JP7476273B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7476273B2
JP7476273B2 JP2022163984A JP2022163984A JP7476273B2 JP 7476273 B2 JP7476273 B2 JP 7476273B2 JP 2022163984 A JP2022163984 A JP 2022163984A JP 2022163984 A JP2022163984 A JP 2022163984A JP 7476273 B2 JP7476273 B2 JP 7476273B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
chuck
magnetic body
chuck pin
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022163984A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023059255A (ja
Inventor
シク ソン，ウォン
フン オー，セ
キュ キム，ジン
キ ジュン，イン
ヒュプ ユ，ジョン
Original Assignee
セメス カンパニー，リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by セメス カンパニー，リミテッド filed Critical セメス カンパニー，リミテッド
Publication of JP2023059255A publication Critical patent/JP2023059255A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7476273B2 publication Critical patent/JP7476273B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/001—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work incorporating means for heating or cooling the liquid or other fluent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

本発明の実施例は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。
半導体素子または液晶ディスプレイを製造するために基板にフォトリソグラフィー、蝕刻、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着、そして、洗浄などの多様な工程らが遂行される。この中、蝕刻工程または洗浄工程は基板上に形成された薄膜のうちで不必要な領域を除去するか、または異物、パーティクルなどを蝕刻するか、または洗浄する工程で、薄膜に対する高い選択比、高い蝕刻率及び蝕刻均一性が要求され、半導体素子の高集積化によってますますさらに高い水準の蝕刻選択比及び蝕刻均一性が要求されている。
一般に、基板の蝕刻工程または洗浄工程は大きく処理液処理段階、リンス処理段階、そして、乾燥処理段階が順次に遂行される。一例において、処理液処理段階には基板上に形成された薄膜を蝕刻処理するか、または基板上の異物を除去するための処理液を基板に供給してパドル(Puddle)を形成した後処理液のパドルを加熱して処理液によるエッチングを促進し、リンス処理段階では基板上に純水のようなリンス液が供給される。
前述した処理液処理段階では、基板を支持ユニット上において支持ユニットを回転させて基板上に処理液を供給することでなされる。支持ユニットには回転時基板が支持ユニットの側方向に移動されることを防止するために基板の側部を支持するチャックピンらが設置される。チャックピンらは基板が支持ユニット上にローディングまたはアンローディングされる時基板が置かれる空間を提供する待機位置と、支持ユニット上に置かれた基板が回転されながら工程が遂行される時基板の側部と接触される支持位置の間に移動される。よって、待機位置に置かれたチャックピンらの間に提供された空間は支持位置に置かれたチャックピンらの間に提供された空間より広い。
一般に、基板にパドル形成時、基板とチャックピンの接触によって処理液がチャックピンに沿って垂れ下がる問題が発生する。また、処理液がチャックピンに沿って垂れ下がる現象によって一定量の液膜を維持し難い問題がある。
韓国特許第10-2248770号公報
本発明の実施例は、基板を効率的に処理することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを一目的とする。
本発明の実施例は基板を回転させて工程がなされる途中にチャックピンの移動が自由な支持ユニットと、これを利用した基板処理装置と方法を提供することを一目的とする。
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から当業者が明確に理解されることができるであろう。
本発明の実施例は、基板を処理する装置を開示する。基板処理装置は処理空間を有する処理容器と、前記処理空間で前記基板を支持し、前記基板を回転させる支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された前記基板に処理液を供給する液供給ユニットと、及び前記基板を加熱する加熱ユニットを含み、前記支持ユニットは、スピンチャックと、前記スピンチャックを回転させる駆動機と、前記スピンチャックとともに回転されるように前記スピンチャック上に設置されるチャックピンと、及び前記チャックピンを前記基板の側部と接触する接触位置及び前記基板の側部と離隔される開放位置の間に移動させるチャックピン移動ユニットを含み、前記チャックピン移動ユニットは、前記チャックピンに結合されて前記スピンチャックとともに回転される第１駆動モジュールと、及び前記第１駆動モジュールと対向して前記スピンチャックとともに回転されない第２駆動モジュールを含み、前記第１駆動モジュールは第１磁性体を含み、前記第２駆動モジュールは前記第１磁性体と対向する第２磁性体と、前記第２磁性体を上下方向に駆動させる駆動部材と、を含む。
前記第１駆動モジュールは前記第２磁性体の位置変化に従って前記チャックピンの位置を移動させることができる。
前記第１磁性体と前記第２磁性体との間には斥力が作用することができる。
前記第１駆動モジュールは前記第１磁性体と前記チャックピンを連結するアーム部材をさらに含み、前記アーム部材は前記第１磁性体が移動されることによって前記チャックピンの移動を案内することができる。
前記チャックピンは複数のチャックピンを含み、前記第２磁性体はリング形状で提供され、前記第１駆動モジュールは前記複数のチャックピンと対応される数で提供されることができる。
前記アーム部材は、前記チャックピンに結合されるが、前記チャックピンの長さ方向に垂直な方向に延長される第１アームと、前記第１アームに結合される第２アームと、及び前記第２アームと前記第１磁性体を連結する第３アームを含み、前記第２アームの一端部には弾性部材が結合されるが、前記弾性部材は、前記チャックピンが前記開放位置で前記接触位置に移動されるように回復力を提供することができる。
前記チャックピン移動ユニットは前記スピンチャックが回転される途中に前記チャックピンを移動させることができる。
前記駆動機は前記基板が第１速度で回転されるように前記スピンチャックを回転させ、前記チャックピン移動ユニットは前記基板が前記第１速度で回転される中に前記チャックピンが前記開放位置に位置されるように前記チャックピンを移動させることができる。
前記駆動機は前記基板が前記第１速度より早い第２速度で回転されるように前記スピンチャックを回転させ、前記チャックピン移動ユニットは前記基板が前記第２速度で回転される中に前記チャックピンが前記接触位置に位置されるように前記チャックピンを移動させることができる。
前記スピンチャックは上下方向に貫通される通孔を有して、前記加熱ユニットは前記通孔を通じて前記基板の底面を加熱することができる。
前記加熱ユニットはレーザーを含むことができる。
前記スピンチャックは胴体部と、前記胴体部の上端から上に延長される拡張部を含み、前記拡張部は上部に行くほど漸進的に面積が広くなることができる。
本発明の実施例は基板を処理する方法を開示する。基板処理方法は前記基板の側部を支持するために提供されるチャックピンが前記基板の側部から離隔された開放状態で第１速度で回転する前記基板に第１液を供給して前記基板上に第１液膜を形成する第１液供給段階と、前記第１液供給段階以後に、前記開放状態で前記基板上に形成された前記第１液膜を加熱する液膜加熱段階と、前記液膜を加熱段階以後に、前記チャックピンが前記基板の側部と接触して前記基板の側部を支持する接触状態で第２速度で回転する前記基板に第２液を供給する第２液供給段階と、を含む。
前記第１液と前記第２液は同一であることがある。
前記第１液はリン酸水溶液であることができる。
