JP2001212531A

JP2001212531A - 洗浄装置

Info

Publication number: JP2001212531A
Application number: JP2000027848A
Authority: JP
Inventors: Tsuyoshi Kageyama; 剛志蔭山; Nobuo Tani; 伸夫谷
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-02-04
Filing date: 2000-02-04
Publication date: 2001-08-07
Anticipated expiration: 2020-02-04
Also published as: JP3892635B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＣＭＰ処理等の加工処理した後の基板の表裏面
に付着した研磨屑等のパーティクルを除去する洗浄部で
の洗浄効果を高める。【解決手段】ウエハＷに洗浄処理を行う基板処理装置１
００であって、ＣＭＰ装置２００によりＣＭＰ処理され
たウエハＷを洗浄するための複数の処理部３０，４０，
５０へ基板Ｗを順次搬送する。処理部３０ではウエハＷ
を保持ハンド３５ａ，３５ｂの保持用ローラ８０（ａ〜
ｃ）に保持する。周縁部洗浄手段９０は下方から昇降駆
動手段９４により洗浄位置に配置される。保持用ローラ
８０（ａ〜ｃ）の回転により回転されるウエハＷの表裏
は両面洗浄装置３５により洗浄され、同時に周縁部は周
縁部洗浄手段９０のブラシ毛９２２の側面に押圧され、
その下面及び端面が洗浄される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの
薄板状の被処理体である基板に所定の洗浄処理を行う洗
浄装置に関する。特に基板の端部をも効率的に洗浄でき
る基板の洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から基板の一種であるウェハの処理
過程において、ウェハの表面に形成された多層構造化に
伴う凹凸を取り除くために、化学研磨剤（スラリー）や
パッド等を使用してウェハの表面を機械的に削ることに
より、ウェハの表面の平坦化を行うＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）
処理を行っている。

【０００３】ＣＭＰ（化学機械研磨）処理が行われたウ
ェハ（以下、単に基板という）の表面には研磨によって
研磨屑等が付着しているため、ＣＭＰ処理後の基板に対
する処理として基板を洗浄して研磨屑等を除去する処理
が行われる。

【０００４】このＣＭＰ洗浄は、上記ＣＭＰにおいて、
基板面を汚染させるスラリーを除去するための後処理洗
浄であり、下記のように、ブラシスクラブ洗浄が一般に
採用されている。

【０００５】上述のような基板の洗浄を行うための従来
技術の概念的な構成は、図１４および図１５に示されて
いる。すなわち、基板Ｗの端面が一対の端面支持ハンド
２１０，２１１によって挟持されることにより、基板Ｗ
の支持が達成されている。そして、基板Ｗの上面は、円
板状のベース部２１２とその下面に固設された洗浄用ブ
ラシ２１４とからなるスクラブ洗浄部材２１６によって
スクラブ洗浄される。すなわち、洗浄用ブラシ２１４の
接触面２１８が基板Ｗの上面に接触した状態で、スクラ
ブ洗浄部材２１６が図示しない回転駆動機構によって回
転され、かつ洗浄用ブラシ２１４のほぼ中心に配置され
たノズル２２０から洗浄液が吐出されて、基板Ｗの上面
がスクラブ洗浄される。

【０００６】また、基板Ｗの下面も同様に、円板状のベ
ース部２１３とその上面に固設された洗浄用ブラシ２１
５とからなるスクラブ洗浄部材２１７が、洗浄用ブラシ
２１５の接触面２１９が基板Ｗの下面に接触した状態
で、図示しない回転駆動機構によって回転され、かつ洗
浄用ブラシ２１５のほぼ中心に配置されたノズル２２１
から洗浄液が吐出されて、基板Ｗの下面がスクラブ洗浄
される。

【０００７】なお、この構成において、端面支持ハンド
２１０，２１１は、基板Ｗを保持しつつ、図１４に示す
ように基板Ｗの中心ＯＷが円軌道を描くように、基板Ｗ
を円運動させる。この結果、接触面２１８，２１９は、
基板Ｗのほぼ全面に接触することとなるから、基板Ｗの
ほぼ全面をスクラブ洗浄できる。

【０００８】ところで、基板Ｗは、一般に、その表面全
体が半導体装置の形成に用いられるわけではなく、図１
６に示すように、周縁付近の上下面２３０および端面２
３１を含む周縁部２３２を除く中央部２３３だけが半導
体装置の形成に用いられる有効エリアである。したがっ
て、基板Ｗの表面上に薄膜をパターン形成していくと、
基板Ｗの中央部２３３と周縁部２３２とでは膜厚や膜硬
などの膜質が異なってくる。そのため、本来なら、基板
Ｗの中央部２３３の洗浄の仕方と周縁部２３２の洗浄の
仕方とを変える必要がある。たとえば、用いられる洗浄
液の種類や濃度を変えることにより、中央部２３３に残
留しているスラリーを除去し、また、周縁部２３２に残
留しているスラリーや不要な薄膜を除去する必要があ
る。

【０００９】しかし、上記従来技術の構成では、エッチ
ング処理による基板Ｗの薄膜に対するパターン形成にお
いて、基板Ｗの中央部２３３の有効エリア内にのみ注意
が払われているから、基板Ｗの周縁部２３２にエッチン
グ不足領域が残ったままとなり、これが、不要な薄膜と
なる場合や、また、スラリーが基板Ｗの周縁部２３２に
残ってしまうことがある。

【００１０】もしも、基板Ｗの周縁部２３２に不要な薄
膜およびスラリーが残っていると、当該薄膜とスラリー
とが反応し、その結果生成された物質が基板Ｗの周縁部
２３２に残る場合もある。このように、上記従来技術の
構成においては、基板Ｗの周縁部２３２に、不要な薄膜
やスラリー、薄膜とスラリーとの反応生成物が残るとい
う不具合がある。この場合、これらの物質はパーティク
ルとなるから、半導体装置の製造工程において歩留りの
低下につながり、大きな問題となっていた。

【００１１】このように、基板の清浄度は年々厳しくな
り、基板の端部汚染も無視できなくなってきており、端
部を洗浄する装置が開発されている。その一例として、
特開平１１−６２５号公報には、基板の端部に接触して
基板を定位置に保持するとともに、基板を回転させるた
めの一対のエッジ部洗浄用ローラが開示されている。こ
のエッジ部洗浄用ローラは、その表面の洗浄用弾性部材
に、基板の端部が入り込むような略Ｖ字型の周溝が形成
され、その周溝に基板の端部を押圧する。よって、基板
は回転しつつ全周の端部がエッジ部洗浄用ローラの洗浄
用弾性部材で擦られて洗浄される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平１１−６２５号公報に記載の洗浄装置は、基板に対
して回転駆動を与える構成上、基板の端部とエッジ部洗
浄用ローラの周速は同じである。そのため、洗浄用弾性
部材により端部の不要な薄膜やスラリーを充分に擦り取
るという洗浄力は発生せず、充分な洗浄が期待できな
い。

