JP2018046109A - 基板洗浄装置、基板処理装置および基板洗浄方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の洗浄具の動作について煩雑な設定作業が不要でかつスループットの低下を抑制しつつ基板の清浄度を向上させることが可能な基板洗浄装置、基板処理装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】回転される基板Ｗが研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂにより洗浄される。研磨ヘッドｐｈが第１の経路ｐｔ１に沿って移動することにより第１の軌跡ｌｃ１が形成される。洗浄ブラシｃｂが第２の経路ｐｔ２に沿って移動することにより第２の軌跡ｌｃ２が形成される。第１および第２の経路ｐｔ１，ｐｔ２の重複領域が干渉領域ｉｆとして規定される。研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから外周端部ＷＥに向かって移動するとともに、研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れたか否かが判定される。研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れたと判定された時点で、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥから中心ＷＣに向かう移動を開始する。
【選択図】図６

Description

本発明は、基板の洗浄を行う基板洗浄装置、基板処理装置および基板洗浄方法に関する。

半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板上にレジスト液等の塗布液が供給されることにより塗布膜が形成される。塗布膜が露光された後、現像されることにより、塗布膜に所定のパターンが形成される。塗布膜が露光される前の基板には、洗浄処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１には、洗浄／乾燥処理ユニットを有する基板処理装置が記載されている。洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、スピンチャックにより基板が水平に保持された状態で回転される。この状態で、基板の表面に洗浄液が供給されることにより、基板の表面に付着する塵埃等が洗い流される。また、基板の裏面の全体および外周端部が洗浄液および洗浄ブラシで洗浄されることにより、基板の裏面の全体および外周端部に付着する汚染物が取り除かれる。

特開２００９−１２３８００号公報 特開平１０−４０７２号公報

基板に形成されるパターンをより微細化するために基板の裏面のより高い清浄度が求められる。スループットの低下を抑制しつつ基板の裏面の清浄度を向上させるために、複数の洗浄ブラシを同時に使用して基板の裏面を洗浄することが考えられる。

複数の洗浄ブラシを用いた基板の洗浄方法の一例として、特許文献２には、２つの洗浄ブラシを基板の回転中心と基板の周縁部との間でそれぞれ往復運動させつつ基板の表面を洗浄することが記載されている。この洗浄方法においては、基板の表面の洗浄が行われる前に、予め使用者により２つの洗浄ブラシについてそれぞれの動作パターンが作成される。

使用者により動作パターンが作成されると、生成された動作パターンに従って２つの洗浄ブラシが動作したと仮定した上で、２つの洗浄ブラシが互いに干渉するか否かが判定される。２つの洗浄ブラシが互いに干渉すると判定された場合には、使用者に動作パターンの再作成が要求される。使用者は、２つの洗浄ブラシが互いに干渉しないと判定されるまで、動作パターンの作成を繰り返す必要がある。このような動作パターンの作成は煩雑である。

動作パターンを用いることなく２つの洗浄ブラシで基板を洗浄するために、一方のブラシで基板を洗浄する間に他方のブラシを基板の外方の位置に待機させ、他方のブラシで基板を洗浄する間に一方のブラシを基板の外方の位置に待機させる方法が考えられる。しかしながら、この洗浄方法では、基板処理のスループットが低下する。

本発明の目的は、複数の洗浄具の動作について煩雑な設定作業が不要でかつスループットの低下を抑制しつつ基板の清浄度を向上させることが可能な基板洗浄装置、基板処理装置および基板洗浄方法を提供することである。

（１）本発明に係る基板洗浄装置は、基板を保持して回転させる回転保持部と、基板の一面に接触可能に構成された第１および第２の洗浄具と、第１の洗浄具を回転保持部により回転される基板の一面に接触させつつ基板の中心と基板の外周部とを結ぶ第１の経路に沿って移動させる第１の移動部と、第２の洗浄具を回転保持部により回転される基板の一面に接触させつつ基板の中心と基板の外周部とを結ぶ第２の経路に沿って移動させる第２の移動部と、基板の中心から基板の外周部に向かって移動する第１の洗浄具が、第１の経路に沿った第１の洗浄具の軌跡と第２の経路に沿った第２の洗浄具の軌跡とが重複する干渉領域から外れる時点における第１の洗浄具の位置を示す位置情報を予め記憶する記憶部と、第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動するように第１の移動部を制御し、位置情報に基づいて第１の洗浄具が干渉領域から外れたか否かを判定し、第１の洗浄具が干渉領域から外れたと判定した時点で、第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かう移動を開始するように第２の移動部を制御する制御部とを備える。

その基板洗浄装置においては、回転される基板の一面に第１の洗浄具が接触されつつ第１の洗浄具が第１の経路に沿って移動し、回転される基板の一面に第２の洗浄具が接触されつつ第２の洗浄具が第２の経路に沿って移動する。それにより、基板が第１および第２の洗浄具により洗浄される。

第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動されるとともに、第１の洗浄具が干渉領域から外れたか否かが判定される。第１の洗浄具が干渉領域から外れたと判定された時点で基板の外周部から基板の中心に向かう第２の洗浄具の移動が開始される。この場合、第１の洗浄具が干渉領域から外れているので、第１および第２の洗浄具が同時に移動しても第１の洗浄具と第２の洗浄具とは干渉しない。したがって、第１および第２の洗浄具の移動について煩雑な設定作業を要することなく、第１の洗浄具と第２の洗浄具との干渉を防止することができる。

また、上記の構成によれば、第１の洗浄具が基板の外周部に到達する前に第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心への移動を開始するので、第１の洗浄具が外周部への移動を開始してから第２の洗浄具が基板の中心に到達するまでの時間を短縮することができる。したがって、第１の洗浄具による基板の洗浄後または洗浄中に、第２の洗浄具による基板の洗浄を迅速に行うことができる。

これらの結果、第１および第２の洗浄具の移動について干渉を防止するための煩雑な設定作業が不要でかつスループットの低下を抑制しつつ基板の清浄度を向上させることが可能になる。

（２）第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かって移動する速度は、第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する速度よりも高くてもよい。

この場合、第１の洗浄具が干渉領域から外れた時点から短時間で第２の洗浄具を基板の中心に移動させることができる。

（３）制御部は、第１の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かって移動する間に第１の洗浄具が基板の一面から離間し、第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する間に第１の洗浄具が基板の一面に接触するように第１の移動部を制御し、第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かって移動する間に第２の洗浄具が基板の一面から離間し、第２の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する間に第２の洗浄具が基板の一面に接触するように第２の移動部を制御してもよい。

この場合、第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する間に基板の一面が第１の洗浄具により洗浄される。第１の洗浄具による基板の一面の洗浄時に、第１の洗浄具により除去された汚染物は、遠心力により基板の外周部に向かって流れる。それにより、除去された汚染物が第１の洗浄具よりも基板の中心側に回り込むことが防止される。

第２の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する間に基板の一面が第２の洗浄具により洗浄される。第２の洗浄具による基板の一面の洗浄時に、第２の洗浄具により除去された汚染物は、遠心力により基板の外周部に向かって流れる。それにより、除去された汚染物が第２の洗浄具よりも基板の中心側に回り込むことが防止される。

これらの結果、第１および第２の洗浄具による洗浄後の基板の清浄度がより向上する。

（４）第１の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かって移動する速度は、第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する速度よりも高く、第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かって移動する速度は、第２の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する速度よりも高くてもよい。

この場合、基板の外周部に位置する第１および第２の洗浄具を短時間で基板の中心に移動させることができる。

（５）第１の洗浄具は、研磨具であり、第２の洗浄具は、ブラシであってもよい。

この場合、研磨具による基板の一面の研磨後に、ブラシにより基板の一面が洗浄される。それにより、基板の一面の研磨により発生する汚染物が除去される。したがって、基板の清浄度がさらに向上する。

（６）制御部は、第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かうときの第１の移動速度と第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かうときの第２の移動速度とを予め比較し、第１の移動速度が第２の移動速度以上である場合に、第１の洗浄具が干渉領域から外れたか否かの判定を行わずに、第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かう移動と、第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かう移動とを同時に開始するように第１および第２の移動部を制御してもよい。

第１の移動速度が第２の移動速度以上である場合には、第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かう移動と、第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かう移動とを同時に開始しても、第１および第２の洗浄具は互いに干渉しない。それにより、基板の外周部から基板の中心に向かう第２の洗浄具の移動をより早い時点で開始させることができる。したがって、基板の中心から基板の外周部への第１の洗浄具の移動が開始された時点からより短時間で第２の洗浄具を基板の中心に移動させることができる。

（７）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板の上面に感光性膜を塗布する塗布装置と、上記の基板洗浄装置と、塗布装置、基板洗浄装置および露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備え、基板洗浄装置は、露光装置による基板の露光処理前に基板の一面としての下面の汚染を除去する。

その基板処理装置においては、露光処理前の基板の下面の汚染が上記の基板洗浄装置により除去される。上記の基板洗浄装置によれば、第１および第２の洗浄具の移動について煩雑な設定作業が不要でかつスループットの低下を抑制しつつ基板の清浄度を向上させることが可能である。その結果、基板の製造コストを増大させることなく基板の下面の汚染に起因する基板の処理不良の発生が抑制される。

（８）本発明に係る基板洗浄方法は、基板を保持して回転させるステップと、第１の洗浄具を回転される基板の一面に接触させつつ基板の中心と基板の外周部とを結ぶ第１の経路に沿って移動させるステップと、第２の洗浄具を回転される基板の一面に接触させつつ基板の中心と基板の外周部とを結ぶ第２の経路に沿って移動させるステップと、基板の中心から基板の外周部に向かって移動する第１の洗浄具が、第１の経路に沿った第１の洗浄具の軌跡と第２の経路に沿った第２の洗浄具の軌跡とが重複する干渉領域から外れる時点における第１の洗浄具の位置を示す位置情報を予め記憶するステップとを含み、第１の洗浄具を第１の経路に沿って移動させるステップは、第１の洗浄具を基板の中心から基板の外周部に向かって移動させるステップと、位置情報に基づいて第１の洗浄具が干渉領域から外れたか否かを判定するステップとを含み、第２の洗浄具を第２の経路に沿って移動させるステップは、判定するステップにより第１の洗浄具が干渉領域から外れたと判定された時点で基板の外周部から基板の中心に向かう第２の洗浄具の移動を開始させるステップを含む。

