JP3133032B2 - ウェーハ研磨装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ研磨装置
に関し、特にウェーハ上にＩＣパターンを形成する工程
の途中で表面を平坦化するのに使用される化学的機械研
磨(Chemicla Mechanical Polishing:CMP) 法によるウェ
ーハ研磨装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩＣの微細加工が進んでおり、多
層に渡ってＩＣパターンを形成することが行われてい
る。パターンを形成した層の表面にはある程度の凹凸が
生じるのが避けられない。従来は、そのまま次の層のパ
ターンを形成していたが、層数が増加すると共に線やホ
ールの幅が小さくなると良好なパターンを形成するのが
難しく、欠陥などが生じ易くなっていた。そこで、パタ
ーンを形成した層の表面を研磨して表面を平坦にした
後、次の層のパターンを形成することが行われている。
また、層間を接続するメタル層を形成するため、穴を形
成した後メッキなどでメタル層を形成し、表面のメタル
層を研磨して除去することで穴の部分のメタル層を残す
ことも行われている。このようなＩＣパターンを形成す
る工程の途中でウェーハを研磨する処理には、ＣＭＰ法
によるウェーハ研磨装置（ＣＭＰ装置）が使用される。

【０００３】図１は、ＩＣの製造工程におけるＣＭＰ法
による加工を説明する図であり、（１）は層間絶縁膜の
表面を研磨して平坦化する処理を、（２）は穴の部分の
メタル層のみが残るように表面を研磨する処理を示す。
図１の（１）に示すように、基板１上にメタル層などの
パターン２を形成した後層間絶縁膜３を形成すると、パ
ターン２の部分が他の部分よりも高くなり、表面に凹凸
が生じる。そこで、ＣＭＰ装置で表面を研磨し、右側の
ような状態にした後次のパターンを形成する。また、層
間を接続するメタル層を形成する場合には、（２）に示
すように、下層のパターン２の上に接続穴を形成した
後、メッキなどでメタル層４を全面に形成する。その
後、ＣＭＰ装置で表面のメタル層４がすべて除去される
まで研磨する。

【０００４】図２は、ＣＭＰ装置の基本構成を示す図で
ある。図示のように、ＣＭＰ装置は、研磨定盤１１とウ
ェーハ保持ヘッド２１とを有する。研磨定盤１１の表面
には、弾性がある研磨布１３が貼り付けられており、回
転軸１２を中心として回転する。回転する研磨定盤１１
の研磨布１３上には、図示していないノズルから研磨材
であるスラリが供給される。ウェーハ保持ヘッド２１
は、研磨するウェーハ１００を保持して研磨布１３に所
定の圧力で押し付けながら、回転軸２２を中心として回
転する。これにより、保持されたウェーハの表面が研磨
される。上記の研磨布１３には、スラリのウェーハとの
接触面への供給を容易にするために溝が設けられるのが
一般的である。図ではウェーハ保持ヘッド２１が１個の
場合を示したが、これでは研磨定盤１の右側などの部分
を使用しておらず、生産効率が十分でない。そこで、２
個又は４個などの複数個のウェーハ保持ヘッド２１を設
け、複数枚のウェーハを同時に研磨するのが一般的であ
る。

【０００５】ＣＭＰ装置で研磨を行う場合、まずウェー
ハ１００のアライメントを行い、ローダ部に搬送する。
ウェーハ保持ヘッド２１はローダ部のウェーハを吸着機
構で保持して研磨定盤１１上に移動し、ウェーハを研磨
定盤１１に押し当て、研磨を行う。研磨が終了すると、
同様にウェーハ保持ヘッド２１は吸着機構でウェーハを
保持してアンローダ部に搬送する。アンローダ部に搬送
されたウェーハ１００には研磨スラリが付着しているの
で、洗浄機で洗浄した後乾燥してカセットなどのウェー
ハ回収部に搬送される。ウェーハは研磨された後、リソ
グラフィなどにより更にＩＣパターンが形成されるの
で、砥粒や研磨屑などが残っているとＩＣパターンの欠
陥の原因になるので、洗浄は非常にクリーンなレベルで
行う必要があり、一旦洗浄されたウェーハにはごみなど
が付着しないようにする必要がある。