【００１３】更に、搬送されてくる基板に対して、エッ
ジ部洗浄用ローラはサイドから移動されセットされる。
そのため、装置構成として幅方向に大きくなってしまう
という問題があった。

【００１４】また、この際、基板の高さ位置は正確に位
置決めされる必要があるし、そうでなければエッジ部洗
浄用ローラの周溝以外の部分が基板端部に当接して傷つ
ける、もしくは、エッジ部洗浄用ローラから基板が落下
してしまことが考えられるという問題もあった。

【００１５】本発明は、かかる事情を鑑みてなされたも
のであって、上述の技術的課題を解決し、かつ基板の周
縁部の粒子汚染物を確実に除去できる基板の洗浄装置を
提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、薄板状の被処理体を処理する洗浄装置に
おいて、前記被処理体の端部を洗浄する傾斜側面を有す
る洗浄部を有する周縁部洗浄手段と、前記周縁部洗浄手
段を被処理体の平面側から当接させる移動手段と、を有
し、前記移動手段は被処理体の端部を周縁部洗浄手段の
前記傾斜側面に当接させることを特徴とする洗浄装置で
ある。

【００１７】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
洗浄装置において、前記周縁部洗浄手段を回転させる回
転駆動部を有することを特徴とすることを特徴とする。

【００１８】請求項３に係る発明は、請求項１又は請求
項２に記載の洗浄装置において、前記洗浄部は、植設さ
れたブラシ毛より成ることを特徴とする。

【００１９】請求項４に係る発明は、請求項１又は請求
項２に記載の洗浄装置において、前記洗浄部は、一体形
成されたスポンジ体より成ることを特徴とする。

【００２０】請求項５に係る発明は、請求項１又は請求
項２に記載の洗浄装置において、前記被処理体は、薄膜
が形成された表面を研磨する加工処理がされた基板であ
ることを特徴とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明に係
る基板処理装置の一実施の形態について説明する。

【００２２】図１は、本発明の実施の形態に係る基板処
理装置を示す平面図である。また、図２は、本発明の実
施の形態に係る基板処理装置のＹＺ平面における概略断
面図である。さらに、図３は、本発明の実施の形態に係
る基板処理のＺＸ平面における概略断面図である。

【００２３】この基板処理装置１００では、基板の一種
であるウエハＷを複数枚収納するポッド（ＰＯＤ）９が
収納器として使用されＣＭＰ処理の対象となる複数のウ
エハＷがポッド９内に密閉された状態で基板収納部７に
配置される。この基板収納部７には、複数のポッド９が
Ｘ軸方向に一列に配置されている。なお、ポッド９の代
わりにウエハカセットを用いてもよい。

【００２４】また、基板収納部７との間にＸ軸方向に沿
って設けられた搬送路１５を挟んで、複数の処理部３
０，４０，５０が設けられている。これらの処理部３
０，４０，５０もＸ軸方向に沿って一列に配置されてお
り、ウエハＷに対する処理手順に応じて隣接して設けら
れている。

【００２５】複数の処理部のうち一端側に配置された処
理部３０は、詳細には後述するが図３に示すように、Ｃ
ＭＰ処理が終了した直後のウエハＷを保持装置３３が支
持した状態で、ウエハＷの表面に接触してウエハＷの表
面を洗浄する表面ブラシ３１とウエハＷの裏面に接触し
てウエハＷの裏面を洗浄する裏面ブラシ３２とを使用し
てウエハＷの両面をブラッシングすることによって、Ｃ
ＭＰ処理によってウエハＷに付着した研磨屑等のパーテ
ィクルを除去する処理を行う処理部である。

【００２６】この処理部３０では、表面ブラシ３１及び
裏面ブラシ３２による洗浄効果を高めるために、図示し
ないノズルによってアルカリ液等の所定の処理液をウエ
ハＷの表面や裏面に供給することが行われる。また、保
持装置３３の近傍には保持装置３３により保持されるウ
ェハＷをその裏面が上面になるように反転させる公知の
反転装置３が配置されている。なお、この処理部３０
が、本発明の洗浄装置に相当する。

【００２７】また、処理部４０は、さらにパーティクル
除去能力の高いブラシ４１を使用してウエハＷの表面に
付着している微細なパーティクルを取り除く処理部（表
面処理部）である。処理部４０では、ブラシ４１による
洗浄効果を高めるために、ノズル４３よりウエハＷの表
面に対して所定の処理液が吐出することができるととも
に、回転部４２がウエハＷを保持しながら回転させるこ
とも可能である。

【００２８】さらに、複数の処理部の内、他端側に配置
された処理部５０は、ウエハＷが回転部５２に回転可能
な状態に載置され、ウエハＷを回転させながらノズル５
３より純水等のリンス液をウエハＷの表面に向けて吐出
することにより、ウエハＷに対する最終リンスを行った
後、リンス液の吐出を停止させてウエハＷを高速に回転
させて、スピンドライ乾燥を行う処理部（リンス処理・
乾燥処理部）である。

【００２９】なお、搬送路１５と処理部３０，４０，５
０等との上方には、基板処理装置１００の内部の雰囲気
を清浄に保つために、ファンフィルタユニットＦＦＵが
設けられている。そして、ファンフィルタユニットＦＦ
Ｕからは搬送路１５や処理部３０，４０，５０等に向け
てクリーンエアのダウンフローが形成されている。

【００３０】この基板処理装置１００では、図１に示す
ように、処理部３０のＸ軸方向に隣接する部分をＣＭＰ
装置２００とのインタフェース部分として構成してお
り、この部分に載置部２０が設けられている。載置部２
０では、ＣＭＰ装置２００に設けられた搬送部２１０と
の間でウエハＷの受け渡しを行うことができる位置とし
て、図３に示すように、上下方向に２箇所の受け渡し位
置Ｌａ，Ｌｂが設定されている。

【００３１】受け渡し位置Ｌｂは、ウエハＷをＣＭＰ装
置２００に受け渡す際に、ウエハＷが一旦載置される位
置である。そして、ＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の
搬送アーム（図示せず）が載置部２０の受け渡し位置Ｌ
ｂに対してアクセスし、この搬送アームがウエハＷをＣ
ＭＰ装置２００側に搬送し、ＣＭＰ装置２００において
所定の研磨処理を行う。

【００３２】また、受け渡し位置Ｌａは、ＣＭＰ処理が
終了したウエハＷをＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の
搬送アームが基板処理装置１００に渡す際に、ウエハＷ
を一旦載置する位置である。ＣＭＰ装置２００の搬送部
２１０の搬送アームが載置部２０の受け渡し位置Ｌａに
アクセスし、ＣＭＰ処理が終了したウエハＷを載置する
ように構成されている。

