JP2024048332A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を効率的に洗浄する装置及び方法を提供する。【解決手段】底面洗浄チャンバは、基板を支持する支持ユニットと、支持ユニットに支持された基板の底面を洗浄する洗浄ユニット６６０を含む。洗浄ユニットは、ボディー６７１と、ボディーから上の方向に突き出されるように形成された突出部６７３を含み、突出部は基板の底面と互いに離隔されるように位置する。【選択図】図１１

Description

本発明は、基板を処理する装置及び方法に関するものであり、より詳細には、基板を洗浄する装置及び方法に関するものである。

半導体素子または平板表示パネルを製造するために写真（Ｐｈｏｔｏ－ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ）工程、エッチング工程、アッシング工程、薄膜蒸着工程、そして、洗浄工程など多様な工程らが遂行される。このような工程らのうちで写真工程は半導体基板にフォトレジストを供給して基板表面に塗布膜を形成する塗布工程、そして、マスクを使って形成された塗布膜に対して露光処理する露光工程を遂行した以後、現像液を供給して半導体基板上に所望のパターンを得る現像工程を順次または選択的に遂行する。

露光工程を遂行する露光装置で基板が支持板に安着される時、基板の底面にパーティクルが存在すれば、該当領域に基板の変形が発生して露光工程時局所的な歪曲が誘発される。これに、塗布工程を遂行した以後、露光工程を遂行する以前に、基板の底面を洗浄する洗浄工程が遂行されることができる。一般的な洗浄工程では、ブラッシュが基板の底面と接触し、基板の底面に存在するパーティクルを除去するが、この場合ブラッシュが基板の底面と接触する過程で基板の底面に物理的なダメージを与えることがある。基板の底面にダメージが発生した場合、該当領域に基板の変形が発生して露光装置に基板が正確に安着されることができなくて露光工程時歪曲が発生する。

韓国特許公開第１０－２００８－００５８２２３号公報

本発明は、基板を効率的に洗浄することができる基板処理装置及び方法を提供することを一目的とする。

また、本発明は、基板の底面を損傷させることを最小化しながら、基板の底面全領域を均一に洗浄することができる基板処理装置及び方法を提供することを一目的とする。

本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。

本発明は、基板を処理する装置を提供する。一実施例による基板処理装置は基板を支持する支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板の底面を洗浄する洗浄ユニットを含むが、前記洗浄ユニットは、ボディーと、及び前記ボディーから上の方向に突き出されるように形成された突出部を含み、前記突出部は前記底面とお互いに離隔されるように位置することができる。

一実施例によれば、前記洗浄ユニットは、前記ボディーに形成されたホールと連結され、前記底面で洗浄液を供給する洗浄液供給部をさらに含むことができる。

一実施例によれば、前記ホールと前記突出部は、上から眺める時お互いに行き異なるように配置されることができる。

一実施例によれば、前記突出部は、パッド形状を有することができる。

一実施例によれば、前記突出部は、突起形状を有することができる。

一実施例によれば、前記洗浄ユニットは前記ボディーのまわり方向に沿って形成された側壁をさらに含み、前記突出部は前記側壁で取り囲まれた領域内に位置し、前記側壁の上面は、前記底面とお互いに離隔されるように位置することができる。

一実施例によれば、前記装置は、内部に前記支持ユニットと前記洗浄ユニットが位置するハウジングをさらに含み、前記支持ユニットは、基板の縁領域を露出させるが、基板の中央領域を支持して回転させる第１支持部と、及び前記中央領域を露出させるが、前記縁領域を支持する第２支持部を含むが、前記第２支持部は、前記ハウジングの側壁に設置されたガイドレールに沿って移動可能に具備されることができる。

一実施例によれば、前記第２支持部は、前記ガイドレール上に配置されたブラケットと、前記ブラケットに結合されたプレートと、及び前記プレートに設置され、基板の側端を支持し、上下の長さ方向を軸にして基板を回転させる回転ピンを含むことができる。

一実施例によれば、前記第１支持部は前記縁領域と前記突出部が重畳される位置で基板を回転させ、前記第２支持部は前記中央領域と前記突出部が重畳される位置で基板を回転させることができる。

一実施例によれば、前記洗浄ユニットは、前記ボディーを貫通して上下方向の軸を基準で前記ボディーを回転させる回転駆動機をさらに含むが、前記突出部と基板の底面が重畳される位置で、前記第１支持部または前記第２支持部は基板を回転させ、前記回転駆動機は前記ボディーを回転させることができる。

一実施例によれば、前記洗浄液は、脱イオン水、オゾン水、水素水、アンモニア水のうちで少なくとも何れか一つを含むことができる。

一実施例によれば、前記洗浄液は機能水を含むが、前記機能水は、ラジカルを含むことができる。

一実施例によれば、前記支持ユニットに支持された基板の上面にはパターンが形成されることができる。

また、本発明は、基板を処理する装置を提供する。一実施例による基板処理装置は、ハウジングと、基板の中央領域と縁領域中、前記中央領域を支持して回転させる第１支持部と、前記中央領域と前記縁領域中、前記縁領域を支持して回転させる第２支持部と、前記ハウジング内部で、前記第１支持部に支持された基板または前記第２支持部に支持された基板をくるむ処理容器と、及び基板の底面を洗浄する洗浄ユニットを含むが、前記第１支持部は、前記中央領域を支持するチャックを含み、前記第２支持部は、前記ハウジングの側壁に設置されたガイドレールに沿って移動するブラケットと、前記ブラケットに結合されたプレートと、及び前記プレートに設置されて基板の側端を支持し、上下の長さ方向を軸にして基板を回転させる回転ピンを含み、前記洗浄ユニットは、ボディーと、前記ボディーのまわり方向に沿って上の方向に延長された側壁と、前記ボディーを支持するアームと、前記側壁の内側に位置し、前記ボディーから上の方向に突き出されたブラッシュと、及び前記ボディーに形成されたホールと連結され、前記底面で洗浄液を供給する洗浄液供給部を含むが、前記突出部の上端と前記側壁の上端はそれぞれ前記底面と離隔されるように位置することができる。

また、本発明は、基板を処理する方法を提供する。一実施例による基板処理方法は、基板の第１領域を支持した状態で、基板の第２領域を露出させて前記第２領域を洗浄する第２領域洗浄段階と、及び前記第２領域を支持した状態で、前記第１領域を露出させて前記第１領域を洗浄する第１領域洗浄段階を含むが、前記第１領域洗浄段階と前記第２領域洗浄段階は、それぞれ前記突出部と前記底面がお互いに離隔されるように位置させた状態で遂行されることができる。

一実施例によれば、前記第２領域洗浄段階は、上から眺める時前記第２領域と前記突出部が重畳されるように、前記第１領域を支持する第１支持部に基板を安着させ、前記第１支持部は基板を回転させることができる。

一実施例によれば、前記第１領域洗浄段階は、前記第２領域を支持する第２支持部に基板を安着させ、前記第２支持部は、上から眺める時前記第１領域と前記突出部が重畳されるように基板を移動させ、前記第１領域と前記突出部が重畳されれば基板を回転させることができる。

一実施例によれば、前記第１領域洗浄段階と前記第２領域洗浄段階では、前記ボディーに形成されたホールを通じて前記底面に洗浄液を供給することができる。

一実施例によれば、前記洗浄液は、脱イオン水、オゾン水、水素水、アンモニア水、そして機能水のうちで少なくとも何れか一つを含むが、前記機能水は水素ラジカルを含むことができる。