【０００６】ＣＭＰ装置は、高精度の研磨が行えるとい
った研磨品質に関する高性能化と共に、スループットと
いった処理効率の改善や設置面積を小さくする、特にＩ
Ｃの製造システム内で自動運転するＣＭＰ装置はウェー
ハの搬送との関係で、ウェーハの供給・回収を行う部分
の装置の幅（間口）が狭いことが要求される。そこで、
図３に示すような複数台の研磨定盤を有するＣＭＰ装置
が使用されている。このＣＭＰ装置は、３台の研磨定盤
１１ａ、１１ｂ、１１ｃと、２個のウェーハ保持ヘッド
２１ａ、２１ｂと、ウェーハの供給及び回収を行うロー
ド・アンロード部３０とを有する。ロード・アンロード
部３０は、未研磨ウェーハを載置する載置台３１と３２
及び研磨済ウェーハを載置する載置台３３と３４を有
し、回転できるようになっている。未研磨ウェーハを載
置台３１と３２へ供給する時には、載置台３１と３２が
順に図示の載置台３４の位置に回転し、搬送アーム３５
で未研磨ウェーハを載置する。同様に、研磨済ウェーハ
を載置台３３と３４から回収する時には、載置台３３と
３４が順に図示の載置台３４の位置に回転し、搬送アー
ム３５で研磨済ウェーハを回収する。

【０００７】未研磨ウェーハが載置台３１と３２の上に
載置されると、ロード・アンロード部３０は図示のよう
な状態に回転する。そして、ウェーハ保持ヘッド２１ａ
がロード・アンロード部３０まで回転し、未研磨ウェー
ハを吸着して粗研用の研磨定盤１１ａ上に移動し、研磨
を開始する。この間、ウェーハ保持ヘッド２１ｂは他の
ウェーハを保持して粗研用の研磨定盤１１ｃで研磨を行
っており、粗研が終了すると、図示のように精研用の研
磨定盤１１ｂ上に移動して研磨を行う。この間に、ロー
ド・アンロード部３０の載置台３１と３２には別の未研
磨ウェーハが載置され、更に図示の状態から９０°回転
した状態になる。精研工程の方が短いので、精研が終了
すると、ウェーハ保持ヘッド２１ｂはロード・アンロー
ド部３０まで回転し、載置台３３と３４に研磨済ウェー
ハを載置する。そして、ロード・アンロード部３０は９
０°回転し、載置台３１と３２の未研磨ウェーハをウェ
ーハ保持ヘッド２１ｂに渡す。更に載置台３３と３４の
研磨済ウェーハを回収し、載置台３１と３２に別の未研
磨ウェーハを載置する。以上のような動作を繰り返すこ
とにより、連続して研磨が行われる。

【０００８】図３では示していないが、実際のＣＭＰ装
置では、未研磨ウェーハのアライメントを行う部分や、
研磨しようとする膜の厚さを測定する膜厚測定器や、研
磨の終了したウェーハを洗浄して乾燥する部分が必要で
あり、ＣＭＰ装置全体ではかなりの設置面積を必要とす
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】研磨工程を粗研と精研
に分けない時には、２台の研磨定盤があればよく、同じ
研磨定盤を３台設けても、ウェーハ保持ヘッドは交差で
きないので２個以上設けることはできず、スループット
は向上しない。すなわち、図３のようなレイアウトで
は、並行して研磨を行うことができるのは２台の研磨定
盤であり、３台以上の研磨定盤で並行して研磨を行うこ
とができない。

【００１０】そのため、ＣＭＰ装置のスループットを更
に高くするには、図３のような装置を複数台用意する必
要があるが、それではＣＭＰ装置の設置面積、特に間口
が広くなるという問題を発生する。本発明はこのような
問題を解決するためのもので、設置面積、特に間口をあ
まり増加させずに、一層のスループットの増加にも対応
できるレイアウトを有するＣＭＰ装置の実現を目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を実現するた
め、本発明のＣＭＰ装置は、３台以上の研磨定盤を直線
状に配置し、ウェーハ保持ヘッドを各研磨定盤に対応し
て設け、ウェーハ保持ヘッドとの間のウェーハの受け渡
しを各研磨定盤に対応した位置で行うようにする。

