KR20150047206A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20150047206A
KR20150047206A KR1020130126982A KR20130126982A KR20150047206A KR 20150047206 A KR20150047206 A KR 20150047206A KR 1020130126982 A KR1020130126982 A KR 1020130126982A KR 20130126982 A KR20130126982 A KR 20130126982A KR 20150047206 A KR20150047206 A KR 20150047206A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
unit
light
chemical liquid
light source
Prior art date
Application number
KR1020130126982A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102188352B1 (ko
Inventor
김유환
최중봉
황호종
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020130126982A priority Critical patent/KR102188352B1/ko
Publication of KR20150047206A publication Critical patent/KR20150047206A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102188352B1 publication Critical patent/KR102188352B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 가열 처리하는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 기판을 지지하는 기판지지유닛, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판 상에 약액을 공급하는 노즐을 가지는 약액공급유닛, 그리고 광을 조사하여 상기 기판지지유닛에 지지된 기판에 가열 처리하는 가열유닛을 포함한다. 기판 상에 약액이 공급되기 전에 가열부재는 기판을 가열하므로, 기판과 약액 간의 온도 차가 작아질 수 있다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판에 약액을 공급하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 가열하는 장치에 관한 것이다.
반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정에는 오염물 및 파티클이 생성되며, 이를 제거하기 위해 각각의 공정 진행 전 또는 후 단계에는 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다.
일반적으로 세정공정으로는 기판 상에 케미칼 또는 린스액과 같은 약액을 이용하여 기판 상에 잔류된 오염물을 제거한다. 이러한 약액들은 기설정 온도로 가열되고, 그 가열된 상태로 공급된다. 약액은 기판의 중앙영역으로 공급되고, 기판의 회전에 의해 중앙영역에서 가장자리영역으로 확산된다. 그러나 기판은 상온에 노출되어 있고, 약액과 접촉 시 온도차로 인해 약액의 온도는 낮아진다. 이 결과, 기판의 가장자리영역에 제공된 약액의 온도는 그 중앙영역에 공급 시보다 25℃ 이상 차이가 발생된다.
이로 인해 기판의 전체 영역에 동일한 온도의 약액을 공급하고자, 도1과 같이, 노즐(1)을 기판의 중앙영역과 가장자리영역 간을 이동시켜 약액을 공급하는 기술이 제안되었다. 그러나 이는 노(1)즐을 구동하기 위한 추가적인 장치가 설계되어야 하며, 불필요하게 소모되는 약액이 발생된다.
또한 도2와 같이 백노즐(2)을 설치하여 기판의 저면으로 온수를 공급하는 기술이 제안되었다. 그러나 이는 주변 장치에 영향을 끼친다.
한국 특허 등록번호 10-0895032
본 발명은 기판 상에 공급되는 약액의 온도가 영역 별로 상이해지는 것을 최소화할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 기판과 약액 간의 온도 차를 줄일 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 가열 처리하는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 기판을 지지하는 기판지지유닛, 상기 기판지지유닛에 지지된 기판 상에 약액을 공급하는 노즐을 가지는 약액공급유닛, 그리고 광을 조사하여 상기 기판지지유닛에 지지된 기판에 가열 처리하는 가열유닛을 포함한다.
