KR102629452B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102629452B1
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 유닛; 상기 기판의 상면으로 레이저가 조사되는 영역이 이동 가능하게 레이저를 조사하는 레이저 조사 유닛; 및 상기 기판이 일 방향으로 회전 되도록 상기 지지 유닛을 제어하고, 상기 기판의 회전 방향과 동일한 방향으로 상기 레이저가 조사된 지점이 이동하도록 상기 레이저 조사 유닛을 제어하는 제어기를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다. 각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다.
최근에는 기판에 처리 액을 공급하고, 기판에 공급된 처리 액 또는 기판을 가열하여 기판을 처리하는 공정 시간을 단축하는 기판 처리 장치가 이용되고 있다. 한국 공개특허 2019-0037479에는 상술한 기판 처리 장치의 일 예가 개시된다. 위 특허에 의하면, 레이저 조사 유닛은 기판으로 레이저를 조사하고, 기판으로 레이저가 조사되는 지점이 이동되도록 제어된다. 즉, 위 특허의 기판 처리 장치가 가지는 레이저 조사 유닛은, 레이저 조사 유닛이 레이저 조사 방향을 변경함으로써 기판으로 조사되는 레이저의 조사 위치를 변경한다.
그러나, 위와 특허와 같이 레이저 조사 유닛 방향을 변경하면서 기판으로 레이저가 조사되는 위치를 변경하게 되면 레이저 조사 유닛과 연결되는 광 섬유 등의 케이블 등은 레이저 조사 유닛의 헤드 방향과 함께 회전 운동인다. 이러한 케이블의 고속/반복 운동은, 케이블 류의 내구 수명에 큰 부담을 지운다.
이러한 케이블 류의 내구 수명에 부담이 지워지는 문제를 해소하기 위해, 레이저의 조사 위치를 고정하고 기판을 회전시키는 방안을 고려할 수 있다. 이 경우 기판에 대한 가열 균일성을 높이기 위해 기판을 빠르게 회전시켜야 한다. 위와 같이 기판을 빠르게 회전시키는 경우 균일한 가열을 얻을 수는 있다. 그러나, 기판의 회전 속도는 기판 상에 공급되어 기판 상에서 흐르는 처리 액의 유속 또는 처리 액이 형성하는 액 막의 두께에 영향을 주는 인자로 작용한다. 즉, 기판에 대한 균일한 가열을 얻기 위해 기판을 빠르게 회전시키는 것은 처리 액을 공급하여 기판을 처리하는 공정 개발에 큰 제약을 가져온다.
또한, 위 특허에서는 레이저 조사 유닛이 레이저 조사 방향을 변경할 뿐, 레이저 자체는 회전하지 않는다. 이에, 위 특허에서는 편광 상태의 레이저(예컨대, p-편광 상태의 레이저)를 이용하여 기판을 가열하는 방안을 적용하기 어렵다.
예를 들어, 위 특허의 레이저 조사 유닛이 p-편광 상태의 레이저를 조사하되, 레이저의 조사 방향을 달리하면서 레이저의 조사 위치를 변경하는 경우, 도 1에 도시된 바와 같이 레이저의 편광 방향은 모두 동일한 방향을 향한다. 이는, 레이저의 빔 프로파일이 그대로 유지된 채 그 조사 위치만 변경되기 때문이다. 기판을 기준으로 살펴보면 기판의 어느 지점에 조사되는 레이저의 편광 방향은 기판의 중심을 향하게 되고, 기판의 다른 지점에 조사되는 레이저의 편광 방향은 기판의 중심을 향하지 않는다. 즉, 위 특허에 편광 상태의 레이저를 이용하여 기판을 가열하는 방안을 적용하게 되면, 기판에 레이저가 조사되는 위치마다 그 가열 조건이 모두 다르게 되며, 이는 정밀한 가열 제어를 어렵게 한다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판을 효율적으로 가열할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판에 대한 가열 균일도를 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판을 회전시키지 않고도, 기판에 대한 가열 균일도를 높일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 형성되는 액 막의 두께에 편차가 발생하는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 조사 부재와 연결되는 광 섬유의 내구 수명 부담을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판으로 조사되는 레이저의 반사율을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재들로부터 통상의 기술자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 레이저를 조사하는 레이저 유닛을 포함하고, 상기 레이저 유닛은, 상기 레이저를 조사하는 조사 부재; 상기 조사 부재가 조사하는 상기 레이저의 진행 경로 상에 배치되고, 회전 가능하게 제공되는 렌즈; 및 상기 렌즈를 투과한 상기 레이저의 상기 진행 경로를 변경하는 경사 면을 가지는 반사 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 렌즈는, 한 쌍으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 반사 부재는, 상기 한 쌍의 렌즈들 중 어느 하나와 결합될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 반사 부재는, 상부가 절단된 원 뿔 형상을 가질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 한 쌍의 렌즈들, 그리고 상기 반사 부재는 동일한 회전 축을 기준으로 같은 방향으로 회전될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 렌즈들은, 일 면은 편평한 평면을 가지고, 타 면은 곡면을 가지는 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 반사 부재를 상하 방향으로 이동시켜 상기 기판에 조사되는 상기 레이저의 조사 위치를 변경하도록 상기 레이저 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 조사 부재는, p-편광 상태의 레이저를 조사할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 반사 부재의 상기 경사 면은, 상기 기판으로 조사되는 상기 p-편광 상태의 레이저의 입사 각이 브루스터 각이 되도록 경사질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 반사 부재를 상하 방향으로 이동시켜 상기 기판에 조사되는 상기 레이저의 입사 각이 브루스터 각이 되도록 상기 레이저 유닛을 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 처리 액을 공급하는 처리 액 노즐; 및 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 상면으로 레이저를 조사하는 레이저 유닛을 포함하고, 상기 레이저 유닛은, 상기 레이저를 조사하는 조사 부재; 상기 레이저를 회전시키는 원통 렌즈; 및 상기 원통 렌즈들을 투과한 상기 레이저를 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 상면을 향하는 방향으로 반사시키는 반사 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 원통 렌즈는, 복수로 제공되고, 회전 가능하게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 반사 부재는, 상부가 절단된 원 뿔 형상을 가지고, 절단된 상단이 상기 원통 렌즈 중 어느 하나와 결합될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 원통 렌즈들, 그리고 상기 반사 부재는 동일한 회전 축을 기준으로 같은 방향으로 회전될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 원통 렌즈들, 그리고 상기 반사 부재에 입사되는 상기 레이저는 그 진행 경로가 상기 회전 축과 이격되며, 상기 회전 축과 평행할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 조사 부재는, p-편광 상태의 레이저를 조사할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 레이저를 반사하는 상기 반사 부재의 경사 면은, 상기 기판으로 조사되는 상기 p-편광 상태의 레이저의 입사 각이 브루스터 각이 되도록 경사질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 반사 부재를 상하 방향으로 이동시켜 상기 기판에 조사되는 상기 레이저의 입사 각이 브루스터 각이 되도록 상기 레이저 유닛을 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 p-편광 상태의 레이저를 조사하는 레이저 유닛을 포함하고, 상기 레이저 유닛은, 상기 p-편광 상태의 레이저를 조사하는 조사 부재; 상기 조사 부재가 조사하는 상기 p-편광 상태의 레이저의 진행 경로 상에 배치되고, 회전 가능하게 제공되고, 일 면은 편평한 평면을 가지고, 타 면은 곡면을 가지는 형상으로 제공되는 한 쌍의 원통 렌즈; 및 상부가 절단된 원 뿔 형상을 가지며, 절단된 상단이 상기 한 쌍의 원통 렌즈 중 어느 하나와 결합되며, 상기 원통 렌즈들을 투과한 상기 p-편광 상태의 레이저를 반사시키는 경사 면을 가지는 반사 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 한 쌍의 원통 렌즈들, 그리고 상기 반사 부재는 동일한 회전 축을 기준으로 같은 방향으로 회전되고, 상기 원통 렌즈들, 그리고 상기 반사 부재에 입사되는 상기 레이저는 그 진행 경로가 상기 회전 축과 이격되며, 상기 회전 축과 평행할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 가열할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 대한 가열 균일도를 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 회전시키지 않고도, 기판에 대한 가열 균일도를 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 형성되는 액 막의 두께에 편차가 발생하는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 조사 부재와 연결되는 광 섬유의 내구 수명 부담을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판으로 조사되는 레이저의 반사율을 최소화할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 레이저 유닛이 p-편광 된 레이저를 기판으로 조사하는 경우, 기판 상에 조사되는 레이저의 편광 방향을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 공정 챔버의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 레이저 유닛을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 원통 렌즈들을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 반사 부재를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 3의 레이저 유닛이 레이저를 조사하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 3의 레이저 유닛이 조사하는 레이저가 기판으로 전달되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 9는 레이저 유닛의 원통 렌즈들, 그리고 반사 부재가 0 도 회전한 경우 레이저의 진행을 도시한 개념도이다.
도 10은 레이저 유닛의 원통 렌즈들, 그리고 반사 부재가 0 도 회전한 경우, 기판으로 전달되는 레이저를 상부에서 바라본 도면이다.
도 11은 레이저 유닛의 원통 렌즈들, 그리고 반사 부재가 45 도 회전한 경우 레이저의 진행을 도시한 개념도이다.
도 12는 레이저 유닛의 원통 렌즈들, 그리고 반사 부재가 45 도 회전한 경우, 기판으로 전달되는 레이저를 상부에서 바라본 도면이다.
도 13은 레이저 유닛의 원통 렌즈들, 그리고 반사 부재가 90 도 회전한 경우 레이저의 진행을 도시한 개념도이다.
도 14는 레이저 유닛의 원통 렌즈들, 그리고 반사 부재가 90 도 회전한 경우, 기판으로 전달되는 레이저를 상부에서 바라본 도면이다.
도 15는 레이저 유닛의 원통 렌즈들, 그리고 반사 부재가 135 도 회전한 경우 레이저의 진행을 도시한 개념도이다.
도 16은 레이저 유닛의 원통 렌즈들, 그리고 반사 부재가 135 도 회전한 경우, 기판으로 전달되는 레이저를 상부에서 바라본 도면이다.
도 17은 레이저의 편광 상태 및 입사각에 따른 기판 표면의 반사율의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 18은 본 발명의 레이저 유닛이 p-편광 된 레이저를 기판으로 조사하는 경우, 기판 상에 조사되는 레이저의 편광 방향을 보여주는 도면이다.
도 19는 본 발명의 레이저 유닛이 기판으로 레이저를 조사하는 모습을 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하에서는 도 2 내지 도 19를 참조하여 본 발명의 실시 예에 대하여 설명한다.
도 2은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 위치된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 변경될 수 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일 측 및 타 측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일 측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일 측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일 측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 변경될 수 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일 측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스 암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스 암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스 암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클(Particle)이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인 암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인 암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행한다. 공정 챔버(260)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)는 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도 3은 도 2의 공정 챔버의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 도 2를 참조하면, 공정 챔버(260)는 바울(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 처리 액 노즐(380), 레이저 조사 유닛(390) 및 제어기(미도시)를 포함한다.
제어기(400)는 후술하는 바와 같이 공정 챔버(260)의 구성들이 동작하도록 공정 챔버(260)의 구성요소들을 제어한다.
바울(320)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 바울(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 바울(320)은 내부 회수 통(322), 중간 회수 통(324), 그리고 외부 회수 통(326)을 가진다. 각각의 회수 통(322, 324, 326)은 공정에 사용된 처리 액들 중 서로 상이한 처리 액을 회수한다. 상부에서 바라볼 때 내부 회수 통(322)은 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간 회수 통(324)은 내부 회수 통(322)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부 회수 통(326)은 중간 회수 통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수 통(322)의 내측 공간(322a), 내부 회수 통(322)과 중간 회수 통(324)의 사이 공간(326a), 그리고 중간 회수 통(324)과 외부 회수 통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수 통(322), 중간 회수 통(324), 그리고 외부 회수 통(326)으로 처리 액이 유입되는 유입 구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입 구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수 통(322, 324, 326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b, 324b, 326b)이 연결된다. 각각의 회수 통(322,324,326)에 유입된 처리 액들은 회수 라인(322b, 324b, 326b)을 통해 외부의 처리 액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 스핀 척(342), 지지 핀(344), 척 핀(346), 그리고 지지 축(348)을 가진다. 스핀 척(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부 면을 가진다. 스핀 척(342)의 외측 면은 단차지게 제공된다. 스핀 척(342)는 그 저 면이 상부 면에 비해 작은 직경을 가지도록 제공된다. 스핀 척(342)의 외측 면은 제1경사면(341), 수평면(343), 그리고 제2경사면(345)을 가진다. 제1경사면(341)은 스핀 척(342)의 상부 면으로부터 아래로 연장된다. 수평면(343)은 제1경사면(341)의 하 단으로부터 내측방향으로 연장된다. 제2경사면(345)은 수평면(343)의 내측 단으로부터 아래로 연장된다. 제1경사면(341) 및 제2경사면(345) 각각은 몸체의 중심축과 가까워질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다.
지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 스핀 척(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀 척(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(344)은 스핀 척(342)의 상부 면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 척(342)의 중심축에서 지지 핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 스핀 척(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 지지 유닛(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측 부를 지지한다. 척 핀(346)은 스핀 척(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 스핀 척(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지위치에서 척 핀(346)은 기판(W)의 측 부와 접촉된다.
지지 축(348)은 스핀 척(342)을 회전 가능하게 지지한다. 지지 축(348)은 스핀 척(342)의 아래에 위치된다. 지지 축(348)은 회전축(347) 및 고정 축(349)을 포함한다. 회전축(347)은 내 축으로 제공되고, 고정 축(349)은 외 축으로 제공된다. 회전축(347)은 그 길이 방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 회전축(347)은 스핀 척(342)의 저면에 고정 결합된다. 회전축(347)은 구동 부재(350)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 스핀 척(342)는 회전축(347)과 함께 회전되도록 제공된다. 고정 축(349)은 회전축(347)을 감싸는 중공의 원통 형상을 가진다. 고정 축(349)은 회전축(347)에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 고정 축(349)의 내측 면은 회전축(347)과 이격되게 위치된다. 고정 축(349)은 회전축이 회전되는 중에 고정된 상태를 유지한다.
승강 유닛(360)은 바울(320)을 상하 방향으로 이동시킨다. 바울(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(340)에 대한 바울(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동 축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 바울(320)의 외벽에 설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(364)이 결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 지지 유닛(340)로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(340)가 바울(320)의 상부로 돌출되도록 바울(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리 액의 종류에 따라 처리 액이 기 설정된 회수 통(360)으로 유입될 수 있도록 바울(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
처리 액 노즐(380)은 기판(W)으로 처리 액을 분사한다. 처리 액 노즐(380)은 기판(W) 처리 효율을 증가시키기 위해 설정 온도로 가열된 처리 액을 기판(W)에 분사할 수 있다. 처리 액 노즐(380)은 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 처리 액 노즐(380)은 서로 상이한 종류의 액을 공급할 수 있다.
처리 액 노즐(380)은 위치가 변경 가능하게 제공될 수 있다. 처리 액 노즐(380)은 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 처리 액 노즐(380)이 지지 유닛(340)와 상하로 설정 거리 이격되어 마주 보는 위치이고, 대기 위치는 처리 액 노즐(380)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 처리 액은 케미칼, 린스 액, 그리고 유기 용제일 수 있다. 케미칼은 인산(H3PO4)일 수 있다. 린스 액은 순수일 수 있다. 유기 용제는 이소프로필 알코올(IPA)액일 수 있다.
레이저 유닛(390)은 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)으로 레이저(L)를 조사할 수 있다. 레이저 유닛(390)은 레이저(L)를 기판(W)으로 조사하여, 기판(W)을 가열할 수 있다. 예컨대, 레이저 유닛(390)은 기판(W)으로 레이저(L)를 조사하여 SiN Strip, Etch 등을 수행할 수 있다. 또한, 레이저 유닛(390)는 기판(W)의 가장자리 영역을 가열할 수 있다.
도 4는 도 3의 레이저 유닛을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 레이저 유닛(390)은 조사 부재(391), 전달 부재(392), 하우징(393), 원통 렌즈(394a, 394b), 그리고 반사 부재(395)를 포함할 수 있다.
조사 부재(391)는 레이저(L)를 발생시키고, 레이저(L)를 조사할 수 있다. 조사 부재(391)는 레이저(L)가 가지는 파장을 변경할 수 있다. 예컨대, 조사 부재(391)는 기판(W)에 대한 흡수 율이 높은 파장을 가지도록 레이저(L)의 파장을 변경할 수 있다. 예컨대, 기판(W)이 Si를 포함하는 소재로 제공되는 웨이퍼 인 경우, 조사 부재(391)는 Si에 대한 흡수 율이 높은 파장을 가지는 레이저(L) 발생 및 조사할 수 있다.
조사 부재(391)가 조사한 레이저(L)는 전달 부재(392)를 통해 후술하는 원통 렌즈(394a, 394b)로 전달될 수 있다. 전달 부재(392)는 레이저(L)를 원통 렌즈(394a, 394b)로 전달할 수 있다. 전달 부재(392)의 일 단은 조사 부재(391)와 연결되고, 전달 부재(392)의 타 단은 후술하는 하우징(393)과 연결될 수 있다. 전달 부재(392)는 일 단, 그리고 타 단이 개방된 통일 수 있다. 이와 달리 전달 부재(392)는 광 섬유일 수도 있다.
하우징(393)은 후술하는 원통 렌즈(394a, 394b)가 수용되는 공간을 가질 수 있다. 하우징(393)은 통 형상을 가질 수 있다. 하우징(393) 내에는 후술하는 원통 렌즈(394a, 394b) 및 반사 부재(395)를 고정하고, 원통 렌즈(394a, 394b) 및 반사 부재(395)를 회전시키는 기재(미도시)가 설치될 수 있다. 또한, 하우징(393)은 후술하는 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)들, 그리고 반사 부재(395)들의 회전과는 독립적일 수 있다. 예컨대, 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)들, 그리고 반사 부재(395)이 회전하더라도 하우징(393)은 회전하지 않고 고정될 수 있다.
원통 렌즈(394a, 394b)는 조사 부재(391)가 조사하는 레이저(L)의 진행 경로 상에 배치될 수 있다. 또한, 원통 렌즈(394a, 394b)는 하우징(393)에 제공되는 회전 구동기(미도시) 등에 의해 일 방향으로 회전 가능하게 제공될 수 있다. 이에, 원통 렌즈(394a, 394b)는 원통 렌즈(394a, 394b)로 입사하는 레이저(L)를 회전시킬 수 있다. 원통 렌즈(394a, 394b)는 복수로 제공될 수 있다. 예컨대, 원통 렌즈(394a, 394b)는 한 쌍으로 제공될 수 있다. 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)는 동일한 회전 축(RA)을 기준으로 같은 방향으로 회전될 수 있다. 또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 원통 렌즈(394a, 394b)들은 일 면이 편평한 평면을 가지고, 타 면은 곡면을 가지는 형상으로 제공될 수 있다. 다시 도 4를 참조하면, 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b) 중 어느 하나(394a)의 평면과 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b) 중 다른 하나(394b)의 평면은 서로 마주보도록 제공될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 원통 렌즈(394a, 394b) 중 어느 하나(394a)의 곡면과 원통 렌즈(394a, 394b) 중 다른 하나(394b)의 평면이 서로 마주보도록 제공될 수 있다. 또한, 원통 렌즈(394a, 394b)들이 가지는 곡면이 서로 마주보도록 제공될 수 있다.
반사 부재(395)는 원통 렌즈(394a, 394b)를 투과한 레이저(L)의 진행 경로를 변경하는 경사 면을 가질 수 있다. 반사 부재(395)는 원통 렌즈(394a, 394b)들을 투과한 레이저(L)를 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)의 상면을 향하는 방향으로 반사시킬 수 있다. 또한, 반사 부재(395)는 도 6에 도시된 바와 같이 상부가 절단 된 원 뿔 형상을 가질 수 있다. 다시 도 4를 참조하면, 반사 부재(395)는 절단된 상단이 원통 렌즈(394a, 394b)들 중 어느 하나(394b)와 결합될 수 있다. 예컨대, 반사 부재(395)는 절단된 상단이 원통 렌즈(394a, 394b)들 중 어느 하나(394b)의 곡면을 가지는 타면과 결합될 수 있다.
또한, 반사 부재(395)는 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)와 함께 회전될 수 있다. 예컨대, 반사 부재(395)는 원통 렌즈(394a, 394b)와 동일한 회전 축(RA)을 기준으로 같은 방향으로 회전될 수 있다. 또한, 원통 렌즈(394a, 394b)들의 회전 속도와 반사 부재(395)의 회전 속도는 동일할 수 있다.
도 7은 도 3의 레이저 유닛이 레이저를 조사하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 8은 도 3의 레이저 유닛이 조사하는 레이저가 기판으로 전달되는 모습을 보여주는 도면이다. 도 7과 도 8을 참조하면, 조사 부재(391)가 발생 및 조사하는 레이저(L)는 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b), 그리고 반사 부재(395)로 전달될 수 있다. 예컨대, 조사 부재(391)가 발생 및 조사하는 레이저(L)는 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)들을 거쳐, 반사 부재(395)로 전달되고, 반사 부재(395)로 전달된 레이저(L)는 반사 부재(395)가 가지는 경사면에 의해 반사되어 기판(W)의 상면으로 전달될 수 있다. 또한, 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)들, 그리고 반사 부재(395)에 입사되는 레이저(L)는 그 진행 경로가 회전 축(RA)과는 이격되고, 회전 축(RA)과 평행할 수 있다. 예컨대, 레이저(L)는 상부에서 바라볼 때, 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b), 그리고 반사 부재(395)의 중심에 대하여 편심된 위치로 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)들, 그리고 반사 부재(395)에 입사될 수 있다.
위에서 아래 방향으로 진행하던 레이저(L)는 반사 부재(395)에 의해 반사되어 하향 경사진 방향으로 그 진행 경로가 변경될 수 있다. 예컨대 상부에서 바라볼 때, 레이저 유닛(390)은 기판(W)의 중심에 위치한 상태로 레이저(L)를 조사할 수 있다. 이때, 기판(W)으로 입사하는 레이저(L)는 기판(W)의 중앙 영역에서 기판(W)의 가장자리 영역을 향하는 방향으로 기판(W)으로 입사될 수 있다.
또한, 반사 부재(395)는 상술한 바와 같이 상부가 절단 된 원 뿔 형상을 가질 수 있다. 이에, 반사 부재(395)가 가지는 경사 면은 굴곡질 수 있다. 이에, 레이저(L)가 기판(W)으로 조사되는 지점들은, 상부에서 바라볼 때 대체로 호 형상을 이룰 수 있다. 반사 부재(395)가 가지는 경사 면은, 상기 호의 곡률 및 곡률 반경이 기판(W) 가장자리의 곡률 및 곡률 반경과 동일하도록 굴곡질 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)들, 그리고 반사 부재(395)은 동일한 회전 축(RA)을 기준으로 같은 방향으로 회전된다. 이에, 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)들을 통과하고, 반사 부재(395)에 의해 반사되는 레이저(L) 또한 함께 회전하게 된다. 이에, 레이저(L)가 기판(W)으로 조사되는 지점들은, 상부에서 바라볼 때 링 형상을 이룰 수 있다. 레이저(L)가 기판(W)으로 조사된 지점들이 이루는 링은, 상부에서 바라볼 때, 기판(W)과 동일한 중심을 가질 수 있다. 또한, 반사 부재(395)가 가지는 경사 면은, 상기 링의 곡률 및 곡률 반경이 기판(W) 가장자리의 곡률 및 곡률 반경과 동일하도록 굴곡질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 조사 부재(391), 전달 부재(392), 그리고 하우징(393)은 고정되고, 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)들 및 반사 부재(395)가 회전된다. 즉, 레이저 유닛(390) 전체를 회전시키지 않고, 레이저 유닛(390)의 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)들 및 반사 부재(395)만을 회전시킴으로써 레이저(L)를 회전시킬 수 있다. 이에, 광 섬유일 수 있는 전달 부재(392)의 내구성에 부담이 지워지는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 레이저(L)가 회전함에 따라 기판(W)을 회전시키지 않고도, 기판(W)에 대한 가열 균일성을 도모할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판(W)에 대한 가열 균일 성은 원통 렌즈(394a, 394b)들 및 반사 부재(395)의 회전 만으로 구현할 수 있게 된다. 이에, 지지 유닛(340)은 기판(W) 상에서 흐르는 처리 액의 유속 또는 처리 액이 형성하는 액 막의 두께를 원하는 유속 및 두께가 되도록 기판(W)의 회전 속도를 자유롭게 변경할 수 있다.
도 9 내지 도 16에서는 원통 렌즈(394a, 394b)들, 그리고 반사 부재가 회전한 각도에 따라 레이저(L)의 진행 경로, 그리고 기판(W)으로 전달되는 레이저(L)를 상부에서 바라본 모습을 보여주고 있다. 도 9 내지 도 16을 참조하면 알 수 있듯이, 원통 렌즈(394a, 394b)는 한 쌍으로 제공되므로, 원통 렌즈(394a, 394b)들이 한 바퀴 회전 할 때, 레이저 빔(L)은 두 바퀴 회전한다. 예컨대, 도 9에서는 원통 렌즈(394a, 394b)들이 0 도 회전한 경우 레이저(L)의 진행을 도시하고 있고, 도 10에서는 원통 렌즈(394a, 394b)들이 0도 회전한 경우 기판(W)으로 전달되는 레이저(L)를 보여주고 있다. 또한, 도 11에서는 원통 렌즈(394a, 394b)들이 45 도 회전한 경우 레이저(L)의 진행을 도시하고 있고, 도 12에서는 원통 렌즈(394a, 394b)들이 45도 회전한 경우, 기판(W)으로 전달되는 레이저(L)를 보여주고 있다. 도 10과 도 12를 서로 비교하여 살펴보면 알 수 있듯이, 원통 렌즈(394a, 394b)들이 45 도 회전하면, 레이저(L)의 조사 위치는 90 도 회전하는 것을 확인할 수 있다. 이와 유사하게 도 13 및 도 14를 참조하면, 원통 렌즈(394a, 394b)들이 90 도 회전한 경우, 레이저(L)의 조사 위치는 180 도 회전하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 15 및 도 16을 참조하면, 원통 렌즈(394a, 394b)들이 134 도 회전한 경우 레이저(L)의 조사 위치는 270 도 회전한 것을 확인할 수 있다. 이는 원통 렌즈(394a, 394b)가 한 쌍으로 제공되기 때문이다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 레이저(L)의 회전 속도는 원통 렌즈(394a, 394b)들의 회전 속도에 2 배에 해당하게 된다. 또, 기판(W)의 가열 균일성은 기판(W)으로 조사되는 레이저(L)의 회전 속도가 빠를수록 높아질 수 있다. 즉, 본 발명은 원통 렌즈(394a, 394b)들을 적은 RPM으로 회전시키더라도, 레이저(L)를 빠르게 회전시킬 수 있어, 기판(W)에 대한 가열 균일성을 보다 확실하게 도모할 수 있게 된다.
도 17은 레이저의 편광 상태 및 입사각에 따른 기판 표면의 반사율의 일 예를 보여주는 도면이다. 예컨대, 도 17은 레이저(L)의 편광 상태가 s-편광(S-pol, SP) 인 경우, 기판(W)에 대한 레이저(L)의 입사각(Ai)에 따른 기판(W) 표면의 반사율을 도시한다. 또한, 도 17은 레이저(L)의 편광 상태가 p-편광(P-pol, PP)인 경우, 기판(W)에 대한 레이저(L)의 입사각(Ai)에 따른 기판(W)의 표면 반사율(Reflectivity, Ref)을 도시한다. 기판(W) 표면 반사율이 높을수록, 레이저(L)가 기판(W)을 가열하는데 쓰이지 못하고 손실된다. 즉, 기판(W)에 대한 가열 효율을 높이기 위해서는 기판(W)의 표면 반사율(Ref)을 낮춰야 한다.
도 17을 참조하면 알 수 있듯이, 기판(W)에 대한 입사 각(Ai)을 적절히 조절하게 되면, 기판(W)에 대한 반사 율이 p-편광 상태의 레이저(L)가 s-편광 상태의 레이저(L)보다 낮은 것을 알 수 있다. 특히, p-편광 상태의 레이저(L)의 경우 기판(W)에 대한 반사율이 0 %인 각도가 존재하게 되는데, 이 각도는 브루스터 각(또는 편광 각)에 해당한다.
상술한 바와 같이, 일반적인 레이저 유닛의 경우에는 p-편광 상태의 레이저를 기판을 가열하는데 적용되기 어려웠다. 레이저 자체가 회전되지 않은 채 레이저의 조사 방향만을 달리하게 되면, 레이저의 빔 프로파일이 그대로 유지 된 채 그 조사 위치만 변경되기 때문이다. 이에, 기판의 어느 지점에 조사되는 레이저의 편광 방향은 기판의 중심을 향하고, 기판의 다른 지점에 조사되는 레이저의 편광 방향은 기판의 중심을 향하지 않는다. 즉, 일반적인 레이저 유닛에 p-편광 상태의 레이저를 적용하게 되면, 기판에 레이저가 조사되는 위치마다 그 가열 조건이 모두 다르게 되어, 기판에 대한 균일한 가열이 어려웠다.
그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b)들이 회전함에 따라 레이저 빔(L)도 함께 회전한다. 이에, 레이저(L)의 빔 프로파일도 함께 회전한다. 이에, 도 18에 도시된 바와 같이, 조사 부재(391)가 p-편광 상태의 레이저(L)를 조사하게 되면, 기판(W)의 어느 지점에 조사되는 레이저(L)의 편광 방향과, 기판(W)의 다른 지점에 조사되는 레이저(L)의 편광 방향은 기판(W)의 중심을 기준으로 대칭된다. 즉, 본 발명의 레이저 유닛(390)이 p-편광 상태의 레이저(L)를 이용하여 기판(W)을 가열하면, 기판(W)에 레이저(L)가 조사되는 위치가 변경되더라도 그 가열 조건이 모두 동일하여 기판(W)에 대한 균일한 가열이 가능해 진다. 즉, 본 발명은 p-편광 상태의 레이저(L)를 적용할 수 있다. 상술한 바와 같이 p-편광 상태의 레이저(L)는 기판(W)에 대한 반사율이 대체로 낮다. 이에, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판(W)에 대한 가열 효율을 높일 수 있다.
또한, 상술한 조사 부재(391)가 p-편광 상태의 레이저(L)를 조사하는 것의 예로, 조사 부재(391)가 p-편광 상태의 레이저(L)를 발생시키거나, 조사 부재(391)가 무 편광 상태의 레이저(L)를 발생시키고, 무 편광 상태의 레이저(L)가 원통 렌즈(394a, 394b)들의 전 단에 설치된 편광 렌즈를 통과하여 원통 렌즈(394a, 394b)들에 입사되는 것을 들 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 기판(W)에 조사되는 레이저(L)의 반사율은 기판(W)에 입사되는 레이저(L)의 입사각(Ai)에 따라 달라질 수 있다. 특히, 레이저(L)의 입사각(Ai)이 브루스터 각(Brewster Angle)에 해당하면, 이론 상 반사율은 0 % 에 해당한다.
본 발명의 제어기(미도시)는 레이저 유닛(390)을 제어할 수 있다. 예컨대, 도 19에 도시된 바와 같이, 제어기는 레이저 유닛(390)의 위치를 변경할 수 있다. 예컨대, 제어기는 레이저 유닛(390)의 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b), 그리고 반사 부재(395)를 상하 방향으로 이동시켜, 기판(W)에 조사되는 레이저(L)의 입사 각(Ai)을 변경할 수 있다. 또한, 제어기는 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b), 그리고 반사 부재(395)를 상하 방향으로 이동시켜 레이저(L)의 입사 각(Ai)이 브루스터 각이 되도록 할 수 있다. 또한, 본 발명의 반사 부재(395)가 가지는 경사 면은, 기판(W)으로 조사되는 p-편광 상태의 레이저(L)의 입사 각(Ai)이 브루스터 각이 되도록 경사질 수 있다. 즉, 레이저(L)의 입사 각(Ai)은 반사 부재(395)와 기판(W) 사이의 거리 및/또는 반사 부재(395)의 경사 면의 각도 변경에 따라 조정될 수 있다.