【００３３】そして、処理部３０，４０，５０等および
載置部２０と、基板収納部７との間に設けられた搬送路
１５には、Ｘ軸方向に沿って移動可能な搬送ロボット１
０が設けられている。この搬送ロボット１０は、上下方
向に２つの搬送アーム１１を備えており、この搬送アー
ム１１がウエハＷを保持した状態でウエハＷの搬送を行
う。また、図２に示すように、基台部分１４には、Ｘ軸
方向に設けられたボールネジ１３が螺嵌されており、ボ
ールネジ１３が回転することによって搬送ロボット１０
がＸ軸方向に沿って移動可能となっている。また、搬送
ロボット１０は、昇降部分１２が伸縮することによって
ウエハＷをＺ軸方向（上下方向）にも搬送することがで
きるとともに、θ軸を中心とする回転動作も行うことが
可能となっている。したがって、搬送ロボット１０の搬
送アーム１１は、基板収納部７に配置された複数のポッ
ド９と、ウエハ載置部２０と、処理部５０とにアクセス
することができ、これらの処理部間でウエハＷの搬送を
行う。

【００３４】ここで、搬送ロボット１０の搬送アーム１
１がポッド９にアクセスする際には、密閉状態のポッド
９を開放して搬送アーム１１がアクセス可能な状態にす
る必要がある。そこで、基板処理装置１００には、ポッ
ド９が載置されるそれぞれの位置にポッドオープナ８が
設けられている。図２に示す符号８ａの状態のように、
基板収納部７にポッド９が配置されると、ポッドオープ
ナ８はアームを伸ばしてポッド９の蓋のロックを解除す
る。そして、図２に示す符号８ｂの状態のように、アー
ムがポッド９の蓋を把持した状態でＹ軸方向に移動し
て、ポッド９を密閉状態から開放する。符号８ｂの状態
のままでは、搬送ロボット１０の搬送アーム１１がポッ
ド９内にアクセスすることができないので、図２に示す
８ｃの状態のように、ポッドオープナ９は蓋を保持して
いるアームを下降させる。

【００３５】このような動作により、ポッド９の密閉状
態が開放され、搬送ロボット１０の搬送アーム１１は、
ポッド９内のウエハＷにアクセスすることが可能とな
る。なお、ポッド９は、ウエハＷを外気とは隔離した清
浄な雰囲気に保つことでウエハＷの汚染をしないように
密閉されるものであるが、基板処理装置１００の内部は
ポッド９内部と同様に清浄な雰囲気を維持するように構
成されており、ポッド９の開放動作は、基板処理装置１
００の内部で蓋を開放するため、ウエハＷを汚染する問
題はない。

【００３６】そして、搬送ロボット１０は、搬送アーム
１１がポッド９の内部に向けて伸ばし、ポッド９の内部
からウエハＷを１枚取り出す。搬送ロボット１０は、Ｘ
軸方向の移動やＺ軸方向の移動を行うとともに、θ軸に
ついての回転動作を行い、搬送アーム１１は、ポッド９
から取り出したウエハＷを載置部２０の受け渡し位置Ｌ
ｂに載置する。また、搬送ロボット１０の搬送アーム１
１は、処理部５０に対してアクセスし、全ての処理が完
了したウエハＷを取り出す。そして、搬送ロボット１０
は、Ｘ軸方向の移動やＺ軸方向の移動を行うとともに、
θ軸についての回転動作を行い、搬送アーム１１はポッ
ド９の所定位置にアクセスして、ＣＭＰ処理後の洗浄処
理が終了したウエハＷをポッド９内に収納する。

【００３７】また、この基板処理装置１００には、載置
部２０に載置されたＣＭＰ処理後のウエハＷを処理部３
０に搬送し、処理部３０での処理が終了したウエハＷを
処理部４０に搬送し、処理部４０での処理が終了したウ
エハＷを処理部５０に搬送するためにシャトル搬送ロボ
ット６０が設けられている。シャトル搬送ロボット６０
は、後述するように、Ｘ軸方向に沿って移動可能であ
り、基板受け渡し位置Ｌａに載置されているウエハＷを
処理部３０に、また、処理部３０での処理が終了したウ
エハＷを処理部４０に、さらに、処理部４０での処理が
終了したウエハＷを処理部５０に搬送するので、それぞ
れの処理部間の搬送動作は一括して同時に行われる。

【００３８】このように、この基板処理装置１００にお
いては、搬送ロボット１０がポッド９から載置部２０へ
のウエハＷの搬送動作を行い、シャトル搬送ロボット６
０が載置部２０から処理部３０，４０，５０へのウエハ
Ｗの搬送動作を行う。そして、処理部５０からポッド９
へのウエハＷの搬送は、再び搬送ロボット１０が担当す
るように構成されている。

【００３９】また、この基板処理装置１００には、処理
部３０，４０，５０における処理の際に使用される処理
液等が処理部外部へ飛散しないように、昇降可能なカバ
ー７０が設けられている。このカバー７０は、シャトル
搬送ロボット６０によって各処理部間のウエハＷの搬送
が行われる際には、図示しないシリンダやモータ等の昇
降駆動機構によって上昇し、シャトル搬送ロボット６０
のＸ軸方向に沿った移動と緩衝しないように構成されて
おり、シャトル搬送ロボット６０による処理部間搬送が
終了して各処理部において洗浄処理を行う際には、昇降
駆動機構によってカバー７０が下降し、各処理部３０，
４０，５０の側面等を覆う。したがって、各処理部にお
いてウエハＷに対する処理を行っている際に、他の処理
部からの処理液やパーティクル等が付着することがな
く、清浄な処理を行うことができる。

【００４０】この基板処理装置１００の全体構成は上記
のごとくであり、ウエハＷに対して処理を行うための複
数の処理部３０，４０，５０をＸ軸方向に沿って隣接す
るように一列に配置しており、各処理部間のウエハＷの
搬送を１台のシャトル搬送ロボット６０で一括して行う
ことができるように構成されているため、基板処理装置
１００のフットプリントを縮小することができる。ま
た、載置部２０によって直接外部装置であるＣＭＰ装置
２００とインライン化することができるため、基板処理
装置１００とＣＭＰ装置２００とをインライン化したと
きのフットプリントも縮小することができる。

【００４１】次に、処理部３０の詳細な構成について説
明する。図４は、本発明の一実施形態の処理部である洗
浄装置の構成を示す平面図である。また、図５は、図４
のＤ−Ｄ断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念
的に示している。

【００４２】この装置は、ウエハＷの表面に形成された
薄膜を研磨するＣＭＰ処理が行われた後にウエハＷの表
面に残っているスラリーおよび不要な薄膜を除去するた
めのもので、側壁３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄによ
って囲まれた平面視においてほぼ矩形の処理室３０１内
においてウエハＷを水平に保持し、かつこの状態でウエ
ハＷを回転させることができる保持装置３３を備えてい
る。