상기 가열유닛은 광을 조사하는 광원 및 상기 광원으로부터 조사된 광의 조사면적을 확산시키는 확산판을 포함할 수 있다. 상기 확산판은 상기 광원을 감싸도록 제공될 수 있다. 상기 확산판의 외측면은 라운드지도록 제공될 수 있다. 상기 기판지지유닛은 몸체 및 상기 몸체의 상면에 위치되며, 상기 몸체와 기판이 서로 이격되도록 기판을 지지하는 지지핀을 포함하되, 상기 광원은 상기 몸체와 기판 사이에 위치될 수 있다. 상기 광원은 상기 몸체의 중앙영역에 위치될 수 있다. 상기 가열부재는 상기 광원에 전력을 인가하는 전원, 상기 전력을 온 / 오프(On / Off)하는 스위치, 그리고 상기 광원에 전력이 공급 또는 차단되도록 상기 스위치를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다. 상기 약액공급유닛은 상기 노즐을 지지하는 아암 및 상기 아암과 결합되며, 상기 노즐을 공정위치 및 대기위치 간에 이동시키는 회전축을 포함하되, 상기 공정위치는 상기 노즐이 상기 광원에 대향되는 위치로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판 상에 약액이 공급되기 전에 가열부재는 기판을 가열하므로, 기판과 약액 간의 온도 차가 작아질 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 가열유닛은 약액이 공급되는 영역을 가열하므로, 약액이 기판 상에서 온도가 하락되는 것을 최소화할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 광은 확산판에 의해 조사 면적이 커지고, 광이 기판에 대미지를 주는 것을 최소화할 수 있다.
도1 및 도2는 세정공정을 수행하는 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도들이다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도4는 도3의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도5는 도4의 가열유닛을 보여주는 단면도이다.
도6은 도4의 확산판을 보여주는 사시도이다.
도7은 도4의 가열유닛의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하, 도3 내지 도7을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도3을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도4는 도3의 기판처리설비의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도4를 참조하면, 기판처리장치(300)는 하우징(320), 기판지지유닛(340), 승강유닛(360), 약액공급유닛(380), 그리고 가열유닛(400)을 포함한다.
하우징(320)은 내부에 처리공간을 제공한다. 하우징(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 하우징(320)은 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 약액들 중 서로 상이한 약액을 회수한다. 내부회수통(322)은 기판지지유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 내부회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다.
기판지지유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 기판지지유닛(340)은 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 몸체(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 기판지지유닛(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 몸체(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 몸체(340)로부터 들어올려 질 때 몸체(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 몸체(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
약액공급유닛(380)은 기판(W) 상으로 약액들을 공급한다. 약액공급유닛(380)은 복수 개로 제공된다. 각각의 약액공급유닛(380)은 서로 상이한 약액을 공급한다. 예컨대, 약액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 그리고 암모니아(NH3) 등 강산의 액일 수 있다. 린스액은 탈이온수일 수 있다. 그리고 유기용제는 린스액에 비해 표면장력이 낮은 이소프로필 알코올(IPA)액일 수 있다.
각각의 약액공급유닛(380)은 아암(382), 지지축(386), 그리고 노즐(384)을 포함한다. 아암(382)은 노즐(384)을 지지한다. 아암(382)은 지지축(386) 및 노즐(384)을 서로 간에 연결시킨다. 아암(382)은 그 길이방향이 수평방향을 향하도록 제공된다. 아암(382)의 일단은 지지축(386)에 결합되고, 타단 저면에는 노즐(384)이 고정 결합된다. 지지축(386)은 하우징(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 지지축(386)의 회전에 의해 노즐(384)은 공정위치 및 대기위치로 이동된다. 여기서 공정위치는 노즐(384)이 하우징(320)의 상부에 위치되는 위치이고, 대기위치는 하우징(320)의 상부를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 공정위치는 노즐(384)이 기판(W)의 중앙영역에 대향되는 위치일 수 있다.
선택적으로 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강운동할 수 있다.
가열유닛(400)은 기판(W)지지유닛에 의해 지지된 기판(W)을 가열한다. 가열유닛(400)은 광원(440), 전원(420), 스위치(430), 확산판(440), 그리고 제어기(450)를 포함한다. 광원(440)은 몸체(342)의 상면 중앙영역에 위치된다. 광원(440)은 몸체에 고정결합된다. 광원(440)은 지지핀(344) 및 척핀(346)에 의해 지지된 기판(W)으로 광을 조사한다. 광원(440)은 전원(420)으로부터 전력을 인가받아 광을 조사한다. 광원(440)은 기판(W)의 저면 중앙영역에 광을 조사한다. 일 예에 의하면, 광원(440)은 기판(W)의 중앙영역과 대향되는 위치일 수 있다. 광은 레이저 빔(Laser beam)일 수 있다. 스위치(430)는 전원(420)으로부터 인가되는 전력을 온 / 오프(On / Off)한다.