一実施例によれば、前記底面と前記突出部が重畳される時、前記底面と前記突出部の上面の間の距離は２ｍｍ乃至３ｍｍであることがある。

本発明の実施例によれば、基板を効率的に洗浄することができる。

また、本発明の実施例によれば、基板の底面を洗浄する時基板の底面を損傷させることを最小化することができる。

また、本発明の実施例によれば、基板の底面全領域を均一に洗浄することができる。

また、本発明の実施例によれば、基板の底面に付着された不純物が再び基板の底面で付着されることを最小化することができる。

本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。

一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる斜視図である。 図１の塗布ブロックまたは現像ブロックを概略的に見せてくれる断面図である。 図１の基板処理装置を概略的に見せてくれる平面図である。 一実施例による熱処理チャンバを概略的に見せてくれる平面図である。 一実施例による熱処理チャンバを概略的に見せてくれる正面図である。 一実施例による液処理チャンバを概略的に見せてくれる断面図である。 一実施例による底面洗浄チャンバを概略的に見せてくれる斜視図である。 一実施例による底面洗浄チャンバを概略的に見せてくれる断面図である。 一実施例による第２支持部が基板を支持する姿を概略的に見せてくれる斜視図である。 一実施例による底面洗浄チャンバを概略的に見せてくれる断面図である。 一実施例による洗浄ユニットを概略的に見せてくれる断面図である。 一実施例による洗浄ユニットを上から眺めた姿を概略的に見せてくれる図面である。 一実施例による基板処理方法のフローチャートである。 一実施例による第１領域洗浄段階を遂行する基板処理装置の動作を説明するための図面である。 同じく、一実施例による第１領域洗浄段階を遂行する基板処理装置の動作を説明するための図面である。 同じく、一実施例による第１領域洗浄段階を遂行する基板処理装置の動作を説明するための図面である。 同じく、一実施例による第１領域洗浄段階を遂行する基板処理装置の動作を説明するための図面である。 一実施例による第２領域洗浄段階を遂行する基板処理装置の動作を説明するための図面である。 同じく、一実施例による第２領域洗浄段階を遂行する基板処理装置の動作を説明するための図面である。 同じく、一実施例による第２領域洗浄段階を遂行する基板処理装置の動作を説明するための図面である。 他の実施例による洗浄ユニットを概略的に見せてくれる断面図である。 同じく、他の実施例による洗浄ユニットを概略的に見せてくれる断面図である。 同じく、他の実施例による洗浄ユニットを概略的に見せてくれる断面図である。 同じく、他の実施例による洗浄ユニットを概略的に見せてくれる断面図である。 同じく、他の実施例による洗浄ユニットを概略的に見せてくれる断面図である。

以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形されることができるし、本発明の範囲が下で敍述する実施例によって限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での構成要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものである。

第１、第２などの用語は多様な構成要素らを説明することに使用されることができるが、前記構成要素らは前記用語によって限定されてはいけない。前記用語らは一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で命名されることができるし、類似に第２構成要素も第１構成要素に命名されることができる。

以下で説明する一実施例による基板は、半導体ウェーパー（Ｗａｆｅｒ）のような円形基板を例で挙げて説明する。但し、これに限定されるものではなくて、本発明の一実施例で説明する基板はマスク（Ｍａｓｋ）、またはディスプレイパネルなどのような四角形の基板であることができる。

以下で説明する本発明の一実施例では、基板にフォトレジストなどの感光液を供給して基板の表面に塗布膜を形成する塗布工程、塗布膜に対して露光処理する露光工程、そして、基板に現像液を供給して基板上に所望のパターンを形成する現像工程のうちで少なくとも何れか一つ以上が遂行される基板処理装置を例で挙げて説明する。但し、前述した例に限定されるものではなくて、一実施例による基板処理装置は基板処理工程を遂行する多様な装置に適用されることができる。

図１は、一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる斜視図である。図２は、図１の塗布ブロックまたは現像ブロックを概略的に見せてくれる断面図である。図３は、図１の基板処理装置を概略的に見せてくれる平面図である。

図１乃至図３を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール１０（Ｉｎｄｅｘ Ｍｏｄｕｌｅ）、処理モジュール２０（Ｔｒｅａｔｉｎｇ Ｍｏｄｕｌｅ）、そして、インターフェースモジュール５０（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍｏｄｕｌｅ）を含むことができる。

インデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そして、インターフェースモジュール５０は一列で、そして順次に配置される。以下では、インデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そして、インターフェースモジュール５０が配置された方向を第１方向２と定義する。また、上から眺める時、第１方向２と垂直な方向を第２方向４と定義し、第１方向２及び第２方向４をすべて含んだ平面に対して垂直な方向を第３方向６と定義する。一実施例によれば、第３方向６は地面に対して垂直な方向であることができる。

インデックスモジュール１０は容器Ｆと処理モジュール２０との間に基板を返送する。より具体的には、インデックスモジュール１０は容器Ｆから基板を引き出して、基板を処理する処理モジュール２０に引き出しされた基板を返送する。また、インデックスモジュール１０は処理モジュール２０で所定の処理が完了された基板を引き出して容器Ｆに返送する。インデックスモジュール１０はロードポート１２０とインデックスフレーム１４０を有する。

ロードポート１２０には基板が収納された容器Ｆが収容される。ロードポート１２０は後述するインデックスフレーム１４０を基準で、処理モジュール２０の反対側に配置される。ロードポート１２０は複数個具備されることができるし、複数個のロードポート１２０らは第２方向４に沿って一列に配置される。ロードポート１２０の個数は処理モジュール２０の工程効率またはフットプリント条件などによって増加するか、または減少することができる。

容器Ｆには基板が収納される。一実施例によるロードポート１２０に収容される容器Ｆとしては、前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器Ｆはオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベヤー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、または自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段や作業者によってロードポート１２０に収容されることができる。

インデックスフレーム１４０は第２方向４と水平な長さ方向を有する。インデックスフレーム１４０の内部にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が配置される。インデックスレール１４２はインデックスフレーム１４０の長さ方向と平行な長さ方向を有する。インデックスロボット１４４は基板を返送する。より具体的には、インデックスロボット１４４はロードポート１２０に収容された容器Ｆと、後述する前端バッファー２４２の間に基板を返送することができる。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上で、インデックスレール１４２の長さ方向に沿って移動する。

インデックスロボット１４４はインデックスハンド１４６を有する。インデックスハンド１４６には基板が置かれる。インデックスハンド１４６は前進及び後進移動、第３方向６を軸にした回転移動、そして、第３方向６に沿って上下移動する。

処理モジュール２０は容器Ｆに収納された基板の伝達を受けて基板に対して塗布工程及び／または現像工程を遂行することができる。一実施例によれば、処理モジュール２０は塗布ブロック２０ａと現像ブロック２０ｂを含むことができる。塗布ブロック２０ａは基板に対して塗布工程（Ｃｏａｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）を遂行する。現像ブロック２０ｂは基板に対して現像工程（Ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）を遂行する。

塗布ブロック２０ａは複数個具備されることができるし、複数の塗布ブロック２０ａらはお互いに積層されるように配置されることができる。また、現像ブロック２０ｂは複数個具備されることができるし、複数の現像ブロック２０ｂらはお互いに積層されるように配置されることができる。一実施例によれば、塗布ブロック２０ａらは現像ブロック２０ｂらの下側に配置されることができる。また、それぞれの塗布ブロック２０ａらはお互いに同一または類似な構造を有して、お互いに同一または類似な工程を遂行することができる。また、それぞれの現像ブロック２０ｂらはお互いに同一または類似な構造を有して、お互いに同一または類似な工程を遂行することができる。但し、これに限定されるものではなくて、それぞれの塗布ブロック２０ａはお互いに異なる工程を遂行し、それぞれの現像ブロック２０ｂはお互いに異なる工程を遂行することができる。また、塗布ブロック２０ａらの個数及び配置、そして、現像ブロック２０ｂらの個数及び配置は多様に変更されることができる。

一実施例による塗布ブロック２０ａと現像ブロック２０ｂは、概して同一または類似な構造及び配置で構成されるものであり、以下では、現像ブロック２０ｂに対する説明は略して、塗布ブロック２０ａを中心に説明する。

塗布ブロック２０ａは返送チャンバ２２０、バッファーチャンバ２４２、２４４、熱処理チャンバ３００、そして、液処理チャンバ４００を有する。

返送チャンバ２２０は第１方向２と平行な長さ方向を有する。返送チャンバ２２０には第１方向２と平行な長さ方向を有するガイドレール２２２と、返送ロボット２２４が配置される。返送ロボット２２４はバッファーチャンバ２４２、２４４、熱処理チャンバ３００、そして、液処理チャンバ４００の間に基板を返送する。返送ロボット２２４はガイドレール２２２上でガイドレール２２２の長さ方向に沿って前進及び後進移動する。返送ロボット２２４は基板が置かれる返送ハンド２２６を有する。返送ハンド２２６の構造は前述したインデックスハンド１４６と同一または類似な構造を有するので、これに対する重複説明は略する。