その基板洗浄方法においては、回転される基板の一面に第１の洗浄具が接触されつつ第１の洗浄具が第１の経路に沿って移動し、回転される基板の一面に第２の洗浄具が接触されつつ第２の洗浄具が第２の経路に沿って移動する。それにより、基板が第１および第２の洗浄具により洗浄される。

第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動されるとともに、第１の洗浄具が干渉領域から外れたか否かが判定される。第１の洗浄具が干渉領域から外れたと判定された時点で基板の外周部から基板の中心に向かう第２の洗浄具の移動が開始される。この場合、第１の洗浄具が干渉領域から外れているので、第１および第２の洗浄具が同時に移動しても第１の洗浄具と第２の洗浄具とは干渉しない。したがって、第１および第２の洗浄具の移動について煩雑な設定作業を要することなく、第１の洗浄具と第２の洗浄具との干渉を防止することができる。

また、上記の構成によれば、第１の洗浄具が基板の外周部に到達する前に第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心への移動を開始するので、第１の洗浄具が外周部への移動を開始してから第２の洗浄具が基板の中心に到達するまでの時間を短縮することができる。したがって、第１の洗浄具による基板の洗浄後または洗浄中に、第２の洗浄具による基板の洗浄を迅速に行うことができる。

これらの結果、第１および第２の洗浄具の移動について干渉を防止するための煩雑な設定作業が不要でかつスループットの低下を抑制しつつ基板の清浄度を向上させることが可能になる。

本発明によれば、複数の洗浄具の動作について煩雑な設定作業が不要でかつスループットの低下を抑制しつつ基板の清浄度を向上させることが可能になる。

本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の概略構成を示す模式的平面図である。 図１の基板研磨部の構成を示す模式的側面図である。 図１のスピンチャックおよびその周辺部材の構成を説明するための概略側面図である。 図１のスピンチャックおよびその周辺部材の構成を説明するための概略平面図である。 図１の基板洗浄装置の制御系統の構成の一部を示すブロック図である。 干渉領域および位置情報を説明するための平面図である。 研磨洗浄およびブラシ洗浄を行う際の洗浄コントローラの制御動作を示すフローチャートである。 図７の一連の処理に対応して変化する基板研磨部および基板洗浄部の状態を示す図である。 図１の基板洗浄装置を備えた基板処理装置の模式的平面図である。 主として図９の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。 主として図９の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。 主として図９の搬送部を示す側面図である。 他の実施の形態に係る洗浄コントローラの制御動作を示すフローチャートである。 図１３の制御例に従って基板研磨部および基板洗浄部を制御するときのアームの動作の一例を示す図である。 図１３の制御例に従って基板研磨部および基板洗浄部を制御するときのアームの動作の他の例を示す図である。

以下、本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置、基板処理装置および基板洗浄方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、基板の上面とは上方に向けられた基板の面をいい、基板の下面とは下方に向けられた基板の面をいう。

本発明においては、基板の汚染とは、基板が汚染物、吸着痕または接触痕等により汚れている状態をいう。また、本発明においては、基板の洗浄には、研磨具を用いて基板の一面を研磨することにより汚染を除去する洗浄と、ブラシを用いて基板の一面を研磨することなく汚染を除去する洗浄とが含まれる。以下の説明では、研磨具を用いた基板の洗浄を研磨洗浄と呼び、ブラシを用いた基板の洗浄をブラシ洗浄と呼ぶ。

［１］基板洗浄装置
図１は本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の概略構成を示す模式的平面図である。

図１〜図３に示すように、基板洗浄装置７００は、スピンチャック２００、ガード機構３００、複数（本例では３つ）の受け渡し機構３５０、基板研磨部４００、基板洗浄部５００、筐体７１０および洗浄コントローラ７８０を含む。

筐体７１０は、４つの側壁７１１，７１２，７１３，７１４、天井部（図示せず）および底面部７１６を有する。側壁７１１，７１３が互いに対向するとともに、側壁７１１，７１３が互いに対向する。側壁７１１には、筐体７１０の内部と外部との間で基板Ｗを搬入および搬出するための図示しない開口が形成されている。

以下の説明においては、筐体７１０の内部から側壁７１１を通して筐体７１０の外方に向く方向を基板洗浄装置７００の前方と呼び、筐体７１０の内部から側壁７１３を通して筐体７１０の外方に向く方向を基板洗浄装置７００の後方と呼ぶ。また、筐体７１０の内部から側壁７１２を通して筐体７１０の外方に向く方向を基板洗浄装置７００の左方と呼び、筐体７１０の内部から側壁７１４を通して筐体７１０の外方に向く方向を基板洗浄装置７００の右方と呼ぶ。

筐体７１０の内部においては、中央部上方の位置にスピンチャック２００が設けられている。スピンチャック２００は、基板Ｗを水平姿勢で保持して回転させる。図１では、スピンチャック２００により保持される基板Ｗが太い二点鎖線で示される。スピンチャック２００は配管を介して図示しない流体供給系に接続される。流体供給系は、スピンチャック２００の後述する液供給管２１５（図３）に洗浄液を供給する。本実施の形態では、洗浄液として純水が用いられる。

スピンチャック２００の下方には、ガード機構３００および３つの受け渡し機構３５０が設けられている。ガード機構３００は、ガード３１０およびガード昇降駆動部３２０を含む。

ガード機構３００および複数の受け渡し機構３５０よりも左方に基板研磨部４００が設けられている。基板研磨部４００は、研磨洗浄に用いられ、スピンチャック２００により回転される基板Ｗの下面を研磨することにより基板Ｗの下面の汚染を除去する。基板研磨部４００は、アーム４１０およびアーム支持柱４２０を含む。アーム支持柱４２０は、後方の側壁７１３の近傍で上下方向に延びる。アーム４１０は、その一端部がアーム支持柱４２０の内部で昇降可能かつ回転可能に支持された状態で、アーム支持柱４２０から水平方向に延びる。

アーム４１０の他端部には、スピンチャック２００により保持される基板Ｗの下面を研磨する研磨ヘッドｐｈが取り付けられている。研磨ヘッドｐｈは、円柱形状を有し、例えば砥粒が分散されたＰＶＡ（ポリビニールアルコール）スポンジにより形成される。アーム４１０の内部には、研磨ヘッドｐｈをその軸心の周りで回転させる駆動系が設けられている。駆動系の詳細は後述する。研磨ヘッドｐｈの外径は、基板Ｗの直径よりも小さく設定される。基板Ｗの直径が３００ｍｍである場合に、研磨ヘッドｐｈの外径は例えば２０ｍｍ程度に設定される。

研磨ヘッドｐｈの近傍におけるアーム４１０の部分にノズル４１０Ｎが取り付けられている。ノズル４１０Ｎは配管を介して図示しない流体供給系に接続される。流体供給系は、ノズル４１０Ｎに洗浄液を供給する。ノズル４１０Ｎの吐出口は研磨ヘッドｐｈの上端面（研磨面）周辺に向けられる。

研磨ヘッドｐｈによる研磨洗浄が行われない待機状態で、アーム４１０は、基板洗浄装置７００の前後方向に延びるようにアーム支持柱４２０に支持される。このとき、研磨ヘッドｐｈはスピンチャック２００により保持される基板Ｗの外方（左方）でかつその基板Ｗよりも下方に位置する。このように、アーム４１０が前後方向に延びる状態で研磨ヘッドｐｈが配置される位置をヘッド待機位置ｐ１と呼ぶ。図１ではヘッド待機位置ｐ１が二点鎖線で示される。

研磨ヘッドｐｈによる研磨洗浄が行われる際には、アーム４１０がアーム支持柱４２０の中心軸４０９を基準として回転する。それにより、基板Ｗよりも下方の高さで、図１に太い矢印ａ１で示すように、研磨ヘッドｐｈがスピンチャック２００により保持される基板Ｗの中心に対向する位置とヘッド待機位置ｐ１との間を移動する。また、研磨ヘッドｐｈの上端面（研磨面）が基板Ｗの下面に接触するように、アーム４１０の高さが調整される。

本実施の形態においては、水平面内で、研磨ヘッドｐｈがヘッド待機位置ｐ１にあるときにアーム４１０が延びる方向を基準として、ヘッド待機位置ｐ１からスピンチャック２００により保持される基板Ｗの中心へ向かう方向にアーム５１０の回転角度θ１が定義される。

ガード機構３００および複数の受け渡し機構３５０よりも右方に基板洗浄部５００が設けられている。基板洗浄部５００は、ブラシ洗浄に用いられ、基板Ｗを研磨することなくスピンチャック２００により回転される基板Ｗの下面の汚染を除去する。基板洗浄部５００は、アーム５１０およびアーム支持柱５２０を含む。アーム支持柱５２０は、後方の側壁７１３の近傍で上下方向に延びる。アーム５１０は、その一端部がアーム支持柱５２０の内部で昇降可能かつ回転可能に支持された状態で、アーム支持柱５２０から水平方向に延びる。

アーム５１０の他端部には、スピンチャック２００により保持される基板Ｗの下面を洗浄する洗浄ブラシｃｂが取り付けられている。洗浄ブラシｃｂは、円柱形状を有し、例えばＰＶＡスポンジにより形成される。アーム５１０の内部には、洗浄ブラシｃｂをその軸心の周りで回転させる駆動系が設けられている。駆動系の詳細は後述する。洗浄ブラシｃｂの外径は、基板Ｗの直径よりも小さく設定される。本例では、洗浄ブラシｃｂの外径は研磨ヘッドｐｈの外径と等しい。なお、洗浄ブラシｃｂの外径と研磨ヘッドｐｈの外径とは互いに異なる大きさに設定されてもよい。

洗浄ブラシｃｂの近傍におけるアーム５１０の部分にノズル５１０Ｎが取り付けられている。ノズル５１０Ｎは配管を介して図示しない流体供給系に接続される。流体供給系は、ノズル５１０Ｎに洗浄液を供給する。ノズル５１０Ｎの吐出口は洗浄ブラシｃｂの上端面（洗浄面）周辺に向けられる。

洗浄ブラシｃｂによるブラシ洗浄が行われない待機状態で、アーム５１０は、基板洗浄装置７００の前後方向に延びるようにアーム支持柱５２０に支持される。このとき、洗浄ブラシｃｂはスピンチャック２００により保持される基板Ｗの外方（右方）でかつその基板Ｗよりも下方に位置する。このように、アーム５１０が前後方向に延びる状態で洗浄ブラシｃｂが配置される位置をブラシ待機位置ｐ２と呼ぶ。図１ではブラシ待機位置ｐ２が二点鎖線で示される。