확산판(440)은 광원(440)으로부터 조사된 광의 조사면적을 확산시킨다. 도6은 도4의 확산판을 보여주는 사시도이다. 도6을 참조하면, 확산판(440)은 광원(440)을 감싸도록 제공된다. 확산판(440)은 몸체(342)의 상면 중앙영역에 위치된다. 확산판(440)은 몸체(342)에 고정결합된다. 확산판(440)의 외측면은 라운드지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 확산판(440)은 광원(440)의 상부를 감싸는 반구 형상으로 제공될 수 있다. 확산판(440)은 광이 투과 가능한 재질로 제공된다. 예컨대, 확산판(440)은 쿼츠(Quartz)로 제공될 수 있다.
제어기(450)는 스위치(430)를 제어하여 광의 조사를 조절한다. 제어기(450)는 스위치(430)를 온 또는 오프하여 광원(440)에 전력을 공급 또는 차단한다. 일 예에 의하면, 제어기(450)는 기판(W) 상에 약액이 공급되기 전, 기판(W)이 가열되도록 스위치(430)를 온 할 수 있다. 제어기(450)는 조사된 광으로 인해 기판(W)이 과가열 시 스위치(430)를 오프할 수 있다.
다음은 상술한 기판(W)처리장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다.
인덱스로봇(144)은 풉에 수납된 기판(W)을 반출하여 버퍼유닛(220)으로 이송한다. 메인이송로봇(244)은 버퍼유닛(220)에 적재된 기판(W)(W)을 공정챔버(260)로 이송한다. 기판(W)이 지지핀(344) 및 척핀(346)에 의해 지지되면, 하우징(320)은 내부회수통(322)의 내 측공간(322a) 또는 내부회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)에 기판(W)이 대응되도록 높이를 조절한다. 광원(440)은 광을 조사하여 기판(W)의 중앙영역을 가열한다. 노즐(384)은 대기위치에서 공정위치로 이동된다. 기판(W)의 온도가 기설정온도 이상으로 가열되면, 광의 조사를 중단한다. 기판(W)은 몸체(342)에 의해 회전되고, 노즐(384)은 기판(W)의 중앙영역으로 약액을 공급한다. 약액은 기판(W)의 상면 중앙영역에 공급되고, 원심력에 의해 가장자리영역으로 퍼진다. 기판(W)의 세정공정이 완료되면, 메인이송로봇(244)은 기판(W)을 언로딩하여 버퍼유닛(220)로 이송한다. 인덱스로봇(144)은 버퍼유닛(220)에 적재된 기판(W)(W)을 풉으로 이송한다.
상술한 실시예에는 기판(W)으로 광이 조사된다. 광은 에너지 집속 능력이 커 기판(W)을 손상시킬 수 있다. 그러나 광은 확산판(440)을 통해 기판(W)으로 조사된다. 이로 인해 광의 조사면적이 커지고, 기판(W)에 가해지는 에너지 집중이 완화될 수 있다.
또한 기판(W)은 그 중앙영역이 광에 의해 가열되고, 약액은 기판(W)의 중앙영역으로 공급된다, 이로 인해 기판(W)과 약액 간에 온도 차는 줄어들고, 약액이 기판(W)과 접촉되어 온도가 하락되는 것을 최소화할 수 있다. 또한 약액의 온도가 유지됨에 따라 기판(W)의 중앙영역에서 가장자리영역으로 확산 시 그 온도의 하락 폭이 줄어들 수 있다.