前記開放状態で前記接触状態への変更は前記基板が回転される途中になされることができる。
前記第２速度は前記第１速度より早いことがある。
前記第２液供給段階で前記第２液の単位時間当り供給量は前記第１液供給段階で前記第１液単位時間当り供給量より多いことがある。
前記液膜を加熱段階では、前記基板が前記第１速度で回転され、前記基板上に前記第１液が供給されないこともある。
本発明の実施例は、前記基板処理装置を利用して基板を処理する方法を開示する。基板処理方法は前記チャックピンが前記開放位置に位置された開放状態で第１速度で回転する前記基板に第１液を供給して前記基板上に第１液膜を形成する第１液供給段階と、前記第１液供給段階以後に、前記チャックピンが前記開放状態で前記基板上に形成された前記第１液膜を加熱する液膜加熱段階と、前記液膜を加熱段階以後に、前記チャックピンが前記接触位置に位置された接触状態で前記第１速度より早い第２速度で回転する前記基板に第２液を供給する第２液供給段階を含み、前記チャックピンが前記開放状態で前記接触状態への変更は前記基板が回転される途中になされることができる。
本発明の実施例によれば、基板を効率的に処理することができる。
また、本発明の実施例によれば、基板を回転させて工程がなされる途中にチャックピンの移動が自由なことがある。
また、本発明の実施例によれば、処理液がチャックピンに垂れ下がる現象を防止することができる。
また、本発明の実施例によれば、基板上に形成される処理液パドルが一定量以上の液膜で維持されることができる。
また、本発明の実施例によれば、基板を支持する支持ユニットの回転または非回転如何に無関に常時にチャックピンを移動させることができる。
また、本発明の実施例によれば、工程進行中にチャックピンの移動ストローク(Stroke)を調節することができる。
また、本発明の実施例によれば、内部に中空の空間が形成される支持ユニットを通じて、多様なタイプの熱源の適用及び多様な熱源のクーリングシステム(Cooling system)が適用できる。
本発明の効果が前述した効果らに限定されることではなく、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の実施例による基板処理設備を見せてくれる平面図である。 図１の工程チャンバに提供された基板処理装置を見せてくれる断面図である。 本発明の実施例によるチャックピンと、チャックピン移動ユニットを見せてくれる断面図である。 図３のチャックピン移動ユニットの第２磁性体を見せてくれる斜視図である。 本発明の実施例によってチャックピンがスピンチャックの回転途中に移動される状態を見せてくれる平面図である。 図５のチャックピンが開放位置に移動される過程を見せてくれる作動図である。 図５のチャックピンが接触位置に移動される過程を見せてくれる作動図である。 回転する第１磁性体と回転しない図４の第２磁性体の間の関係を概略的に見せてくれる図面である。 本発明の実施例による基板処理方法の流れ図である。 図９の基板処理方法を順次に示した図面である。 同じく、図９の基板処理方法を順次に示した図面である。 同じく、図９の基板処理方法を順次に示した図面である。 同じく、図９の基板処理方法を順次に示した図面である。
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。
ある構成要素を‘包含'するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
用語“及び/または”は該当列挙された項目のうちで何れか一つ及び一つ以上のすべての組合を含む。また、本明細書で“連結される”という意味は、A部材とB部材が直接連結される場合だけではなく、A部材とB部材との間にC部材が介在されてA部材とB部材が間接連結される場合も意味する。
本発明の実施例はさまざまな形態で変形することができるし、本発明の範囲が下の実施例らに限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張された。
本実施例には処理液を利用して基板を蝕刻処理する工程を一例で説明する。しかし、本実施例は蝕刻工程に限定されないで、洗浄工程、アッシング工程及び現像工程などのように、液を利用した基板処理工程で多様に適用可能である。
ここで、基板は半導体素子や平板ディスプレイ(FPD:flat panel display)及びその他に薄膜に回路パターンが形成された品物の製造に利用される基板をすべて含む包括的な概念である。このような基板(W)の例としては、シリコンウェハー、硝子基板、有機基板などがある。
以下、図１乃至図１４を参照して本発明の一例を詳しく説明する。
図１は、本発明の実施例による基板処理設備１を見せてくれる平面図である。図１を参照すれば、基板処理設備１はインデックスモジュール１０と工程処理モジュール２０を含む。インデックスモジュール１０はロードポート１２０及び移送プレ１４０を含む。ロードポート１２０、移送フレーム１４０、そして、工程処理モジュール２０は順次に一列で配列される。
以下、ロードポート１２０、移送フレーム１４０、そして、工程処理モジュール２０が配列された方向を第１方向１２といって、上部から眺める時、第１方向１２と垂直な方向を第２方向１４といって、第１方向１２と第２方向１４を含んだ平面に垂直である方向を第３方向１６と称する。
ロードポート１２０には基板(W)が収納されたキャリア１８が安着される。ロードポート１２０は複数個が提供され、これらは第２方向１４に沿って一列で配置される。ロードポート１２０の個数は工程処理モジュール２０の工程効率及びフットプリント条件などによって増加するか、または減少することもある。キャリア１８には基板(W)らを地面に対して水平するように配置した状態で収納するための複数のスロット(図示せず)が形成される。キャリア１８としては、前面開放一体型ポッド(Front Opening Unifed Pod：FOUP)が使用されてことがある。
工程処理モジュール２０はバッファーユニット２２０、移送チャンバ２４０、そして、工程チャンバ２６０を含む。
移送チャンバ２４０はその長さ方向が第１方向１２と平行に配置される。移送チャンバ２４０の一側または両側には複数個の工程チャンバ２６０が配置されることがある。移送チャンバ２４０の一側及び他側で複数個の工程チャンバ２６０は移送チャンバ２４０を基準に対称されるように提供されることができる。複数個の工程チャンバ２６０のうちで一部は、移送チャンバ２４０の長さ方向に沿って配置される。また、複数個の工程チャンバ２６０のうちで一部は、お互いに積層されるように配置される。すなわち、移送チャンバ２４０の一側には工程チャンバ２６０がAXBの配列で配置されることができる。ここで、Aは第１方向１２に沿って一列で提供された工程チャンバ２６０の数であり、Bは第３方向１６に沿って一列で提供された工程チャンバ２６０の数である。移送チャンバ２４０の一側に工程チャンバ２６０が４個または６個提供される場合、複数工程チャンバ２６０は２X２または３X２の配列で配置されることができる。工程チャンバ２６０の個数は増加するか、または減少することもある。前述したところと異なり、工程チャンバ２６０は移送チャンバ２４０の一側だけに提供されることができる。また、工程チャンバ２６０は移送チャンバ２４０の一側及び両側に断層で提供されることができる。
バッファーユニット２２０は移送フレーム１４０と移送チャンバ２４０との間に配置される。バッファーユニット２２０は移送チャンバ２４０と移送フレーム１４０との間に基板(W)が返送される前に基板(W)がとどまる空間を提供する。バッファーユニット２２０の内部には基板(W)が置かれるスロット(図示せず)が提供される。スロット(図示せず)らはお互いの間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数個が提供される。バッファーユニット２２０は移送フレーム１４０と見合わせる面が開放される。バッファーユニット２２０は移送チャンバ２４０と見合わせる面が開放される。
移送フレーム１４０はロードポート１２０に安着されたキャリア１８とバッファーユニット２２０との間に基板(W)を返送する。移送フレーム１４０にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はその長さ方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上に設置され、インデックスレール１４２に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４はベース１４４a、胴体１４４b、そして、インデックスアーム１４４cを含む。ベース１４４aはインデックスレール１４２に沿って移動可能になるように設置される。胴体１４４bはベース１４４aに結合される。胴体１４４bはベース１４４a上で第３方向１６に沿って移動可能になるように提供される。また、胴体１４４bはベース１４４a上で回転可能になるように提供される。インデックスアーム１４４cは胴体１４４bに結合され、胴体１４４bに対して前進及び後進移動可能になるように提供される。インデックスアーム１４４cは複数個提供され、それぞれ個別駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４cらは第３方向１６に沿ってお互いに離隔された状態で積層されるように配置される。インデックスアーム１４４cらのうちで一部は工程処理モジュール２０からキャリア１８に基板(W)を返送する時使用され、これの他の一部はキャリア１８から工程処理モジュール２０に基板(W)を返送する時使用されることができる。これはインデックスロボット１４４が基板(W)を搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板(W)から発生されたパーティクルが工程処理後の基板(W)に付着されることを防止することができる。
