JPH0936070A - 半導体ウエハの研磨装置 - Google Patents

半導体ウエハの研磨装置

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Publication number
JPH0936070A
JPH0936070A JP20773195A JP20773195A JPH0936070A JP H0936070 A JPH0936070 A JP H0936070A JP 20773195 A JP20773195 A JP 20773195A JP 20773195 A JP20773195 A JP 20773195A JP H0936070 A JPH0936070 A JP H0936070A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
head
semiconductor wafer
arms
stand
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP20773195A
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English (en)
Inventor
Hirohiko Izumi
宏比古 泉
Shunichi Yoshizawa
俊一 吉沢
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Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
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Publication date
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Publication of JPH0936070A publication Critical patent/JPH0936070A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハの研磨を高スループットで再現
性及び均一性良く行うことが可能な研磨装置を提供す
る。 【解決手段】 各々半導体ウエハを保持する複数のヘッ
ドを各々アームに保持し、各アーム同士が互いに干渉し
ないように各ヘッドを研磨台上で少なくともその半径方
向位置が変化するように例えば揺動またはスライドさせ
つつ研磨することにより、研磨台の研磨面に各ヘッドに
保持された半導体ウエハが均一に摺接し、かつ一度に多
くの半導体ウエハを研磨処理できることから、半導体ウ
エハの研磨を高スループットで再現性及び均一性良く行
うことが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を作成
する過程で半導体ウエハを研磨するための装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】近年の半導体装置の高集積化及び素子の
微細化に伴い、配線の多層化が進められている。この素
子の微細化及び配線の多層化により素子パターン、層間
絶縁膜及び配線パターンに起因する段差により、フォト
リソグラフィーを行う際の露光時に焦点深度がとれず、
解像不良が生じて配線ショートまたは断線といった不具
合が生じ易くなる。そこで、この不具合の発生防止を目
的として、上記段差を小さくするべく積層過程で生じる
半導体基板上の凹凸を研磨することにより除去し、平坦
化する方法が注目されている。この研磨を行う研磨装置
として、1つの研磨ヘッドにより1枚ずつウエハを研磨
するシングルヘッド型の研磨装置と、複数のヘッドによ
り同時に複数枚のウエハを研磨するマルチヘッド型の研
磨装置とがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シング
ルヘッド型の研磨装置はウエハ面内、面間の研磨の再現
性及び均一性には優れているもののスループットが低い
と云う問題があった。また、マルチヘッド型の研磨装置
は、同時に複数枚のウエハを処理し得ることからスルー
プットは高いものの、各ヘッドが固定されていることか
ら研磨台の磨耗が不均一となり、ウエハ面内、面間の再
現性及び均一性に乏しいと云う問題があった。
【0004】このような従来の技術の問題点に鑑み、本
発明の主な目的は半導体ウエハの研磨を高スループット
で再現性及び均一性良く行うことが可能な研磨装置を提
供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記した目的は本発明に
よれば、各々半導体ウエハを保持する複数のヘッドと、
回転する研磨台上で少なくともその半径方向位置が変化
するように前記各ヘッドを移動可能な複数のアームと、
前記各アームを互いに干渉しないように駆動制御する手
段とを有することを特徴とする半導体ウエハの研磨装置
を提供することにより達成される。
【0006】
【発明の実施の形態】各々半導体ウエハを保持する複数
のヘッドを各々アームに保持し、各アーム同士が互いに
干渉しないように各ヘッドを研磨台上で少なくともその
半径方向位置が変化するように例えば揺動またはスライ
ドさせつつ研磨することにより、研磨台の研磨面に各ヘ
ッドに保持された半導体ウエハが均一に摺接し、かつ一
度に多くの半導体ウエハを研磨処理できる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しつつ詳細に説明する。
【0008】図1は本発明に基づく半導体ウエハの研磨
装置の概略構成を示す模式的平面図である。この研磨装
置は図に矢印に示すように回転する研磨台1と、表面に
凹凸のある半導体ウエハ(図示せず)を保持し、これを
図に矢印に示すように回転させ得る4つの研磨ヘッド2
と、これら研磨ヘッド2を遊端に支持するアーム3と、
これらアーム3を図に矢印に示すように揺動させるべく
その基端に設けられたアクチュエータ4と、このアクチ
ュエータ4を駆動制御する制御ユニット5とを有してい
る。
【0009】実際に半導体ウエハの表面を研磨するに
は、まず半導体ウエハを研磨ヘッド2に保持し、図示さ
れない研磨液を研磨台1表面に滴下しながら10〜25
0rpmの速度で研磨台1を回転させる。また、各研磨
ヘッド2も10〜250rpmの速度で回転させる。次
に、各研磨ヘッド2に保持された半導体ウエハを研磨台
1の表面に摺接させる。このとき、各研磨ヘッド2に印
加される圧力は、0〜1kgf/cm2に調整する。そして、
4つのアーム3を揺動させ、研磨台1の表面に各半導体
ウエハを満遍なく摺接させ、研磨する。
【0010】このようにすることで、研磨台1の磨耗を
均一にするとができ、ウエハ面内及び面間の均一性は6
%程度と良好となった。また、スループットはシングル
ヘッド型研磨装置を用いた場合に比べて4倍と高スルー
プットとなった。
【0011】尚、本実施例ではアームの数を4つとした
が、これに限定されず、互いに干渉しない範囲で適宜な
数に設定して良いことは云うまでもない。
【0012】
【発明の効果】上記した説明により明らかなように、本
発明による半導体ウエハの研磨装置によれば、各々半導
体ウエハを保持する複数のヘッドを各々アームに保持
し、各アーム同士が互いに干渉しないように各ヘッドを
研磨台上で少なくともその半径方向位置が変化するよう
に例えば揺動またはスライドさせつつ研磨することによ
り、研磨台の研磨面に各ヘッドに保持された半導体ウエ
ハが均一に摺接し、かつ一度に多くの半導体ウエハを研
磨処理できることから、半導体ウエハの研磨を高スルー
プットで再現性及び均一性良く行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に基づく半導体ウエハの研磨装置の概略
構成を示す模式的平面図。
【符号の説明】
1 研磨台 2 研磨ヘッド 3 アーム 4 アクチュエータ 5 制御ユニット