バッファーチャンバ２４２、２４４は塗布ブロック２０ａに搬入される基板と塗布ブロック２０ａから搬出される基板が一時的にとどまる空間を提供する。バッファーチャンバ２４２、２４４は複数個具備されることができる。バッファーチャンバらのうちである一部はインデックスフレーム１４０と返送チャンバ２２０との間に配置される。以下では、これらバッファーチャンバを前端バッファー２４２（Ｆｒｏｎｔ ｂｕｆｆｅｒ）で定義する。また、バッファーチャンバらのうちで他の一部は返送チャンバ２２０と後述するインターフェースモジュール５０との間に配置される。以下では、これらバッファーチャンバを後端バッファー２４４（Ｒｅａｒ ｂｕｆｆｅｒ）で定義する。前端バッファー２４２は複数個具備され、複数の前端バッファー２４２らは上下方向に積層されることができる。また、後端バッファー２４４は複数個具備され、複数の後端バッファー２４４らは上下方向に積層されることができる。

前端バッファー２４２らと後端バッファー２４４らそれぞれは複数の基板らを一時的に保管する。前端バッファー２４２に保管された基板はインデックスロボット１４４と返送ロボット２２４によって搬入または搬出される。また、後端バッファー２４４に保管された基板は返送ロボット２２４と後述する第１ロボット５５２によって搬入または搬出される。

バッファーチャンバ２４２、２４４の一側にはバッファーロボット２４６、２４８が配置されることができる。一実施例によれば、前端バッファー２４２の一側には前端バッファーロボット２４６が配置され、後端バッファー２４４の一側には後端バッファーロボット２４８が配置されることができる。但し、これに限定されるものではなくて、前端バッファー２４２と後端バッファー２４４の両側にバッファーロボットらがそれぞれ配置されることができる。

前端バッファーロボット２４６は前端バッファー２４２らの間に基板を返送する。より具体的には、前端バッファーロボット２４６は第３方向６に沿って移動しながら、積層されるように配置された前端バッファー２４２らの間に基板を返送する。また、後端バッファーロボット２４８は第３方向６に沿って移動しながら、積層されるように配置された後端バッファー２４４らの間に基板を返送する。

熱処理チャンバ３００は基板に対して熱処理工程を遂行する。一実施例による熱処理工程は、基板の温度を低める冷却工程と基板の温度を昇温させる加熱工程を含むことができる。熱処理チャンバ３００は複数個具備されることができる。熱処理チャンバ３００らは第１方向２に沿って配置される。また、熱処理チャンバ３００らは第３方向６に積層されるように配置される。熱処理チャンバ３００らは返送チャンバ２２０の一側に位置する。

液処理チャンバ４００は基板に対して液処理工程を遂行する。液処理チャンバ４００は複数個具備されることができる。液処理チャンバ４００らは第１方向２に沿って配置される。また、液処理チャンバ４００らは第３方向６に積層されるように配置される。液処理チャンバ４００らは返送チャンバ２００の他の側に位置する。すなわち、熱処理チャンバ３００と液処理チャンバ４００は返送チャンバ２２０を基準でお互いに見合わせるように配置される。

また、複数個の液処理チャンバ４００らのうちである一部はインデックスモジュール１０と隣接した位置に配置される。インデックスモジュール１０と隣接した位置に配置された液処理チャンバ４００では基板上に第１液を供給することができる。また、複数個の液処理チャンバ４００らのうちで他の一部はインターフェースモジュール５０と隣接した位置に配置される。インターフェースモジュール５０と隣接した位置に配置された液処理チャンバ４００では基板上に第２液を供給することができる。一実施例によれば、第１液は反射防止膜であり、第２液はフォトレジストであることができる。但し、これに限定されるものではなくて、第１液はフォトレジストであり、第２液は反射防止膜であることができる。この場合、反射防止膜はフォトレジストが供給された基板上に供給されることができる。選択的に、第１液と第２液はすべて同一な種類の液であることができる。この場合、第１液と第２液は濃度がお互いに異なるフォトレジストであることができる。

図４は、一実施例による熱処理チャンバを概略的に見せてくれる平面図である。図５は、一実施例による熱処理チャンバを概略的に見せてくれる正面図である。

熱処理チャンバ３００はハウジング３２０、冷却ユニット３４０、加熱ユニット３６０、そして、返送プレート３８０を含む。

ハウジング３２０は概して直方体の形状を有する。ハウジング３２０の側壁には基板が出入りする出入口（図示せず）が形成される。ハウジング３２０の内部空間には冷却ユニット３４０、加熱ユニット３６０、そして、返送プレート３８０が位置する。冷却ユニット３４０と加熱ユニット３６０は第２方向４に沿って並んで位置する。

一実施例によれば、冷却ユニット３４０は加熱ユニット３６０より返送チャンバ２２０にさらに近く位置することができる。冷却ユニット３４０は冷却プレート３４２と冷却流路３４４を含む。冷却プレート３４２は上から眺める時、概して円形状を有することができる。冷却流路３４４は冷却プレート３４２の内部に位置する。冷却流路３４４には冷却流体が流れることができる。冷却流路３４４に冷却流体が流れながら、冷却プレート３４２の温度を低めることができる。

加熱ユニット３６０は加熱プレート３６１、カバー３６２、そして、ヒーター３６３を含むことができる。

加熱プレート３６１は上から眺める時、円形を有することができる。加熱プレート３６１は基板より大きい直径を有することができる。加熱プレート３６１の内部にはヒーター３６３が配置される。ヒーター３６３は電流に抵抗して発熱する公知された発熱低抗体のうちで何れか一つであることができる。

加熱プレート３６１には第３方向６に沿って上下移動する複数のリフトピン３６４らが配置される。リフトピン３６４らは加熱ユニット３６０外部の返送手段（例えば、返送プレート３８０）から基板の引受を受けて、基板を加熱プレート３６１上に下ろすことができる。また、リフトピン３６４らは加熱プレート３６１から基板を持ち上げて加熱ユニット３６０の外部の返送手段で基板を引き継ぐことができる。

カバー３６２は下部（ｌｏｗｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）が開放された形状を有する。カバー３６２は加熱プレート３６１の上側に位置し、カバー３６２に結合された駆動機３６５によって上下方向に移動することができる。駆動機３６５は駆動力を伝達する公知されたモータのうちで何れか一つであることができる。駆動機３６５によってカバー３６２が下の方向に移動し、カバー３６２と加熱プレート３６１がお互いに組合されて形成された空間は基板を加熱する加熱空間で機能することができる。

返送プレート３８０は概して円盤形状を有する。また、返送プレート３８０は基板と対応される直径を有することができる。返送プレート３８０の縁にはノッチ３８２が形成される。また、返送プレート３８０にはプレート駆動機３８６が結合されることができる。プレート駆動機３８６は第２方向４と水平な長さ方向を有するレール３８４上に装着される。これに、返送プレート３８０はプレート駆動機３８６によってレール３８４に沿って直線移動することができる。

また、返送プレート３８０にはスリット形状のガイド溝３８８が複数個形成される。ガイド溝３８８は返送プレート３８０の末端で返送プレート３８０の内部まで延長される。ガイド溝３８８は第２方向４と水平な長さ方向を有して、複数個のガイド溝３８８らは第１方向２に沿って離隔されるように形成される。返送プレート３８０と加熱ユニット３６０との間に基板の引受及び引き継ぎがなされる時、返送プレート３８０に形成されたガイド溝３８８によって、返送プレート３８０とリフトピン３６４がお互いに干渉されることを避けることができる。

返送プレート３８０はリフトピン３６４に基板を引き継いで、リフトピン３６４は下の方向に移動して加熱プレート３６１に基板を安着させる。加熱プレート３６１に安着された基板はヒーター３６３の発熱によってその温度が上昇されることができる。また、返送プレート３８０は冷却プレート３４２と接触することができる。より具体的には、返送プレート３８０の上側に基板が置かれた状態で、返送プレート３８０は冷却プレート３４２と接触することができる。返送プレート３８０上に安着された基板は冷却流路３４４に流れる冷却流体によってその温度が下降することがある。

また、一実施例によれば、複数個の熱処理チャンバ３００らのうちである一部に提供された加熱ユニット３６０は、基板を加熱する間にガスを供給して基板に対するフォトレジストの付着率を向上させることができる。一実施例によれば、ガスはヘキサメチルジシラン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎｅ）であることがある。