移送チャンバ２４０はバッファーユニット２２０と工程チャンバ２６０との間に、そして、工程チャンバ２６０らの間に基板(W)を返送する。移送チャンバ２４０にはガイドレール２４２とメインロボット２４４が提供される。ガイドレール２４２はその長さ方向が第１方向１２と並んでいるように配置される。メインロボット２４４はガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１方向１２に沿って直線移動される。メインロボット２４４はベース２４４a、胴体２４４b、そして、メインアーム２４４cを含む。ベース２４４aはガイドレール２４２に沿って移動可能になるように設置される。胴体２４４bはベース２４４aに結合される。胴体２４４bはベース２４４a上で第３方向１６に沿って移動可能になるように提供される。また、胴体２４４bはベース２４４a上で回転可能になるように提供される。メインアーム２４４cは胴体２４４bに結合され、これは胴体２４４bに対して前進及び後進移動可能になるように提供される。メインアーム２４４cは複数個提供されてそれぞれ個別駆動されるように提供される。メインアーム２４４cらは第３方向１６に沿ってお互いに離隔された状態で積層されるように配置される。
工程チャンバ２６０には基板(W)に対して液処理工程を遂行する基板処理装置３００が提供される。基板処理装置３００は遂行する液処理工程の種類によって相異な構造を有することができる。これと異なり、それぞれの工程チャンバ２６０内の基板処理装置３００は等しい構造を有することができる。選択的に、複数個の工程チャンバ２６０は複数個のグループで区分され、等しいグループに属する工程チャンバ２６０内に基板処理装置３００らはお互いに同一であって、お互いに相異なグループに属する工程チャンバ２６０内に基板処理装置３００の構造はお互いに相異なように提供されることができる。
図２は、図１の工程チャンバに提供された第１実施例による基板処理装置を見せてくれる断面図であり、図３は本発明の実施例によるチャックピンと、チャックピン移動ユニットを見せてくれる断面図であり、図４は図３のチャックピン移動ユニットの第２磁性体を見せてくれる斜視図であり、図５は本発明の実施例によってチャックピンがスピンチャックの回転途中に移動される状態を見せてくれる平面図であり、図６は図５のチャックピンが開放位置に移動される過程を見せてくれる作動図であり、図７は図５のチャックピンが接触位置に移動される過程を見せてくれる作動図であり、図８は回転する第１磁性体と回転しない図４の第２磁性体との間の関係を概略的に見せてくれる図面である。
図２を参照すれば、基板処理装置３００は処理容器３２０、基板支持ユニット３４０、昇降ユニット３６０、液供給ユニット３９０、そして、加熱ユニット５００を含む。
基板処理装置３００はチャンバ３１０を含むことができる。チャンバ３１０は密閉された内部空間を提供する。チャンバ３１０の内部空間には処理容器３２０が配置される。チャンバ３１０の上部にはファンフィルターユニット３１５が設置される。ファンフィルターユニット３１５はチャンバ３１０の内部に垂直気流を発生させる。ファンフィルターユニット３１５はチャンバ３１０の内部に下降気流を発生させる。ファンフィルターユニット３１５はフィルターと空気供給ファンが一つのユニットでモジュール化されたものであり、高湿度外気をフィルタリングしてチャンバ３１０の内部に供給してくれる装置である。高湿度外気はファンフィルターユニット３１５を通過してチャンバ３１０の内部に供給され、チャンバ３１０の内部空間に垂直気流を形成する。このような垂直気流は基板(W)の上部に均一な気流を提供する。基板(W)が処理される過程で発生される汚染物質(一例で、ヒューム(Fume))らは垂直気流に含まれる空気とともに処理容器３２０の外部に排出され、これを通じて処理容器３２０の内部は高清浄度を維持することができる。
処理容器３２０は上部が開放された桶形状を含む。処理容器３２０は第１回収桶３２１及び第２回収桶３２２を含む。それぞれの回収桶３２１、３２２は工程に使用された処理液らのうちでお互いに相異な処理液を回収する。第１回収桶３２１は基板支持ユニット３４０をくるむ環形のリング形状で提供される。第２回収桶３２２は基板支持ユニット３４０をくるむ環形のリング形状で提供される。一実施例において、第１回収桶３２１は第２回収桶３２２をくるむ環形のリング形状で提供される。第２回収桶３２２は第１回収桶３２１に挿入されて提供されることができる。第２回収桶３２２の高さは第１回収桶３２１の高さより高いことがある。第２回収桶３２２は第１ガード部３２６と第２ガード部３２４を含むことができる。第１ガード部３２６は第２回収桶３２２の最上部に提供されることができる。第１ガード部３２６は基板支持ユニット３４０を向けて延長されて形成され、第１ガード部３２６は基板支持ユニット３４０方向に向けるほど上向き傾くように形成されることができる。第２回収桶３２２で第２ガード部３２４は第１ガード部３２６で下部に離隔された位置に提供されることができる。第２ガード部３２４は基板支持ユニット３４０を向けて延長されて形成され、第２ガード部３２４は基板支持ユニット３４０方向に向けるほど上向き傾くように形成されることができる。第１ガード部３２６と第２ガード部３２４との間には処理液が流入される第１流入口３２４aで機能する。第２ガード部３２４の下部には第２流入口３２２aが提供される。第１流入口３２４aと第２流入口３２２aはお互いに相異な高さに位置されることができる。第２ガード部３２４にはホール(図示せず)が形成されて第１流入口３２４aに流入された処理液が第２回収桶３２２の下部に提供された第２回収ライン３２２bに流れるように構成することができる。第２ガード部３２４のホール(図示せず)は第２ガード部３２４で一番高さが低い位置に形成されることができる。第１回収桶３２１に回収された処理液は第１回収桶３２１の底面に連結された第１回収ライン３２１bに流れるように構成される。それぞれの回収桶３２１、３２２に流入された処理液らはそれぞれの回収ライン３２１b、３２２bを通じて外部の処理液再生システム(図示せず)に提供されて再使用されることができる。
昇降ユニット３６０は処理容器３２０を上下方向に直線移動させる。一例で、昇降ユニット３６０は処理容器３２０の第２回収桶３２２と結合されて第２回収桶３２２を上下に移動させることによって、基板支持ユニット３４０に対する処理容器３２０の相対高さが変更されることができる。昇降ユニット３６０はブラケット３６２、移動軸３６４、そして、駆動機３６６を含む。ブラケット３６２は処理容器３２０の外壁に固定設置され、ブラケット３６２には駆動機３６６によって上下方向に移動される移動軸３６４が固定結合される。基板(W)が基板支持ユニット３４０にローディングされるか、または基板支持ユニット３４０からアンローディングされる時基板支持ユニット３４０の上部が処理容器３２０の上部に突き出されるように、具体的には、第１ガード部３２６より高く突き出されるように処理容器３２０の第２回収桶３２２が下降される。また、工程が進行される時には基板(W)に供給された処理液の種類によって処理液が既設定された回収桶３２１、３２２に流入されることができるように処理容器３２０の高さが調節される。選択的には、昇降ユニット３６０は処理容器３２０の代わりをして基板支持ユニット３４０を上下方向に移動させることもできる。選択的には、昇降ユニット３６０は処理容器３２０の全体を上下方向に昇下降可能に移動させることもできる。昇降ユニット３６０は処理容器３２０と基板支持ユニット３４０の相対高さを調節するために提供されることで、処理容器３２０と基板支持ユニット３４０の相対高さを調節することができる構成なら、処理容器３２０と昇降ユニット３６０の実施例は設計によって他に多様な構造と方法に提供されることができる。
液供給ユニット３９０は基板(W)の上部で基板(W)に薬液を吐出するための構成で、一つ以上の薬液吐出ノズルを含むことができる。液供給ユニット３９０は貯蔵タンク(図示せず)に貯蔵された薬液をポンピングして薬液吐出ノズルを通じて基板(W)に薬液を吐出することができる。液供給ユニット３９０は駆動部(図示せず)を含んで基板(W)の中央領域と対向する工程位置と基板(W)を脱した待機位置との間で移動可能になるように構成されることができる。