洗浄ブラシｃｂによるブラシ洗浄が行われる際には、アーム５１０がアーム支持柱５２０の中心軸５０９を基準として回転する。それにより、基板Ｗよりも下方の高さで、図１に太い矢印ａ２で示すように、洗浄ブラシｃｂがスピンチャック２００により保持される基板Ｗの中心に対向する位置とブラシ待機位置ｐ２との間を移動する。また、洗浄ブラシｃｂの上端面（洗浄面）が基板Ｗの下面に接触するように、アーム５１０の高さが調整される。

本実施の形態においては、水平面内で、洗浄ブラシｃｂがブラシ待機位置ｐ２にあるときにアーム５１０が延びる方向を基準として、ブラシ待機位置ｐ２からスピンチャック２００により保持される基板Ｗの中心に向かう方向にアーム５１０の回転角度θ２が定義される。

洗浄コントローラ７８０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）およびＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）等を含む。ＲＯＭには、制御プログラムが記憶される。ＣＰＵはＲＯＭに記憶された制御プログラムをＲＡＭを用いて実行することにより基板洗浄装置７００の各部の動作を制御する。

ここで、図１の基板洗浄装置７００においては、研磨ヘッドｐｈと洗浄ブラシｃｂとが干渉する可能性のある領域が干渉領域ｉｆ（図６）として定義される。干渉領域ｉｆの詳細は後述する。

洗浄コントローラ７８０のＲＯＭまたはＲＡＭには、上記の干渉領域ｉｆに対応して定められる位置情報と研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂの移動速度を示す速度情報とが記憶される。位置情報および速度情報の詳細は後述する。位置情報および速度情報は、基板洗浄装置７００の使用者により設定される。例えば、位置情報および速度情報は、使用者が図示しない操作部を操作することにより生成され、洗浄コントローラ７８０の後述する位置情報記憶部７８５（図５）および速度情報記憶部７８６（図５）に記憶される。

［２］基板研磨部および基板洗浄部の詳細
図１の基板研磨部４００および基板洗浄部５００は、アーム４１０，５１０の他端部に設けられる部材（研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂ）が異なる点を除いて基本的に同じ構成を有する。そこで、基板研磨部４００および基板洗浄部５００のうち、代表して基板研磨部４００の構成を説明する。

図２は、図１の基板研磨部４００の構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、アーム４１０は、一体的に接続されたアーム一端部４１１、アーム本体部４１２およびアーム他端部４１３を含む。アーム支持柱４２０の内部には、アーム４１０のアーム一端部４１１を昇降可能に支持するアーム昇降駆動部４３０が設けられている。また、アーム支持柱４２０の内部には、アーム４１０およびアーム昇降駆動部４３０をアーム支持柱４２０の軸心の周りで回転可能に支持するアーム回転駆動部４４０が設けられている。

アーム一端部４１１の内部には、プーリ４１７およびモータ４１８が設けられている。プーリ４１７は、モータ４１８の回転軸に接続されている。また、アーム他端部４１３の内部には、回転支持軸４１４およびプーリ４１５が設けられている。研磨ヘッドｐｈは、回転支持軸４１４の上端部に取り付けられている。プーリ４１５は、回転支持軸４１４の下端部に取り付けられている。さらに、アーム本体部４１２の内部には、２つのプーリ４１５，４１７を接続するベルト４１６が設けられている。図１の洗浄コントローラ７８０の制御に基づいてモータ４１８が動作する。この場合、モータ４１８の回転力がプーリ４１７、ベルト４１６、プーリ４１５および回転支持軸４１４を通して研磨ヘッドｐｈに伝達される。それにより、研磨ヘッドｐｈが上下方向の軸の周りで回転する。

アーム昇降駆動部４３０は、鉛直方向に延びるリニアガイド４３１、エアシリンダ４３２および電空レギュレータ４３３を含む。リニアガイド４３１には、アーム一端部４１１が昇降可能に取り付けられている。この状態で、アーム一端部４１１がエアシリンダ４３２に接続されている。

エアシリンダ４３２は、電空レギュレータ４３３を通して空気が供給されることにより鉛直方向に伸縮可能に設けられている。電空レギュレータ４３３は、図１の洗浄コントローラ７８０により制御される電気制御式のレギュレータである。電空レギュレータ４３３からエアシリンダ４３２に与えられる空気の圧力に応じてエアシリンダ４３２の長さが変化する。それにより、アーム一端部４１１がエアシリンダ４３２の長さに応じた高さに移動する。

アーム回転駆動部４４０は、例えばモータおよび複数のギア等を含み、図１の洗浄コントローラ７８０により制御される。アーム支持柱４２０には、さらにアーム４１０の回転角度θ１（図１）を検出するためのエンコーダ４４１が設けられている。エンコーダ４４１は、研磨ヘッドｐｈがヘッド待機位置ｐ１にあるときのアーム４１０の延びる方向を基準としてアーム４１０の回転角度θ１を検出し、検出結果を示す信号を図１の洗浄コントローラ７８０に与える。それにより、アーム４１０の回転角度θ１がフィードバック制御される。

なお、基板洗浄部５００は、上記のエンコーダ４４１に対応するエンコーダを含む。この場合、基板洗浄部５００のエンコーダは、洗浄ブラシｃｂがブラシ待機位置ｐ２（図１）にあるときのアーム５１０の延びる方向を基準としてアーム５１０の回転角度θ２（図１）を検出し、検出結果を示す信号を図１の洗浄コントローラ７８０に与える。それにより、アーム５１０の回転角度θ２がフィードバック制御される。

［３］スピンチャック、ガード機構および複数の基板受け渡し機構の詳細
図３は図１のスピンチャック２００およびその周辺部材の構成を説明するための概略側面図であり、図４は図１のスピンチャック２００およびその周辺部材の構成を説明するための概略平面図である。図３および図４では、スピンチャック２００により保持される基板Ｗが太い二点鎖線で示される。

図３および図４に示すように、スピンチャック２００は、スピンモータ２１１、円板状のスピンプレート２１３、プレート支持部材２１４、４つのマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂ、４つのマグネット昇降機構２３３Ａ，２３３Ｂ，２３４Ａ，２３４Ｂおよび複数のチャックピン２２０を含む。

スピンモータ２１１は、図１の筐体７１０内部の中央よりもやや上方の位置で図示しない支持部材によって支持されている。スピンモータ２１１は、下方に延びる回転軸２１２を有する。回転軸２１２の下端部にプレート支持部材２１４が取り付けられている。プレート支持部材２１４によりスピンプレート２１３が水平に支持されている。スピンモータ２１１が動作することにより回転軸２１２が回転し、スピンプレート２１３が鉛直軸の周りで回転する。

回転軸２１２およびプレート支持部材２１４には、液供給管２１５が挿通されている。液供給管２１５の一端は、プレート支持部材２１４の下端部よりも下方に突出する。液供給管２１５の他端は、図示しない流体供給系に接続される。スピンチャック２００により保持される基板Ｗの上面上に、流体供給系から液供給管２１５を通して洗浄液を吐出することができる。

複数のチャックピン２２０が、回転軸２１２に関して等角度間隔でスピンプレート２１３の周縁部に設けられる。本例では、８つのチャックピン２２０が、回転軸２１２に関して４５度間隔でスピンプレート２１３の周縁部に設けられる。各チャックピン２２０は、軸部２２１、ピン支持部２２２、保持部２２３およびマグネット２２４を含む。

軸部２２１は、スピンプレート２１３を垂直方向に貫通するように設けられる。ピン支持部２２２は、軸部２２１の下端部から水平方向に延びるように設けられる。保持部２２３は、ピン支持部２２２の先端部から下方に突出するように設けられる。また、スピンプレート２１３の上面側において、軸部２２１の上端部にマグネット２２４が取り付けられている。

各チャックピン２２０は、軸部２２１を中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部２２３が基板Ｗの外周端部に接触する閉状態と、保持部２２３が基板Ｗの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット２２４のＮ極が内側にある場合に各チャックピン２２０が閉状態となり、マグネット２２４のＳ極が内側にある場合に各チャックピン２２０が開状態となる。

スピンプレート２１３の上方には、図４に示すように、回転軸２１２を中心とする周方向に沿って並ぶように円弧状の４つのマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂが配置される。４つのマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂのうちマグネットプレート２３２Ａは、研磨ヘッドｐｈが移動する第１の経路ｐｔ１（後述する図６）の上方に位置する。また、マグネットプレート２３２Ｂは、洗浄ブラシｃｂが移動する第２の経路ｐｔ２（後述する図６）の上方に位置する。

マグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂの各々は、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネット昇降機構２３３Ａ，２３３Ｂ，２３４Ａ，２３４Ｂは、マグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂをそれぞれ昇降させる。これにより、マグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂは、チャックピン２２０のマグネット２２４よりも高い上方位置とチャックピン２２０のマグネット２２４とほぼ等しい高さの下方位置との間で独立に移動可能である。

マグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂの昇降により、各チャックピン２２０が開状態と閉状態とに切り替えられる。具体的には、各チャックピン２２０は、複数のマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂのうち、最も近接するマグネットプレートが上方位置にある場合に開状態となる。一方、各チャックピン２２０は、最も近接するマグネットプレートが下方位置にある場合に閉状態となる。

複数の受け渡し機構３５０は、スピンチャック２００の回転軸２１２を中心として等角度間隔でガード３１０の外方に配置される。各受け渡し機構３５０は、昇降回転駆動部３５１、回転軸３５２、アーム３５３および保持ピン３５４を含む。

回転軸３５２は、昇降回転駆動部３５１から上方に延びるように設けられる。アーム３５３は、回転軸３５２の上端部から水平方向に延びるように設けられる。保持ピン３５４は、基板Ｗの外周端部ＷＥを保持可能にアーム３５３の先端部に設けられる。

昇降回転駆動部３５１により、回転軸３５２が回転動作を行う。それにより、基板洗浄装置７００の外部に設けられる基板Ｗの搬送装置と複数の保持ピン３５４との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。また、昇降回転駆動部３５１により、回転軸３５２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、複数の保持ピン３５４とスピンチャック２００との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。

上記のように、ガード機構３００は、ガード３１０およびガード昇降駆動部３２０を含む。図３では、ガード３１０が縦断面図で示される。ガード３１０は、スピンチャック２００の回転軸２１２に関して回転対称な形状を有し、スピンチャック２００およびその下方の空間よりも外方に設けられる。