【００４３】さらに、この処理部３０は、保持装置３３
により保持されたウエハＷの上面および下面の各中央部
に残っているスラリーをスクラブして除去するための両
面洗浄装置３５と、ウェハＷの端部の一方の被洗浄平面
である下面及び端面を含む周縁部を洗浄する周縁部洗浄
手段９０と、前述した反転装置３を備えている。

【００４４】そして、処理室３０１は底壁３０ｅにより
ウェハＷが処理される底壁３０ｅより上部の処理区画３
０２と、底壁３０ｅより下部で保持装置３３等の駆動部
が配置される駆動区画３０３より構成される。

【００４５】保持装置３３は、処理室３０１の側壁３０
ｂまたは３０ｄに対して直交する方向（以下「保持方
向」という。）Ａに関して対向配置された一対の保持ハ
ンド３５ａ，３５ｂを有している。保持ハンド３５ａ，
３５ｂは本実施例において同一構造を採用し、図５中左
右対称であるので以下、一方の保持ハンド３５ａをもっ
て説明する。尚、他方の保持ハンド３５ｂは同一構造に
同符号を付与して説明を省略する。

【００４６】保持ハンド３５ａはその全体を図６及び図
７に示すように、保持方向Ａに沿って移動可能なもの
で、ベース取付部３６に取り付けられたベース部３７
と、ベース部３７の上方に配置されるハンド軸３８と、
ウエハＷを保持するための３つの保持用ローラ（基板保
持具）８０（ａ〜ｃ）を配設される本体部３９をそれぞ
れ有している。

【００４７】ベース取付部３６には、側壁３０ｂに締結
された連結部材３６１を介して保持方向Ａに沿って長く
形成され、ベース部３７の下方まで延びた台部３６２の
一端が連結されている。台部３６２の一端には、Ｌ字状
の取付板３６３の立設面にシリンダ３６４が固定され、
シリンダ３６４のロッド３６４ａが連結板３７１を介し
てベース部３７に取り付けられている。ロッド３６４ａ
は、保持方向Ａに沿って突出したり引っ込んだりできる
ようになっている。また、台部３６２上には保持方向Ａ
に沿ってスライドレール３６５が配置される。

【００４８】一方、ベース部３７は、スライドレール３
６５上に装着されるスライド部３７２と、スライド部３
７１上に底板３７３を配置して構成される。底板３７３
には下面にブラケット３７４が装着され、このブラケッ
ト３７４にモータＭ１が支持される。また、底板３７３
の上面にはハンド軸３８が固定される。

【００４９】ハンド軸３８は、２つの筒状体より構成さ
れ、底板３７３の挿通口３７３ａの位置に合わせて底板
３７３上面に装着される外筒体３８１と、その内部に装
着される内筒体３８２により構成される。そして、内筒
体３８２の上部は底壁３０ｅの挿通穴３０ｆを通って処
理区画３０２に延在し、その内筒体３８２の上端に本体
部３９が装着され支持される。

【００５０】本体部３９上面の保持用ローラ８０は、ウ
エハＷを保持した状態でウエハＷを回転させるべく、本
体部３９に回転可能に設けられている。これらの保持用
ローラ８０（ａ〜ｃ）は、ウエハＷの端面形状に対応し
た円周上に配置されている。ウエハＷは、保持用ローラ
８０（ａ〜ｃ）の側面にその端面が当接した状態で保持
される。すなわち、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）は、本
体部３９に鉛直軸まわりの回転が自在であるように支持
されたローラ軸８１（ａ〜ｃ）と、ローラ軸８１（ａ〜
ｃ）の上端に固定されている保持具８２（ａ〜ｃ）によ
り構成される。

【００５１】保持具８２（ａ〜ｃ）は同じ構成であり、
図９に示すように、軸部８２１と、外周面に略Ｖ字状の
周溝８２２が形成された駆動伝達部８２３により構成さ
れる。この周溝８２２にウエハＷの端部が当接しながら
回転がウエハＷに伝達される。保持具８２は硬度の高い
樹脂、例えポリエーテルエーテルケトン等で形成され
る。これは、ウエハＷの端部の当接によっても傷がつか
ないような硬さに設定されている。

【００５２】ウエハＷを回転させるために必要な駆動力
は、保持用ローラ８０ｂにのみ与えられるようになって
いる。すなわち、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）のうち中
央の保持用ローラ８０ｂには、ベース部３７の下端に取
り付けられたモータＭ1 の駆動力が連結部８２４とロー
ラ軸８１ｂを介して伝達されるようになっている。

【００５３】さらに詳述する。保持用ローラ８０ａのロ
ーラ軸８１ａは、図６に示すように、本体部３９に形成
された挿通穴３９１ａを通って本体部３９の内部に形成
された空間３９２まで延ばされており、挿通穴３９１ａ
に配置された２つの軸受３９３ａ，３９３ｂを介して本
体部３９に回転自在に支持されている。他の保持用ロー
ラ８０ｃのローラ軸０１ｃも同様に、挿通穴３９１ｃを
通って空間３９２まで延ばされ、かつ挿通穴３９１ｃに
配置された２つの軸受３９４ａ，３９４ｂを介して本体
部３９に回転自在に支持されている。

【００５４】中央の保持用ローラ８０ｂのローラ軸８１
ｂは、本体部３９に形成された挿通穴３９１ｂを通って
本体部３９の内部に形成された空間３９２まで延ばされ
ており、及び挿通穴３９５を介して本体部３９の下方に
突出している。そして、挿通穴３９１ｂに配置された軸
受３９６ａと、挿通穴３９５に配置された軸受３９６ｂ
を介して本体部３９に回転自在に支持されている。

【００５５】中央のローラ軸８１ｂには、２つのプーリ
８３ｂ，８４ｂが取り付けられている。そして、２つの
プーリ８３ｂ，８４ｂと他の２つのローラ軸８１ａ，８
１ｃにそれぞれ取り付けられたプーリ８３ａ，８４ｃと
の間に、ベルト８５，８６がそれぞれ巻き掛けられてい
る。符号８７，８８はそれぞれのベルト８５，８６にテ
ンションを付与するテンション軸である。

【００５６】この構成により、シリンダ３６４を駆動す
ることによって、ベース部３７が連結板３７１を介して
スライドレール３６５上をスライド部３７２によって移
動し、保持ハンド３５ａを保持方向Ａに沿って進退させ
ることができる。そして、保持ハンド３５ａ，３５ｂが
互いに反対方向に進退することでウエハＷを保持用ロー
ラ７０の間で挾持したり、この挾持を解放したりするこ
とができる。即ち、シリンダ３６４が保持装置３３の駆
動手段を構成する。この際、底壁３０ｅの挿通穴３０ｆ
はハンド軸３８のスライド領域より大きく開孔されてお
り、保持ハンド３５ａの移動が妨げられることがない。