液供給ユニット３９０から基板(W)に供給される薬液は、基板処理工程によって多様なことがある。基板処理工程がシリコン窒化膜蝕刻工程である場合、薬液はリン酸(H３PO４)を含む薬液であることがある。液供給ユニット３９０は蝕刻工程進行後基板表面をリンスするための脱イオン水(DIW)供給ノズル、リンス後乾燥工程を進行するためのイソプロピルアルコール(IPA:Isopropyl Alcohol)吐出ノズル及び窒素(N２)吐出ノズルをさらに含むことができる。図示しなかったが、液供給ユニット３９０は薬液吐出ノズルを支持し、薬液吐出ノズルを移動させることができるノズル移動部材(図示せず)を含むことができる。ノズル移動部材(図示せず)は支持軸(図示せず)、アーム(図示せず)、そして、駆動機(図示せず)を含むことができる。支持軸(図示せず)は処理容器３２０の一側に位置される。支持軸(図示せず)はその長さ方向が第３方向を向けるロード形状を含む。支持軸(図示せず)は駆動機(図示せず)によって回転可能になるように提供される。アーム(図示せず)は支持軸(図示せず)の上端に結合される。アーム(図示せず)は支持軸(図示せず)から垂直するように延長されることができる。アーム(図示せず)の末端には薬液吐出ノズルが固定結合される。支持軸(図示せず)が回転されることによって薬液吐出ノズルはアーム(図示せず)と一緒にスイング移動可能である。薬液吐出ノズルはスイング移動されて工程位置及び待機位置に移動されることができる。選択的には、支持軸(図示せず)は昇降移動が可能になるように提供されることができる。またアーム(図示せず)はその長さ方向を向けて前進及び後進移動が可能になるように提供されることができる。
基板支持ユニット３４０は工程進行中に基板(W)を支持して基板(W)を回転させる。基板支持ユニット３４０はスピンチャック３４２、ウィンドウ部材３４８、駆動部材３４９、チャックピン３４６、そして、チャックピン移動ユニット４００を含む。
スピンチャック３４２にはチャックピン３４６が結合される。基板(W)はスピンチャック３４２に結合されるチャックピン３４６によってスピンチャック３４２の上面から離隔配置される。基板(W)はスピンチャック３４２に結合されるチャックピン３４６に支持されたままスピンチャック３４２と一緒に回転される。
スピンチャック３４２は上部と下部が開口された桶形状で提供される。スピンチャック３４２は上面と下面を貫通して形成される通孔３４２aを含む。スピンチャック３４２は上下方向に貫通される通孔３４２aを含む。この時、上下方向はスピンチャック３４２の軸方向またはスピンチャック３４２の回転軸方向と平行な方向を意味することがある。通孔３４２aには後述する加熱ユニット５００が配置される。
スピンチャック３４２は胴体部３４２１と、胴体部３４２１から上に延長される拡張部３４２２を含む。胴体部３４２１と拡張部３４２２は一体で形成される。通孔３４２aは胴体部３４２１と拡張部３４２２をすべて貫通して形成される。胴体部３４２１は面積が同一に形成される。胴体部３４２１は内径が同一に形成される。胴体部３４２１内の通孔３４２aは直径が同一に形成される。拡張部３４２２は胴体部３４２１から上に行くほど漸進的に面積が広くなるように形成される。拡張部３４２２の内径は上に行くほど増加されるように形成される。拡張部３４２２内の通孔３４２aは直径が上に行くほど増加されるように形成される。胴体部３４２１内部には後述する加熱ユニット５００が配置され、加熱ユニット５００で生成されるレーザービームは拡張部３４２２を通じて基板(W)に照射される。拡張部３４２２はレーザービームと干渉されない大きさで形成されることができる。これを通じて、加熱ユニット５００で生成されたレーザービームガスピンチャック３４２によって干渉されないで基板(W)まで照射されることができる。スピンチャック３４２は後述するウィンドウ部材３４８の下に配置されることができる。スピンチャック３４２はウィンドウ部材３４８の縁領域を支持する。基板(W)に供給された薬液が加熱ユニット５００に侵透しないようにスピンチャック３４２とウィンドウ部材３４８の連結部分は密閉構造であることができる。
ウィンドウ部材３４８は基板(W)の下部に位置される。ウィンドウ部材３４８はチャックピン３４６に支持された基板(W)の下に提供される。ウィンドウ部材３４８は基板(W)と概して対応される形状で提供されることができる。例えば、基板(W)が円形のウェハーである場合、ウィンドウ部材３４８は概して円形で提供されることができる。ウィンドウ部材３４８は基板より大きい直径を有することができる。但し、これに制限されるものではなくて、ウィンドウ部材３４８は基板(W)と等しい直径を有するか、または基板(W)よりさらに小さな直径を有するように形成されることができる。ウィンドウ部材３４８にはチャックピン３４６が配置されるホール３４８１が形成される。ウィンドウ部材３４８のホール３４８１にはチャックピン３４６が貫通されることができる。ウィンドウ部材３４８のホール３４８１の直径はチャックピン３４６の直径より大きく形成されることができる。これを通じて、チャックピン３４６はウィンドウ部材３４８のホール３４８１内部を移動することができる。この時、チャックピン３４６はスピンチャック３４２の回転軸方向に垂直な方向に移動される。
ウィンドウ部材３４８は透光性が高い素材でなされることができる。これによって、前記ビームの照射ユニット４００で照射されるレーザービームがウィンドウ部材３４８を透過することができる。ウィンドウ部材３４８は薬液と反応しないように耐食性が優秀な素材であることがある。このためウィンドウ部材３４８の素材は一例で、石英、硝子またはサファイア(Sapphire)などであることがある。ウィンドウ部材３４８はレーザービームが透過されて基板(W)に到逹するようにして、薬液から基板支持部材３４０の構成を保護する構成として、設計によって多様な大きさと形状で提供されることができる。
ウィンドウ部材３４８には支持ピン３４７が結合されることができる。支持ピン３４７は複数個で提供されることができる。支持ピン３４７はウィンドウ部材３４８の縁領域に提供されることができる。複数の支持ピン３４７はウィンドウ部材３４８の縁領域に沿ってお互いに離隔されて配置されることができる。支持ピン３４７はウィンドウ部材３４８の上部面から上に突き出されるように具備されることができる。支持ピン３４７は基板(W)の下面を支持して基板(W)をウィンドウ部材３４８から離隔させることができる。
駆動部材３４９はスピンチャック３４２と結合される。駆動部材３４９はスピンチャック３４２を回転させる。駆動部材３４９はスピンチャック３４２を回転させることができるものなら、いずれでも使用されることができる。一例で駆動部材３４９は中空モータで提供されることができる。一実施例によれば、駆動部材３４９は固定子(図示せず)と回転子(図示せず)を含むことができる。固定子は一位置に固定されて提供され、回転子はスピンチャック３４２と結合されることができる。回転子はスピンチャック３４９の底部に結合されてスピンチャック３４２を回転させることができる。駆動部材３４９として中空モータが利用される場合スピンチャック３４９の底部が狭く提供されるほど中空モータの中空を小さなもので選択することができることによって、製造単価を減少させることができる。一実施例によれば、駆動部材３４９を薬液から保護するカバー部材(図示せず)をさらに含むことができる。
チャックピン３４６はスピンチャック３４２に設置される。チャックピン３４６はスピンチャック３４２の拡張部３４２２に設置される。チャックピン３４６はスピンチャック３４２と一緒に回転される。チャックピン３４６は複数個で設けられる。複数個のチャックピン３４６はお互いに離隔される。複数個のチャックピン３４６は組み合わせた時円形状で配置されることができる。複数個のチャックピン３４６は拡張部３４２２内に形成される通孔３４２aの縁に沿って複数個で提供される。チャックピン３４６は基板(W)の側部を支持する。チャックピン３４６は基板(W)を把持する。チャックピン３４４６は基板(W)をウィンドウ部材３４８から所定間隔で離隔させる。チャックピン３４６の少なくとも一部はウィンドウ部材３４８のホール３４８１に収容される。チャックピン３４６はウィンドウ部材３４８のホール３４８１内で移動可能に提供される。チャックピン３４６は後述するチャックピン移動ユニット４００と結合する。チャックピン３４６はチャックピン移動ユニット４００によって移動可能に提供される。チャックピン３４２は基板(W)の側部と接触する接触位置と、基板(W)の側部と離隔される開放位置の間に移動可能に提供される。
図３を参考すれば、チャックピン移動ユニット４００は、チャックピン３４６の一端部に結合されてチャックピン３４６を移動させる。チャックピン移動ユニット４００はチャックピン３４６をスピンチャック３４２の回転軸方向に垂直な方向に移動させる。チャックピン移動ユニット４００はチャックピン３４２が基板(W)の側部と接触する接触位置と、基板(W)の側部と離隔される開放位置の間を移動するようにチャックピン３４６を移動させる。チャックピン移動ユニット４００はスピンチャック３４２が回転する途中にチャックピン３４２を移動させる。チャックピン移動ユニット４００は基板(W)が回転する途中にチャックピン３４２を移動させる。