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 各々半導体ウエハを保持する複数のヘ
    ッドと、 回転する研磨台上で少なくともその半径方向位置が変化
    するように前記各ヘッドを移動可能な複数のアームと、 前記各アームを互いに干渉しないように駆動制御する手
    段とを有することを特徴とする半導体ウエハの研磨装
    置。
JP20773195A 1995-07-21 1995-07-21 半導体ウエハの研磨装置 Withdrawn JPH0936070A (ja)

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002519859A (ja) * 1998-06-26 2002-07-02 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 多数アーム研磨ツールを制御するためのシステムおよび方法
JP2009196012A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Disco Abrasive Syst Ltd 両面研磨装置
JP2010172975A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Nikon Corp 研磨装置
WO2016081951A1 (en) * 2014-11-23 2016-05-26 M Cubed Technologies Wafer pin chuck fabrication and repair
KR20180029913A (ko) * 2016-09-13 2018-03-21 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 세정 장치, 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법
US10702968B2 (en) 2015-08-14 2020-07-07 M Cubed Technologies, Inc. Machine for finishing a work piece, and having a highly controllable treatment tool
US10790181B2 (en) 2015-08-14 2020-09-29 M Cubed Technologies, Inc. Wafer chuck featuring reduced friction support surface
US10792778B2 (en) 2015-08-14 2020-10-06 M Cubed Technologies, Inc. Method for removing contamination from a chuck surface
US10953513B2 (en) 2015-08-14 2021-03-23 M Cubed Technologies, Inc. Method for deterministic finishing of a chuck surface

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002519859A (ja) * 1998-06-26 2002-07-02 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 多数アーム研磨ツールを制御するためのシステムおよび方法
JP2009196012A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Disco Abrasive Syst Ltd 両面研磨装置
JP2010172975A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Nikon Corp 研磨装置
WO2016081951A1 (en) * 2014-11-23 2016-05-26 M Cubed Technologies Wafer pin chuck fabrication and repair
US9941148B2 (en) 2014-11-23 2018-04-10 M Cubed Technologies, Inc. Wafer pin chuck fabrication and repair
US10242905B2 (en) 2014-11-23 2019-03-26 M Cubed Technologies, Inc. Wafer pin chuck fabrication and repair
US10702968B2 (en) 2015-08-14 2020-07-07 M Cubed Technologies, Inc. Machine for finishing a work piece, and having a highly controllable treatment tool
US10790181B2 (en) 2015-08-14 2020-09-29 M Cubed Technologies, Inc. Wafer chuck featuring reduced friction support surface
US10792778B2 (en) 2015-08-14 2020-10-06 M Cubed Technologies, Inc. Method for removing contamination from a chuck surface
US10953513B2 (en) 2015-08-14 2021-03-23 M Cubed Technologies, Inc. Method for deterministic finishing of a chuck surface
KR20180029913A (ko) * 2016-09-13 2018-03-21 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 세정 장치, 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법

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