【００１２】すなわち、本発明のＣＭＰ装置は、表面に
研磨布が設けられた回転する３台以上の研磨定盤と、ウ
ェーハを保持してウェーハの一方の表面に空気を噴出す
ることにより他方の表面を研磨布に押し付けながら回転
するウェーハ保持ヘッドと、ウェーハ保持ヘッドとの間
で、未研磨又は研磨済ウェーハを受け渡すウェーハ搬送
機構とを備えるウェーハ研磨装置であって、３台以上の
研磨定盤は直線状に配置されており、ウェーハ保持ヘッ
ドは各研磨定盤に対応して設けられ、ウェーハ保持ヘッ
ドとウェーハ搬送機構との間のウェーハの受け渡しは、
各研磨定盤に対応した位置で行われるようになっている
ことを特徴とする。

【００１３】本発明のＣＭＰ装置では、ウェーハ保持ヘ
ッドは各研磨定盤に対応して設けられるので研磨定盤の
台数に応じてスループットを向上させることができ、し
かも研磨定盤は直線状に配置されるので、研磨定盤の台
数を増加させても間口と垂直な方向に伸びるだけで、間
口は広がらない。ウェーハ搬送機構は、ウェーハ保持ヘ
ッドとの間でウェーハを受け渡すウェーハ受け渡し機構
と、このウェーハ受け渡し機構を、直線状に配置された
３台以上の研磨定盤に沿って移動する移動機構とを有
し、ウェーハ保持ヘッドとの間のウェーハの受け渡し
を、直線状に配置された各研磨定盤に対応した位置で行
うことができる。

【００１４】ウェーハ受け渡し機構は、ウェーハの載置
台と、載置台をウェーハ保持ヘッドの部分まで移動する
載置台移動機構とを有し、ウェーハ保持ヘッドが上昇し
た状態で載置台がウェーハ保持ヘッドの下側まで移動し
てウェーハ保持ヘッドとの間でウェーハの受け渡しを行
い、その後ウェーハ保持ヘッドの下側から退避できる。
また、ウェーハ受け渡し機構をウェーハの載置台とし、
ウェーハ保持ヘッドを載置台の上まで移動するヘッド移
動機構を設けてもよい。

【００１５】ウェーハ受け渡し機構の載置台は、未研磨
ウェーハを載置する未研磨ウェーハ載置台と、研磨済ウ
ェーハを載置する研磨済ウェーハ載置台と、未研磨ウェ
ーハ載置台と研磨済ウェーハ載置台を回転して位置を切
り換える載置台回転機構とを備える。

【００１６】ウェーハ保持ヘッドは、２枚のウェーハを
保持して研磨することが可能であり、ウェーハ搬送機構
は、２枚の未研磨ウェーハ又は２枚の研磨済ウェーハを
搬送可能である。

【００１７】

【発明の実施の形態】図４は、本発明の第１実施例のＣ
ＭＰ装置のレイアウトを示す上面図である。図示のよう
に、３台の研磨定盤４１ａ、４１ｂ、４１ｃが一直線状
に配置されており、各研磨定盤４１ａ、４１ｂ、４１ｃ
の上に１枚のウェーハを保持して研磨定盤上の研磨布に
押し付けながら回転するウェーハ保持ヘッド４２ａ、４
２ｂ、４２ｃが配置されている。ウェーハ保持ヘッドに
ついては後述する。３台の研磨定盤４１ａ、４１ｂ、４
１ｃに沿って載置台移動機構４７が設けられており、そ
の上を移動台４５が研磨定盤４１ａ、４１ｂ、４１ｃに
沿って移動可能に支持されている。移動台４５の上に
は、ローダ・アンローダ４３が設けられている。ローダ
・アンローダ４３には、未研磨ウェーハを載置する未研
磨ウェーハ載置台４４と、研磨済ウェーハを載置する研
磨済ウェーハ載置台４５が設けられており、ローダ・ア
ンローダ４３は回転して未研磨ウェーハ載置台４４と研
磨済ウェーハ載置台４５の位置が切り換えられるように
なっている。更に、ローダ・アンローダ４３は、移動台
４５に設けられた移動機構により、図で破線で示したよ
うに、未研磨ウェーハ載置台４４と研磨済ウェーハ載置
台４５の一方が、ウェーハ保持ヘッド４２ａ、４２ｂ、
４２ｃの位置まで移動できるようになっている。