チャックピン移動ユニット４００は第１駆動モジュール４２０と第２駆動モジュール４４０を含む。第１駆動モジュール４２０と第２駆動モジュール４４０が組合されてチャックピン３４６を移動させる。
第１駆動モジュール４２０はチャックピン３４６に結合される。第１駆動モジュール４２０はスピンチャック４３２の内部に収容される。第１駆動モジュール４２０はスピンチャック３４２の拡張部３４２２内部に収容される。拡張部３４２２の内部には第１駆動モジュール４２０が収容される収容空間が形成される。拡張部３４２２内部の収容空間は溝(Groove)で提供されることができる。第１駆動モジュール４２０はスピンチャック４３２と一緒に回転される。
第１駆動モジュール４２０は第１磁性体４２２とアーム部材４２４を含む。第１磁性体４２０は永久磁石で提供される。第１磁性体４２２は後述する第２駆動モジュール４４０の第２磁性体４４２と対向する。第１磁性体４２２は第２磁性体４４２と離隔される。第１磁性体４２２は第２磁性体４２２の少なくとも一部とスピンチャック３４２の回転軸方向にオーバーラップされる。第１磁性体４２２と第２磁性体４４２はお互いに等しい極性が対向するように提供される。第１磁性体４２２の下部に提供される極性は第１磁性体４４２の上部に提供される極性と等しい極性を有する。例えば、第１磁性体４２２の下部にN極性が配置される場合第２磁性体４４２の上部にはN極性が配置され、第１磁性体４２２の下部にS極性が配置される場合第２磁性体４４２の上部にはS極性が配置される。第１磁性体４２２と第２磁性体４４２との間には斥力が作用する。第１磁性体４２２は第２磁性体４４２との斥力によってスピンチャック３４２の回転軸方向に移動される。
アーム部材４２４はチャックピン３４６と第１磁性体４２２を連結する。アーム部材４２４の一端はチャックピン３４６に結合され、アーム部材４２４の他端は第１磁性体４２２に結合される。アーム部材４２４は第１磁性体４２２が第２磁性体４２２との斥力によって移動されることによってチャックピン３４２の移動を案内する。
アーム部材４２４は第１アーム４２４２、第２アーム４２４４及び第３アーム４２４６を含むことができる。第１アーム４２４２はチャックピン３４６に結合される。第１アーム４２４２の一端はチャックピン３４５に結合され、第１アーム４２４２の他端は第２アーム４２４４に結合される。第１アーム４２４２はチャックピン３４６の長さ方向に垂直な方向に延長される。第１アーム４２４２はチャックピン３４６より内側に配置される。
第２アーム４２４４は第１アーム４２４２と第３アーム４２４６を連結する。第２アーム４２４４は一端が第１アーム４２４２に結合されて他端が第３アーム４２４６に結合される。第２アーム４２４４の一端は第１アーム４２４２の他端に結合される。第２アーム４２４４は折曲された形状を有することができる。第２アーム４２４４はチャックピン３４４６の長さ方向と対応される長さ方向を有して第１アーム４２４２に結合される第１部分と、第１部分から延長されるがチャックピン３４４６の長さ方向に垂直な方向に延長される第２部分と、第１部分と第２部分を連結する切曲部を含むことができる。第２アーム４２４４の第２部分には第３アーム４２４６とヒンジ結合されるヒンジ結合部が提供されることができる。
第３アーム４２４６は第２アーム４２４４と第１磁性体４２２を連結する。第３アーム４２４６の一端は第２アーム４２４４とヒンジ結合され、第３アーム４２４６の他端は第１磁性体４２２とヒンジ結合される。第３アーム４２４６の一端は第２アーム４２４４の第２部分に提供されるヒンジ結合部にヒンジ結合される。
第２アーム４２４４には弾性部材４２６が提供されることができる。弾性部材４２６は第２アーム４２４４の第２部分に弾性結合される。弾性部材４２６は第２アーム４２４４の端部とスピンチャック３４２の内壁の間に提供される。弾性部材４２６はチャックピン３４６が開放位置から接触位置に移動されるように回復力を提供する。
第２駆動モジュール４４０は第１駆動モジュール４２０と離隔される。第２駆動モジュール４４０は第１駆動モジュール４２０と接触されない。第２駆動モジュール４４０は第１駆動モジュール４２０と対向する。第２駆動モジュール４４０と第１駆動モジュール４２０との間には隔壁が位置される。隔壁はスピンチャック３４２の底壁であることがある。隔壁は第１駆動モジュール４２０が収容される拡張部３４２２の底壁であることができる。隔壁によって第１駆動モジュール４２０の第１磁性体４２２の下の方向への移動が制限される。隔壁によって第２駆動モジュール４４０の第２磁性体４４２の上の方向への移動が制限される。第２駆動モジュール４４０はスピンチャック３４２の外側に提供される。第２駆動モジュール４４０はスピンチャック３４２と一緒に回転しない。
第２駆動モジュール４４０は第２磁性体４４２と駆動機４４４を含む。第２磁性体４４２は第１磁性体４２２と対向する。第２磁性体４４２は第１磁性体４２２と対向する。第２磁性体４４２は第１磁性体４２２と所定距離で離隔される。第２磁性体４４２は永久磁石で提供される。第２磁性体４４２は第１磁性体４２２とお互いに反対極性を有するように提供される。例えば、第２磁性体４４２の上部にN極性が配置される場合第１磁性体４２２の下部にはN極性が配置され、第２磁性体４４２の上部にS極性が配置される場合第１磁性体４２２の下部にはS極性が配置される。第２磁性体４４２と第１磁性体４２２との間には斥力が作用する。図４を参考すれば、第２磁性体４４２はリング形状で提供される。
駆動機４４４は第２磁性体４４２を移動させる。駆動機４４４は第２磁性体４４２がスピンチャック３４２の回転軸方向に移動させる。駆動機４４４は第２磁性体４４２がスピンチャック３４２の回転軸方向に沿って上下方向に移動させる。駆動機４４４はシリンダー(Cylinder)、ステブピングモータ(Stepping Motor)、サーボモーター(Servo Motor)及びソレノイドコイル(Solenoid Coil)のうちで何れか一つで提供されることができる。しかし、これに提供されないし、第２磁性体４４２を上下方向に移動させることができるすべての駆動装置が適用されることができる。
第１駆動モジュール４２０は複数個で提供されることができる。第１駆動モジュール４２０はチャックピン３４６と等しい数で設けられることができる。第２駆動モジュール４４０は１個で提供されることができる。
第１駆動モジュール４２０は第２磁性体４４２の位置変化に従ってチャックピン３４６の位置を移動させる。以下では、第１及び第２駆動モジュール４２０、４４０を通じてチャックピン３４６が移動される過程に対して説明する。
図５及び図６を参照すれば、チャックピン３４６は基板(W)の側部と接触する接触位置で基板(W)の側部と離隔される開放位置に移動されることができる。駆動機４４４は第２磁性体４４２を上に向ける方向に移動させる。第２磁性体４４２が上に移動されれば、第１磁性体４２２と第２磁性体４４２との間の離隔距離(以下で、第１間隔(d１)が細くなる。第１磁性体４２２と第２磁性体４４２との間の第１間隔(d１)が所定間隔(以下で第２間隔(d２))で狭められれば、第１磁性体４２２と第２磁性体４４２との間には斥力が発生される。第１間隔(d１)はお互いに対向する第１磁性体４２２と第２磁性体４４２との間に斥力が発生されない距離であり、第２間隔(d２)は第１磁性体４２２と第２磁性体４４２との間に斥力が作用する距離を意味する。第２間隔(d２)は第１間隔(d１)より大きくなることができる。第１磁性体４２２と第２磁性体４４２の間に斥力が作用すれば、第１磁性体４２２は斥力によっての上に移動される。第１磁性体４２２が上に移動されれば、第１磁性体４２２とヒンジ結合される第３アーム４２４６の他端が上に移動され、第２アーム４２４４と結合される第３アーム４２４６の一端はスピンチャック３４２の中心軸と遠くなる方向(外側方向)に移動される。この時、弾性部材４２６はスピンチャック３４６の中心軸と遠くなる方向に圧縮される。第３アーム４２４６が外側方向に移動されることによって、第２アーム４２４４も外側方向に移動され、第２アーム４２４４と結合される第１アーム４２４２も外側方向に移動しながらチャックピン３４６を開放位置に移動させる。
図５及び図７を参照すれば、チャックピン３４６は基板(W)の側部と離隔される開放位置で基板(W)の側部と接触する接触位置に移動されることができる。駆動機４４４は第２磁性体４４２を下に向ける方向に移動させる。第２磁性体４４２が下に移動されながら第１磁性体４２２と第２磁性体４４２は第１間隔(d１)以上に離隔される。この場合、第１磁性体４２２と第２磁性体４４２との間の斥力が作用しない。第１磁性体４２２と第２磁性体４４２との間の斥力が消滅すれば、第１磁性体４２２がそれ以上上に移動されなくなり、弾性部材４２６の復元力によって第２アーム４２４４はスピンチャック３４２の中心軸を向ける方向(内側方向)に移動され、第２アーム４２４４と結合される第１アーム４２４２も内側方向に移動されることによってチャックピン３４６が接触位置に移動されて基板(W)の側部を把持する。また、第２アーム４２４４が弾性部材４２６の復元力によって内側方向に移動されれば、第２アーム４２４４とヒンジ結合される第３アーム４２４６の一端が内側方向に移動され、第２磁性体４４２とヒンジ結合される第３アーム４２４６の他端が下に移動される。第１磁性体４２２は第１磁性体４２２と第２磁性体４２４との間に位置される隔壁によっての下方向への移動が制限される。
