラシ押圧機構とを備え、
   前記液供給部は、
   前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給し、
   前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止する、基板洗浄装置。
2. 前記ブラシ押圧機構は、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
   前記液供給部は、前記押圧時間中、前記洗浄液の供給を停止する、請求項１記載の基板洗浄装置。
3. 前記ブラシ押圧機構は、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
   前記液供給部は、
   前記押圧期間の開始時点から前記ブラシが前記回転中心から前記回転中心と前記外周端部との間の特定位置に到達するまでの間、前記一面上に洗浄液を供給し、
   前記ブラシが前記特定位置に到達した時点から前記押圧期間の終了時点までの間、前記洗浄液の供給を停止する、請求項１記載の基板洗浄装置。
4. 前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ複数の押圧期間を含み、
   前記複数の押圧期間のうち時間軸上で隣り合う各２つの押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
   前記ブラシ押圧機構は、
   各押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
   各非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ当該ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させ、
   前記液供給部は、
   各押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止し、
   各非押圧期間中、前記基板の前記一面上に洗浄液を供給する、請求項１記載の基板洗浄装置。
5. 前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ第１の押圧期間および第２の押圧期間を含み、
   前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
   前記ブラシ押圧機構は、
   前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の各々の期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ、当該ブラシを、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させ、
   前記非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ当該ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させ、
   前記液供給部は、
   前記第１の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい第１の流量で洗浄液を供給し、
   前記第２の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液を供給する、請求項１記載の基板洗浄装置。
6. 基板の一面を洗浄する基板洗浄方法であって、
   回転保持部により前記基板を保持しつつ回転させるステップと、
   前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面上に洗浄液を供給するステップと、
   予め定められた押圧期間中、ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の前記一面に向けて押圧するステップとを含み、
   前記洗浄液を供給するステップは、
   前記押圧期間の前に、前記基板の前記一面上に予め定められた基準流量で洗浄液を供給することと、
   前記押圧期間のうち少なくとも一部の期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい流量で洗浄液を供給するか、または洗浄液の供給を停止することとを含む、基板洗浄方法。
7. 前記押圧するステップは、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることを含み、
   前記洗浄液を供給するステップは、前記押圧時間中、前記洗浄液の供給を停止することを含む、請求項６記載の基板洗浄方法。
8. 前記押圧するステップは、前記押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることを含み、
   前記洗浄液を供給するステップは、
   前記押圧期間の開始時点から前記ブラシが前記回転中心から前記回転中心と前記外周端部との間の特定位置に到達するまでの間、前記一面上に洗浄液を供給することと、
   前記ブラシが前記特定位置に到達した時点から前記押圧期間の終了時点までの間、前記洗浄液の供給を停止することとを含む、請求項６記載の基板洗浄方法。
9. 前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ複数の押圧期間を含み、
   前記複数の押圧期間のうち時間軸上で隣り合う各２つの押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
   前記押圧するステップは、
   各押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ、当該ブラシを、前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることと、
   各非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ前記ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させることとを含み、
   前記洗浄液を供給するステップは、
   各押圧期間中、前記洗浄液の供給を停止することと、
   各非押圧期間中、前記基板の前記一面上に洗浄液を供給することとを含む、請求項６記載の基板洗浄方法。
10. 前記押圧期間は、時間軸上で順に並ぶ第１の押圧期間および第２の押圧期間を含み、
    前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の間には、予め定められた非押圧期間が設定され、
    前記押圧するステップは、
    前記第１の押圧期間および前記第２の押圧期間の各々の期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面に向けて押圧しつつ当該ブラシを前記回転保持部により保持されて回転する前記基板の回転中心から前記基板の外周端部に向けて移動させることと、
    前記非押圧期間中、前記ブラシを前記基板の前記一面から離間させつつ前記ブラシを前記外周端部から前記回転中心に向けて移動させることとを含み、
    前記洗浄液を供給するステップは、
    前記第１の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記基準流量よりも小さい第１の流量で洗浄液を供給することと、
    前記第２の押圧期間中、前記基板の前記一面上に前記第１の流量よりも大きい第２の流量で洗浄液を供給することとを含む、請求項６記載の基板洗浄方法。

Images