ガード昇降駆動部３２０は、ガード３１０を昇降可能に構成され、基板Ｗの洗浄および乾燥が行われていないときに、スピンチャック２００よりも下方の高さにガード３１０を保持する。一方、ガード昇降駆動部３２０は、基板Ｗの洗浄および乾燥が行われているときに、スピンチャック２００により保持される基板Ｗと同じ高さにガード３１０を保持する。それにより、ガード３１０は、基板Ｗの洗浄および乾燥時に、基板Ｗから飛散する洗浄液を受け止める。

［４］基板洗浄装置の制御系
図５は図１の基板洗浄装置７００の制御系統の構成の一部を示すブロック図である。図５には、洗浄コントローラ７８０の機能的な構成の一部が示される。洗浄コントローラ７８０は、位置情報記憶部７８５、速度情報記憶部７８６、研磨洗浄制御部７９０およびブラシ洗浄制御部７９５を含む。図５の洗浄コントローラ７８０の各部の機能は、ＣＰＵが制御プログラムを実行することにより実現される。

位置情報記憶部７８５は、主として洗浄コントローラ７８０のＲＯＭまたはＲＡＭの一部で構成され、上記の位置情報を記憶する。速度情報記憶部７８６は、主として洗浄コントローラ７８０のＲＯＭまたはＲＡＭの一部で構成され、基板洗浄装置７００内で基板Ｗが洗浄される際の研磨ヘッドｐｈの移動速度および洗浄ブラシｃｂの移動速度を速度情報として記憶する。

以下の説明では、速度情報として記憶される研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂの移動速度のうち、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心から外周端部へ移動するときの移動速度を第１の移動速度と呼ぶ。また、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部から基板Ｗの中心へ移動するときの移動速度を第２の移動速度と呼ぶ。

研磨洗浄制御部７９０は、回転制御部７９１、昇降制御部７９２、アーム制御部７９３および位置判定部７９４を含む。回転制御部７９１は、基板研磨部４００のモータ４１８を制御することにより、研磨ヘッドｐｈ（図１）の回転速度を調整する。昇降制御部７９２は、基板研磨部４００の電空レギュレータ４３３を制御することにより研磨ヘッドｐｈ（図１）の高さを調整する。アーム制御部７９３は、図５の速度情報記憶部７８６に記憶された速度情報と基板研磨部４００のエンコーダ４４１からの信号とに基づいてアーム回転駆動部４４０を制御する。それにより、研磨ヘッドｐｈが第１の移動速度で後述する第１の経路ｐｔ１（図６）を移動する。

位置判定部７９４は、位置情報記憶部７８５に記憶された位置情報と基板研磨部４００のエンコーダ４４１からの信号とに基づいて、基板Ｗの中心から基板Ｗの外周端部へ移動する研磨ヘッドｐｈが後述する干渉領域ｉｆ（図６）から外れたか否かを判定する。また、位置判定部７９４は、判定結果をブラシ洗浄制御部７９５に与える。

ブラシ洗浄制御部７９５は、位置判定部７９４を含まない点を除いて基本的に研磨洗浄制御部７９０と同じ構成を有する。ブラシ洗浄制御部７９５は、研磨洗浄制御部７９０と基板研磨部４００との関係と同様に、基板洗浄部５００の各部の動作を制御する。それにより、洗浄ブラシｃｂが第２の移動速度で後述する第２の経路ｐｔ２（図６）を移動する。

また、ブラシ洗浄制御部７９５は、研磨洗浄制御部７９０の位置判定部７９４から与えられる判定結果に基づいて、研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆ（図６）から外れたときに、基板Ｗの外周端部から基板Ｗの中心への洗浄ブラシｃｂの移動を開始させる。この制御の詳細は後述する。

［５］基板洗浄装置による基板の下面の研磨洗浄およびブラシ洗浄
図１の基板洗浄装置７００においては、基板Ｗが筐体７１０内に搬入された後、スピンチャック２００により保持される基板Ｗの上面が洗浄される。基板Ｗの上面を洗浄する際には、スピンチャック２００の全てのチャックピン２２０により基板Ｗの外周端部が保持されつつ基板Ｗが回転される状態で、図３の液供給管２１５を通して基板Ｗの上面に洗浄液が供給される。洗浄液は遠心力によって基板Ｗの上面の全体に広がり、外方に飛散する。これにより、基板Ｗの上面に付着する塵埃等が洗い流される。その後、上記の位置情報および速度情報を用いて基板Ｗの下面の研磨洗浄および基板Ｗの下面のブラシ洗浄が実行される。

ここで、位置情報について説明する。図６は、干渉領域および位置情報を説明するための平面図である。図６では、基板研磨部４００および基板洗浄部５００が示されるとともに、図１のスピンチャック２００により保持される基板Ｗが仮想的に太い二点鎖線で示される。

図６に太い一点鎖線で示すように、回転される基板Ｗに対して基板研磨部４００の研磨ヘッドｐｈの中心が移動する第１の経路ｐｔ１が規定される。第１の経路ｐｔ１は、例えばアーム４１０の寸法等に応じて定まり、スピンチャック２００により回転される基板Ｗの中心ＷＣと外周端部ＷＥとを結ぶようにかつヘッド待機位置ｐ１の中心まで延びるように円弧状に延びている。研磨ヘッドｐｈの中心が第１の経路ｐｔ１に沿って移動することにより、図６に一点鎖線で示すように、研磨ヘッドｐｈの第１の軌跡ｌｃ１が形成される。

また、図６に太い点線で示すように、回転される基板Ｗに対して基板洗浄部５００の洗浄ブラシｃｂの中心が移動する第２の経路ｐｔ２が規定される。第２の経路ｐｔ２は、例えばアーム５１０の寸法等に応じて定まり、スピンチャック２００により回転される基板Ｗの中心ＷＣと外周端部ＷＥとを結ぶようにかつブラシ待機位置ｐ２の中心まで延びるように円弧状に延びている。洗浄ブラシｃｂの中心が第２の経路ｐｔ２に沿って移動することにより、図６に点線で示すように、洗浄ブラシｃｂの第２の軌跡ｌｃ２が形成される。

研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂのうちのいずれかが、第１の軌跡ｌｃ１と第２の軌跡ｌｃ２との重複領域に存在すると、基板研磨部４００および基板洗浄部５００の動作によっては研磨ヘッドｐｈと洗浄ブラシｃｂとが互いに干渉する可能性がある。そこで、太い実線とハッチングで示すように、第１の軌跡ｌｃ１と第２の軌跡ｌｃ２との重複領域を干渉領域ｉｆとして定義する。

上記のように、干渉領域ｉｆに対応して位置情報が定められる。位置情報は、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから基板Ｗの外周端部ＷＥに向かって移動することにより研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れる時点の研磨ヘッドｐｈの位置を示す情報である。本実施の形態においては、研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れる時点のアーム４１０の回転角度θ１が位置情報として設定される。

以下の説明においては、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥ上に位置するときのアーム４１０の回転角度θ１を「α」とし、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣ上に位置するときのアーム４１０の回転角度θ１を「γ」とする。また、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから外周端部ＷＥに向かって移動することにより研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れた時点のアーム４１０の回転角度θ１を「β」とする。この場合、「β」が位置情報として洗浄コントローラ７８０の位置情報記憶部７８５に記憶される。

位置情報は、研磨ヘッドｐｈの位置を特定することが可能な情報であればよい。したがって、位置情報として、アーム４１０の回転角度θ１以外のパラメータが用いられてもよい。例えば、図５のアーム回転駆動部４４０がパルスモータで構成される場合には、アーム４１０の回転角度θ１に代えてアーム回転駆動部４４０に与えられるパルスの数が位置情報として用いられてもよい。

ここで、基板研磨部４００および基板洗浄部５００は、スピンチャック２００により保持される基板Ｗの回転中心を通って前後方向に延びる鉛直面を基準として対称に配置される。そのため、本例では、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥ上に位置するときのアーム５１０の回転角度θ２が「α」となり、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの中心ＷＣ上に位置するときのアーム５１０の回転角度θ２が「γ」となる。また、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの中心ＷＣから外周端部ＷＥに向かって移動することにより洗浄ブラシｃｂが干渉領域ｉｆから外れた時点のアーム５１０の回転角度θ２が「β」となる。

位置情報を用いた基板Ｗの下面の研磨洗浄および基板Ｗの下面のブラシ洗浄の詳細を洗浄コントローラ７８０の動作とともに説明する。図７は研磨洗浄およびブラシ洗浄を行う際の洗浄コントローラ７８０の制御動作を示すフローチャートであり、図８は図７の一連の処理に対応して変化する基板研磨部４００および基板洗浄部５００の状態を示す図である。

図８（ａ）に、アーム４１０，５１０の回転角度θ１，θ２の変化がタイムチャートで示される。図８（ａ）のタイムチャートにおいては、太い実線がアーム４１０の回転角度θ１の変化を表し、太い一点鎖線がアーム５１０の回転角度θ２の変化を表す。図８（ｂ）〜（ｉ）に、図８（ａ）のタイムチャート上の複数の時点における基板研磨部４００および基板洗浄部５００のアーム４１０，５１０の状態が模式的な平面図で示される。また、図８（ｂ）〜（ｉ）の平面図では、基板Ｗが二点鎖線で仮想的に示される。

研磨洗浄およびブラシ洗浄を開始する図８の時点ｔ０では、スピンチャック２００により保持された基板Ｗが予め定められた速度で回転しているものとする。また、基板研磨部４００のノズル４１０Ｎおよび基板洗浄部５００のノズル５１０Ｎには、それぞれ洗浄液が供給されていないものとする。

さらに、図８（ｂ）に示すように、基板研磨部４００の研磨ヘッドｐｈおよび基板洗浄部５００の洗浄ブラシｃｂは、基板Ｗよりも下方の高さでそれぞれヘッド待機位置ｐ１およびブラシ待機位置ｐ２に位置する。このとき、アーム４１０の回転角度θ１は「０」であり、アーム５１０の回転角度θ２も「０」である。

まず、洗浄コントローラ７８０は、研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂを基板Ｗの外周端部ＷＥの下方の位置まで移動させる（ステップＳ１０１）。それにより、図８（ａ），（ｃ）に示すように、研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂがそれぞれ時点ｔ１で基板Ｗの外周端部ＷＥの下方の位置に到達する。このとき、アーム４１０の回転角度θ１は「α」であり、アーム５１０の回転角度θ２も「α」である。