【００１８】載置台移動機構４７の研磨定盤とは反対側
には、第１洗浄器４９と第２洗浄器５１と乾燥器５３
と、搬送アーム４８、５０、５２が設けられている。ま
た、研磨定盤４１ｃの横には、ウェーハアライナ５４が
設けられている。このウェーハアライナ５４は膜厚測定
器の機能も有する。載置台移動機構４７の端には、ウェ
ーハ搬送用移動機構５５が設けられており、その上を搬
送アーム５５が移動可能に支持されている。更に、ウェ
ーハ搬送用移動機構５５に沿ってウェーハ１００を収容
するウェーハカセット５７が設けられている。

【００１９】ここで、ウェーハ保持ヘッド４２ａ、４２
ｂ、４２ｃの構成について簡単に説明する。図５は、本
実施例で使用する各ウェーハ保持ヘッドの構造を示す断
面図である。図示のように、ウェーハ保持回転機構４２
は、キャリア部材６４、研磨面調整リング６３と、ガイ
ドリング６２と、回転基板６１と、回転軸７１とを有す
る。回転基板６１は、回転軸７１を中心にして回転する
と共に図示していない機構により上下方向に移動可能で
ある。キャリア部材６４には、空気を噴出する空気口６
９と負圧が印加される吸着口７０が設けられている。空
気口６９から噴出される空気圧でウェーハ１００を研磨
定盤４１の研磨布１３に押し付け、吸着口７０に負圧を
印加することでウェーハ１００をキャリア部材６４に吸
着して保持する。研磨面調整リング６３は、研磨布１３
に所定の圧力で接触して、内部の研磨布１３の状態を一
様にして、研磨むらが生じるのを防止する。また、研磨
面調整リング６３は、ウェーハ保持ヘッドが上方に移動
した場合には、キャリア部材６４を吊り下げ、ウェーハ
１００を研磨布１３に押し付けた場合には、キャリア部
材６４に対して相互に拘束しない状態になる。ガイドリ
ング６２は、回転基板６１と一体であり、ウェーハ保持
ヘッドが上方に移動した場合には、研磨面調整リング６
３を保持し、ウェーハ１００を研磨布１３に押し付ける
場合には、研磨面調整リング６３に対して相互に拘束し
ない状態になる。

【００２０】回転基板６１とキャリア部材６４及び研磨
面調整リング６３の間には、ゴムシート６５が設けられ
ており、空気口６７から所定の圧力の空気圧を印加する
ことでキャリア部材６４を所定の圧力で押し下げ、空気
口６６から所定の圧力の空気圧を印加することで研磨面
調整リング６３所定の圧力で押し下げる。空気口６７か
らの空気圧でキャリア部材６４を押し下げると、キャリ
ア部材６４とウェーハ１００の間の間隙が変化し、空気
孔６９から噴出される空気圧が同じでもウェーハ１００
が研磨布１３に押し付けられる圧力を変化させることが
できる。

【００２１】以上のような構成により、ウェーハ保持ヘ
ッド４２ａ、４２ｂ、４２ｃでウェーハを研磨定盤４１
ａ、４１ｂ、４１ｃの上の研磨布に押し付け、研磨定盤
４１ａ、４１ｂ、４１ｃとウェーハ保持ヘッド４２ａ、
４２ｂ、４２ｃをそれぞれ回転するとウェーハが研磨さ
れる。図４に戻って、ＣＭＰ装置におけるウェーハの流
れについて説明する。ＣＭＰ装置で研磨するウェーハ１
００は、ウェーハカセット５７に収容されて、図示の位
置にセットされる。従って、ウェーハカセット５７を配
列した部分の辺が、ＣＭＰ装置の間口に相当する。未研
磨のウェーハ１００は、搬送アーム５５によりウェーハ
カセット５７から取り出され、ウェーハアライナ５４に
載置され、ここでウェーハの位置や方向の調整及び膜厚
測定が行われる。

【００２２】この処理が終了したウェーハは、搬送アー
ム５５により端まで移動したローダ・アンローダ４３の
未研磨ウェーハ載置台４４上に載置され、研磨される研
磨定盤のところまで移動する。そして、ローダ・アンロ
ーダ４３が移動して、上側に移動しているウェーハ保持
ヘッドの下に未研磨ウェーハ載置台４４が移動する。そ
して、ウェーハ保持ヘッドが降下して吸着口７０に負圧
を印加すると、未研磨のウェーハ１００がキャリア部材
６４に吸着される。ウェーハ保持ヘッドが上昇した後、
ローダ・アンローダ４３はウェーハ保持ヘッドの下から
退避すると、ウェーハ保持ヘッドが降下し、吸着口７０
への負圧の印加を停止し、空気口７０、６７、６８へ空
気圧を印加すると、ウェーハ１００が研磨定盤上の研磨
布１３に押し付けられる。この状態で、研磨定盤とウェ
ーハ保持ヘッドの回転基板６１が回転して研磨が行われ
る。上記の動作を繰り返して、３台の研磨定盤４１ａ、
４１ｂ、４１ｃのすべてで研磨が行われるようにする。