【００５７】そして、モータＭ１によって中央の保持用
ローラ８０ｂが駆動されると、中央の保持用ローラ８０
ｂに伝達されてきた駆動力は、ベルト８５，８６を介し
て他の２つの保持用ローラ８０ａ，８０ｃにも伝達さ
れ、これに伴って他の２つの保持用ローラ８０ａ，８０
ｃが駆動される。その結果、保持用ローラ８０（ａ〜
ｃ）に保持されているウエハＷは回転を始める。このよ
うにして、ウエハＷは保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保
持された状態で回転方向Ｂに沿って回転する。この場合
におけるウエハＷの回転速度は、たとえば約１０〜２０
（回転／分）である。以上のように、この実施形態で
は、モータＭ１およびベルト８５，８６が回転駆動部に
対応している。

【００５８】周縁部洗浄手段９０は、図８に示すように
軸部９１と、軸部９１の上部に連結される洗浄具９２
と、軸部９１の下部に連結される回転駆動部９３と昇降
駆動部９４から構成されている。そして、周縁部洗浄手
段９０は図４に示すように、ウエハＷの端面形状に対応
した円周上の下方に配置される。

【００５９】洗浄具９２は図１０に示すように、軸部９
１に連結される円柱状の本体部９２１と、この本体部９
２１に万遍なく植毛されたブラシ毛９２２より構成され
る。このブラシ毛９２２は略円錐状になるようにその長
さが外側から中心に向かって長く形成される。そしてそ
のブラシ毛９２２の先端により形成される側面が図１０
に示すように断面視で傾斜している。

【００６０】回転駆動部９３は、軸部９１に連結板９３
１を介して接続されるモータＭ２により構成される。モ
ータＭ２は軸部９１を軸受９３２，９３３により回転自
在に支持する外筒９３４に固定される。

【００６１】昇降駆動部９４は外筒９３４の連結片９３
５にロッド９４１ａが接続されるシリンダー９４１と、
外筒９３４の周面に配置されたレール部９４２と、この
レール部９４２を案内するスライドレール９４３より構
成される。

【００６２】この構成により、シリンダ９４１を駆動す
ることによって、軸部９１が外筒９３４を介してスライ
ドレール９４３上をスライド部９４２によって移動し、
上下方向に進退させることができる。即ち、シリンダ９
４１が周縁部洗浄手段９０の移動手段を構成する。

【００６３】この際、ウエハＷは、その端部が洗浄具９
２のブラシ毛９２２の側面に押圧され、ウエハＷの下面
及び端面を含む周縁部がブラシ毛９２２により洗浄され
るべく、ブラシ毛９２２は変形する。

【００６４】そして、モータＭ２によって軸部９１が駆
動されると、洗浄具９２がウェハＷに回転方向とは逆に
駆動される。その結果、ウェハＷの端面に対してはブラ
シ毛９２２が叩くように、下面に対しては擦るようにウ
ェハＷを洗浄する。

【００６５】なお、参照符号３００は、保持ハンド３５
ａ及び周縁部洗浄手段９０の移動とともに変形及び伸縮
自在なベローズであり、両面洗浄装置３５において使用
される洗浄液ならびにその雰囲気が、駆動部に影響を与
えないようにするため、あるいは処理区画３０２の外部
に漏れるのを防ぐためのものである。また、シリンダ３
６４，９４１のロッド３６４ａ，９４１ａやハンド軸３
８及び軸部９１から発生するパーティクが処理区画３０
２の内部に侵入するのを防止するためのものでもある。

【００６６】図５に戻って、両面洗浄装置３４は、保持
装置３３により保持されたウエハＷの上方および下方に
配置された表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を備え
ている。表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、それ
ぞれ、保持ハンド３５ａ，３５ｂに干渉しない位置に、
ウエハＷの中心部から周縁部に至るウエハＷの平面領域
を覆うように配置されている。

【００６７】表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、
ウエハＷに対向する側に取付面３１１，３２１を有する
ベース部３１２，３２２と、ベース部３１２，３２２に
取り付けられた回転軸３１３，３２３とを有し、回転駆
動部３１４，３２４により鉛直軸方向に沿う回転軸Ｏを
中心に回転方向Ｃに沿って回転できるようにされてい
る。さらに、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、
それぞれ、昇降駆動部３１５，３２によって上下方向に
移動できるようになっている。これにより、ウエハ洗浄
時においてはウエハＷを表面ブラシ３１および裏面ブラ
シ３２で挟み込むことができ、また、ウエハ洗浄後にお
いては、ウエハＷから表面ブラシ３１および裏面ブラシ
３２を離すことができるようになっている。

【００６８】ベース部３１２，３２２の各取付面３１
１，３２１には、洗浄用ブラシ（両面スクラブ手段）３
１６，３２６が設けられている。洗浄用ブラシ３１６，
３２６の中央付近には、ウエハＷに洗浄液を供給するた
めの洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２７（ａ，
ｂ）がそれぞれ配置されている。洗浄液は、フッ酸、硝
酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニアなどの薬液、およ
び純水を含む。

【００６９】洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２
７（ａ，ｂ）には、洗浄用パイプ３１８（ａ，ｂ），３
２８（ａ，ｂ）が連結されている。洗浄用パイプ３１８
（ａ，ｂ），３２８（ａ，ｂ）は、回転軸３１３，３２
３内に回転しないように挿通されており、その他端に
は、図示しない薬液用タンクから薬液が導かれる薬液供
給路３１９ａ，３２９ａ、および図示しない純水用タン
クから純水が導かれる純水供給路３１９ｂ，３２９ｂが
開閉弁３３０（ａ，ｂ），３３１（ａ，ｂ）接続されて
いる。この構成により、洗浄用パイプ３１８（ａ，
ｂ），３２８（ａ，ｂ）に薬液および純水を選択的に供
給でき、したがって洗浄液供給ノズル３１７（ａ，
ｂ），３２７（ａ，ｂ）から薬液および純水を選択的に
吐出させることができる。

【００７０】次に、シャトル搬送ロボット６０の構成に
ついて説明する。図１１は、シャトル搬送ロボットの平
面図、図１２（ａ），（ｂ）はシャトル搬送ロボット６
０とウエハＷの処理部との関係を示す概略側面図であ
る。

【００７１】図１１に示すシャトル搬送ロボット６０に
は、ウエハＷの処理部間搬送を行う際に、ウエハＷを保
持する３個の保持部６１，６２，６３が設けられている
が、このうち最も＋Ｘ軸方向側に設けられている保持部
６１は載置部２０から処理部３０へのウエハＷの搬送を
担当し、中央に設けられている保持部６２は処理部３０
から処理部４０へのウエハＷの搬送を担当し、最も−Ｘ
軸方向側に設けられている保持部６３は処理部４０から
処理部５０へのウエハＷの搬送を担当する。

【００７２】それぞれの保持部６１，６２，６３は、第
１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａと第２アーム６１ｂ，
６２ｂ，６３ｂとを備えている。そして、各々のアーム
には、図１２に示すようにウエハＷを周縁部で保持する
ための保持部材６４が各々２個設けられている。第１ア
ーム６１ａ，６２ａ，６３ａと第２アーム６１ｂ，６２
ｂ，６３ｂは、ＸＹ平面内でのスライド動作を行うよう
になっている。

【００７３】そして、基板処理装置１００内にある図示
しないコントローラが、図示しない駆動手段に対して駆
動命令を送ると、各第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａ
は＋Ｘ軸方向に移動する一方、各第２アーム６１ｂ，６
２ｂ，６３ｂは−Ｘ軸方向に移動する。この動作によ
り、シャトル搬送ロボット６０によるウエハＷを保持す
る動作（すなわち、ウエハＷのチャッキング動作）が行
われる。このチャッキング動作は、第１アーム６１ａ，
６２ａ，６３ａと第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂと
の２本のアームによってウエハＷを挟み込む動作である
ため、ウエハＷの下面を支持するだけのものに比べる
と、各処理部に対して搬送するウエハＷの位置アライメ
ントを行う。

【００７４】また、逆に各第１アーム６１ａ，６２ａ，
６３ａは−Ｘ軸方向に移動する一方、各第２アーム６１
ｂ，６２ｂ，６３ｂは＋Ｘ軸方向に移動する動作によ
り、シャトル搬送ロボット６０のウエハＷの保持状態を
開放する動作が行われる。

【００７５】また、図示しないモータの駆動によってα
方向に保持部６１，６２，６３も回転軸６５を中心にし
て回転する。よって保持部６１，６２，６３がウエハＷ
を保持した状態でモータを駆動することにより、ウエハ
ＷもＹＺ平面での回転動作を行う。

【００７６】ここで、図１２（ａ）に示すように回転軸
６５にα方向の微少量の回転を与えると、ウエハＷの保
持状態の保持部６１は、その状態でα方向に微少量の回
転を行う。したがって、載置部２０に載置されているウ
エハＷは、保持部６１に保持されてα方向に回転するこ
とによって、離脱することとなる。同様に、各処理部３
０，４０で保持されていたウエハＷについても、保持部
６１，６２，６３に保持されてα方向に回転することに
よって各処理部３０，４０における保持状態から開放さ
れることになる。

【００７７】そして、保持部６１，６２，６３は下部に
移動台６６が連結されており、移動台６６は−Ｘ軸方向
に沿って移動する。したがって、同時に保持部６１，６
２，６３も−Ｘ軸方向に沿って移動する。

【００７８】まず、図１１に示すように、シャトル搬送
ロボット６０は、載置部２０と処理部３０，４０に対応
する側に位置する。処理部３０，４０におけるウエハＷ
の処理中は、保持部６１，６２，６３は図中一点鎖線で
示す位置にある。そして、処理部３０，４０のおけるウ
エハＷの処理が終了すると、各保持部６１はそれぞれ図
中実線で示す位置に移動し、載置部２０，処理部３０，
処理部４０にあるウエハＷの保持を行う。そして、各ウ
エハＷを上昇させた後、シャトル搬送ロボット６０を−
Ｘ軸方向に移動させる。

【００７９】そして、処理部３０，処理部４０，処理部
５０へ搬送したウエハＷを下降させた後、保持部６１，
６２，６３を一点鎖線で示す位置に退避させることによ
って、各処理部へのウエハＷの搬送動作を完了する。な
お、保持部６１，６２，６３が退避する際には、各処理
部間等に設けられた退避位置６７に退避する。

【００８０】このように、このシャトル搬送ロボット６
０は、隣接する処理部間でのウエハＷの搬送を同時に行
うようになっているため、効率的なウエハＷの処理部間
の搬送を実現しているとともに、載置部２０から処理部
３０へのウエハＷの搬送と、処理部３０から処理部４０
へのウエハＷの搬送と、処理部４０から処理部５０への
ウエハＷの搬送とについては個別に搬送ロボットを設け
る必要がなく、基板処理装置１００のフットプリントを
減少させることが可能となる。

【００８１】なお、処理部５０からのウエハＷの取り出
しは、上述のように搬送ロボット１０の搬送アーム１１
が行うように構成されている。

【００８２】次に、カバー７０について説明する。図１
２に示すように、カバー７０は、処理部３０，４０，５
０におけるウエハＷの処理の際に処理液等が飛散しない
ように各処理部を覆っている。また、カバー７０は図１
１に示すように、下降した際に、退避位置６７に退避し
ているシャトル搬送ロボット６０の保持部６１，６２，
６３に緩衝しないように各退避位置６７に対応する位置
の凹部７１が設けられている。したがって、シャトル搬
送ロボット６０の保持部６１，６２，６３が図１１の一
点鎖線で示す位置に退避した場合に、カバー７０を下降
させれば、カバー７０は保持部６１，６２，６３に接触
することなく各処理部３０，４０，５０を良好に覆うこ
とができる。

【００８３】また、シャトル搬送ロボット６０の保持部
６１，６２，６３が退避位置６７に退避した直後にカバ
ー７０を下降させれば、各処理部３０，４０，５０にお
ける上述のウエハＷの処理を開始することができる。

【００８４】次に、図１２（ａ），（ｂ）に基づいて、
カバー７０とシャトル搬送ロボット６０との関係につい
て説明する。図１２（ａ）に示すように、シャトル搬送
ロボット６０の回転軸６５がα方向に微少量回転し、保
持部６１がウエハＷを持ち上げた状態で処理部間搬送を
行う。このとき、カバー７０は、シャトル搬送ロボット
６０の搬送動作の際に緩衝しないように図示しない昇降
手段によって上昇した状態となっている。

【００８５】ところで、ウエハＷの処理部間搬送が終了
し、カバー７０が下降して各処理部におけるウエハＷの
処理が開始された際に、処理部３０，４０，５０に対応
する位置にあるシャトル搬送ロボット６０を次の処理部
間搬送に備えて、載置部２０，処理部３０，４０に対応
する位置に予め移動させておくことが必要に応じて行わ
れる。

【００８６】しかし、各処理部はウエハＷの処理中であ
り、カバー７０は閉じた状態であるため、保持部６１が
退避位置６７にある状態で、シャトル搬送ロボット６０
を＋Ｘ軸方向に移動させると、カバー７０に衝突する。

