JP2009238861A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置1は、互いに硬さの異なる第1ブラシ17および第2ブラシ18を備えている。基板処理装置1は、スピンチャック3により回転されるウエハWの周縁部に第1および第2ブラシ17,18を当接させることにより当該周縁部を洗浄することができる。硬質の第1ブラシ17は、ウエハWの周縁部に強固に付着した汚染物資を比較的短時間で良好に剥離させて除去することができる。また、軟質の第2ブラシ18は、弾性変形することによりウエハWの周縁部に密着され、第1ブラシ17によって除去できない細かな汚染物質を良好に除去することできる。
【選択図】図2
Description
ウエハの周縁部の洗浄に関する先行技術としては、たとえば、ウエハの周縁部にブラシを当接させるとともに、ウエハとブラシとの当接部分に純水などの処理液を供給しつつ、ウエハおよびブラシをそれぞれの中心軸線まわりに回転させることにより、ウエハの周縁部に付着している汚染物質を除去する構成が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
この発明によれば、制御手段が第1移動手段を制御することにより、基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシである硬質ブラシを、基板保持手段に保持された基板の周縁部に当接させることができる。さらに、制御手段が相対移動手段を制御することにより、基板の周縁部と硬質ブラシとの当接状態が保持された状態で、基板の周縁部と硬質ブラシとを相対移動させて、硬質ブラシによって基板の周縁部を洗浄する第1洗浄工程を行うことができる。同様に、制御手段が第2移動手段および相対移動手段を制御することにより、基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシであって硬質ブラシよりも軟らかい軟質ブラシによって基板の周縁部を洗浄する第2洗浄工程を行うことができる。
この発明によれば、基板の周縁部における同一の領域に対して、第1洗浄工程が終了された後に第2洗浄工程が終了される。すなわち、硬質ブラシによって除去されなかった汚染物質などを軟質ブラシよって除去する仕上げ洗浄によって前記同一の領域に対する洗浄が終了される。したがって、たとえば、第1および第2洗浄工程を同時に終了させた場合や、第2洗浄工程を先に終了させた場合に比べて、基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる。
この発明によれば、軟質ブラシよりも硬い粒子が硬質ブラシに保持されているので、この粒子によって、基板の周縁部に付着している汚染物質を良好に剥離させることができる。そして、この剥離された汚染物質を硬質ブラシおよび軟質ブラシによって除去することで、基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる。
この発明によれば、硬質ブラシが軟質ブラシよりも圧縮弾性率の高いスポンジブラシを含むので、軟質ブラシに比べて、基板の周縁部に付着している汚染物質を良好に剥離させることができる。
この基板処理装置1は、基板の一例としての半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)を1枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置1は、隔壁で区画された処理室2内に、ウエハWを水平に保持して回転させるスピンチャック3(基板保持手段)と、ウエハWの表面(本実施形態では上面)および裏面(本実施形態では下面)にそれぞれ処理液を供給するための表面ノズル4および裏面ノズル5と、ウエハWの周縁部を洗浄するための第1ブラシ機構6および第2ブラシ機構7とを備えている。ウエハWの周縁部とは、表面の周縁領域8、裏面の周縁領域9および周端面10を含む部分をいう。また、周縁領域8,9とは、たとえば、ウエハWの周端縁から幅数ミリメートル程度の環状の領域をいう。
第1および第2ブラシ機構6,7は、それぞれ、ウエハWの周縁部を洗浄するための互いに硬さの異なる第1ブラシ17(硬質ブラシ)および第2ブラシ18(軟質ブラシ)を備えている。第1ブラシ17は、たとえば、弾性変形可能な硬質の多孔質材料からなる合成樹脂製の母材と、この母材の外表面を含む範囲に保持された多数の砥粒とを有している。具体的には、たとえば、PU(ポリウレタン)製の圧縮弾性率が高い(たとえば、0.3Mpa以上)のスポンジブラシが第1ブラシ17の母材として用いられ、このPU製の母材の外表面を含む範囲に、粒径が2μm程度の多数のシリカ粒子が溶融結合されている。また、第2ブラシ18は、第1ブラシ17よりも軟質であり、たとえば、合成樹脂製の弾性変形可能な軟質の多孔質材料からなる。具体的には、PVA(ポリビニルアルコール)製の圧縮弾性率が低い(たとえば、0.01Mpa程度)スポンジブラシが第2ブラシ18として用いられている。
揺動アーム19aの先端部には、鉛直方向に延びる回転軸21a(回転軸21b)が回転可能に設けられており、回転軸21aの下端部は揺動アーム19aの先端部から下方に突出している。回転軸21aの下端部には、ホルダ取付部22a(ホルダ取付部22b)を介してブラシホルダ23a(ブラシホルダ23b)が取り付けられている。第1ブラシ17は、このブラシホルダ23aによって保持されている。回転軸21aには、揺動アーム19aの内部において、第1ブラシ17を自転させるためのブラシ自転機構24a(ブラシ自転機構24b)が結合されており、このブラシ自転機構24aの駆動力が回転軸21aに入力されることにより、第1ブラシ17が自転するようになっている。
