JP5470746B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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図1は、本実施形態に係る基板クリーニング装置の構成図である。
図7(a)〜(c)は、スピンベース2の回転数を変えてクリーニングを行った後におけるシリコン基板50の写真を基にして描いた図である。なお、この調査では、スピンベース2とブラシ12の双方を同じ方向に回転させている。また、いずれの回転数でもクリーニング時間は50秒である。
図9(a)、(b)は、ブラシ12の回転数を変えてクリーニングを行った後におけるシリコン基板50の写真を基にして描いた図である。なお、この調査では、スピンベース2とブラシ12の双方を同じ方向に回転させている。また、いずれの回転数でもクリーニング時間は50秒である。
図10(a)〜(c)は、シリコン基板50へのブラシ12の押し込み量について説明するための断面図である。
本実施形態では、半導体装置としてMOSトランジスタを例にして、その製造工程に第1実施形態の基板クリーニング装置を使用する。
前記堆積物を除去する工程において、前記膜をエッチングする工程で前記半導体基板の前記裏面側に周りこんだ前記堆積物を除去することを特徴とする付記1〜8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Claims (5)
- 半導体基板の縁部を保持する工程と、
前記半導体基板の裏面に第1の洗浄液を供給し、かつ前記半導体基板の表面に第2の洗浄液を供給しながら、前記半導体基板の前記裏面の周縁部にブラシを摺接させることにより、前記半導体基板の前記裏面に付着している堆積物を前記ブラシで物理的に掻き落として除去する工程と、を有し、
前記堆積物を除去する工程において、前記ブラシの一部を前記半導体基板の外周から5mm以下のはみ出し量ではみ出させるとともに、前記半導体基板を200rpm以上1000rpm以下の回転数で回転させ、前記ブラシを20rpm以上200rpm以下の回転数で回転させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記堆積物を除去する工程において、前記ブラシの前記半導体基板への押し込み量を0.5mm〜3.5mmとすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ブラシとして樹脂毛材の束を使用することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の上に形成された膜をエッチングする工程を更に有し、
前記堆積物を除去する工程において、前記膜をエッチングする工程で前記半導体基板の前記裏面側に周りこんだ前記堆積物を除去することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記膜をエッチングする工程の後に連続して、前記堆積物を除去する工程を行うことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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