상술한 실시예에는 확산판(440)을 통해 조사된 광이 기판(W)의 중앙영역에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 도7과 같이, 확산판(440)은 광의 조사면적이 기판(W)의 크기와 대응되도록 제공될 수 있다. 광원(410)과 확산판(440)은 서로 인접하게 위치될 수 있다. 이로 인해 광은 기판(W)의 전체영역을 균일하게 가열할 수 있다.
또한 상술한 실시예에는 가열유닛(400)은 기판(W) 상에 약액을 공급하기 전에, 기판(W)을 가열하는 것으로 설명하였다. 그러나 기판(W) 상에 약액이 공급되는 동안, 가열유닛(400)은 기판(W)을 지속적으로 가열할 수 있다.
340: 기판지지유닛 380: 약액공급유닛
400: 가열유닛 410: 광원
440: 확산판 450: 제어기

Claims (2)

  1. 기판을 지지하는 기판지지유닛과;
    상기 기판지지유닛에 지지된 기판 상에 약액을 공급하는 노즐을 가지는 약액공급유닛과;
    광을 조사하여 상기 기판지지유닛에 지지된 기판에 가열 처리하는 가열유닛을 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가열유닛은,
    광을 조사하는 광원과;
    상기 광원으로부터 조사된 광의 조사면적을 확산시키는 확산판을 포함하는 기판처리장치.
KR1020130126982A 2013-10-24 2013-10-24 기판 처리 장치 KR102188352B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130126982A KR102188352B1 (ko) 2013-10-24 2013-10-24 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130126982A KR102188352B1 (ko) 2013-10-24 2013-10-24 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150047206A true KR20150047206A (ko) 2015-05-04
KR102188352B1 KR102188352B1 (ko) 2020-12-08

Family

ID=53386298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130126982A KR102188352B1 (ko) 2013-10-24 2013-10-24 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102188352B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200095818A (ko) * 2019-02-01 2020-08-11 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치
US11605545B2 (en) 2019-04-18 2023-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer cleaning equipment

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005536045A (ja) * 2002-08-09 2005-11-24 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド Ｃｖｄ加熱用のｌｅｄ加熱ランプアレイ
KR100583299B1 (ko) * 2003-02-19 2006-05-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 광으로 기판을 조사하는 것을 수행하는 열처리 장치
KR100895032B1 (ko) 2007-08-08 2009-04-24 세메스 주식회사 스핀 헤드
KR20100105751A (ko) * 2008-01-28 2010-09-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 어닐 장치
JP2012119480A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
KR20130015638A (ko) * 2011-08-04 2013-02-14 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20130111150A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005536045A (ja) * 2002-08-09 2005-11-24 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド Ｃｖｄ加熱用のｌｅｄ加熱ランプアレイ
KR100583299B1 (ko) * 2003-02-19 2006-05-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 광으로 기판을 조사하는 것을 수행하는 열처리 장치
KR100895032B1 (ko) 2007-08-08 2009-04-24 세메스 주식회사 스핀 헤드
KR20100105751A (ko) * 2008-01-28 2010-09-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 어닐 장치
JP2012119480A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像方法及び記憶媒体
KR20130015638A (ko) * 2011-08-04 2013-02-14 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20130111150A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200095818A (ko) * 2019-02-01 2020-08-11 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치
US11605545B2 (en) 2019-04-18 2023-03-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer cleaning equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR102188352B1 (ko) 2020-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101994422B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102008311B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN107437519B (zh) 用于处理基板的方法和装置
KR101979604B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102188352B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20190027035A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20190011542A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102117353B1 (ko) 약액공급유닛 및 이를 가지는 기판처리장치
KR102000015B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101471540B1 (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
KR101965349B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102117355B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7275068B2 (ja) 膜質除去方法、基板処理方法、及び基板処理装置
KR20150068761A (ko) 기판처리장치
KR102099889B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101757821B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101553363B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102046871B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102629452B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102661445B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102219880B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023059250A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101909191B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20230053158A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101885565B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant