KR20220054110A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와; 처리액 공급 단계 이후에 솔벤트를 휘발시켜 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와; 액막 형성 단계 이후에 기판 상으로 박리액을 공급하여 기판 상에서 고화된 액막을 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와; 액막 박리 단계 이후에 기판 상으로 제거액을 공급하여 기판 상에서 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고, 기판 처리 단계에서 각 단계의 종료 시점은, 기판 상으로 액을 공급하는 동안 기판의 표면의 온도를 검출하여 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 시점일 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate}
본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 파티클을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다.
세정 공정은, 스핀 헤드에 지지되어 회전하는 기판으로 케미칼을 공급하는 공정, 기판으로 탈이온수(Deionized Water; DIW) 등과 같은 세정액을 공급하여 기판 상에서 케미칼을 제거하는 공정, 이후에 세정액 보다 표면장력이 낮은 이소프로필알코올(IPA)액과 같은 유기용제를 기판에 공급하여 기판 상의 세정액을 유기용제로 치환하는 공정, 그리고 치환된 유기용제를 기판 상에서 제거하는 공정을 포함한다.
또한, 세정 공정은, 기판 상에 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 과정을 포함할 수 있다. 처리액이 기판 상에 도포되고, 휘발 성분을 포함하는 솔벤트가 휘발되면, 처리액의 체적 변화로 인해 폴리머가 경화되면서 파티클을 흡착한다. 이후, 파티클을 흡착한 폴리머를 탈이온수와 같은 린스액을 기판 상으로 공급하여 기판으로부터 박리시킨다. 이후 IPA와 같은 유기용제로 기판을 재차 세정한다.
기판 상에 처리액, 린스액 또는 유기용제와 같은 액을 공급할 시에 액의 공급량과 공급 시간을 올바르게 설정하지 못하면, 세정 공정이 길어지거나 세정액 소모량이 많아지고 기판의 공정 편차가 발생하는 문제가 있다.
본 발명은 기판의 표면 온도를 검출하여 기판의 표면 온도를 기반으로 공정이 종료되는 시점을 산정하여 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 상에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계는, 기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와; 처리액 공급 단계 이후에 솔벤트를 휘발시켜 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와; 액막 형성 단계 이후에 기판 상으로 박리액을 공급하여 기판 상에서 고화된 액막을 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와; 액막 박리 단계 이후에 기판 상으로 제거액을 공급하여 기판 상에서 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고, 기판 처리 단계에서 각 단계의 종료 시점은, 기판 상으로 액을 공급하는 동안 기판의 표면의 온도를 검출하여 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액막 형성 단계의 종료 시점은, 솔벤트의 휘발에 의한 기화열에 의해 기판의 표면 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액막 박리 단계의 종료 시점은, 처리액과 박리액의 반응에 의한 반응열에 의해 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액막 박리 단계의 종료 시점은, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액막 박리 단계의 종료 시점은, 액막과 박리액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액막 제거 단계의 종료 시점은, 박리액과 제거액의 반응에 의한 반응열에 의해 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액막 제거 단계의 종료 시점은, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액막 제거 단계의 종료 시점은, 박리액과 제거액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액막 형성 단계와 액막 박리 단계 사이에, 기판 상으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계를 더 포함하고, 세정액 공급 단계의 시작 시점은, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 액막 제거 단계 이후에 기판을 건조하는 건조 단계를 더 포함하고, 건조 단계의 종료 시점은, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 폴리머는 수지를 포함하고, 박리액은 DIW(De-Ionized Water)이고, 제거액은 유기용제일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 기판 처리 단계에서, 기판의 표면 온도에 기초하여 기판 상으로 공급되는 액의 탄착 위치가 변경될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 기판 처리 단계에서, 기판 상으로 액이 공급되는 동안 기판은 회전되는 상태로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 방법에 있어서, 회전하는 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계를 포함하고, 기판 처리 단계의 종료 시점은, 기판 상으로 액을 공급하는 동안 기판의 표면의 온도를 검출하여 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 기판 처리 단계는, 기판 상으로 제1처리액을 공급하는 제1처리액 공급 단계; 그리고, 제1처리액이 공급된 기판상으로 제2처리액을 공급하는 제2처리액 공급 단계를 포함하고, 제2처리액 공급 단계의 종료 시점은, 제1처리액과 제2처리액의 반응에 의한 반응열에 의해 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도에 도달한 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 기판 처리 단계는, 액의 공급을 중지한 이후에 기판을 회전시켜 기판을 건조시키는 건조 단계를 더 포함하고, 건조 단계의 종료 시점은, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에서, 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 챔버와; 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판의 표면 온도를 검출하는 온도 검출 유닛과; 지지 유닛, 액 공급 유닛 그리고 온도 검출 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 제어기는, 온도 검출 유닛이 액 공급 유닛이 기판으로 액을 공급하는 동안 검출한 기판의 표면의 온도를 기반으로 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 경우 액의 공급이 중단되도록 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제어기는, 액 공급 유닛이 기판 상으로 제1처리액을 공급한 이후에 제2처리액을 공급하되, 제1처리액과 제2처리액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강하는 경우 제2처리액의 공급이 종료되도록 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제어기는, 액 공급 유닛이 기판 상으로 액이 공급한 이후에 액의 공급을 중단하고 지지 유닛이 기판을 회전시켜 기판을 건조시키되, 기판의 건조는, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점까지 계속되도록 지지 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제어기는, 액이 기판 상으로 공급되는 동안 기판이 회전되도록 지지 유닛을 제어할 수 있다.
본 발명은 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3 내지 도 4는 각각 본 발명의 기판 처리 단계를 나타낸 플로우 차트이다.
도 5는 본 발명의 기판 처리 방법에 따라 기판을 처리하는 동안 시간에 따른 기판의 표면의 온도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 6 내지 도 13은 본 발명의 기판 처리 방법에 따라 기판을 처리하는 모습을 순차적으로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.
인덱스 모듈(10)은 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.
용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 액 처리 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)는 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다.
일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되고, 반송 챔버(300)의 일측에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다.
반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 승강 유닛(480), 액 공급 유닛(460), 그리고 온도 검출 유닛(470)을 가진다.
하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.
컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.
일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다.
일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.
지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다.
지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.
승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은, 처리액 공급 노즐(463), 세정액 공급 노즐(466), 박리액 공급 노즐(462) 그리고 제거액 공급 노즐(464)을 포함한다. 일 예에서, 처리액 공급 노즐(463), 세정액 공급 노즐(466), 박리액 공급 노즐(462) 그리고 제거액 공급 노즐(464)은 각각 상이한 아암(461)에 의해 지지될 수 있다. 선택적으로, 처리액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462), 제거액 공급 노즐(464) 같은 아암(461)에 의해 지지될 수 있다.
처리액 공급 노즐(463)은 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급한다. 일 예에 의하면 처리액은, 폴리머와 솔벤트를 포함한다. 일 예에 의하면, 폴리머는 수지를 포함한다. 예컨대, 수지는 아크릴 수지, 페놀 수지일 수 있다. 솔벤트는 폴리머를 용해시키되 휘발 성분을 가지는 용액이다. 일 예에서, 처리액 공급 노즐(463)은, 기판 상에 처리액을 공급하는 동안 기판의 중심과 대향되도록 제공될 수 있다. 일 예에서, 처리액이 기판 상에 공급되는 동안 기판은 지지 유닛(440)에 의해 회전될 수 있다. 이에, 처리액이 원심력에 의해 기판의 가장자리 영역까지 도달할 수 있다.
박리액 공급 노즐(462)은 기판 상으로 박리액을 토출한다. 일 예에 의하면, 박리액은 기판 상에 형성된 액막을 기판으로부터 박리시키는 액이다. 일 예에서, 박리액은 탈이온수를 포함한다. 세정액 공급 노즐(464)은 기판 상으로 세정액을 공급한다. 일 예에서, 세정액은 박리액이 기판 상에 형성된 액막을 기판으로부터 용이하게 박리시키도록 도와주는 액일 수 있다. 제거액 공급 노즐(464)은 기판 상으로 제거액을 토출한다. 일 예에서, 제거액은 기판 상에 잔존하는 액막을 세정할 수 있는 액이다. 일 예에 의하면, 제거액은 유기용제를 포함한다.
온도 검출 유닛(470)은 기판의 표면 온도를 검출한다. 일 예에서, 온도 검출 유닛(470)은 기판이 처리되는 동안 기판의 표면 온도를 검출한다. 일 예에서, 온도 검출 유닛(470)은 챔버 내부의 온도 변화에 영향을 받지 않고 기판의 포면 온도를 검출할 수 있는 장치를 포함한다. 예컨대, 온도 검출 유닛(470)은 비전 센서로 제공될 수 있다. 일 예에서, 온도 검출 유닛(470)은 액 처리 챔버(400) 내부에, 기판의 상부와 대응되는 위치에 제공될 수 있다.
이하, 도 3 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 도 3 내지 도 4는 각각 본 발명의 기판 처리 방법의 순서도를 나타내고, 도 5는 본 발명의 기판 처리 방법에 따라 기판을 처리하는 경우 시간에 따른 기판의 표면의 온도 변화를 나타내는 그래프이다. 제어기(40)는 이하 서술하는 본 발명의 기판 처리 방법을 수행하기 위해 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460) 그리고 온도 검출 유닛(470)을 제어할 수 있다. 온도 측정 유닛(470)은 기판(W) 처리 단계가 수행되는 동안 기판(W)의 표면의 온도를 검출한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 방법은 기판 처리 단계(S10)를 포함한다. 기판 처리 단계(S10)에서, 온도 검출 유닛(470)은 기판의 표면의 온도를 검출하고, 제어기(40)는 온도 검출 유닛(470)이 측정한 기판의 표면의 온도를 기반으로 공정 종료 시점을 판단한다. 일 예에서, 액 처리 챔버(400)는 기판 처리 단계(S10)가 수행되는 동안 일정한 내부 온도를 유지하기 위한 온도 유지 부재(미도시)가 제공된다. 예컨대, 온도 유지 부재(미도시)는 히터 또는 배기 유닛 등으로 제공될 수 있다.
일 예에서, 기판 처리 단계(S10)는 제1처리액 공급 단계(S11), 제2처리액 공급 단계(S12) 그리고 건조 단계(S13)를 포함한다. 제1처리액 공급 단계(S11)에서 기판 상으로 제1처리액을 공급한다. 일 예에서, 제1처리액은 기 설정량만큼 기판 상에 공급된다. 이후에, 제2처리액 공급 단계(S12)에서, 기판 상으로 제1처리액이 공급된 이후에 제2처리액이 공급된다. 제2처리액 공급 단계(S12)에서, 제어기(40)는 온도 검출 유닛(470)이 측정한 기판의 표면의 온도를 기반으로 제2처리액의 공급 종료 시점과 기판의 건조 종료 시점을 판단할 수 있다. 일 예에서, 제어기(40)는 기판의 표면의 온도를 기반으로 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 경우 액의 공급을 중단시킬 수 있다.
예컨대, 액 공급 유닛이 기판 상으로 제1처리액을 공급한 이후에 제2처리액을 공급할 수 있다. 제2처리액이 제1처리액이 도포된 기판 상에 공급되면, 제1처리액과 제2처리액은 화학 반응을 일으킨다. 제1처리액과 제2처리액의 화학 반응에 따른 반응열에 의해 기판의 온도는 상승한다. 일 예에서, 제1처리액과 제2처리액의 화학 반응에 따른 반응열에 의해 상승된 기판의 온도는 액 처리 챔버(400)의 내부 온도보다 높은 온도일 수 있다. 제1처리액과 제2처리액 간의 화학 반응이 종료되고 나면, 반응열은 더 이상 발생하지 않게 되고 기판의 온도는 점차 떨어지게 된다. 일 예에서, 제2처리액의 공급 종료 시점은, 반응열에 의해 기판의 온도가 상승하고 그 이후에 화학 반응이 종료되어 기판의 온도가 기 설정치만큼 하강된 시점일 수 있다. 이와 같은 판단을 위해, 제어기에는 제1처리액과 제2처리액을 반응시켰을 때, 각 처리액의 유량, 온도, 반응 시간 등에 따른 기판의 온도 변화를 분석한 데이터가 미리 입력될 수 있다.
제1처리액과 제2처리액 간의 화학 반응이 종료되면, 더 이상 반응열이 발생하지 않는다. 이에, 기판의 온도는 점차 떨어지지만, 온도 유지 부재(미도시)에 의해 기판의 온도는 소정의 온도 이하로 떨어지지 않고 소정의 온도로 수렴하게 된다. 일 예에서, 제2처리액의 공급 종료 시점은 기판의 온도가 소정의 온도에 도달한 시점을 기점으로 판단될 수 있다. 예컨대, 제2처리액은 기판의 온도가 소정의 온도에 도달하자 마자 공급이 중단될 수 있다. 일 예에서, 반응열에 의해 기판의 온도가 상승하고 그 이후에 화학 반응이 종료되어 기판의 온도가 기 설정치만큼 하강된 시점과 제2처리액의 공급 종료 시점은 기판의 온도가 소정의 온도에 도달한 시점은 동일한 시점일 수 있다. 선택적으로, 제2처리액의 공급 종료 시점은 기판의 온도가 소정의 온도에 도달하고 이를 기준으로 기 설정 시간이 경과한 시점일 수 있다.
건조 단계(S13)에서, 액 공급 유닛이 기판 상으로 액이 공급한 이후에 액의 공급을 중단하고 지지 유닛이 기판을 회전시켜 기판을 건조시킨다. 기판을 건조시키면 기판 상에 액이 기화되는 흡열 반응이 일어난다. 이에, 액이 기화되면서 기판의 열을 빼앗아 기판의 온도가 하강한다. 기판 상의 액의 건조가 완료되면 더 이상 흡열 반응이 일어나지 않는다. 이에, 건조가 완료되고 일정 시간이 흐르면 기판의 온도는 액 처리 챔버(400) 내부의 온도와 근접한 온도에 수렴할 수 있다. 일 예에서, 건조 단계(S13)는, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점까지 계속될 수 있다. 선택적으로, 건조 단계(S13)는 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점에 중단될 수 있다. 이와 같은 판단을 위해, 제어기에는 기판 상의 액의 기화량에 따른 기판의 온도 변화 데이터가 미리 입력될 수 있다.
이하, 본 발명의 기판 처리 방법은, 기판 상에 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급한 이후에 기판을 세정 및 린스하고 기판을 건조하는 방법인 것으로 설명한다. 도 4 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 단계는, 처리액 공급 단계(S100), 액막 형성 단계(S110), 세정액 공급 단계(S120), 액막 박리 단계(S130), 액막 제거 단계(S140) 그리고 건조 단계(S150)를 포함한다. 이하, 각 단계의 시점은 도 5에 도시된 a 내지 j를 들어 설명한다.
도 6을 참조하면, 처리액 공급 단계(S100)에서, 처리액 공급 노즐(463)은 회전하는 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 일 예에서, 처리액 공급 단계(S100)에서, 처리액이 공급되는 동안 기판(W)은 회전되는 상태로 제공될 수 있다. 기판(W)이 회전됨에 따라 원심력에 의해 처리액이 기판(W)의 표면에 확산된다. 일 예에서, 처리액 공급 단계(S100)에서 기판(W) 상으로 공급되는 처리액 량은 기 설정된 량일 수 있다. 도 7은 패턴이 형성된 기판(W)에 처리액이 도포된 모습을 나타낸다. 도 7을 참조하면, 패턴 사이 사이에 위치된 파티클(P)이 기판(W) 상에 도포된 처리액에 포획된다.
a 시점까지 기판(W) 상으로 기 설정된 량만큼 처리액이 공급되고 나면, 도 7에 도시된 바와 같이 액막 형성 단계(S110)가 진행된다. 일 예에서, 액막 형성 단계(S110)에서 기판(W) 상으로 처리액은 공급되지 않는다. 일 예에서, 액막 형성 단계(S110)에서 기판(W)이 회전된다. 액막 형성 단계(S110)에서, 처리액에서 솔벤트를 휘발시킨다. 솔벤트가 휘발되면, 처리액에 잔존하는 폴리머는 기판(W) 상에 고화된 액막(F)을 형성한다. 처리액이 솔벤트가 휘발함에 따라 체적 수축을 일으키면서 고화됨으로써, 기판(W)의 패턴면에 액막이 형성된다. 일 예에서, 액막 형성 단계(S110)에서, 기판(W)을 회전시켜 기판(W) 상의 처리액에서 솔벤트의 휘발을 촉진시킬 수 있다. 기판(W) 상에서 솔벤트가 휘발되면 솔벤트 기화되면서 기판(W)의 열을 빼앗아 기판(W)의 온도가 하강한다. 예컨대, a 시점에서 b 시점까지 기판(W)의 표면의 온도는 하강한다.
기판(W) 상에서 솔벤트가 적정량 휘발되었는지 여부는 기판(W)의 표면의 온도 변화를 통해 파악한다. 예컨대, 제어기에는 기판(W) 상의 솔벤트의 휘발량에 따른 기판(W) 표면의 온도 변화에 대한 데이터가 미리 입력될 수 있다. 제어기는, 미리 입력된 데이터를 기반으로 기판(W) 표면의 온도가 기 설정치만큼 하강된 경우, 기판(W) 상의 솔벤트가 원하는 양만큼 휘발되었음을 판단한다. 기판(W) 표면의 온도를 통해 솔벤트의 휘발량을 파악하는 바, 종래에 액막 형성 단계(S110)의 수행 시간 등 만으로 액막이 형성되었는지 여부를 판단하는 것에 비해 액막 형성이 오차 없이 이루어질 수 있는 이점이 있다.
도 8과 같이 기판(W) 상에 액막이 형성되고 나면 이후에, 세정액 공급 단계(S120)가 시작된다. 도 9에 도시된 바와 같이, 세정액 공급 노즐(466)으로부터 회전하는 기판(W) 상으로 세정액이 공급된다. 일 예에서, 세정액 공급 단계(S120)의 시작 시점은 기판(W)의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다. 예컨대, 세정액 공급 단계(S120)의 시작 시점은, 액 처리 챔버(400)의 내부 온도로 기판(W)의 온도가 수렴한 이후일 수 있다. 일 예에서, b 시점까지 기판(W)의 온도가 하강한 이후, 액 처리 챔버(400) 내부의 온도를 유지하는 온도 유지 부재(미도시)에 의해 기판(W)의 온도는 상승하게 된다. 일 예에서, 세정액은 b 시점 이후에 공급될 수 있다. 예컨대, 세정액은 c 시점에서 공급될 수 있다. 세정액은 이후, 박리액이 기판(W)으로부터 액막을 용이하게 박리할 수 있도록 돕는다. 일 예에서, 세정액은 SC-1으로 제공될 수 있다. 일 예에서, 세정액은 처리액보다 높은 온도로 공급될 수 있다. 일 예에서, 세정액은 기 설정량만큼 기판(W) 상에 공급될 수 있다. 선택적으로, 세정액 공급 단계(S120)는 생략될 수 있다.
세정액 공급 단계(S120)가 종료되면, 액막 박리 단계(S130)가 시작된다. 액막 박리 단계(S130)에서, 회전하는 기판(W) 상으로 박리액을 공급하여 기판(W) 상에서 고화된 액막을 기판(W) 상의 파티클(P)과 함께 박리시킨다. 도 10은 기판(W) 상으로 박리액이 공급되는 모습을 나타낸다. 박리액이 공급되는 동안 기판(W)은 회전될 수 있다. 도 11은 패턴이 형성된 기판(W)에서 액막이 박리되는 모습을 나타낸다. 도 11을 참조하면, 기판(W)의 패턴 형성면에 부착한 파티클(P)이 액막과 함께 기판(W)으로부터 박리된다. 박리액은, 고화된 처리액을 기판(W)으로부터 물리적으로 박리시킨다. 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(W) 상에 액막과 세정액 그리고 박리액이 반응하면 반응열이 발생한다. 이에, e 시점까지 기판(W)의 표면의 온도는 상승한다.
일 예에서, 액막 박리 단계(S130)의 종료 시점은, 이와 같은 반응열에 의해 기판(W)의 표면의 온도가 상승한 이후인 e시점 이후에 기판(W)의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다. 예컨대, 액막과 세정액 그리고 박리액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 기판(W)의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다. 예컨대, 제어기에는 기판(W) 상의 액막의 박리 정도에 따른 기판(W) 표면의 온도 변화에 대한 데이터가 미리 입력될 수 있다. 기판(W)의 표면 온도 변화를 관찰하여 액막 박리 단계(S130)의 종료 시점을 판단하는 바, 종래에 기판(W) 상에 공급된 박리액의 양, 액막 박리 단계(S130)의 수행 시간 등 만으로 액막이 박리되었는지 여부를 판단하는 것에 비해 박리액 소모량을 절감하고 공정의 정밀도를 높일 수 있는 이점이 있다. 선택적으로, 액막 박리 단계(S130)의 종료 시점은, 기판(W)의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 f 시점일 수 있다. 액막과 세정액 그리고 박리액 간의 화학 반응이 종료된 경우 더 이상 기판(W) 상으로 박리액을 공급하지 않아도 됨을 의미한다. 이에, 일 예에서, 기 설정 시간은 ‘0’으로 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 온도가 소정의 온도에 도달하자 마자 박리액의 공급이 중단될 수 있다. 일 예에서, 반응열에 의해 기판(W)의 온도가 상승하고 그 이후에 화학 반응이 종료되어 기판(W)의 온도가 기 설정치만큼 하강된 시점과 박리액의 공급 종료 시점은 기판(W)의 온도가 소정의 온도에 도달한 시점은 동일한 시점일 수 있다. 선택적으로, 박리액의 공급 종료 시점은 기판(W)의 온도가 소정의 온도에 도달하고 이를 기준으로 기 설정 시간이 경과한 시점일 수 있다.
액막 박리 단계(S130)가 종료되면, 액막 제거 단계(S140)가 시작된다. 도 12를 참조하면, 액막 제거 단계(S140)에서, 제거액 공급 노즐(464)이 회전하는 기판(W) 상으로 제거액을 공급하여 기판(W) 상에서 잔여 액막을 제거한다. 제거액이 공급되는 동안 기판(W)은 회전될 수 있다. 제거액은 박리액에 의해 이탈되지 않고 기판(W) 상에 잔존하는 액막을 제거한다. 일 예에서, 제거액은 박리액 보다 높은 온도로 공급될 수 있다.
일 예에서, 액막 제거 단계(S140)의 종료 시점은, 박리액과 제거액의 반응에 의한 반응열에 의해 기판(W)의 표면의 온도가 g 시점 부근까지 상승한다. 액막 제거 단계(S140)의 종료 시점은 기판(W)의 표면의 온도가 상승한 이후에 기판(W)의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.
예컨대, 액막 제거 단계(S140)의 종료 시점은, 박리액과 제거액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 기판(W)의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 일 수 있다. 선택적으로, 액막 제거 단계(S140)의 종료 시점은, 기판(W)의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 g와 h의 시점 사이에서 선택될 수 있다. 예컨대, 액막 제거 단계(S140)의 종료 시점은 h 시점으로 선택될 수 있다.
액막 제거 단계(S140) 이후에, 기판을 건조시키는 건조 단계(S150)가 시작된다. 도 13에 도시된 바와 같이, 액 공급을 중지시키고 기판을 회전시켜 기판 상에서 액을 제거한다. 액이 기회하면서 흡열 반응이 일어난다. 이에, 액이 기화되면서 기판의 열을 빼앗아 기판의 온도가 하강한다. 기판 상의 액의 건조가 완료되면 더 이상 흡열 반응이 일어나지 않는다. 이에, 건조가 완료되고 일정 시간이 흐르면 기판의 온도는 액 처리 챔버(400) 내부의 온도와 근접한 온도에 수렴할 수 있다. 일 예에서, 건조 단계(S150)는, 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점까지 계속될 수 있다. 예컨대, 건조 단계(S150)는 h 지점과 i 지점 사이 중 어느 시점까지 계속될 수 있다.
선택적으로, 건조 단계(S150)는 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점까지 계속될 수 있다. 예컨대, 건조 단계(150)는 i 지점과 j 지점 사이 중 어느 시점까지 계속될 수 있다.
상술한 예에서는, 기판(W) 상에 액이 공급되는 동안 각 노즐은 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 기판(W) 상에 액이 공급되는 동안, 기판(W)의 표면 온도에 기초하여 기판(W) 상으로 공급되는 액의 탄착 위치가 변경될 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 중앙으로 고온의 액을 공급하는 경우, 기판(W)의 중앙이 기판(W)의 가장자리 영역에 비해 온도가 높아 기판(W) 전면에 공정 불균형을 야기할 수 있다. 이에, 기판(W)의 표면 온도를 관찰하여, 기판(W)의 전면의 온도가 균일해지도록 기판(W)으로 공급되는 액의 탄착 지점을 가장자리영역으로 이동시킬 수 있다. 예컨대, 액의 탄착 지점은 기판(W)의 중앙 영역과 가장자리 영역 간으로 이동되도록 제공될 수 있다. 선택적으로. 액은 복수의 노즐을 통해 공급될 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치에 제공되는 노즐과 기판(W)의 가장 자리 영역에 대향되는 위치에 제공되는 노즐로부터 동시에 액이 공급될 수 있다.
상술한 예에서는, 기판(W) 상에 액이 공급되는 동안 기판(W)은 회전되는 상태로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 가판 상에 액이 공급되는 동안 기판(W)은 회전되지 않을 수 있다.
상술한 예에서는, 기판(W)의 표면의 온도를 관찰하여 공정의 종료 시점을 판단하는 것으로 설명하였다. 그러나, 이에 보충하여, 기판(W)의 표면의 온도가 기 설정된 범위 밖 온도가 되는 경우 공정 불량 알람을 띄울 수 있도록 제공될 수 있다. 예컨대, 알람은 시각적 또는 청각적 알림으로 제공될 수 있다.
본 발명에 따르면, 공정이 진행되는 동안 실시간으로 기판(W)의 표면의 온도를 검측하여 공정의 정밀도를 높일 수 있는 이점이 있다.
본 발명에 따르면, 처리 소요시간을 단축시키고 약액 소모량을 절감시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명에 따르면, 미리 입력된 온도 테이터를 기반으로 실제 측정된 데이터와 비교하여 공정을 제어할 수 있는 이점이 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
440: 지지 유닛
460: 액 공급 유닛
462: 박리액 공급 노줄
463: 처리액 공급 노즐
464: 제거액 공급 노즐
466: 세정액 공급 노즐

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    기판 상에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계는,
    기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와;
    상기 처리액 공급 단계 이후에 상기 솔벤트를 휘발시켜 상기 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와;
    상기 액막 형성 단계 이후에 상기 기판 상으로 박리액을 공급하여 상기 기판 상에서 고화된 상기 액막을 상기 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와;
    상기 액막 박리 단계 이후에 상기 기판 상으로 제거액을 공급하여 상기 기판 상에서 상기 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고,
    상기 기판 처리 단계에서 각 단계의 종료 시점은,
    상기 기판 상으로 상기 액을 공급하는 동안 상기 기판의 표면의 온도를 검출하여 상기 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 시점인 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 액막 형성 단계의 종료 시점은,
    상기 솔벤트의 휘발에 의한 기화열에 의해 상기 기판의 표면 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 기판 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 액막 박리 단계의 종료 시점은,
    상기 처리액과 상기 박리액의 반응에 의한 반응열에 의해 상기 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 기판 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 액막 박리 단계의 종료 시점은,
    상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 액막 박리 단계의 종료 시점은,
    상기 액막과 상기 박리액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 기판 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 액막 제거 단계의 종료 시점은,
    상기 박리액과 상기 제거액의 반응에 의한 반응열에 의해 상기 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 기판 처리 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 액막 제거 단계의 종료 시점은,
    상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 액막 제거 단계의 종료 시점은,
    상기 박리액과 상기 제거액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 기판 처리 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 액막 형성 단계와 상기 액막 박리 단계 사이에,
    상기 기판 상으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계를 더 포함하고,
    상기 세정액 공급 단계의 시작 시점은,
    상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 액막 제거 단계 이후에 상기 기판을 건조하는 건조 단계를 더 포함하고,
    상기 건조 단계의 종료 시점은,
    상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 폴리머는 수지를 포함하고,
    상기 박리액은 DIW(De-Ionized Water)이고,
    상기 제거액은 유기용제인 기판 처리 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리 단계에서,
    상기 기판의 표면 온도에 기초하여 상기 기판 상으로 공급되는 액의 탄착 위치가 변경되는 기판 처리 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 단계에서,
    상기 기판 상으로 상기 액이 공급되는 동안 상기 기판은 회전되는 상태로 제공되는 기판 처리 방법.
  14. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    회전하는 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계를 포함하고,
    상기 기판 처리 단계의 종료 시점은,
    상기 기판 상으로 상기 액을 공급하는 동안 상기 기판의 표면의 온도를 검출하여 상기 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 시점인 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 기판 처리 단계는,
    상기 기판 상으로 제1처리액을 공급하는 제1처리액 공급 단계; 그리고,
    상기 제1처리액이 공급된 기판상으로 제2처리액을 공급하는 제2처리액 공급 단계를 포함하고,
    상기 제2처리액 공급 단계의 종료 시점은,
    상기 제1처리액과 상기 제2처리액의 반응에 의한 반응열에 의해 상기 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도에 도달한 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 기판 처리 단계는,
    상기 액의 공급을 중지한 이후에 상기 기판을 회전시켜 상기 기판을 건조시키는 건조 단계를 더 포함하고,
    상기 건조 단계의 종료 시점은,
    상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.
  17. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 가지는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판의 표면 온도를 검출하는 온도 검출 유닛과;
    상기 지지 유닛, 상기 액 공급 유닛 그리고 상기 온도 검출 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 온도 검출 유닛이 상기 액 공급 유닛이 상기 기판으로 상기 액을 공급하는 동안 검출한 상기 기판의 표면의 온도를 기반으로 상기 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 경우 상기 액의 공급이 중단되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 액 공급 유닛이 상기 기판 상으로 제1처리액을 공급한 이후에 제2처리액을 공급하되,
    상기 제1처리액과 상기 제2처리액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강하는 경우 상기 제2처리액의 공급이 종료되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 액 공급 유닛이 상기 기판 상으로 상기 액이 공급한 이후에 상기 액의 공급을 중단하고 상기 지지 유닛이 상기 기판을 회전시켜 상기 기판을 건조시키되,
    상기 기판의 건조는,
    상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점까지 계속되도록 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  20. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 액이 상기 기판 상으로 공급되는 동안 상기 기판이 회전되도록 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.

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