図６は、一実施例による液処理チャンバを概略的に見せてくれる断面図である。

液処理チャンバ４００はハウジング４１０、コップ体４２０、支持体４３０、そして、液供給ユニット４４０を含むことができる。

ハウジング４１０は概して直方体の形状を有することができる。ハウジング４１０は内部に空間を有する。ハウジング４１０の内部にはコップ体４２０と支持体４３０が位置する。ハウジング４１０の側壁には基板Ｗが搬出入される出入口（図示せず）が形成される。

コップ体４２０は上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）が開放されたコップ形状を有する。コップ体４２０は後述する支持体４３０をくるむことができる。より具体的には、コップ体４２０は支持体４３０と支持体４３０に支持された基板Ｗをくるむことができる。コップ体４２０は概してリング形状を有することができる。コップ体４２０はコップ駆動機４２５と結合することができる。コップ駆動機４２５はコップ体４２０を昇降させる。一実施例によるコップ駆動機４２５はモータであることができる。一実施例によれば、基板Ｗを処理する中に、コップ駆動機４２５はコップ体４２０を上の方向に移動させることができる。これに、基板Ｗを処理する間、コップ体４２０の上端が支持体４３０に支持された基板Ｗの上面より高く位置することができる。これと反対に、基板Ｗに対する処理が完了した以後には、コップ体４２０の上端が支持体４３０に支持された基板Ｗの上面より低く位置するように、コップ駆動機４２５はコップ体４２０を下の方向に移動させることができる。

支持体４３０は基板Ｗを支持して回転させる。支持体４３０は支持板４３２、回転軸４３４、そして、支持体駆動機４３６を含むことができる。

支持板４３２の上面には基板Ｗが安着される。支持板４３２の上面は上から眺める時、概して円形状を有する。支持板４３２の上面は基板Ｗより小さな直径を有する。回転軸４３４は支持板４３２の下端に結合する。回転軸４３４は第３方向６と平行な長さ方向を有する。回転軸４３４は支持体駆動機４３６と結合する。回転軸４３４は支持体駆動機４３６から動力の伝達を受けて回転することができる。

液供給ユニット４４０は支持体４３０に支持された基板Ｗに液を供給する。一実施例による液は、塗布液を含むことができる。例えば、塗布液はフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）のような感光液、基板Ｗ上に反射防止膜を形成する液、そして、基板Ｗの表面が疎水性の性質を有するように基板Ｗの表面性質を変化させるフリーウェット液のうちで少なくとも何れか一つ以上であることがある。

液供給ユニット４４０はノズル４４２とノズルアーム４４４を含むことができる。ノズル４４２は基板Ｗに液を供給する。たとえ図６では、ノズル４４２が１個であるもので図示されているが、これに限定されるものではない。例えば、ノズル４４２は少なくとも１個以上の個数で具備されることができる。それぞれのノズル４４２らはお互いに異なる液を基板Ｗに供給することができる。また、それぞれのノズル４４２らはお互いに同じ液を基板Ｗに供給するが、その組成の割合が他の液を基板Ｗに供給することができる。

ノズルアーム４４４はノズル４４２を支持する。アーム４４４の一端にはノズル４４２が設置される。ノズルアーム４４４は図示されない駆動機と結合されてその位置が変更されることができる。これに、ノズル４４２らも一緒にその位置が変更されることができる。

再び図１乃至図３を参照すれば、インターフェースモジュール５０は処理モジュール２０と外部の露光装置９０を連結する。インターフェースモジュール５０はインターフェースフレーム５１０、インターフェースバッファー５３０、返送部５５０、そして、付加工程チャンバ５７０を含む。

インターフェースフレーム５１０の内部にはインターフェースバッファー５３０、返送部５５０、そして、付加工程チャンバ５７０が位置する。インターフェースバッファー５３０は塗布ブロック２０ａ、付加工程チャンバ５７０、露光装置９０、そして、現像ブロック２０ｂの間に基板を返送する過程で、基板が一時的に保管される空間を提供する。インターフェースバッファー５３０は複数個具備されることができるし、複数個のインターフェースバッファー５３０らはお互いに積層されるように配置されることができる。

返送部５５０は塗布ブロック２０ａ、付加工程チャンバ５７０、露光装置９０、または現像ブロック２０ｂの間に基板を返送する。返送部５５０は少なくとも一つ以上のロボットを含む。一実施例によれば、返送部５５０は第１ロボット５５２、第２ロボット５５４、そして、第３ロボット（図示せず）を含むことができる。

第１ロボット５５２は塗布ブロック２０ａ、付加工程チャンバ５７０、そして、露光装置９０の間に基板を返送することができる。より具体的には、第１ロボット５５２は後端バッファー２４４、付加工程チャンバ５７０、そして、露光装置９０の間に基板を返送することができる。また、第２ロボット５５４はインターフェースバッファー５３０と露光装置９０の間に基板を返送することができる。図示されない第３ロボットはインターフェースバッファー５３０と現像ブロック２０ｂとの間に基板を返送することができる。第１ロボット５５２、第２ロボット５５４、そして、第３ロボット（図示せず）はそれぞれ基板が置かれるハンドを含むことができる。それぞれのハンドは前進及び後進移動、第３方向６と平行な軸を基準にした回転移動、そして、第３方向６に沿って垂直移動することができる。

付加工程チャンバ５７０は塗布ブロック２０ａで所定の処理が完了された基板が露光装置９０に搬入される前に、所定の付加工程を遂行することができる。また、付加工程チャンバ５７０は露光装置９０で所定の処理が完了された基板が現像ブロック２０ｂに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。

付加工程チャンバ５７０は複数個具備されることができる。また、複数個の付加工程チャンバ５７０らはお互いに積層されるように配置されることができる。付加工程チャンバ５７０はすべて同一な工程を遂行することができる。選択的に、付加工程チャンバ５７０らはお互いに異なる工程を遂行することができる。例えば、複数の付加工程チャンバ５７０らのうちである一部では、一実施例による付加工程は基板のエッジ領域を露光するエッジ露光工程を遂行することができる。また、複数の付加工程チャンバ５７０らのうちで他の一部では、基板の上面を洗浄する上面洗浄工程を遂行することができる。また、複数の付加工程チャンバ５７０らのうちでまた他の一部では、基板の底面を洗浄する底面洗浄工程を遂行することができる。

以下では、一実施例による付加工程チャンバ５７０が基板の底面を洗浄する底面洗浄チャンバ６００であることを例で挙げて説明する。

図７は、一実施例による底面洗浄チャンバを概略的に見せてくれる斜視図である。図８は、一実施例による底面洗浄チャンバを概略的に見せてくれる断面図である。図９は、一実施例による第２支持部が基板を支持する姿を概略的に見せてくれる斜視図である。

底面洗浄チャンバ６００はハウジング６１０、処理容器６２０、支持ユニット６３０、６４０、そして、洗浄ユニット６６０を含むことができる。

ハウジング６１０は概して直方体の形状を有する。一実施例によれば、ハウジング６１０の上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）は開放されることができる。ハウジング６１０の開放された上部は図示されないカバーによって密閉されることができる。ハウジング６１０の内部には後述する処理容器６２０、支持ユニット６３０、６４０、そして、洗浄ユニット６６０が位置する。ハウジング６１０の底には図示されない排気ホールが形成されることができる。排気ホール（図示せず）はポンプが設置された排気ライン（図示せず）と連結されてハウジング６１０の内部圧力を調節することができる。また、排気ホール（図示せず）はハウジング６１０の内部に浮遊する不純物（Ｂｙｐｒｏｄｕｃｔ）をハウジング６１０の外部に排出することができる。また、ハウジング６１０の底には回収ライン６１２が連結される。回収ライン６１２は後述する洗浄液供給部６８０から基板Ｗの底面に供給した洗浄液を回収することができる。回収ライン６１２が回収した洗浄液は外部の再生システム（図示せず）で再使用されることができる。

ハウジング６１０の側壁にはガイドレール６１４が設置される。ガイドレール６１４は複数個具備されることができる。複数のガイドレール６１４のうちである一部はハウジング６１０の一側壁に配置され、複数のガイドレール６１４のうちで他の一部はハウジング６１０の一側壁と見合わせる他の側壁に配置される。ガイドレール６１４は第１方向２と平行な長さ方向を有することができる。