【００８７】そこで、このシャトル搬送ロボット６０で
は、図１２（ｂ）に示すように、シャトル搬送ロボット
６０の回転軸６５を９０度程度回転させることによって
保持部６１を起立状態にし、側面視でカバー７０と保持
部６１とが重ならないようにな状態にする。こうするこ
とにより、シャトル搬送ロボット６０がＸ軸方向に移動
しても保持部６１がカバー７０と緩衝しないようにな
り、各処理部におけるウエハＷの処理中に、シャトル搬
送ロボット６０を載置部２０，処理部３０，４０に対応
する位置に予め移動させておくことが可能となる。

【００８８】そして、シャトル搬送ロボット６０がＸ軸
方向に移動して、載置部２０，処理部３０，４０に対応
する位置に到達すると、起立状態の保持部６１を再び略
水平状態に戻す。

【００８９】なお、ウエハＷの処理中に図１１の一点鎖
線で示す保持部６１の位置で待機しているときに保持部
６１の洗浄を行う場合は、載置部２０の近辺に載置部２
０内のウエハＷをチャッキングする保持部６１に対して
リンス液を吐出するノズル（図示せず）を設ければよ
い。そして、載置部２０の近辺に設けられたノズルから
リンス液を吐出することにより、保持部６１を洗浄する
ことが可能となる。また、保持部６１，６２，６３の洗
浄は、それぞれの退避位置６７内に配置されたノズル等
からのリンス液を吐出する手段を用いる事により洗浄す
ることが可能となる。

【００９０】図１３は、この基板処理装置１００の主要
な電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装
置１００には、当該装置の制御中枢として機能するマイ
クロコンピュータなどで構成された制御部５００が備え
られている。制御部５００は、ＲＯＭ５０１に格納され
た制御プログラムに従って、シリンダ３６４，３６４，
９４１、モータＭ１，Ｍ２、回転駆動部３１４，３２
４，９３、昇降駆動部３１５，３２５，９４、および開
閉弁３３０（ａ，ｂ），３３１（ａ，ｂ）を制御する。

【００９１】次に、この基板処理装置１００の洗浄動作
について説明する。洗浄前においては、保持ハンド３５
ａ，３５ｂはウエハＷを保持する保持位置から退避した
待機位置で待機し、かつ表面ブラシ３１および裏面ブラ
シ３２も互いにウエハＷから離れた状態で待機してい
る。前工程であるＣＭＰ処理が終了しシャトル搬送ロボ
ット６０によってウエハＷが搬送されてくると、制御部
５００は、シリンダ３６４のロッド３６４ａを進出させ
る。その結果、保持ハンド３５ａ，３５ｂは互いに近づ
く。これにより、ウエハＷがその端面において保持用ロ
ーラ８０（ａ〜ｃ）に保持される。

【００９２】少し遅れて周縁部洗浄手段９０もシリンダ
９４１のロッド９４１ａが進出され、上方へ移動するこ
とでウエハＷの端部の洗浄位置に正確に配置されること
となる。そしてウェハＷの端部がブラシ毛９２２による
側面に押圧されることとなる。

【００９３】その後、制御部５００は、回転駆動部３１
４，３２４を駆動し、上表面ブラシ３１および裏面ブラ
シ３２を回転させる。これと同時に、制御部５００は、
開閉弁３３０ａ，３３１ａを制御し、薬液供給路３１９
ａ，３２９ａを接続させる。その結果、洗浄液供給ノズ
ル３１７ａ，３２７ａから薬液がそれぞれウエハＷの上
面および下面に供給される。

【００９４】その後、制御部５００は、モータＭ１，Ｍ
２を駆動する。その結果、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）
が回転駆動され、これに伴って、ウエハＷが低速回転す
る。また洗浄具９２は逆回転駆動される。

【００９５】さらに、制御部５００は、昇降駆動部３１
５，３２５を制御し、表面ブラシ３１および裏面ブラシ
３２を互いに近づく方向に移動させる。その結果、保持
用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保持されているウエハＷは、
表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２によって挟み込ま
れ、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２によりウエハ
Ｗの上面および下面が擦られる。これにより、ウエハＷ
の上面および下面が薬液が供給されつつ表面ブラシ３１
および裏面ブラシ３２によってスクラブ洗浄される。そ
の結果、ウエハＷの上面および下面に残っていたスラリ
ーが除去される。

【００９６】同時にウエハＷの端部は周縁部洗浄手段９
０により洗浄される。周縁部洗浄手段９０はウエハＷの
回転とは逆に回転するるので、洗浄位置にて充分な洗浄
作用をウエハＷの端部の周縁に対して行うこととなる。

【００９７】所定の時間経過後、制御部５００は、昇降
駆動部３１５，３２５を制御し、表面ブラシ３１および
裏面ブラシ３２を互いにウエハＷから離れる方向に移動
させ、ウエハＷから表面ブラシ３１および裏面ブラシ３
２を離れさせる。その後、開閉弁３１９ａ，３１９ｂを
閉じて開閉弁３２９ａ，３２９ｂを開くよう制御し、洗
浄用パイプ３１８ｂ，３２８ｂと純水供給路３１９ｂ，
３２９ｂとを接続させる。その結果、洗浄液供給ノズル
３１７ｂ，３２７ｂから純水がウエハＷの上面および下
面に供給され、ウエハＷの上面および下面に残っている
薬液等が洗い流される。

【００９８】その後、制御部５００は、開閉弁３２９
ａ，３２９ｂを制御し純水の吐出を停止させ、また、回
転駆動部３１４，３２４の駆動を停止して表面ブラシ３
１および裏面ブラシ３２の回転を停止させる。さらに、
モータＭ１，Ｍ２の駆動を停止させ、ウエハＷと周縁部
洗浄手段９０の回転を停止させる。これにより、両面洗
浄装置３４におけるスクラブ洗浄処理が終了する。

【００９９】その後、制御部５００は、反転装置３によ
りウエハＷは表裏が反転され保持装置３３に保持され、
上記と同じようにスクラブ洗浄処理が行われる。

【０１００】その結果、ウエハＷの周縁部の表面上に残
っているエッチング液が洗い流されるとともに、ウエハ
Ｗの周縁部に残っていたスラリーが除去されたり、不要
な薄膜がエッチングされる。

【０１０１】洗浄処理終了後、制御部５００は、保持ハ
ンド３５ａ，３５ｂをウエハＷに向けて移動させる。こ
れにより、シャトル搬送ロボット６０はウエハＷを次の
処理部４０へ搬送する。処理部４０では、ブラシ４１に
より表面洗浄処理を行う。そして、処理部５０では、純
水等のリンス液を使用してウエハの最終リンスを行った
後、ウエハを高速に回転させて、スピンドライ乾燥（リ
ンス処理・乾燥処理）を行う。

【０１０２】さらに、搬送ロボット１０は、処理部５０
での最終リンス処理が行われて、乾燥処理されたウエハ
Ｗを取り出してウエハＷを基板収納部７に設けられてい
るポッド９に収納する。