再び図２を参照すれば、基板処理装置３００は加熱ユニット５００を含む。加熱ユニット５００は基板(W)にレーザービームを照射するための構成である。加熱ユニット５００は基板支持ユニット３４０でウィンドウ部材３４８より底面に位置されることができる。加熱ユニット５００は基板支持ユニット３４０上に位置された基板(W)を向けてレーザービームを照射することができる。加熱ユニット５００から照射されたレーザービームは基板支持ユニット３４０のウィンドウ部材３４８を通過して基板(W)に照射されることができる。これによって基板(W)は設定温度で加熱されることができる。加熱ユニット５００はレーザービーム生成部材(図示せず)、レーザービームの照射部材５００、そして、レーザービーム伝達部材を含むことができる。レーザービーム生成部材(図示せず)はチャンバ３１０の外部に配置されることができる。レーザービームの照射部材５００は、一例で、レンズを含むことができる。レーザービームの照射部材５００は複数のレンズを含むことができる。レーザービームの照射部材５００はスピンチャック３４２内部に提供されることができる。レーザービーム伝達部材はレーザービーム生成部材(図示せず)とレーザービームの照射部材５００を連結するラインに提供されることができる。レーザービーム伝達部材はレーザービーム生成部材(図示せず)から生成されたレーザービームをレーザービームの照射部材５００に伝達することができる。レーザービーム伝達部材によってレーザービームの伝達を受けたレーザービームの照射部材５００は基板(W)にレーザービームを照射することができる。以上では加熱ユニット５００がレーザービームを照射する構成で説明したが、これに制限されるものではなくて、加熱ユニット５００は基板(W)を加熱することができる多様な熱源で提供されることができる。一例で、加熱ユニット５００はLEDまたはハロゲンヒーターで提供されることができる。
以下、図９乃至図１４を参照しながら本発明の一実施例による基板処理方法を説明する。図９は本発明の実施例による基板処理方法の流れ図であり、図１０乃至図１３は図９の基板処理方法を順次に示した図面である。
図１０は、本発明の実施例による基板処理方法によって工程開始前基板の整列段階を示した図面である。図１０を参照すれば、工程開始前基板(W)は基板支持ユニット３４０に返送される。基板(W)はスピンチャック３４２の上部に返送された後、基板(W)の中心とスピンチャック３４２またはウィンドウ部材３４８の中心を整列する。この時、チャックピン３４６は開放位置に位置される。基板(W)の中心とスピンチャック３４２またはウィンドウ部材３４８の中心が整列されれば、チャックピン３４６は接触位置に移動されて基板(W)の側部を支持する。この時、チャックピン３４６はチャックピン移動ユニット４００によって移動される。
図１１は、本発明の実施例による基板処理方法によって基板に処理液パドルを形成する過程を示したものである。図１１を参照すれば、基板(W)が基板支持ユニット３４０のチャックピン３４６に支持された状態でスピンチャック３４２は基板(W)を第１速度で回転させる。液供給ユニット３９０は第１速度で回転する基板(W)に第１液を供給して基板(W)の上面に第１液膜(C１)を形成する。第１液膜(C１)は一定厚さを有するパドル(Puddle)であることがある。基板(W)に第１液が供給される時、チャックピン３４６は開放位置に位置される。すなわち、チャックピン３４６が基板(W)の側部から離隔される開放位置に位置された状態で第１速度で回転する基板(W)に第１液を供給して第１液膜(C１)を形成する。第１液膜の形成時チャックピン３４６が基板(W)の側部に接触される接触位置に位置される場合、第１液がチャックピン３４６に乗って垂れ下がって一定量の液膜を維持し難い問題がある。しかし、本発明の実施例による基板処理方法によれば、第１液膜(C１)の形成時チャックピン３４６機器(W)の側部から離隔される開放位置に位置された状態で第１液膜(C１)が形成されるので、第１液の垂れ下がり現象を防止することができて一定量の液膜を維持することができる。また、チャックピン３４６機器(W)の側部から離隔されることによって、第１液膜(C１)の表面張力によって第１液膜(パドル)の形成の容易な利点がある。
図１２を参照すれば、本発明の実施例による基板処理方法によって第１液膜を加熱する段階を示した図面である。図１２を参照すれば、所定厚さの第１液膜が形成されれば、基板(W)の回転を停止し、液供給ユニット３９０からの第１液の供給を停止する。これで、基板(W)の表面が第１液膜(C)によって覆われた状態になる(処理液のパドルの形成)。ここで、処理液はリン酸水溶液で提供されることができる。基板(W)及び第１液膜(C１)は基板(W)の処理に好適な温度で加熱される。基板(W)及び第１液膜(C１)は加熱ユニット５００によって加熱されることができる。この時、チャックピン３４６は開放位置に位置する。加熱ユニット５００の熱源としては、レーザー、LED、及びハロゲンヒーターのうちで何れか一つで提供されることができる。基板(W)の表面が加熱された処理液の第１液膜(C１)で覆われた状態をあらかじめ決定された時間程度維持することで、基板(W)の処理(例えば、エッチング処理(ウェットエッチング工程))がなされる。この時、スピンチャック３４２は基板(W)を第１速度で回転させる。基板(W)を正回転及び逆回転方向に半回転程度回転させることで、基板(W)上の第１液を撹拌しても良い。これによって、エッチングが促進され、またエッチング量の面内均一性が向上されることができる。
図１３は、本発明の実施例によって第２液供給段階を示した図面である。図１３を参照すれば、第１液膜(C１)の加熱以後に、基板(W)に第２液を供給して第２液膜(C２)を形成する。この時、スピンチャック３４６は基板(W)を第２速度で回転させる。また、チャックピン移動ユニット４００はチャックピン３４６が基板(W)の側部と接触される接触位置に移動させる。第２液は第１液と等しい液で提供されることができる。第２液はリン酸水溶液で提供されることができる。第２液膜(C２)の厚さは第１液膜(C１)の厚さより薄いことがある。第２速度は第１速度より早いことがある。一例で、第１速度への回転は低速回転であり、第２速度への回転は高速回転であることがある。一例で、第１速度は２０RPM以下であることがある。
図１０乃至図１３による基板処理は複数回繰り返して遂行されることができる。図１０乃至図１３による基板処理が終われば、基板(W)にリンス液を供給して基板(W)の表面から処理液との反応によって発生した副生成物を除去するリンス処理(リンス工程)が遂行される。リンス液は純水(DIW)であることがある。
本発明の実施例による基板処理方法によれば、第１液供給段階と液膜加熱段階では、チャックピン３４６が開放位置に位置されるようにチャックピン３４６を移動させ、第２液供給段階ではチャックピン３４６が接触位置に位置されるようにチャックピン３４６を移動させる。この時、９０度回転が可能なロータリーシリンダーを使用してチャックピンを開放位置と接触位置との間に移動させる一般なスピンチャック構造によれば、スピンチャックが止められた状態のみでチャックピンの移動が可能である。よって、基板処理方法の各段階を遂行する度にスピンチャックを停止及びチャックピン移動させなければならない場合工程時間が長くかかって工程効率が低下され、各工程段階ごとにスピンチャックの停止及びチャックピンの移動のために停止する場合均一な厚さの液膜を得ることができないか、または液膜が過度に硬化されて液膜が割れる問題が発生される。また、従来のスピンチャック構造で基板処理方法の各段階ごとにスピンチャックを停止しないでチャックピンが基板の側部に接触された状態で基板の処理を進行する場合、前で記載したところのように液膜がチャックピンの表面に沿って流れるようになって、一定量の液膜を形成することができない問題と、チャックピンと基板の側部との間の接触領域によって液膜の表面張力が小くなるので、一定厚さの液膜を形成し難い問題がある。
しかし、本発明の実施例によれば、お互いに離隔され、回転する第１磁性体４２２と回転しない第２磁性体４４２の斥力を活用したチャッキングシステム(Chucking System)を通じてスピンチャック３４２が回転する途中にもチャックピン３４６を移動させることができて、前述した問題を解消することができる。
一方、前述した実施例らによる基板処理装置と基板処理方法は制御機(図示せず)によって制御されて行われることができる。制御機の構成、記憶及び管理はハードウェア、ソフトウェアまたはハードウェア及びソフトウェアの組合の形態で実現可能である。制御機を成すファイルデータ及び/または前記ソフトウェアは、例えば、削除可能または再記録可能如何と関係なく、ROM(Read Only Memory)などのような揮発性または不揮発性記憶装置、または、例えば、RAM(Random Access Memory)、メモリチップ、装置または集積回路のようなメモリー、または、例えばCD(Compact Disk)、DVD(Digital Versatile Disc)、磁気ディスクまたは磁気テープなどのような光学または磁気的に記録可能であると同時に機械(例えば、コンピューター)で読める記憶媒体に記憶されることができることは勿論である。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の技術的思想を具現するための望ましいか、または多様な実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。このような変形実施らは本発明の技術的思想や見込みから個別的に理解されてはいけないであろう。