次に、洗浄コントローラ７８０は、研磨ヘッドｐｈを基板Ｗの中心ＷＣに対向する位置までさらに移動させる（ステップＳ１０２）。この場合、洗浄ブラシｃｂは、基板Ｗの外周端部ＷＥの下方の位置で待機状態となる。それにより、図８（ａ），（ｃ），（ｄ）に示すように、時点ｔ１〜時点ｔ２にかけて、研磨ヘッドｐｈが洗浄ブラシｃｂと干渉することなく基板Ｗの中心ＷＣに対向する位置まで移動する。時点ｔ２においては、アーム４１０の回転角度θ１は「γ」である。

次に、洗浄コントローラ７８０は、研磨ヘッドｐｈを基板Ｗの下面に接触させるとともに基板Ｗの外周端部ＷＥに向かう研磨ヘッドｐｈの移動を開始させる（ステップＳ１０３）。具体的には、図８の時点ｔ２〜時点ｔ３にかけて、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの下面に接触するまで上昇する。時点ｔ３において研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの下面に接触することにより基板Ｗの下面の中心ＷＣが研磨ヘッドｐｈにより研磨される。このとき、研磨ヘッドｐｈは干渉領域ｉｆ上に位置する。その後、図８（ｅ），（ｆ），（ｇ）に示すように、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥ上まで移動する。このときの移動速度は、速度情報として予め定められた第１の移動速度に調整される。これにより、時点ｔ３〜時点ｔ６にかけて基板Ｗの下面が中心ＷＣから外周端部ＷＥに向かって研磨される。時点ｔ６においては、アーム４１０の回転角度θ１は「α」である。時点ｔ３〜時点ｔ６の間、ノズル４１０Ｎから基板Ｗに洗浄液が供給される。それにより、研磨により基板Ｗの下面から剥ぎ取られる汚染物が洗浄液により洗い流される。

なお、時点ｔ６で研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達する際には、研磨ヘッドｐｈと複数のチャックピン２２０とが干渉する可能性がある。そこで、本例では、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達する際に、図４のマグネット昇降機構２３４Ａにより図４のマグネットプレート２３２Ａが一時的に下方位置から上方位置に移動する。それにより、スピンチャック２００の各チャックピン２２０は、マグネットプレート２３２Ａに対応する領域で局部的に開状態となる。マグネットプレート２３２Ａは研磨ヘッドｐｈの第１の経路ｐｔ１（図６）の上方に位置するので、研磨ヘッドｐｈが複数のチャックピン２２０に干渉することが防止される。

ステップＳ１０３による研磨ヘッドｐｈの移動中に、洗浄コントローラ７８０は、図５のエンコーダ４４１から与えられる信号と上記の位置情報とに基づいて、研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れたか否かを判定する（ステップＳ１０４）。この判定処理は一定周期で繰り返される。洗浄コントローラ７８０は、エンコーダ４４１により検出されるアーム４１０の回転角度θ１が図６の「β」よりも大きいときに研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆ内にあると判定する。また、洗浄コントローラ７８０は、エンコーダ４４１により検出されるアーム４１０の回転角度θ１が図６の「β」以下であるときに研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れたと判定する。

本例では、図８（ａ），（ｅ）に示すように、時点ｔ４で研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れる。このとき、アーム４１０の回転角度θ１は「β」である。研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れていると、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの中心ＷＣに向かって移動しても、研磨ヘッドｐｈと洗浄ブラシｃｂとが干渉しない。

そこで、洗浄コントローラ７８０は、研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れたと判定すると、その時点で基板Ｗの外周端部ＷＥの下方の位置から基板Ｗの下面の中心ＷＣに対向する位置へ向かう洗浄ブラシｃｂの移動を開始させる（ステップＳ１０５）。これにより、本例では、図８（ａ），（ｅ）に示すように、時点ｔ４で洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥの下方の位置から基板Ｗの下面の中心ＷＣに対向する位置への移動を開始する。なお、洗浄コントローラ７８０は、ステップＳ１０４で研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆ内にあると判定した場合、ステップＳ１０４の処理を繰り返す。

洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥの下方の位置から基板Ｗの下面の中心ＷＣに対向する位置へ移動するときの移動速度は、速度情報に基づいて予め定められた第２の移動速度に調整される。ここで、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗから離間した状態で移動する場合には、基板Ｗが洗浄ブラシｃｂにより擦られることがないので、洗浄ブラシｃｂの移動速度を最大限に設定することができる。したがって、第２の移動速度は、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの下面を研磨しつつ移動するときの研磨ヘッドｐｈの第１の移動速度に比べて十分高く設定される。そのため、図８（ａ），（ｆ）に示すように、本例では、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達する時点ｔ６の前の時点ｔ５で、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの下面の中心ＷＣに対向する位置に到達する。このとき、アーム５１０の回転角度θ２は「γ」である。

次に、洗浄コントローラ７８０は、洗浄ブラシｃｂを基板Ｗの下面に接触させるとともに洗浄ブラシｃｂを基板Ｗの外周端部ＷＥに向けて移動させる（ステップＳ１０６）。具体的には、図８の時点ｔ５から一定時間で洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの下面に接触するまで上昇する。洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの下面に接触することにより基板Ｗの下面の中心ＷＣが洗浄ブラシｃｂにより洗浄される。その後、図８（ｇ），（ｈ），（ｉ）に示すように、時点ｔ６〜時点ｔ９にかけて洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥ上まで移動し、基板Ｗの下面が洗浄ブラシｃｂにより洗浄される。なお、洗浄ブラシｃｂの移動は、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの下面に接触すると同時に開始されてもよい。洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの下面に接触する時点ｔ６〜時点ｔ９の間、ノズル５１０Ｎから基板Ｗに洗浄液が供給される。それにより、研磨により基板Ｗの下面から剥ぎ取られる汚染物が洗浄液により洗い流される。

なお、時点ｔ９で洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達する際には、洗浄ブラシｃｂと複数のチャックピン２２０とが干渉する可能性がある。そこで、本例では、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達する際に、図４のマグネット昇降機構２３４Ｂにより図４のマグネットプレート２３２Ｂが一時的に下方位置から上方位置に移動する。それにより、スピンチャック２００の各チャックピン２２０は、マグネットプレート２３２Ｂに対応する領域で局部的に開状態となる。マグネットプレート２３２Ｂは洗浄ブラシｃｂの第２の経路ｐｔ２（図６）の上方に位置するので、洗浄ブラシｃｂが複数のチャックピン２２０に干渉することが防止される。

洗浄コントローラ７８０は、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達すると、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗから離間するように研磨ヘッドｐｈを下降させ、研磨ヘッドｐｈをヘッド待機位置ｐ１へ戻す（ステップＳ１０７）。本例では、図８（ａ），（ｇ），（ｈ）に示すように、時点ｔ６〜時点ｔ７にかけて研磨ヘッドｐｈが基板Ｗから離間し、時点ｔ７〜時点ｔ８にかけて研磨ヘッドｐｈがヘッド待機位置ｐ１に戻る。

さらに、洗浄コントローラ７８０は、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達すると、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗから離間するように洗浄ブラシｃｂを下降させ、洗浄ブラシｃｂをブラシ待機位置ｐ２へ戻す（ステップＳ１０８）。本例では、図８（ａ），（ｉ）に示すように、時点ｔ９〜時点ｔ１０にかけて洗浄ブラシｃｂが基板Ｗから離間し、時点ｔ１０〜時点ｔ１１にかけて洗浄ブラシｃｂがブラシ待機位置ｐ２に戻る。それにより、基板Ｗの下面の研磨洗浄およびブラシ洗浄が終了する。

図７の一連の処理のうち、ステップＳ１０６，Ｓ１０７，Ｓ１０８の処理は、上記の順に行われる必要はない。ステップＳ１０７の処理が、ステップＳ１０６の前に行われてもよい。あるいは、ステップＳ１０６，Ｓ１０７，Ｓ１０８の処理は一部の処理が他の処理と並行して行われてもよい。なお、以下の説明においては、図７の一連の処理のうち、点線で囲まれるステップＳ１０３，Ｓ１０４，Ｓ１０５の一連の処理を干渉防止基本制御と呼ぶ。

基板Ｗの上面の洗浄、基板Ｗの下面の研磨洗浄および基板Ｗの下面のブラシ洗浄の終了後、基板Ｗの乾燥処理が行われる。基板Ｗの乾燥処理では、全てのチャックピン２２０により基板Ｗが保持された状態で、その基板Ｗが高速で回転される。それにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの乾燥処理が終了することにより、基板Ｗが筐体７１０から搬出される。

上記の例では、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗに接触するための上昇を開始する時点は、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの下面の中心ＷＣの下方の位置に到達する時点ｔ５に設定されている。この例に限らず、洗浄ブラシｃｂが上昇を開始する時点は、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達する時点ｔ６に設定されてもよいし、時点ｔ５〜時点ｔ６の間の任意の時点に設定されてもよい。

上記の例では、洗浄ブラシｃｂがブラシ洗浄を行いつつ基板Ｗの外周端部ＷＥに向かう移動の開始時点は、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達する時点ｔ６に設定されている。この例に限らず、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥに向かう移動の開始時点は、洗浄ブラシｃｂが上昇することにより基板Ｗの中心ＷＣに接触する時点に設定されてもよいし、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗに接触してから時点ｔ６までの任意の時点に設定されてもよい。この場合、基板Ｗの下面上では、一部の環状領域が研磨ヘッドｐｈにより研磨洗浄されると同時に、一部の環状領域よりも内側の他の領域が洗浄ブラシｃｂによりブラシ洗浄される。

［６］基板処理装置
（ａ）基板処理装置の構成の概略
図９は、図１の基板洗浄装置７００を備えた基板処理装置の模式的平面図である。図９および後述する図１０〜図１２には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。

図９に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。

搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送装置１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送装置１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図１２参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送装置１２７および後述する搬送装置１２８（図１２参照）が設けられる。

第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図１２参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送装置１３７および後述する搬送装置１３８（図１２参照）が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送装置１４１，１４２が設けられる。

搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１２参照）が設けられる。

また、搬送装置１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１２参照）が設けられる。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送装置１４６が設けられる。搬送装置１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。

（ｂ）塗布処理部および塗布現像処理部の構成
図１０は、主として図９の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。