処理容器６２０は上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）が開放されたボウル（Ｂｏｗｌ）であることがある。すなわち、処理容器６２０は上部が開放されたコップ形状を有することができる。また、処理容器６２０は概してリング形状を有することができる。処理容器６２０の内部は基板Ｗが処理される処理空間で機能する。処理容器６２０は後述する第１支持部６３０に支持された基板Ｗまたは第２支持部６４０に支持された基板Ｗをくるむことができる。

処理容器６２０は側部６２２と傾斜部６２４で構成されることができる。側部６２２と傾斜部６２４は一体で形成される。また、側部６２２と傾斜部６２４は同じ材質でなされることができる。側部６２２はリング形状を有する。側部６２２はハウジング６１０の底から上の方向に延長されることができる。側部６２２は上から眺める時、後述するチャック６３１、支持軸６３７、そして、洗浄ユニット６６０をくるむことができる。側部６２２の内側面は基板Ｗより大きい直径を有する。側部６２２には溝が形成される。側部６２２に形成された溝には後述するプレート６４４が挿入される。

傾斜部６２４は概してリング形状を有する。傾斜部６２４は側部６２２のまわり方向に沿って、側部６２２の末端から上の方向に延長される。傾斜部６２４は第１支持部６３０または第２支持部６４０に支持された基板Ｗの中心を向ける方向に延長される。また、傾斜部６２４はその上端に行くほど地面に対して上向き傾くことができる。傾斜部６２４の上端は第１支持部６３０または第２支持部６４０に支持された基板Ｗの上面より高く位置することができる。

支持ユニット６３０、６４０は基板Ｗを支持する。より具体的には、支持ユニット６３０、６４０は基板Ｗの底面を支持する。以下で説明する基板Ｗの底面とは、パターンが形成されない面を意味することができる。これと反対に、基板Ｗの上面は、パターンが形成された面を意味することができる。また、支持ユニット６３０、６４０は基板Ｗを回転させることができる。支持ユニット６３０、６４０は第１支持部６３０と第２支持部６４０を含む。

第１支持部６３０は基板Ｗの中央領域を支持する。より具体的には、第１支持部６３０は基板Ｗの中央領域と縁領域中、基板Ｗの中央領域を支持するが、基板Ｗの縁領域を露出させる。第２支持部６４０は基板Ｗの縁領域を支持する。より具体的には、第２支持部６４０は基板Ｗの中央領域と縁領域中、基板Ｗの縁領域を支持するが、基板Ｗの中央領域を露出させる。以下では、基板Ｗの底面全領域のうちで中央領域を第１領域であると称することができる。また、基板Ｗの底面全領域のうちで縁領域を第２領域であると称することができる。

第１支持部６３０はチャック６３１、吸着グルブ６３３、真空ライン６３５、支持軸６３７、そして、軸駆動機６３９を含むことができる。

チャック６３１の上面には基板Ｗが安着される。チャック６３１は上から眺める時、概して円形状を有する。チャック６３１は基板Ｗより小さな直径を有する。チャック６３１の上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）には吸着グルブ６３３が形成されることができる。吸着グルブ６３３はチャック６３１の中央領域、そして、チャックの縁領域にそれぞれ形成されることができる。チャック６３１の中央領域に形成された吸着グルブ６３３は上から眺める時、概して円形状を有することができる。また、チャック６３１の縁領域に形成された吸着グルブ６３３は概してリング形状を有することができる。吸着グルブ６３３はチャック６３１と後述する支持軸６３７の内部に配置された真空ライン６３５と連結される。真空ライン６３５は陰圧を加えるポンプと連結される。これに、吸着グルブ６３３はチャック６３１の上面に安着された基板Ｗを真空吸着方式でチャック６３１に固定する。但し、前述した例と異なり、チャック６３１の縁領域には吸着グルブ６３３が形成されないこともある。

支持軸６３７はチャック６３１と結合する。より具体的には、支持軸６３７はチャック６３１の下端に結合する。支持軸６３７は上下（例えば、第３方向６）の長さ方向を有する。支持軸６３７は軸駆動機６３９と結合する。軸駆動機６３９は支持軸６３７の軸方向を回転軸にして支持軸６３７を回転させる。軸駆動機６３９は回転力を伝達する公知されたモータのうちで何れか一つであることができる。また、軸駆動機６３９は支持軸６３７を上下方向に移動させることができる。これに、チャック６３１に安着された基板Ｗは第３方向６、そして、第３方向６を軸にした回転移動することができる。

第２支持部６４０はブラケット６４２、プレート６４４、そして、回転ピン６４６を含むことができる。

ブラケット６４２は概してコの形状を有する。ブラケット６４２はハウジング６１０の側壁上に位置する。また、ブラケット６４２はガイドレール６１４上に配置される。ブラケット６４２は後述するプレート６４４と結合される。また、ブラケット６４２はブラケット駆動機６４８と結合される。ブラケット駆動機６４８はガイドレール６１４に沿ってブラケット６４２を移動させる。これに、プレート６４４はブラケット６４２を媒介でガイドレール６１４に沿って直線移動することができる。例えば、プレート６４４は第１方向２に前進及び後進移動することができる。

また、ブラケット駆動機６４８は基板Ｗを向ける方向にブラケット６４２を前進及び後進移動させることができる。例えば、ブラケット駆動機６４８はブラケット６４２を第２方向４に移動させることができる。

プレート６４４はブラケット６４２の一端に結合される。プレート６４４は側部６２２に形成された溝に挿入される。これに、プレート６４４が第１方向２に移動すれば、処理容器６２０も一緒に第１方向２に移動することができる。これと反対に、第２方向４でプレート６４４が移動する時には、処理容器６２０によってプレート６４４の移動が拘束されないこともある。プレート６４４の上端には回転ピン６４６が設置される。

回転ピン６４６は基板Ｗの側端を支持する。回転ピン６４６は第３方向６と平行な長さ方向を有する。回転ピン６４６は図示されない駆動機によって第３方向６を基準軸にして回転する。回転ピン６４６は上から眺める時、概して円形状を有する。回転ピン６４６は上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）と下部（ｌｏｗｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）で構成されることができる。回転ピン６４６の上部と下部は一体で形成され、同一な材質でなされることができる。例えば、回転ピン６４６の上部は上から下に行くほどその直径が減少する形状を有することができる。また、回転ピン６４６の下部は上から下に行くほどその直径が増加する形状を有することができる。基板Ｗの側端は回転ピン６４６の上部と下部が連結される支点でグラップ（Ｇｒａｐ）されることができる。回転ピン６４６が基板Ｗの側端をグラップした状態で第３方向６を基準軸にして回転することで、基板Ｗが回転されることができる。

ガス供給部６５０は基板Ｗの底面でガスを噴射する。より具体的には、ガス供給部６５０は第１支持部６３０に支持された基板Ｗの底面でガスを噴射する。ガス供給部６５０はチャック６３１より低い高さに位置する。また、ガス供給部６５０はチャック６３１と処理容器６２０の側部６２２との間に位置する。また、ガス供給部６５０はチャック６３１の外側をくるむように配置される。ガス供給部６５０は上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）が開放された円筒形状を有することができる。ガス供給部６５０の上端にはガスが供給されるグルブが形成されることができる。ガスが供給されるグルブはリング形状のスリット（Ｓｌｉｔ）であることがある。ガス供給部６５０の上端は第１支持部６３０に支持された基板Ｗの縁領域を向けるように傾くように形成されることができる。一実施例によるガスは、エア（Ａｉｒ）であることがある。

洗浄ユニット６６０は支持ユニット６３０、６４０に支持された基板Ｗの底面を洗浄する。一実施例によれば、第１支持部６３０によって基板Ｗの第１領域が支持された状態で、基板Ｗの第２領域を洗浄する。また、第２支持部６４０によって基板Ｗの第２領域が支持された状態で、基板Ｗの第１領域を洗浄する。洗浄ユニット６６０は処理容器６２０の内側に位置する。また、洗浄ユニット６６０は第１支持部６３０とガス供給部６５０の外側に位置する。

図１０は、一実施例による底面洗浄チャンバを概略的に見せてくれる断面図である。図１１は、一実施例による洗浄ユニットを概略的に見せてくれる断面図である。図１２は、一実施例による洗浄ユニットを上から眺めた姿を概略的に見せてくれる図面である。