ホルダ取付部22aは、円環状をなす板状の上壁部27a(上壁部27b)と、この上壁部27aに一体的に結合され、上壁部27aの周縁から下方に向けて延びる円筒状の側壁部28a(側壁部28b)とを備えている。回転軸21aは、上壁部27aを挿通しており、当該上壁部27aに固定されている。また、側壁部28aの内周面には、雌ねじ部29a(雌ねじ部29b)が形成されている。ブラシホルダ23aには、その上端部に雄ねじ部33a(雄ねじ部33b)が形成されており、この雄ねじ部33aが雌ねじ部29aにねじ込まれることにより、ブラシホルダ23aがホルダ取付部22aに取り付けられている。
基板処理装置1は、マイクロコンピュータを含む制御部43(制御手段)を備えている。この制御部43には、使用者によって処理レシピ(ウエハWの処理のための各種条件)を入力するためのレシピ入力キー44が接続されている。制御部43には、スピンモータ13、昇降駆動機構25a,25b、揺動駆動機構26a,26b、ブラシ自転機構24a,24b、処理液バルブ16などが制御対象として接続されている。
除去率とは、洗浄前のパーティクル数に対する除去されたパーティクル数(「洗浄前のパーティクル数」−「洗浄後のパーティクル数」)の割合である。たとえば、洗浄前のパーティクル数が1000個であり、洗浄後のパーティクル数が200個である場合には、除去率が80%となる。
図6は、第1ブラシ17および第2ブラシ18の両方を用いたウエハWの処理の一例を説明するための工程図である。また、図7は、ウエハWの周縁部に対する第1および第2ブラシ17,18の当接状態と時間との関係を示すグラフである。図8は、ウエハWの処理中における第1および第2ブラシ17,18の側面図である。
処理室2内にウエハWが搬入され、そのウエハWがスピンチャック3に保持されると(ステップS1)、制御部43によりスピンモータ13が制御されて、スピンチャック3によるウエハWの回転が開始される(ステップS2)。次いで、制御部43により処理液バルブ16が開かれて、表面ノズル4および裏面ノズル5からそれぞれウエハWの表面および裏面への処理液の供給が開始される(ステップS3)。
図7に示すように、第2ブラシ18によるウエハWの裏面側への洗浄時間は、第1ブラシ17によるウエハWの裏面側への洗浄時間とほぼ同じにされている。また、図7に示すように、第2ブラシ18によるウエハWの裏面側への洗浄は、第1ブラシ17によるウエハWの表面側への洗浄と終始並行して行われている。
さらに本実施形態では、ウエハWの周縁部における同一の領域に対して、第1洗浄工程が終了された後に第2洗浄工程が終了されるので、第2ブラシ18よる仕上げ洗浄を最後に行うことができる。これにより、たとえば第1ブラシ17から落ちてウエハWに付着した汚染物質などを良好に除去して、ウエハWの清浄度を高めることができる。
また、前述の実施形態では、処理対象となる基板としてウエハWを取り上げたが、ウエハWに限らず、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。
3 スピンチャック(基板保持手段)
8 周縁領域
9 周縁領域
13 スピンモータ(相対移動手段)
17 第1ブラシ(硬質ブラシ)
18 第2ブラシ(軟質ブラシ)
25a 昇降駆動機構(第1移動手段)
25b 昇降駆動機構(第2移動手段)
26a 揺動駆動機構(第1移動手段)
26b 揺動駆動機構(第2移動手段)
43 制御部(制御手段)
W ウエハ(基板)
Claims (6)
- 基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシであって、互いに硬さの異なる硬質ブラシおよび軟質ブラシと、
前記硬質ブラシを移動させて、前記基板保持手段に保持された基板の周縁部に前記硬質ブラシを当接させる第1移動手段と、
前記軟質ブラシを移動させて、前記基板保持手段に保持された基板の周縁部に前記軟質ブラシを当接させる第2移動手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の周縁部と当該基板の周縁部に当接された前記硬質ブラシおよび/または軟質ブラシとを当該当接状態を保持して相対移動させる相対移動手段と、
前記第1移動手段および相対移動手段を制御することにより、前記硬質ブラシによって前記基板保持手段に保持された基板の周縁部を洗浄する第1洗浄工程と、前記第2移動手段および相対移動手段を制御することにより、前記軟質ブラシによって前記基板保持手段に保持された基板の周縁部を洗浄する第2洗浄工程とを行わせる制御手段とを含む、基板処理装置。 - 前記制御手段は、第1および第2移動手段ならびに相対移動手段を制御して、基板の周縁部における同一の領域に対して、前記第1洗浄工程を終了させた後に前記第2洗浄工程を終了させるものである、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記硬質ブラシおよび軟質ブラシは、それぞれ、基板の一方面および他方面の両面の周縁領域を洗浄できるものであり、
前記制御手段は、第1および第2移動手段ならびに相対移動手段を制御して、前記硬質ブラシおよび軟質ブラシを、それぞれ、前記一方面の周縁領域および前記他方面の周縁領域に同時に当接させて、前記一方面に対する第1洗浄工程と、前記他方面に対する第2洗浄工程とを同時に行わせるものである、請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記硬質ブラシは、前記軟質ブラシよりも硬い粒子が保持されたブラシを含む、請求項1〜3の何れか1項に記載の基板処理装置。
- 前記軟質ブラシは、スポンジブラシを含み、
前記硬質ブラシは、前記軟質ブラシよりも圧縮弾性率の高いスポンジブラシを含む、請求項1〜4の何れか1項に記載の基板処理装置。 - 基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシである硬質ブラシを基板の周縁部に当接させて当該周縁部を洗浄する第1洗浄工程と、
基板の周縁部を洗浄するための周縁洗浄ブラシであって前記硬質ブラシよりも軟質の軟質ブラシを前記基板の周縁部に当接させて当該周縁部を洗浄する第2洗浄工程とを含む、基板処理方法。
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