Claims (10)

  1. 基板を処理する装置において、
    処理空間を有する処理容器と、
    前記処理空間で前記基板を支持し、前記基板を回転させる支持ユニットと、
    前記支持ユニットに支持された前記基板に処理液を供給する液供給ユニットと、及び
    前記基板を加熱する加熱ユニットを含み、
    前記支持ユニットは、
    スピンチャックと、
    前記スピンチャックを回転させる駆動機と、
    前記スピンチャックとともに回転されるように前記スピンチャック上に設置されるチャックピンと、及び
    前記チャックピンを前記基板の側部と接触する接触位置及び前記基板の側部と離隔される開放位置との間に移動させるチャックピン移動ユニットを含み、
    前記チャックピン移動ユニットは、
    前記チャックピンに結合されて前記スピンチャックとともに回転される第１駆動モジュールと、及び
    前記第１駆動モジュールと対向して前記スピンチャックとともに回転されない第２駆動モジュールを含み、
    前記第１駆動モジュールは第１磁性体を含み、
    前記第２駆動モジュールは前記第１磁性体と対向する第２磁性体と、前記第２磁性体を上下方向に駆動させる駆動部材を含み、
    前記チャックピン移動ユニットは、前記スピンチャックが回転される途中に前記チャックピンを移動させ、
    前記駆動機は、前記基板が第１速度で回転されるように前記スピンチャックを回転させ、
    前記チャックピン移動ユニットは、前記基板が前記第１速度で回転される中に前記チャックピンが前記開放位置に位置されるように前記チャックピンを移動させ、
    前記駆動機は、前記基板が前記第１速度より早い第２速度で回転されるように前記スピンチャックを回転させ、
    前記チャックピン移動ユニットは、前記基板が前記第２速度で回転される中に前記チャックピンが前記接触位置に位置されるように前記チャックピンを移動させることを特徴とする
    基板処理装置。
  2. 前記第１駆動モジュールは前記第２磁性体の位置変化に従って前記チャックピンの位置を移動させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１磁性体と前記第２磁性体との間には斥力が作用することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１駆動モジュールは前記第１磁性体と前記チャックピンを連結するアーム部材をさらに含み、
    前記アーム部材は前記第１磁性体が移動されることによって前記チャックピンの移動を案内することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記チャックピンは複数のチャックピンを含み、
    前記第２磁性体はリング形状で提供され、
    前記第１駆動モジュールは前記複数のチャックピンと対応される数で提供されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 前記アーム部材は、
    前記チャックピンに結合されるが、前記チャックピンの長さ方向に垂直な方向に延長される第１アームと、
    前記第１アームに結合される第２アームと、及び
    前記第２アームと前記第１磁性体を連結する第３アームを含み、
    前記第２アームの一端部には弾性部材が結合されるが、
    前記弾性部材は、
    前記チャックピンが前記開放位置で前記接触位置に移動されるように回復力を提供することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  7. 前記スピンチャックは上下方向に貫通される通孔を有して、
    前記加熱ユニットは前記通孔を通じて前記基板の底面を加熱することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  8. 前記加熱ユニットはレーザーを含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記スピンチャックは胴体部と、
    前記胴体部の上端から上に延長される拡張部を含み、
    前記拡張部は上部に行くほど漸進的に面積が広くなることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  10. 基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、
    前記基板処理装置は、
    処理空間を有する処理容器と、
    前記処理空間で前記基板を支持し、前記基板を回転させる支持ユニットと、
    前記支持ユニットに支持された前記基板に処理液を供給する液供給ユニットと、及び
    前記基板を加熱する加熱ユニットを含み、
    前記支持ユニットは、
    スピンチャックと、
    前記スピンチャックを回転させる駆動機と、
    前記スピンチャックとともに回転されるように前記スピンチャック上に設置されるチャックピンと、及び
    前記チャックピンを前記基板の側部と接触する接触位置及び前記基板の側部と離隔される開放位置との間に移動させるチャックピン移動ユニットを含み、
    前記チャックピン移動ユニットは、
    前記チャックピンに結合されて前記スピンチャックとともに回転される第１駆動モジュールと、及び
    前記第１駆動モジュールと対向して前記スピンチャックとともに回転されない第２駆動モジュールを含み、
    前記第１駆動モジュールは第１磁性体を含み、
    前記第２駆動モジュールは前記第１磁性体と対向する第２磁性体と、前記第２磁性体を上下方向に駆動させる駆動部材を含み、
    前記方法は、
    前記チャックピンが前記開放位置に位置された開放状態で第１速度で回転する前記基板に第１液を供給して前記基板上に第１液膜を形成する第１液供給段階と、
    前記第１液供給段階以後に、前記チャックピンが前記開放状態で前記基板上に形成された前記第１液膜を加熱する液膜加熱段階と、
    前記液膜加熱段階以後に、前記チャックピンが前記接触位置に位置された接触状態で前記第１速度より早い第２速度で回転する前記基板に第２液を供給する第２液供給段階を含み、
    前記チャックピンの前記開放状態から前記接触状態への変更は、前記基板が回転される途中でなされる基板処理方法。
JP2022163984A 2021-10-14 2022-10-12 基板処理装置及び基板処理方法 Active JP7476273B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210136377A KR20230053155A (ko) 2021-10-14 2021-10-14 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR10-2021-0136377 2021-10-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023059255A JP2023059255A (ja) 2023-04-26
JP7476273B2 true JP7476273B2 (ja) 2024-04-30

Family

ID=85961348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022163984A Active JP7476273B2 (ja) 2021-10-14 2022-10-12 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230120608A1 (ja)
JP (1) JP7476273B2 (ja)
KR (1) KR20230053155A (ja)
CN (1) CN115985836A (ja)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057205A (ja) 1991-09-10 2002-02-22 Tokyo Electron Ltd ロードロック室内の位置合わせ機構及び処理装置及び位置合わせ方法及び搬送方法
JP2008060579A (ja) 2006-08-30 2008-03-13 Semes Co Ltd スピンヘッド、及びこれを利用する基板処理方法