洗浄ユニット６６０はボディー６７１、側壁６７２、突出部６７３、ホール６７４、洗浄液供給部６８０、そして、アーム６９０を含むことができる。

ボディー６７１は角がラウンドになるように形成されたプレート形状を有することができる。但し、これに限定されるものではなくて、ボディー６７１は角が角をなしたプレート形状で形成されることができる。また、ボディー６７１の形状は上に上述した例に限定されないで、多様な形状（例えば、円形）で変形されることができる。第１支持部６３０が基板Ｗの第１領域を支持した状態で、ボディー６７１は上から眺める時、基板Ｗの第２領域と重畳される位置に配置されることができる。ボディー６７１の一側には後述するアーム６９０が結合されることができる。

側壁６７２はボディー６７１から上の方向に延長される。また、側壁６７２はボディー６７１の縁領域に形成される。また、側壁６７２はボディー６７１のまわり方向に沿って形成される。ボディー６７１と側壁６７２は一体で形成され、同一な材質でなされることができる。一実施例によれば、ボディー６７１と側壁６７２は軟性を有する材質でなされることができる。例えば、ボディー６７１と側壁６７２はＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を含む材質でなされることができる。

側壁６７２によって取り囲まれた空間には突出部６７３が位置する。すなわち、突出部６７３は側壁６７２の内側に位置する。また、突出部６７３は側壁６７２と離隔されるように配置される。また、突出部６７３はボディー６７１から上の方向に突き出されるように形成される。一実施例によれば、突出部６７３は突起形状を有することができる。例えば、突出部６７３は複数個の突起形状を有するブラッシュ（Ｂｒｕｓｈ）であることがある。突出部６７３は複数個の突起形状らがお互いに一定間隔で離隔されるように配置された束ね構造で構成されることができる。一実施例によれば、突出部６７３はボディー６７１と側壁６７２と同一または類似な材質でなされることができる。例えば、突出部６７３はＰＶＡを含む材質でなされることができる。

図１１に示されたところと異なり、側壁６７２の上端と突出部６７３の上端はラウンドになるように形成されることができる。また、突出部６７３の末端はラウンドになるように形成されることができる。

ホール６７４はボディー６７１に形成される。より具体的には、ホール６７４はボディー６７１の上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）に形成される。ホール６７４はボディー６７１の上面を貫通する。ホール６７４は側壁６７２によって取り囲まれた空間内に位置する。ホール６７４はボディー６７１に複数個形成されることができる。複数個のホール６７４らはお互いに離隔されるように配置される。また、複数個のホール６７４らそれぞれは、上から眺める時、突出部６７３と重畳されないように配置される。すなわち、ホール６７４と突出部６７３は上から眺める時、お互いに行き異なるように配置される。

洗浄液供給部６８０は洗浄液を供給する。より具体的には、洗浄液供給部６８０は第１支持部６３０または第２支持部６４０に支持された基板Ｗの底面に洗浄液を供給する。一実施例による洗浄液は、脱イオン水、オゾン水、水素水、アンモニア水のうちで少なくとも何れか一つを含むことができる。洗浄液は前処理段階で基板Ｗに供給された液の特性などを考慮して決まることができる。

洗浄液供給部６８０は供給ライン６８１、ソース６８２、ポンプ６８３、そして、バルブ６８４を含むことができる。

供給ライン６８１はボディー６７１とアーム６９０の内部を貫通して配置される。また、供給ライン６８１の一端はホール６７４と連結される。供給ライン６８１の他端は洗浄液を貯蔵するソース６８２と連結される。一実施例によれば、ソース６８２は処理容器６２０の外部に位置することができる。供給ライン６８１にはポンプ６８３とバルブ６８４が設置される。ポンプ６８３は供給ライン６８１内に流動圧を伝達する。バルブ６８４はオン／オフバルブ及び／または流量調節バルブであることができる。ソース６８２に貯蔵された洗浄液は、供給ライン６８１とホール６７４を順次に経って基板Ｗの底面に供給されることができる。

アーム６９０はボディー６７１に結合される。一実施例によれば、アーム６９０はボディー６７１の一側端に結合される。但し、これに限定されるものではなくて、アーム６９０はボディー６７１の下端に結合されることができる。また、アーム６９０はハウジング６１０の底に設置される。アーム６９０はボディー６７１と結合して、ボディー６７１を支持する。

以下では、一実施例による基板処理方法に対して説明する。以下で説明する基板処理方法は、図１乃至図１２を参照して説明した基板処理装置によって遂行されることができる。これに、以下では、図１乃至図１２に示された参照符号をそのまま引用して一実施例による基板処理方法を説明する。また、以下で説明する基板処理方法は図示されない制御機が上述した基板処理装置に含まれる構成らを制御して遂行されることができる。

制御機（図示せず）は基板処理装置１の制御を行うマイクロプロセッサー（コンピューター）でなされるプロセスコントローラーと、オペレーターが基板処理装置１を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボードや、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェースと、基板処理装置１で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で実行するための制御プログラムや、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが記憶された記憶部を具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び記憶部はプロセスコントローラーに接続されてあり得る。処理レシピは記憶部のうちで記憶媒体に記憶されてあり得て、記憶媒体は、ハードディスクでも良く、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることもある。

図１３は、一実施例による基板処理方法のフローチャートである。図１４乃至図１７は、一実施例による第１領域洗浄段階を遂行する基板処理装置の動作を説明するための図面である。図１８乃至図２０は、一実施例による第２領域洗浄段階を遂行する基板処理装置の動作を説明するための図面である。

一実施例による基板処理方法は、第２領域洗浄段階（Ｓ１０）と第１領域洗浄段階（Ｓ２０）を含む。第２領域洗浄段階（Ｓ１０）と第２領域洗浄段階（Ｓ１０）は順次に遂行されることができる。

第２領域洗浄段階（Ｓ１０）を遂行する以前に、外部の返送手段（例えば、第１ロボット５５２）が基板Ｗを第１支持部６３０で引き継ぐことができる。第１支持部６３０に引き継ぎされる基板Ｗは前処理が完了した基板Ｗであることがある。例えば、第１支持部６３０に引き継ぎされる基板Ｗは塗布工程が遂行された基板Ｗであることがある。

外部の返送手段が第１支持部６３０で基板Ｗを引き継ぐため、チャック６３１は上の方向に移動する。これに、チャック６３１は処理容器６２０の上端より高く位置する。外部の返送手段はチャック６３１の上面に基板Ｗを引き継いで、吸着グルブ６３３はチャック６３１の上面に安着された基板Ｗを真空吸着方式で固定する。これに、基板Ｗの底面はチャック６３１の上面に支持される。

基板Ｗの第１領域（Ａ１、例えば中央領域）はチャック６３１に支持され、基板Ｗの第２領域（Ａ２、例えば縁領域）は露出される。また、チャック６３１が基板Ｗの第１領域（Ａ１）を支持すれば、上から眺める時、基板Ｗの第２領域（Ａ２）はボディー６７１と重畳されることができる。チャック６３１は基板Ｗの第１領域（Ａ１）を支持した状態で下の方向に移動する。一実施例によれば、チャック６３１は第２領域洗浄位置まで移動する。

第２領域洗浄位置とは、チャック６３１が処理容器６２０の上端より低い高さにある位置であることができる。また、第２領域洗浄位置とは、チャック６３１に支持された基板Ｗの底面が側壁６７２の上端及び突出部６７３の上端とそれぞれ一定距離離隔された位置であることができる。より具体的には、第２領域洗浄位置とは、チャック６３１に支持された基板Ｗの底面が側壁６７２の上面より２ｍｍ乃至３ｍｍ上にある位置であることができる。また、第２領域洗浄位置とは、チャック６３１に支持された基板Ｗの底面が突出部６７３の上面より２ｍｍ乃至３ｍｍ上にある位置であることができる。一実施例によれば、側壁６７２の上面と基板Ｗの底面の間の離隔距離より、突出部６７３の上面と基板Ｗの底面の間の離隔距離がさらに小さいことがある。

チャック６３１が第２領域洗浄位置まで移動が完了すれば、第２領域洗浄段階（Ｓ１０）を遂行する。

軸駆動機６３９はチャック６３１を回転させ、チャック６３１に支持された基板Ｗも一緒に回転する。図１５ではチャック６３１に支持された基板Ｗが反時計方向に回転することで図示されているが、基板Ｗは時計方向に回転することができる。