【００２３】その間に、最初に研磨を開始した研磨定盤
での研磨が終了する。すると、ローダ・アンローダ４３
は、すでに次に研磨する未研磨ウェーハが載置されてい
る未研磨ウェーハ載置台４４と研磨済ウェーハ載置台４
５を回転し、研磨が終了した研磨定盤のところに移動す
る。そして、上側に移動しているウェーハ保持ヘッドの
下に研磨済ウェーハ載置台４５が移動する。そして、ウ
ェーハ保持ヘッドが降下して吸着口７０への負圧の印加
を停止すると、研磨済のウェーハ１００が研磨済ウェー
ハ載置台４５上に載置される。次に未研磨ウェーハ載置
台４４と研磨済ウェーハ載置台４５を回転し、未研磨ウ
ェーハ載置台４４をウェーハ保持ヘッドの下に移動し
て、同様に吸着させる。その後、ローダ・アンローダ４
３はウェーハ保持ヘッドの下から退避し、搬送アーム４
８に研磨済のウェーハ１００を渡す位置に移動する。こ
の間に、ウェーハ保持ヘッドに保持されたウェーハの研
磨が始まる。

【００２４】搬送アーム４８は、研磨済ウェーハ載置台
４５を受け取ると第１洗浄器４９にセットする。第１洗
浄器４９での洗浄が終了したウェーハは、搬送アーム５
０により第２洗浄器５１に移動される。更に、第２洗浄
器５１での洗浄が終了したウェーハは、搬送アーム５２
により乾燥器５３に移動されて乾燥される。乾燥したウ
ェーハは、搬送アーム５５により、元のウェーハカセッ
ト又は研磨済専用カセットに収容される。

【００２５】以上のように、本実施例のレイアウトであ
れば、３台の研磨定盤で並行して研磨が行え、間口も狭
い。また、４台以上の研磨定盤を配列することも可能で
ある。図６は、第２実施例のＣＭＰ装置の研磨定盤と載
置台移動機構４７の部分のレイアウトを示す図である。
第２実施例のＣＭＰ装置は、以下に説明する２点が第１
実施例と異なり、他は第１実施例と同じ構成であり、他
の部分の図示も省略してある。

【００２６】第１実施例では、１台の研磨定盤では１枚
のウェーハの研磨が行われるだけであったが、第２実施
例では１台の研磨定盤で２枚のウェーハの研磨を並行し
て行う。そのため、ウェーハ保持ヘッド８０ａ、８０
ｂ、８０ｃは、それぞれ２個のウェーハ保持回転機構８
１ａと８２ａ、８１ｂと８２ｂ、８１ｃと８２ｃを有す
る。各ウェーハ保持回転機構は、図５に示したのと同じ
機構を有する。また、ローダ・アンローダ９０は、ウェ
ーハ保持ヘッド８０ａ、８０ｂ、８０ｃとの間で２枚の
ウェーハを同時に受け渡しできるように、４個の載置台
を有し、対角上に配置された２個の載置台９１と９２が
未研磨ウェーハ載置台であり、載置台９３と９４が研磨
済ウェーハ載置台である。

【００２７】更に、第１実施例では、載置台がウェーハ
保持ヘッド４２ａ、４２ｂ、４２ｃの下に位置するよう
にローダ・アンローダ４３が移動したが、第２実施例で
は、ウェーハ保持ヘッド８０ａ、８０ｂ、８０ｃがロー
ダ・アンローダ９０の上まで移動するための機構が設け
られている。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明よれば、高
いスループットが得られると共に、設置面積特に間口の
小さなＣＭＰ装置が実現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＣＭＰ法による処理を説明する図である。