図１０に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット（スピンコータ）１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。現像処理室３１，３３の各々には現像処理ユニット（スピンデベロッパ）１３９が設けられ、塗布処理室３２，３４の各々には塗布処理ユニット１２９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、図９に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数の処理液ノズル２８およびその処理液ノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。

塗布処理ユニット１２９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転されるとともに、複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動され、その処理液ノズル２８から処理液が吐出される。それにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、図示しないエッジリンスノズルから、基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの周縁部に付着する処理液が除去される。

塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９においては、反射防止膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９においては、レジスト膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９においては、レジストカバー膜用の処理液が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。

現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図９に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転されるとともに、一方の現像ノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つの現像ノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

洗浄乾燥処理部１６１には、洗浄乾燥処理室８１，８２，８３，８４が階層的に設けられる。洗浄乾燥処理室８１〜８４の各々に、図１の基板洗浄装置７００が設けられる。基板洗浄装置７００においては、露光処理前の基板Ｗの上面の洗浄、下面の研磨洗浄、下面のブラシ洗浄および乾燥処理が行われる。

ここで、洗浄乾燥処理部１６１に設けられる複数の基板洗浄装置７００の洗浄コントローラ７８０は、洗浄乾燥処理部１６１の上部にローカルコントローラとして設けられてもよい。あるいは、図９のメインコントローラ１１４が、複数の基板洗浄装置７００の洗浄コントローラ７８０により実行される各種処理を実行してもよい。

図９および図１０に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への処理液および現像液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する流体関連機器が収納される。流体関連機器は、導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等を含む。

（ｃ）熱処理部の構成
図１１は、主として図９の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図１１に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理装置ＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

熱処理装置ＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理装置ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。

エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜の周縁部の一定幅の領域に露光処理（エッジ露光処理）が行われる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理装置ＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

洗浄乾燥処理部１６２には、洗浄乾燥処理室９１，９２，９３，９４，９５が階層的に設けられる。洗浄乾燥処理室９１〜９５の各々には、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２は、基板研磨部４００が設けられない点および図４のマグネットプレート２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａが一体的に設けられる点を除いて基板洗浄装置７００と同じ構成を有する。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの上面の洗浄、下面のブラシ洗浄および乾燥処理が行われる。

（ｄ）搬送部の構成
図１２は、主として図９の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。図１２に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送装置（搬送ロボット）１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送装置１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送装置１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送装置１３８が設けられる。

搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

搬送装置１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、塗布処理室２１，２２（図１０）および上段熱処理部３０１（図１１）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送装置１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、塗布処理室２３，２４（図１０）および下段熱処理部３０２（図１１）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

搬送装置１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、現像処理室３１（図１０）、塗布処理室３２（図１０）および上段熱処理部３０３（図１１）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送装置１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２、現像処理室３３（図１０）、塗布処理室３４（図１０）および下段熱処理部３０４（図１１）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

搬送部１６３の搬送装置１４１（図９）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２および洗浄乾燥処理部１６１（図１０）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

搬送部１６３の搬送装置１４２（図９）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ９、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２、洗浄乾燥処理部１６２（図１１）、上段熱処理部３０３（図１１）および下段熱処理部３０４（図１１）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

（ｅ）基板処理装置の動作
図９〜図１２を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図９）に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送装置１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図１２）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送装置１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図１２）に載置された処理済の基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

第１の処理ブロック１２において、搬送装置１２７（図１２）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１１）、冷却ユニットＣＰ（図１１）および塗布処理室２２（図１０）に順に搬送する。次に、搬送装置１２７は、塗布処理室２２により反射防止膜が形成された基板Ｗを熱処理装置ＰＨＰ（図１１）、冷却ユニットＣＰ（図１１）および塗布処理室２１（図１０）に順に搬送する。続いて、搬送装置１２７は、塗布処理室２１によりレジスト膜が形成された基板Ｗを、熱処理装置ＰＨＰ（図１１）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図１２）に順に搬送する。

この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図１０）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理装置ＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図１０）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理装置ＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

また、搬送装置１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図１２）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図１２）に搬送する。

搬送装置１２８（図１２）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１１）、冷却ユニットＣＰ（図１１）および塗布処理室２４（図１０）に順に搬送する。次に、搬送装置１２８は、塗布処理室２４により反射防止膜が形成された基板Ｗを熱処理装置ＰＨＰ（図１１）、冷却ユニットＣＰ（図１１）および塗布処理室２３（図１０）に順に搬送する。続いて、搬送装置１２８は、塗布処理室２３によりレジスト膜が形成された基板Ｗを熱処理装置ＰＨＰ（図１１）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図１２）に順に搬送する。

また、搬送装置１２８（図１２）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図１２）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図１２）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図１０）および下段熱処理部３０２（図１１）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図１０）および上段熱処理部３０１（図１１）における基板Ｗの処理内容と同様である。

第２の処理ブロック１３において、搬送装置１３７（図１２）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３２（図１０）、熱処理装置ＰＨＰ（図１１）、エッジ露光部ＥＥＷ（図１１）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１２）に順に搬送する。この場合、塗布処理室３２において、塗布処理ユニット１２９（図１０）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。その後、熱処理装置ＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬入される。続いて、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。

また、搬送装置１３７（図１２）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理装置ＰＨＰ（図１１）から露光装置１５による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１１）、現像処理室３１（図１０）、熱処理装置ＰＨＰ（図１１）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図１２）に順に搬送する。

この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１において、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜が除去されるとともに基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理装置ＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

搬送装置１３８（図１２）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３４（図１０）、熱処理装置ＰＨＰ（図１１）、エッジ露光部ＥＥＷ（図１１）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１２）に順に搬送する。

また、搬送装置１３８（図１２）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理装置ＰＨＰ（図１１）から露光装置１５による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１１）、現像処理室３３（図１０）、熱処理装置ＰＨＰ（図１１）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１２）に順に搬送する。現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１、塗布処理室３２（図１０）および上段熱処理部３０３（図１１）における基板Ｗの処理内容と同様である。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送装置１４１（図９）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１２）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の基板洗浄装置７００（図１０）に搬送する。続いて、搬送装置１４１は、基板Ｗを基板洗浄装置７００から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１２）に搬送する。この場合、基板洗浄装置７００において、基板Ｗの上面の洗浄、下面の研磨洗浄、下面のブラシ洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図９）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

搬送装置１４２（図９）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図１２）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図１１）に搬送する。また、搬送装置１４２は、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理装置ＰＨＰ（図１１）または下段熱処理部３０４の熱処理装置ＰＨＰ（図１１）に搬送する。この熱処理装置ＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送装置１４６（図９）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１２）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図９）に搬送する。また、搬送装置１４６（図９）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図９）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図１２）に搬送する。

なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図１０）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

上記の基板処理装置１００においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２，３２、現像処理室３１および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４，３４、現像処理室３３および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理とを並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。

ここで、基板Ｗの表面とは、反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜が形成される面（主面）をいい、基板Ｗの裏面とは、その反対側の面をいう。本実施の形態に係る基板処理装置１００の内部では、基板Ｗの表面が上方に向けられた状態で、基板Ｗに上記の各種処理が行われる。すなわち、基板Ｗの上面に各種処理が行われる。

［７］効果
（ａ）上記のように、本実施の形態に係る基板洗浄装置７００においては、基板研磨部４００の研磨ヘッドｐｈにより基板Ｗの下面が研磨洗浄され、基板洗浄部５００の洗浄ブラシｃｂにより基板Ｗの下面がブラシ洗浄される。

基板Ｗの研磨洗浄時に研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから基板Ｗの外周端部ＷＥに向かって移動されるとともに、研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れたか否かが判定される。研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れた時点で基板Ｗの外周端部ＷＥから基板Ｗの中心ＷＣに向かう洗浄ブラシｃｂの移動が開始される。この場合、研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから外れているので研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂが同時に移動しても、研磨ヘッドｐｈと洗浄ブラシｃｂとは干渉しない。したがって、研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂの移動について煩雑な設定作業を要することなく、研磨ヘッドｐｈと洗浄ブラシｃｂとの干渉を防止することができる。

また、上記の構成によれば、研磨洗浄中の研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達する前に洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの中心ＷＣへの移動を開始するので、研磨ヘッドｐｈによる研磨洗浄が開始されてから洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの中心ＷＣに到達するまでの時間を短縮することができる。したがって、研磨ヘッドｐｈによる基板Ｗの研磨洗浄後または研磨洗浄中に、洗浄ブラシｃｂによる基板Ｗのブラシ洗浄を迅速に行うことができる。

これらの結果、研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂの動作について干渉を防止するための煩雑な設定作業が不要でかつスループットの低下を抑制しつつ基板Ｗの清浄度を向上させることが可能となる。

（ｂ）上記の例では、基板Ｗの外周端部ＷＥから基板Ｗの中心ＷＣへ移動する洗浄ブラシｃｂの第２の移動速度が、基板Ｗの中心ＷＣから外周端部ＷＥへ移動する研磨ヘッドｐｈの第１の移動速度よりも高い。それにより、研磨ヘッドｐｈが干渉領域ｉｆから離れた時点から短時間で洗浄ブラシｃｂを基板Ｗの中心ＷＣに移動させることができる。

（ｃ）上記の例では、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥから中心ＷＣに向かって移動するときの速度は、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから外周端部ＷＥに向かって移動するときの第１の移動速度よりも高い。また、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥから中心ＷＣに向かって移動するときの第２の速度は、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの中心ＷＣから外周端部ＷＥに向かって移動するときの速度よりも高い。これにより、基板Ｗの外周端部ＷＥに位置する研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂを短時間で基板Ｗの中心ＷＣに移動させることができる。

（ｄ）上記の例では、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥから基板Ｗの中心ＷＣに向かって移動する間に研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの下面から離間し、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから基板Ｗの外周端部ＷＥに向かって移動する間に研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの下面に接触する。また、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥから基板Ｗの中心ＷＣに向かって移動する間に研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの下面から離間し、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから基板Ｗの外周端部ＷＥに向かって移動する間に研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの下面に接触する。

この場合、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから基板Ｗの外周端部ＷＥに向かって移動する間に基板Ｗの下面が研磨ヘッドｐｈにより研磨洗浄される。研磨洗浄時に、研磨ヘッドｐｈにより除去された汚染物は、遠心力により基板Ｗの外周端部ＷＥに向かって流れる。それにより、除去された汚染物が研磨ヘッドｐｈよりも基板Ｗの中心ＷＣ側に回り込むことが防止される。