また、洗浄液供給部６８０はホール６７４を通じて基板Ｗの底面を向ける方向に洗浄液（Ｌ）を供給する。基板Ｗの底面に供給された洗浄液（Ｌ）によって基板Ｗの底面に付着された不純物（Ｂ）は物理的に除去されることができる。また、洗浄液（Ｌ）と不純物（Ｂ）が化学的に応じて、基板Ｗの底面に付着された不純物（Ｂ）が除去されることができる。

前述したように、基板Ｗの底面と側壁６７２、そして、基板Ｗの底面と突出部６７３がそれぞれお互いに離隔された状態で基板Ｗが回転する。すなわち、一実施例による洗浄ユニット６６０は非接触方式で基板Ｗの底面を洗浄する。これに、回転によって発生する遠心力によって、基板Ｗの底面と側壁６７２との間にせん断力（Ｓｈｅａｒ ｆｏｒｃｅ）が発生する。また、基板Ｗの底面と突出部６７３との間にせん断力が発生する。基板Ｗの下側に発生したせん断力によって基板Ｗの底面に付着された不純物（Ｂ）は基板Ｗから除去されることができる。

これに、前述した実施例によれば、非接触方式で基板Ｗの下側にせん断力を発生させて基板Ｗの損傷を最小化しながらも、基板Ｗの底面に付着された不純物（Ｂ）を容易に除去することができる。

第２領域洗浄段階（Ｓ１０）が完了すれば、第２支持部６４０は基板Ｗを支持する。より具体的には、プレート６４４は第２方向４に移動し、回転ピン６４６は基板Ｗの側端をグラップ（Ｇｒａｂ）する。続いて、チャック６３１は基板Ｗの底面と離隔されるように、下の方向に移動する。これに、基板Ｗの第２領域（Ａ２、例えば縁領域）は第２支持部６４０によって支持され、基板Ｗの第１領域（Ａ１、例えば中央領域）は露出される。

第２支持部６４０は基板Ｗの第２領域を支持した状態で、第１方向２に移動する。より具体的には、プレート６４４は第１方向２に移動する。また、プレート６４４が挿入された処理容器６２０も第１方向２に一緒に移動する。プレート６４４は第１領域洗浄位置まで移動する。第１領域洗浄位置とは、上から眺める時、基板Ｗの第１領域とボディー６７１が重畳される位置であることができる。また、第１領域洗浄位置では、基板Ｗの底面が側壁６７２の上端及び突出部６７３の上端とそれぞれ一定距離離隔された位置であることができる。より具体的には、第１領域洗浄位置とは、チャック６３１に支持された基板Ｗの底面が側壁６７２の上面より２ｍｍ乃至３ｍｍ上にある位置であることができる。また、第１領域洗浄位置とは、チャック６３１に支持された基板Ｗの底面が突出部６７３の上面より２ｍｍ乃至３ｍｍ上にある位置であることができる。

プレート６４４が第１領域洗浄位置まで移動が完了すれば、第１領域洗浄段階（Ｓ２０）を遂行する。

第１領域洗浄位置で、回転ピン６４６は基板Ｗの側端をグラップした状態で基板Ｗを回転させる。図１９に示されたところと異なり、回転ピン６４６は基板Ｗを時計方向に回転させることができる。また、洗浄液供給部６８０はホール６７４を通じて基板Ｗの底面に洗浄液を供給する。洗浄液によって基板Ｗの底面に付着された不純物は物理的及び／または化学的に除去されることができる。

また、前述したように基板Ｗの下側にはせん断力に発生する。基板Ｗの下側に発生したせん断力によって基板Ｗの底面に付着された不純物は基板Ｗから除去されることができる。すなわち、非接触方式で基板Ｗの底面に付着された不純物が基板Ｗから除去されることができる。これに、洗浄過程で発生することができる基板Ｗの損傷を最小化することができる。

第１領域洗浄段階（Ｓ２０）が完了すれば、チャック６３１は基板Ｗを上の方向に移動させる。チャック６３１は処理容器６２０の上端より高い位置に移動する。外部の返送手段（例えば、第１ロボット５５２）はチャック６３１から基板Ｗを引き受けて底面洗浄チャンバ６００の外部に基板Ｗを返送する。

前述した例では、第２領域洗浄段階（Ｓ１０）と第２領域洗浄段階（Ｓ１０）が時系列的に遂行されることを例で挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第２領域洗浄段階（Ｓ１０）を先に遂行した以後、第２領域洗浄段階（Ｓ１０）が遂行されることができる。また、第２領域洗浄段階（Ｓ１０）と第２領域洗浄段階（Ｓ１０）は一つのサイクルで繰り返し遂行されることができる。

以下では、本発明の他の実施例による洗浄ユニットに対して説明する。以下で説明する洗浄ユニットは追加的に説明する場合外には、前述した洗浄ユニットの構成と大部分同一または類似である。これに、重複される構成に対する説明は略する。

図２１乃至図２５は、他の実施例による洗浄ユニットを概略的に見せてくれる断面図である。

図２１を参照すれば、一実施例による洗浄液供給部６８０は基板Ｗの底面に洗浄液を供給する。洗浄液は機能水であることができる。一実施例による、機能水はラジカルを含んだ液であることができる。一実施例による洗浄液供給部６８０は供給ライン６８１、ソース６８２、減圧ポンプ（図示せず）、バルブ６８４、分解ユニット６８５、そして、ガスソース６８６を含むことができる。

ソース６８２は洗浄液を貯蔵する。一実施例による洗浄液は、Ｈ_２Ｏであることがある。分解ユニット６８５は供給ライン６８１に連結される。また、分解ユニット６８５はソース６８２より供給ライン６８１の下流に位置する。分解ユニット６８５は洗浄液を成す物質らの結合関係を切ることができる。例えば、分解ユニット６８５はＨ_２Ｏの結合関係を切って、ＨラジカルとＯＨラジカルを生成させることができる。一実施例によれば、分解ユニット６８５は電気を利用して物質の間の結合関係を切る電気分解装置であることができる。また、分解ユニット６８５は溶解ガスを利用して物質の間の結合関係を切る装置であることができる。また、分解ユニット６８５はマイクロ波を印加して物質の間の結合関係を切る装置であることができる。また、分解ユニット６８５はプラズマを利用して物質の間の結合関係を切るリモートプラズマ装置であることができる。

ガスソース６８６はガスを貯蔵して供給する。供給ライン６８１にはガスソース６８６が連結される。ガスソース６８６は分解ユニット６８５より供給ライン６８１の下流に位置する。ガスソース６８６は供給ライン６８１にＨ_２ガスを供給することができる。供給ライン６８１内で、Ｈ_２ガスはＯＨラジカルと応じてＯＨラジカルを除去する。これに、Ｈラジカルは供給ライン６８１とホール６７４を経って基板の底面に供給されることができる。基板Ｗの底面に供給されたＨラジカルは基板Ｗの底面に付着された不純物の結合を切ることができる。特に、Ｈラジカルは微粒子である不純物の結合を切ることができるので、基板Ｗの底面に付着された不純物らのうちで物理的、化学的及び／またはせん断力で除去されない不純物を容易に除去することができる。

図２２を参照すれば、一実施例による洗浄ユニット６６０は回転駆動機６９５をさらに含むことができる。回転駆動機６９５はボディー６７１に結合される。例えば、回転駆動機６９５はボディー６７１の下端に結合される。より具体的には、回転駆動機６９５は、ボディー６７１の内部を貫通して上下の長さ方向を有する軸（図示せず）を媒介で、ボディー６７１と結合されることができる。回転駆動機６９５はボディー６７１の内部を貫通する軸を基準軸にして、ボディー６７１を回転させることができる。

一実施例によれば、前述した第２領域洗浄段階（Ｓ１０）で、チャック６３１は基板Ｗを回転させ、回転駆動機６９５はボディー６７１を回転させることができる。また、第１領域洗浄段階（Ｓ２０）で、回転ピン６４６は基板Ｗを回転させ、回転駆動機６９５はボディー６７１を回転させることができる。