【０１０３】以上のように本実施形態によれば、ウエハ
Ｗの端部を下方から保持して洗浄できるようにしている
から、ウエハＷ端部への当接状態を確実に出来るととも
に、別途、洗浄位置まで横移動させる構造を必要としな
い。したがって、ウエハＷの周縁部にスラリーが残って
いる場合であっても、当該スラリーを確実に除去でき
る。その結果、スラリーと薄膜との反応生成物が発生す
ることもなくなる。そのため、ＣＭＰ処理後のウエハＷ
の全体を良好に洗浄できる。よって、高品質な半導体製
造装置を提供できる。

【０１０４】本発明の実施の一形態の説明は以上のとお
りであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるもの
ではない。たとえば上記実施形態では、ウエハＷの中央
部と周縁部とを１つの処理室３０１にて洗浄する場合を
例にとって説明しているが、たとえばウエハＷの中央部
を第１の処理室にて洗浄した後、別の第２の処理室にて
ウエハＷの周縁部を洗浄するようにしてもよい。この構
成によっても、ウエハＷの中央部と周縁部とを洗浄する
ことができるから、上記実施形態と同様に、膜残り等の
不具合を解消でき、ウエハＷの表面の全体を良好に洗浄
できる。

【０１０５】また、上記実施形態では、図４から図７ま
で及び図９に示すように、ウエハＷを６つの保持用ロー
ラ８０によって保持する構成を例にとって説明している
が、ウエハＷを保持すべき保持用ローラは少なくとも３
つ以上あればよい。この場合、３つ以上の保持用ローラ
のうちいずれか１つに対してだけ駆動力を伝達するよう
にしてもよい。この構成によっても、ウエハＷを端面に
て保持しつつ回転させることができる。

【０１０６】さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄手
段９０をウエハＷの回転方向Ｂと反対方向に回転させて
いるが、固定としてもよい。または、同方向にウエハＷ
の回転速度（周速）と異なる回転速度（周速）で回転さ
せてもよい。

【０１０７】さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄手
段９０を１個配置する構成としているが、複数配置する
構成としてもよい。

【０１０８】さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄手
段９０の洗浄具９２をブラシ毛９２２で構成したが、例
えばＰＶＡによる多数の気孔を有するスポンジ状の部材
で構成してもよい。

【０１０９】さらに、上記実施形態では、ＣＭＰ処理後
のウエハＷの洗浄を行う場合を例にとって説明している
が、本発明は、ＣＭＰ処理後に限らずに、ウエハＷの中
央部と周縁部とを洗浄する必要のある場合に広く適用す
ることができる。

【０１１０】さらに、上記実施形態では、ウエハＷの洗
浄が行われる場合について説明しているが、本発明は、
液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・デ
ィスプレイ・パネル）基板など他の各種の基板の洗浄に
対して広く適用することができる。その他、特許請求の
範囲に記載された範囲で種々の設計変更を施すことが可
能である。

【０１１１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被処理体の中央部はもちろん、被処理体の周縁部をも良
好に洗浄することができる。また被処理体の端部を洗浄
する洗浄部に傾斜側面を有する周縁部洗浄手段で、被処
理体の平面側から洗浄部の傾斜側面に当接させることで
洗浄するようにしているから、被処理体の端部を掴み損
ねて落下することを防止できる。また、周縁部洗浄手段
を一方向に移動するだけでセットできるので駆動機構が
少なくて構成できる。

【０１１２】請求項２記載の発明は、請求項１に記載の
洗浄装置において、前記周縁部洗浄手段を回転させる回
転駆動部を有する。本発明によれば、被処理体の端部の
平面部と端面に対して相対移動により擦るように洗浄す
る。したがって、回転している被処理体の周縁部のすべ
てを確実に洗浄することができる。

【０１１３】請求項３記載の発明は、洗浄部は植設され
たブラシ毛より成ることを特徴とす請求項１または請求
項２に記載の洗浄装置である。本発明によれば、回転し
ている被処理体の周縁部のすべてをさらに確実に洗浄す
ることができる。

【０１１４】請求項４記載の発明は、洗浄部は一体形成
されたスポンジ体より成ることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載の洗浄装置である。本発明によれ
ば、回転している被処理体の周縁部のすべてをさらに確
実に洗浄することができる。

【０１１５】請求項５記載の発明によれば、被処理体が
薄膜が形成された表面を研磨する加工処理がされた基板
であっても周縁部のすべてをさらに確実に洗浄すること
ができる。なお、ここでいう加工処理には、薄膜が形成
された基板の表面を研磨するＣＭＰ処理等の研磨処理が
考えられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す
平面図である。

【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＹＺ
平面における概略断面図である。

【図３】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＺＸ
平面における概略断面図である。

【図４】本発明の実施の形態に係る洗浄装置の構成を示
す概略平面図である。

【図５】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を示す図４
のＤ−Ｄ矢視の断面図である。

【図６】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を示す要部
を断面とした側面図である。

【図７】図５の保持ハンド３５ａの拡大図である。

【図８】周縁部洗浄手段を示す概略断面図である。

【図９】保持ローラを示す側面図である。

【図１０】周縁部洗浄手段を示す断面図である。

【図１１】シャトル搬送ロボットによる処理部間搬送の
様子を示す説明図である。

【図１２】カバーと保持部との動作関係を示す概略側面
図で、（ａ）はウェハを保持した状態、（ｂ）は保持部
を起立状態にした状態である。

【図１３】基板処理装置の制御部の構成を示すブロック
図である。

【図１４】従来の洗浄装置の概略構成図である。

【図１５】従来の洗浄装置の構成を示す側面図である。

【図１６】従来の基板の端部の洗浄領域を示す説明図で
ある。

【符号の説明】

３０、４０、５０処理部３３保持装置３５両面洗浄装置９０周縁部洗浄手段９１軸部９２洗浄具９２２ブラシ毛９３回転駆動部１００基板処理装置２００ＣＭＰ装置Ｗウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄板状の被処理体を処理する洗浄装置に
おいて、前記被処理体の端部を洗浄する傾斜側面を有する洗浄部
を有する周縁部洗浄手段と、前記周縁部洗浄手段を被処理体の平面側から当接させる
移動手段と、を有し、前記移動手段は被処理体の端部を周縁部洗浄手段の前記
傾斜側面に当接させることを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】請求項１に記載の洗浄装置において、前記周縁部洗浄手段を回転させる回転駆動部を有するこ
とを特徴とする洗浄装置。
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の洗浄装置
において、前記洗浄部は、植設されたブラシ毛より成ることを特徴
とする洗浄装置。
【請求項４】請求項１又は請求項２に記載の洗浄装置
において、前記洗浄部は、一体形成されたスポンジ体より成ること
を特徴とする洗浄装置。
【請求項５】請求項１又は請求項２に記載の洗浄装置
において、前記被処理体は、薄膜が形成された表面を研磨する加工
処理がされた基板であることを特徴とする洗浄装置。