また、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの中心ＷＣから基板Ｗの外周端部ＷＥに向かって移動する間に基板Ｗの下面が洗浄ブラシｃｂによりブラシ洗浄される。ブラシ洗浄時に、洗浄ブラシｃｂにより除去された汚染物は、遠心力により基板Ｗの外周端部ＷＥに向かって流れる。それにより、除去された汚染物が洗浄ブラシｃｂよりも基板Ｗの中心ＷＣ側に回り込むことが防止される。

さらに、研磨ヘッドｐｈにより研磨洗浄された基板Ｗの部分が洗浄ブラシｃｂによりブラシ洗浄されるので、基板Ｗの下面の研磨により発生する汚染物が洗浄ブラシｃｂにより除去される。これらの結果、研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂによる洗浄後の基板Ｗの清浄度がより向上する。

（ｅ）基板処理装置１００においては、露光処理前の基板Ｗの下面が基板洗浄装置７００により研磨され、洗浄される。それにより、基板Ｗの製造コストを増大させることなく基板Ｗの下面の汚染に起因する基板Ｗの処理不良の発生が抑制される。

［８］他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態では、洗浄コントローラ７８０に速度情報として記憶される第２の移動速度が第１の移動速度よりも高く設定されるが、基板Ｗの洗浄方法によっては、第１および第２の移動速度は等しく設定される可能性がある。あるいは、第２の移動速度が第１の移動速度よりも低く設定される可能性がある。

第２の移動速度が第１の移動速度以下である場合には、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥから中心ＷＣまで移動する時間が長くなる。そのため、基板Ｗの外周端部ＷＥから中心ＷＣへの洗浄ブラシｃｂの移動は、より早い時点で開始されることが好ましい。

ここで、第２の移動速度が第１の移動速度以下である場合には、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣから基板Ｗの外周端部ＷＥへ移動を開始する時点と、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥから中心ＷＣへ移動を開始する時点とが同じであっても研磨ヘッドｐｈと洗浄ブラシｃｂとは干渉しにくいと考えられる。そこで、洗浄コントローラ７８０は、図７の処理に代えて以下の処理を行ってもよい。

図１３は、他の実施の形態に係る洗浄コントローラ７８０の制御動作を示すフローチャートである。図１３に示すように、洗浄コントローラ７８０は、基板Ｗの下面の研磨洗浄およびブラシ洗浄を行う場合、まず上記実施の形態の図７の例と同様に、研磨ヘッドｐｈおよび洗浄ブラシｃｂを基板Ｗの外周端部ＷＥの下方の位置まで移動させる（ステップＳ１０１）。また、洗浄コントローラ７８０は、洗浄ブラシｃｂを基板Ｗの外周端部ＷＥの下方の位置に保持しつつ、研磨ヘッドｐｈを基板Ｗの中心ＷＣに対向する位置までさらに移動させる（ステップＳ１０２）。

続いて、洗浄コントローラ７８０は、速度情報記憶部７８６に記憶された速度情報に基づいて、第２の移動速度が第１の移動速度以下であるか否かを判定する（ステップＳ１１０）。第２の移動速度が第１の移動速度以下でない場合、洗浄コントローラ７８０は、図７のステップＳ１０３〜Ｓ１０５の処理を含む干渉防止基本制御を行い（ステップＳ１２０）、後続のステップＳ１０６の処理を行う。

一方、第２の移動速度が第１の移動速度以下である場合、洗浄コントローラ７８０は、研磨ヘッドｐｈを基板Ｗの下面に接触させる（ステップＳ１１１）。また、洗浄コントローラ７８０は、基板Ｗの中心ＷＣから基板Ｗの外周端部ＷＥへ向かう研磨ヘッドｐｈの移動と、基板Ｗの外周端部ＷＥの下方の位置から基板Ｗの下面の中心ＷＣに対向する位置へ向かう洗浄ブラシｃｂの移動とを同時に開始させる（ステップＳ１１２）。

その後、洗浄コントローラ７８０は、上記実施の形態の図７の例と同様に、洗浄ブラシｃｂを基板Ｗの下面に接触させるとともに洗浄ブラシｃｂを基板Ｗの外周端部ＷＥに向けて移動させる（ステップＳ１０６）。また、洗浄コントローラ７８０は、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達すると、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗから離間するように研磨ヘッドｐｈを下降させ、研磨ヘッドｐｈをヘッド待機位置ｐ１へ戻す（ステップＳ１０７）。さらに、洗浄コントローラ７８０は、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達すると、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗから離間するように洗浄ブラシｃｂを下降させ、洗浄ブラシｃｂをブラシ待機位置ｐ２へ戻す（ステップＳ１０８）。

このように、図１３の制御例によれば、基板Ｗの洗浄方法に応じて、第２の移動速度が第１の移動速度以下である場合に、基板Ｗの外周端部ＷＥから基板Ｗの中心ＷＣに向かう洗浄ブラシｃｂの移動をより早い時点で開始させることができる。したがって、基板Ｗの中心ＷＣから外周端部ＷＥへの研磨ヘッドｐｈの移動が開始された時点からより短時間で洗浄ブラシｃｂを基板Ｗの中心ＷＣに移動させることができる。

図１４は、図１３の制御例に従って基板研磨部４００および基板洗浄部５００を制御するときのアーム４１０，５１０の動作の一例を示す図である。図１５は、図１３の制御例に従って基板研磨部４００および基板洗浄部５００を制御するときのアーム４１０，５１０の動作の他の例を示す図である。

図１４および図１５に、アーム４１０，５１０の回転角度θ１，θ２の変化がタイムチャートで示される。図１４および図１５のタイムチャートにおいては、太い実線がアーム４１０の回転角度θ１の変化を表し、太い一点鎖線がアーム５１０の回転角度θ２の変化を表す。

図１４の例では、第１の移動速度と第２の移動速度とが等しく設定されている。時点ｕ０〜時点ｕ２にかけて図８の時点ｔ０〜時点ｔ２の期間と同様に、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣまで移動され、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥまで移動される。その後、時点ｕ３で、図１３のステップＳ１１０〜Ｓ１１２の処理により、基板Ｗの中心ＷＣから基板Ｗの外周端部ＷＥへ向かう研磨ヘッドｐｈの移動と、基板Ｗの外周端部ＷＥの下方の位置から基板Ｗの下面の中心ＷＣに対向する位置へ向かう洗浄ブラシｃｂの移動とが同時に開始される。それにより、時点ｔ５で研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達すると同時に洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの中心ＷＣに到達する。

図１５の例では、第２の移動速度が第１の移動速度以下に設定されている。時点ｖ０〜時点ｖ２にかけて図８の時点ｔ０〜時点ｔ２の期間と同様に、研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの中心ＷＣまで移動され、洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの外周端部ＷＥまで移動される。その後、時点ｖ３で、図１３のステップＳ１１０〜Ｓ１１２の処理により、基板Ｗの中心ＷＣから基板Ｗの外周端部ＷＥへ向かう研磨ヘッドｐｈの移動と、基板Ｗの外周端部ＷＥの下方の位置から基板Ｗの下面の中心ＷＣに対向する位置へ向かう洗浄ブラシｃｂの移動とが同時に開始される。それにより、時点ｔ５で研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの外周端部ＷＥに到達した後、過大な時間を要することなく時点ｔ８で洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの中心ＷＣに到達する。

（ｂ）上記実施の形態では、研磨洗浄制御部７９０に位置判定部７９４が設けられ、ブラシ洗浄制御部７９５に位置判定部が設けられないが、本発明はこれに限定されない。ブラシ洗浄制御部７９５に位置判定部が設けられてもよい。

この場合、例えば基板研磨部４００の洗浄ブラシｃｂを基板Ｗの中心ＷＣから基板Ｗの外周端部ＷＥに移動させるとともに、基板洗浄部５００の研磨ヘッドｐｈを基板Ｗの外周端部ＷＥから基板Ｗの中心ＷＣへ移動させる場合に、基板研磨部４００に設けられるエンコーダの出力とブラシ洗浄制御部７９５の位置判定部の判定結果とに基づいて、基板研磨部４００を制御することが可能になる。それにより、ブラシ洗浄および研磨洗浄をこの順で行う場合においても、図７および図１３の制御方法を適用することができる。

（ｃ）上記実施の形態では、基板洗浄装置７００は、基板Ｗの下面を研磨することが可能に構成されるが、本発明はこれに限定されない。基板洗浄装置７００は、基板Ｗの上面を研磨可能に構成されてもよい。例えば、基板洗浄装置７００は、上記のスピンチャック２００に代えて基板Ｗの下面を吸着保持するスピンチャックと、スピンチャックにより回転される基板Ｗの上面上に研磨ヘッドｐｈを接触させつつ基板Ｗの中心ＷＣと外周端部ＷＥとの間で移動させる研磨ヘッドｐｈ用の移動部と、そのスピンチャックにより回転される基板Ｗの上面上に洗浄ブラシｃｂを接触させつつ基板Ｗの中心ＷＣと外周端部ＷＥとの間で移動させる洗浄ブラシｃｂ用の移動部とを備えてもよい。

（ｄ）上記実施の形態では、基板洗浄装置７００には、基板Ｗの下面に接触して基板Ｗを洗浄するための構成として、研磨ヘッドｐｈと洗浄ブラシｃｂとが設けられるが、本発明はこれに限定されない。

基板洗浄装置７００においては、基板洗浄部５００のアーム５１０に、洗浄ブラシｃｂに代えて研磨ヘッドｐｈが設けられてもよい。この場合、例えば互いに異なる素材で作製された２つの研磨ヘッドｐｈを用いることにより、基板Ｗの研磨洗浄の自由度が向上する。

あるいは、基板洗浄装置７００においては、基板研磨部４００のアーム４１０に、研磨ヘッドｐｈに代えて洗浄ブラシｃｂが設けられてもよい。この場合、例えば互いに異なる素材で作製された２つの洗浄ブラシｃｂを用いることにより、基板Ｗのブラシ洗浄の自由度が向上する。

（ｅ）上記実施の形態では、基板洗浄装置７００には、基板Ｗの下面を洗浄する構成ための２つの構成（基板研磨部４００および基板洗浄部５００）が設けられるが、本発明はこれに限定されない。基板洗浄装置７００には、基板Ｗの下面を洗浄する構成が３以上設けられてもよい。この場合においても、干渉領域が定義されるとともにその干渉情報に対応する位置情報が洗浄コントローラ７８０に記憶されることにより、その位置情報に基づいて図７および図１３の制御方法を適用することができる。