JP2014157936A (ja) 2013-02-15 2014-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016192545A (ja) 2015-03-30 2016-11-10 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
US20170250097A1 (en) 2016-02-25 2017-08-31 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and method for manufacturing substrate
JP2017152686A (ja) 2016-02-25 2017-08-31 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板の製造方法
JP2018019103A (ja) 2017-10-18 2018-02-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2018050014A (ja) 2016-09-23 2018-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2020047719A (ja) 2018-09-18 2020-03-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20210202280A1 (en) 2019-12-26 2021-07-01 Semes Co., Ltd. Substrate heating unit, substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP2021106237A (ja) 2019-12-27 2021-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057205A (ja) 1991-09-10 2002-02-22 Tokyo Electron Ltd ロードロック室内の位置合わせ機構及び処理装置及び位置合わせ方法及び搬送方法
JP2008060579A (ja) 2006-08-30 2008-03-13 Semes Co Ltd スピンヘッド、及びこれを利用する基板処理方法
JP2014157936A (ja) 2013-02-15 2014-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016192545A (ja) 2015-03-30 2016-11-10 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
US20170250097A1 (en) 2016-02-25 2017-08-31 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and method for manufacturing substrate
JP2017152686A (ja) 2016-02-25 2017-08-31 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板の製造方法
US20190198363A1 (en) 2016-09-23 2019-06-27 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device
JP2018050014A (ja) 2016-09-23 2018-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2018019103A (ja) 2017-10-18 2018-02-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2020047719A (ja) 2018-09-18 2020-03-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20210202280A1 (en) 2019-12-26 2021-07-01 Semes Co., Ltd. Substrate heating unit, substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP2021106257A (ja) 2019-12-26 2021-07-26 サムス カンパニー リミテッド 基板加熱ユニット、基板処理装置および基板処理方法
JP2021106237A (ja) 2019-12-27 2021-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023059255A (ja) 2023-04-26
US20230120608A1 (en) 2023-04-20
KR20230053155A (ko) 2023-04-21
CN115985836A (zh) 2023-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8545119B2 (en) Substrate cleaning apparatus, coating and developing apparatus having the same and substrate cleaning method
KR101798320B1 (ko) 기판 처리 장치
US7171973B2 (en) Substrate processing apparatus
JP7250868B2 (ja) 洗浄ジグ、これを含む基板処理装置、そして基板処理装置の洗浄方法
KR20210009888A (ko) 기판 처리 장치 및 회전 어셈블리
JP7476273B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102288984B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170134879A (ko) 기판 처리 장치 및 보틀 교체 방법
KR20230053160A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230053158A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102661445B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20150047206A (ko) 기판 처리 장치
KR102548765B1 (ko) 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 방법
KR101885565B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102180009B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
US20230201884A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102243063B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
KR102454447B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20230099585A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102262112B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102219880B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102310461B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20220054110A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN114188239A (zh) 基板处理设备及基板处理方法
CN118197948A (zh) 用于处理基板的装置和用于处理基板的方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221012

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20231031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240409

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7476273

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150