또한, 제어기가 레이저 유닛(390)의 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b), 그리고 반사 부재(395)를 상하 방향으로 이동시켜, 기판(W)에 조사되는 레이저(L)의 조사 위치를 변경할 수 있다. 레이저(L)가 기판(W)으로 조사되는 지점은, 상술한 바와 같이 대체로 기판(W)과 동일한 중심을 가지는 링 형상을 가지게 되는데, 한 쌍의 원통 렌즈(394a, 394b), 그리고 반사 부재(395)가 상하 방향으로 이동되면, 상기 링의 직경은 변경될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 인덱스모듈
20: 공정처리모듈
120: 로드포트
140: 이송프레임
220: 버퍼유닛
240: 이송챔버
260: 공정챔버
320: 바울
340: 지지부재
342: 스핀 척
348: 지지 축
380: 처리 액 노즐
390: 레이저 조사 유닛

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 지지하는 지지 유닛; 및
    상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 레이저를 조사하는 레이저 유닛을 포함하고,
    상기 레이저 유닛은,
    상기 레이저를 조사하는 조사 부재;
    상기 조사 부재가 조사하는 상기 레이저의 진행 경로 상에 배치되고, 회전 가능하게 제공되는 렌즈; 및
    상기 렌즈를 투과한 상기 레이저의 상기 진행 경로를 변경하는 경사 면을 가지는 반사 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈는,
    한 쌍으로 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반사 부재는,
    상기 한 쌍의 렌즈들 중 어느 하나와 결합되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 반사 부재는,
    상부가 절단된 원 뿔 형상을 가지는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 한 쌍의 렌즈들, 그리고 상기 반사 부재는 동일한 회전 축을 기준으로 같은 방향으로 회전되는 기판 처리 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 렌즈들은,
    일 면은 편평한 평면을 가지고, 타 면은 곡면을 가지는 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는,
    제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 반사 부재를 상하 방향으로 이동시켜 상기 기판에 조사되는 상기 레이저의 조사 위치를 변경하도록 상기 레이저 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조사 부재는,
    p-편광 상태의 레이저를 조사하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 반사 부재의 상기 경사 면은,
    상기 기판으로 조사되는 상기 p-편광 상태의 레이저의 입사 각이 브루스터 각이 되도록 경사진 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 장치는,
    제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 반사 부재를 상하 방향으로 이동시켜 상기 기판에 조사되는 상기 레이저의 입사 각이 브루스터 각이 되도록 상기 레이저 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  11. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 처리 액을 공급하는 처리 액 노즐; 및
    상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 상면으로 레이저를 조사하는 레이저 유닛을 포함하고,
    상기 레이저 유닛은,
    상기 레이저를 조사하는 조사 부재;
    상기 레이저를 회전시키는 원통 렌즈; 및
    상기 원통 렌즈들을 투과한 상기 레이저를 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 상면을 향하는 방향으로 반사시키는 반사 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 원통 렌즈는,
    복수로 제공되고,
    회전 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 반사 부재는,
    상부가 절단된 원 뿔 형상을 가지고,
    절단된 상단이 상기 원통 렌즈 중 어느 하나와 결합되는 기판 처리 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 원통 렌즈들, 그리고 상기 반사 부재는 동일한 회전 축을 기준으로 같은 방향으로 회전되는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 원통 렌즈들, 그리고 상기 반사 부재에 입사되는 상기 레이저는 그 진행 경로가 상기 회전 축과 이격되며, 상기 회전 축과 평행한 기판 처리 장치.
  16. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조사 부재는,
    p-편광 상태의 레이저를 조사하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 레이저를 반사하는 상기 반사 부재의 경사 면은,
    상기 기판으로 조사되는 상기 p-편광 상태의 레이저의 입사 각이 브루스터 각이 되도록 경사진 기판 처리 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 장치는,
    제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 반사 부재를 상하 방향으로 이동시켜 상기 기판에 조사되는 상기 레이저의 입사 각이 브루스터 각이 되도록 상기 레이저 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  19. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 p-편광 상태의 레이저를 조사하는 레이저 유닛을 포함하고,
    상기 레이저 유닛은,
    상기 p-편광 상태의 레이저를 조사하는 조사 부재;
    상기 조사 부재가 조사하는 상기 p-편광 상태의 레이저의 진행 경로 상에 배치되고, 회전 가능하게 제공되고, 일 면은 편평한 평면을 가지고, 타 면은 곡면을 가지는 형상으로 제공되는 한 쌍의 원통 렌즈; 및
    상부가 절단된 원 뿔 형상을 가지며, 절단된 상단이 상기 한 쌍의 원통 렌즈 중 어느 하나와 결합되며, 상기 원통 렌즈들을 투과한 상기 p-편광 상태의 레이저를 반사시키는 경사 면을 가지는 반사 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 한 쌍의 원통 렌즈들, 그리고 상기 반사 부재는 동일한 회전 축을 기준으로 같은 방향으로 회전되고,
    상기 원통 렌즈들, 그리고 상기 반사 부재에 입사되는 상기 레이저는 그 진행 경로가 상기 회전 축과 이격되며, 상기 회전 축과 평행한 기판 처리 장치.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101001551B1 (ko) * 2008-06-18 2010-12-17 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 어닐링 장치
KR102008311B1 (ko) * 2017-09-29 2019-08-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102117355B1 (ko) * 2018-09-27 2020-06-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013153061A (ja) * 2012-01-25 2013-08-08 Japan Display Central Co Ltd レーザアニール装置

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