【図２】ＣＭＰ装置の基本構成を示す図である。

【図３】複数の研磨定盤を有する従来のＣＭＰ装置のレ
イアウト例を示す図である。

【図４】本発明の第１実施例のＣＭＰ装置のレイアウト
を示す図である。

【図５】第１実施例のウェーハ保持ヘッドの構成を示す
図である。

【図６】本発明の第２実施例のＣＭＰ装置のレイアウト
を示す図である。

【符号の説明】

１１…研磨定盤 ２１、４２、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ…ウェーハ保持ヘ
ッド ４３…ロード部・アンロード ４７…載置台移動機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−285958（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−270072（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−124866（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−153694（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−155289（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−63862（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−267358（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−275787（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−239966（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−188265（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−339979（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B24B 37/04 H01L 21/304 622 H01L 21/304 621

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に研磨布が設けられた回転する３台
   以上の研磨定盤と、 ウェーハを保持して該ウェーハの一方の表面に空気を噴
   出することにより他方の表面を前記研磨布に押し付けな
   がら回転するウェーハ保持ヘッドと、 前記ウェーハ保持ヘッドとの間で、未研磨又は研磨済ウ
   ェーハを受け渡すウェーハ搬送機構とを備えるウェーハ
   研磨装置であって、 前記３台以上の研磨定盤は、直線状に配置されており、 前記ウェーハ保持ヘッドは各研磨定盤に対応して設けら
   れ、 前記ウェーハ搬送機構は、前記ウェーハ保持ヘッドとの
   間で前記ウェーハを受け渡すウェーハ受け渡し機構と、
   該ウェーハ受け渡し機構を直線状に配置された前記３台
   以上の研磨定盤に沿って移動する移動機構とを備え、 前記ウェーハ受け渡し機構は、未研磨ウェーハを載置す
   る未研磨ウェーハ載置台と、研磨済ウェーハを載置する
   研磨済ウェーハ載置台と、前記未研磨ウェーハ載置台と
   前記研磨済ウェーハ載置台を回転して位置を切り換える
   載置台回転機構とを備える載置台であり、 前記ウェーハ保持ヘッドは、前記載置台の上までのヘッ
   ド移動機構を備え、 前記ウェーハ保持ヘッドと前記ウェーハ搬送機構との間
   の前記ウェーハの受け渡しは、各研磨定盤に対応した位
   置で行われるようになっていることを特徴とするウェー
   ハ研磨装置。
2. 【請求項２】 表面に研磨布が設けられた回転する３台
   以上の研磨定盤と、 ２枚の前記ウェーハを保持して該ウェーハの一方の表面
   に空気を噴出することにより他方の表面を前記研磨布に
   押し付けながら回転するウェーハ保持ヘッドと、 ２枚の未研磨ウェーハ又は２枚の研磨済ウェーハを搬送
   可能で、前記ウェーハ保持ヘッドとの間で、未研磨又は
   研磨済ウェーハを受け渡すウェーハ搬送機構とを備える
   ウェーハ研磨装置であって、 前記３台以上の研磨定盤は、直線状に配置されており、 前記ウェーハ保持ヘッドは各研磨定盤に対応して設けら
   れ、 前記ウェーハ搬送機構は、前記ウェーハ保持ヘッドとの
   間で前記ウェーハを受け渡すウェーハ受け渡し機構と、
   該ウェーハ受け渡し機構を直線状に配置された前記３台
   以上の研磨定盤に沿って移動する移動機構とを備え、 前記ウェーハ受け渡し機構は、未研磨ウェーハを載置す
   る未研磨ウェーハ載置台と、研磨済ウェーハを載置する
   研磨済ウェーハ載置台と、前記未研磨ウェーハ載置台と
   前記研磨済ウェーハ載置台を回転して位置を切り換える
   載置台回転機構とを備えるウェーハの載置台と、該ウェ
   ーハの載置台を前記ウェーハ保持ヘッドの部分まで移動
   する載置台移動機構とを備え、前記ウェーハの載置台
   は、前記ウェーハ保持ヘッドが上昇した状態で前記ウェ
   ーハ保持ヘッドの下側まで移動し、前記ウェーハ保持ヘ
   ッドとの間で前記ウェーハの受け渡しが終了すると、前
   記ウェーハ保持ヘッドの下側から退避し、 前記ウェーハ保持ヘッドと前記ウェーハ搬送機構との間
   の前記ウェーハの受け渡しは、各研磨定盤に対応した位
   置で行われるようになっていることを特徴とするウェー
   ハ研磨装置。