第２領域洗浄段階（Ｓ１０）と第１領域洗浄段階（Ｓ２０）でそれぞれ基板Ｗの回転速度とボディー６７１の回転速度はお互いに相異なことがある。また、第２領域洗浄段階（Ｓ１０）と第１領域洗浄段階（Ｓ２０）でそれぞれ基板Ｗの回転方向とボディー６７１の回転方向はお互いに等しいことがある。第２領域洗浄段階（Ｓ１０）と第１領域洗浄段階（Ｓ２０）でそれぞれ基板Ｗとボディー６７１を同時に回転させることで、基板Ｗの下側に発生するせん断力をより強化させることができる。これに、基板Ｗの底面に付着された不純物をより容易に基板Ｗから除去することができる。但し、前述した例と異なり、ボディー６７１の回転方向と基板Ｗの回転方向はお互いに異なることもある。

図２３を参照すれば、一実施例による突出部６７３は概して直方体の形状を有することができる。突出部６７３の上端は側壁６７２の上端と類似な高さに位置することができる。より望ましくは、突出部６７３の上端は側壁６７２の上端より微細に低い高さに位置することができる。また、突出部６７３の外側面は側壁６７２の内側面と離隔されるように配置される。突出部６７３と側壁６７２との間の離隔された空間と、突出部６７３の上部（ｕｐｐｅｒ ｐｏｒｔｉｏｎ）にはそれぞれホール６７４が形成される。

図２４を参照すれば、一実施例による突出部６７３はパッド形状を有することができる。例えば、突出部６７３は複数個のパッド形状を有するブラッシュ（Ｂｒｕｓｈ）であることがある。突出部６７３は、複数個のパッド形状らがボディー６７１の長さ方向に対して斜線方向に一定間隔離隔されるように配置された構造を有することができる。但し、前述した例と異なり、複数個のパッド形状らの配置形態は多様に変形されることができる。

図２５を参照すれば、一実施例によるボディー６７１には突出部６７３が形成されないこともある。これに、第２領域洗浄段階（Ｓ１０）及び第１領域洗浄段階（Ｓ２０）では、基板Ｗの底面と側壁６７２との間に発生するせん断力によって基板Ｗの底面に付着された不純物を除去することができる。

以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。

１０ インデックスモジュール
２０ 処理モジュール
５０ インターフェースモジュール
９０ 露光装置
３００ 熱処理チャンバ
４００ 液処理チャンバ
６００ 底面洗浄チャンバ
６１０ ハウジング
６２０ 処理容器
６３０、６４０ 支持ユニット
６３０ 第１支持部
６３１ チャック
６４０ 第２支持部
６４４ プレート
６４６ 回転ピン
６６０ 洗浄ユニット
６７１ ボディー
６７２ 側壁
６７３ 突出部（ブラッシュ）
６７４ ホール
６８０ 洗浄液供給部

Claims (20)

1. 基板を処理する装置において、
   前記基板を支持する支持ユニットと、
   前記支持ユニットに支持された前記基板の底面を洗浄する洗浄ユニットと、を有し、
   前記洗浄ユニットは、
   ボディーと、
   前記ボディーから上の方向に突き出されるように形成された突出部と、を有し、
   前記突出部は、前記底面とお互いに離隔されるように位置する基板処理装置。
2. 前記洗浄ユニットは、
   前記ボディーに形成されたホールと連結され、前記底面に洗浄液を供給する洗浄液供給部をさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記ホールと前記突出部は、上から眺める時、お互いに行き異なるように配置される請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記突出部は、パッド形状を有する請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記突出部は、突起形状を有する請求項３に記載の基板処理装置。
6. 前記洗浄ユニットは前記ボディーのまわり方向に沿って形成された側壁をさらに含み、
   前記突出部は前記側壁で取り囲まれた領域内に位置し、
   前記側壁の上面は、前記底面とお互いに離隔されるように位置する請求項１に記載の基板処理装置。
7. 前記装置は、内部に前記支持ユニットと前記洗浄ユニットが位置するハウジングをさらに含み、
   前記支持ユニットは、
   前記基板の縁領域を露出させるが、前記基板の中央領域を支持して回転させる第１支持部と、
   前記中央領域を露出させるが、前記縁領域を支持する第２支持部と、を有し、
   前記第２支持部は、前記ハウジングの側壁に設置されたガイドレールに沿って移動可能に具備された請求項２に記載の基板処理装置。
8. 前記第２支持部は、
   前記ガイドレール上に配置されたブラケットと、
   前記ブラケットに結合されたプレートと、
   前記プレートに設置され、前記基板の側端を支持し、上下の長さ方向を軸にして前記基板を回転させる回転ピンと、を有する請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記第１支持部は前記縁領域と前記突出部が重畳される位置で前記基板を回転させ、
   前記第２支持部は前記中央領域と前記突出部が重畳される位置で前記基板を回転させる請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記洗浄ユニットは、前記ボディーを貫通して上下方向の軸を基準で前記ボディーを回転させる回転駆動機をさらに有し、
    前記突出部と前記基板の前記底面が重畳される位置で、前記第１支持部または前記第２支持部は前記基板を回転させ、前記回転駆動機は前記ボディーを回転させる請求項７に記載の基板処理装置。
11. 前記洗浄液は、脱イオン水、オゾン水、水素水、アンモニア水のうちで少なくとも何れか一つを含む請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記洗浄液は機能水を含み、
    前記機能水は、ラジカルを含む請求項１０に記載の基板処理装置。
13. 前記支持ユニットに支持された前記基板の上面にはパターンが形成される請求項１に記載の基板処理装置。
14. 基板を処理する装置において、
    ハウジングと、
    前記基板の中央領域と縁領域中、前記中央領域を支持して回転させる第１支持部と、
    前記中央領域と前記縁領域中、前記縁領域を支持して回転させる第２支持部と、
    前記ハウジング内部で、前記第１支持部に支持された前記基板または前記第２支持部に支持された前記基板をくるむ処理容器と、
    前記基板の底面を洗浄する洗浄ユニットと、を有し、
    前記第１支持部は、前記中央領域を支持するチャックを含み、
    前記第２支持部は、
    前記ハウジングの側壁に設置されたガイドレールに沿って移動するブラケットと、
    前記ブラケットに結合されたプレートと、
    前記プレートに設置されて前記基板の側端を支持し、上下の長さ方向を軸にして前記基板を回転させる回転ピンと、を有し、
    前記洗浄ユニットは、
    ボディーと、
    前記ボディーのまわり方向に沿って上の方向に延長された側壁と、
    前記ボディーを支持するアームと、
    前記側壁の内側に位置し、前記ボディーから上の方向に突き出されたブラッシュと、
    前記ボディーに形成されたホールと連結され、前記底面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、を有し、
    前記ブラッシュの上端と前記側壁の上端はそれぞれ前記底面と離隔されるように位置する基板処理装置。
15. 請求項１の装置を利用して前記基板を処理する方法において、
    前記基板の第１領域を支持した状態で、前記基板の第２領域を露出させて前記第２領域を洗浄する第２領域洗浄段階と、
    前記第２領域を支持した状態で、前記第１領域を露出させて前記第１領域を洗浄する第１領域洗浄段階と、を有し、
    前記第１領域洗浄段階と前記第２領域洗浄段階は、それぞれ前記突出部と前記底面がお互いに離隔されるように位置させた状態で遂行される基板処理方法。
16. 前記第２領域洗浄段階は、
    上から眺める時前記第２領域と前記突出部が重畳されるように、前記第１領域を支持する第１支持部に前記基板を安着させ、前記第１支持部は前記基板を回転させる請求項１５に記載の基板処理方法。
17. 前記第１領域洗浄段階は、
    前記第２領域を支持する第２支持部に前記基板を安着させ、
    前記第２支持部は、
    上から眺める時前記第１領域と前記突出部が重畳されるように前記基板を移動させ、前記第１領域と前記突出部が重畳されれば前記基板を回転させる請求項１５に記載の基板処理方法。
18. 前記第１領域洗浄段階と前記第２領域洗浄段階では、
    前記ボディーに形成されたホールを通じて前記底面に洗浄液を供給する請求項１５に記載の基板処理方法。
19. 前記洗浄液は、脱イオン水、オゾン水、水素水、アンモニア水、そして、機能水のうちで少なくとも何れか一つを含むが、
    前記機能水は水素ラジカルを含む請求項１８に記載の基板処理方法。
20. 前記底面と前記突出部が重畳される時、前記底面と前記突出部との上面の間の距離は２ｍｍ乃至３ｍｍである請求項１５に記載の基板処理方法。