（ｆ）上記実施の形態では、研磨ヘッドｐｈは基板Ｗの中心ＷＣから外周端部ＷＥに移動するときのみ基板Ｗの下面を研磨洗浄するが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの外周端部ＷＥから中心ＷＣに移動する際に研磨ヘッドｐｈが基板Ｗの下面を研磨洗浄してもよい。

（ｇ）上記実施の形態では、洗浄ブラシｃｂは基板Ｗの中心ＷＣから外周端部ＷＥに移動するときのみ基板Ｗの下面をブラシ洗浄するが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの外周端部ＷＥから中心ＷＣに移動する際に洗浄ブラシｃｂが基板Ｗの下面をブラシ洗浄してもよい。

（ｈ）上記実施の形態では、洗浄液として純水が用いられるが、純水の代わりにＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が洗浄液として用いられてもよい。より具体的には、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液が洗浄液として用いられてもよいし、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等のアルカリ性溶液が洗浄液として用いられてもよい。

（ｉ）上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１５が基板処理装置１００の外部装置として設けられるが、本発明はこれに限定されない。液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う露光装置が基板処理装置１００の外部装置として設けられてもよい。この場合、塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されなくてもよい。そのため、塗布処理室３２，３４を現像処理室として用いることができる。

（ｊ）上記実施の形態に係る基板処理装置１００は、基板Ｗに対してレジスト膜の塗布形成処理および現像処理を行う基板処理装置（いわゆるコータ／デベロッパ）であるが、基板洗浄装置７００が設けられる基板処理装置は上記の例に限定されない。基板Ｗに洗浄処理等の単一の処理を行う基板処理装置に本発明が適用されてもよい。例えば、本発明に係る基板処理装置は、搬送装置および基板載置部等を含むインデクサブロックと、１または複数の基板洗浄装置７００とで構成されてもよい。

［９］請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、基板Ｗが基板の例であり、スピンチャック２００が回転保持部の例であり、基板Ｗの下面が基板Ｗの一面および下面の例であり、研磨ヘッドｐｈが第１の洗浄具の例であり、洗浄ブラシｃｂが第２の洗浄具の例であり、第１の経路ｐｔ１が第１の経路の例であり、基板研磨部４００のアーム４１０およびアーム支持柱４２０ならびにアーム支持柱４２０の内部構成が第１の移動部の例である。

また、第２の経路ｐｔ２が第２の経路の例であり、基板洗浄部５００のアーム５１０およびアーム支持柱５２０ならびにアーム支持柱５２０の内部構成が第２の移動部の例であり、第１の軌跡ｌｃ１が第１の洗浄具の軌跡の例であり、第２の軌跡ｌｃ２が第２の洗浄具の軌跡の例である。

また、干渉領域ｉｆが干渉領域の例であり、位置情報が位置情報の例であり、洗浄コントローラ７８０の位置情報記憶部７８５が記憶部の例であり、洗浄コントローラ７８０のアーム制御部７９３、位置判定部７９４およびブラシ洗浄制御部７９５が制御部の例であり、基板洗浄装置７００が基板洗浄装置の例であり、研磨ヘッドｐｈが研磨具の例であり、洗浄ブラシｃｂがブラシの例であり、第１の移動速度が第１の移動速度の例であり、第２の移動速度が第２の移動速度の例である。

また、露光装置１５が露光装置の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、基板Ｗにレジスト膜用の処理液を供給する塗布処理ユニット１２９が塗布装置の例であり、搬送装置１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６が搬送装置の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の構成要素を用いることもできる。

本発明は、基板の一面を洗浄する洗浄装置に有効に利用することができる。

１１ インデクサブロック
１２ 第１の処理ブロック
１３ 第２の処理ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
１５ａ 基板搬入部
１５ｂ 基板搬出部
２１，２２，２３，２４，３２，３４ 塗布処理室
２５，３５，２００ スピンチャック
２７，３７ カップ
２８ 処理液ノズル
２９ ノズル搬送機構
３１，３３ 現像処理室
３８ 現像ノズル
３９ 移動機構
５０，６０ 流体ボックス部
８１〜８４，９１〜９５ 洗浄乾燥処理室
１００ 基板処理装置
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６ 搬送装置
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 塗布現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
２１１ スピンモータ
２１２，３５２ 回転軸
２１３ スピンプレート
２１４ プレート支持部材
２１５ 液供給管
２２０ チャックピン
２２１ 軸部
２２２ ピン支持部
２２３ 保持部
２２４ マグネット
２３１Ａ，２３１Ｂ，２３２Ａ，２３２Ｂ マグネットプレート
２３３Ａ，２３３Ｂ，２３４Ａ，２３４Ｂ マグネット昇降機構
３００ ガード機構
３０１，３０３ 上段熱処理部
３０２，３０４ 下段熱処理部
３１０ ガード
３２０ ガード昇降駆動部
３５０ 受け渡し機構
３５１ 昇降回転駆動部
３５３，４１０，５１０ アーム
３５４ 保持ピン
４００ 基板研磨部
４０９，５０９ 中心軸
４１０Ｎ，５１０Ｎ ノズル
４１１ アーム一端部
４１２ アーム本体部
４１３ アーム他端部
４１４ 回転支持軸
４１５，４１７ プーリ
４１６ ベルト
４１８ モータ
４２０，５２０ アーム支持柱
４３０ アーム昇降駆動部
４３１ リニアガイド
４３２ エアシリンダ
４３３ 電空レギュレータ
４４０ アーム回転駆動部
４４１ エンコーダ
５００ 基板洗浄部
７００ 基板洗浄装置
７１０ 筐体
７１１，７１２，７１３，７１４ 側壁
７１６ 底面部
７８０ 洗浄コントローラ
７８５ 位置情報記憶部
７８６ 速度情報記憶部
７９０ 研磨洗浄制御部
７９１ 回転制御部
７９２ 昇降制御部
７９３ アーム制御部
７９４ 位置判定部
７９５ ブラシ洗浄制御部
ＣＰ 冷却ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
ＰＨＰ 熱処理装置
ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ 基板
ＷＣ 中心
ＷＥ 外周端部
ｃｂ 洗浄ブラシ
ｉｆ 干渉領域
ｌｃ１ 第１の軌跡
ｌｃ２ 第２の軌跡
ｐ１ ヘッド待機位置
ｐ２ ブラシ待機位置
ｐｈ 研磨ヘッド
ｐｔ１ 第１の経路
ｐｔ２ 第２の経路

Claims (8)

1. 基板を保持して回転させる回転保持部と、
   基板の一面に接触可能に構成された第１および第２の洗浄具と、
   前記第１の洗浄具を前記回転保持部により回転される基板の前記一面に接触させつつ基板の中心と基板の外周部とを結ぶ第１の経路に沿って移動させる第１の移動部と、
   前記第２の洗浄具を前記回転保持部により回転される基板の前記一面に接触させつつ基板の中心と基板の外周部とを結ぶ第２の経路に沿って移動させる第２の移動部と、
   基板の中心から基板の外周部に向かって移動する前記第１の洗浄具が、前記第１の経路に沿った前記第１の洗浄具の軌跡と前記第２の経路に沿った前記第２の洗浄具の軌跡とが重複する干渉領域から外れる時点における前記第１の洗浄具の位置を示す位置情報を予め記憶する記憶部と、
   前記第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動するように前記第１の移動部を制御し、前記位置情報に基づいて前記第１の洗浄具が前記干渉領域から外れたか否かを判定し、前記第１の洗浄具が前記干渉領域から外れたと判定した時点で、前記第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かう移動を開始するように前記第２の移動部を制御する制御部とを備える、基板洗浄装置。
2. 前記第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かって移動する速度は、前記第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する速度よりも高い、請求項１記載の基板洗浄装置。
3. 前記制御部は、前記第１の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かって移動する間に前記第１の洗浄具が基板の前記一面から離間し、前記第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する間に前記第１の洗浄具が基板の前記一面に接触するように前記第１の移動部を制御し、前記第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かって移動する間に前記第２の洗浄具が基板の前記一面から離間し、前記第２の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する間に前記第２の洗浄具が基板の前記一面に接触するように前記第２の移動部を制御する、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
4. 前記第１の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かって移動する速度は、前記第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する速度よりも高く、前記第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かって移動する速度は、前記第２の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かって移動する速度よりも高い、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
5. 前記第１の洗浄具は、研磨具であり、
   前記第２の洗浄具は、ブラシである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
6. 前記制御部は、前記第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かうときの第１の移動速度と前記第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かうときの第２の移動速度とを予め比較し、前記第１の移動速度が前記第２の移動速度以上である場合に、前記第１の洗浄具が前記干渉領域から外れたか否かの判定を行わずに、前記第１の洗浄具が基板の中心から基板の外周部に向かう移動と、前記第２の洗浄具が基板の外周部から基板の中心に向かう移動とを同時に開始するように前記第１および第２の移動部を制御する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
7. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   基板の上面に感光性膜を塗布する塗布装置と、
   請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板洗浄装置と、
   前記塗布装置、前記基板洗浄装置および前記露光装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備え、
   前記基板洗浄装置は、前記露光装置による基板の露光処理前に基板の前記一面としての下面の汚染を除去する、基板処理装置。
8. 基板を保持して回転させるステップと、
   第１の洗浄具を前記回転される基板の前記一面に接触させつつ基板の中心と基板の外周部とを結ぶ第１の経路に沿って移動させるステップと、
   第２の洗浄具を前記回転される基板の前記一面に接触させつつ基板の中心と基板の外周部とを結ぶ第２の経路に沿って移動させるステップと、
   基板の中心から基板の外周部に向かって移動する前記第１の洗浄具が、前記第１の経路に沿った前記第１の洗浄具の軌跡と前記第２の経路に沿った前記第２の洗浄具の軌跡とが重複する干渉領域から外れる時点における前記第１の洗浄具の位置を示す位置情報を予め記憶するステップとを含み、
   前記第１の洗浄具を前記第１の経路に沿って移動させるステップは、
   前記第１の洗浄具を基板の中心から基板の外周部に向かって移動させるステップと、
   前記位置情報に基づいて前記第１の洗浄具が前記干渉領域から外れたか否かを判定するステップとを含み、
   前記第２の洗浄具を前記第２の経路に沿って移動させるステップは、
   前記判定するステップにより前記第１の洗浄具が前記干渉領域から外れたと判定された時点で基板の外周部から基板の中心に向かう前記第２の洗浄具の移動を開始させるステップを含む、基板洗浄方法。

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