JP4586274B2 - 半導体基板の洗浄装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板の洗浄装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図7は従来の枚葉式ウェハー洗浄装置の一例を示す要部断面側面図である。
図7に示したように、この種のウェハー洗浄装置では、回転テーブル102上に平面視略円形の半導体ウェハー104(単にウェハー104ともいう)を保持して回転させ、一方、ノズル108はウェハー104のおおむね半径の範囲で、あるいはおおむね直径の範囲で、たとえば往復運動させる。その状態で、ノズル108から洗浄液110をウェハー表面に対し吐出させ、ウェハー104の表面に付着したゴミなどの汚染物質を洗い流し、ウェハー表面を洗浄する。その際、洗浄液110が周辺に飛び散ることを防止するため、ウェハー104を囲む覆い112(飛散阻止手段)が設けられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、洗浄液110がエッジ106近傍に吐出された場合、図8の部分拡大側面図に矢印で示したように、洗浄液110はウェハー104のエッジ106にあたって周囲に広く飛散する。そして外側に飛散した洗浄液110は上記覆い112により遮られ、覆い112の内面に付着する。
【0004】
ウェハー104は、このような洗浄の後、高速で回転させて乾燥させるが、そのとき生じる気流などにより、覆い112の内面に付着した洗浄液110Aが、図7に矢印Aで示したように、ウェハー104上に落下する場合がある。この落下した洗浄液110に汚染物質が含まれていた場合、乾燥後、汚染物質がウェハー表面に残ってしまい、洗浄不良が発生する結果となる。
【0005】
この問題を回避するため、従来は洗浄液110がウェハー104のエッジ106に入射する前にノズル108をウェハー104の中心側に戻して洗浄液110がエッジ部に入射しないようにし、洗浄液110の飛散を抑えて、覆い112の内面に洗浄液110が付着することを防止していた。
【0006】
図9の(A)は洗浄前のウェハー表面の汚染状態を示す平面図、(B)は従来の方式による洗浄を行った後のウェハー表面の汚染状態を示す平面図である。図中、個々の点が個々の汚染物質を表している。
図9の(A)および(B)を比較して分かるように、洗浄によりウェハー104上の汚染物質は全体として減少しているが、上述のように、洗浄液110がウェハー104のエッジ部には入射しないようにしているため、ウェハー104の周辺部(エッジ部)では汚染物質が充分には除去されず、高密度で残留している。
【0007】
本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、その目的は、半導体基板の周辺部においても確実に汚染物質を除去でき、しかも飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止した半導体基板の洗浄装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の半導体基板の洗浄装置は、半導体基板を保持して回転させる基板駆動手段と、前記半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるとき、前記基板駆動手段を制御して前記半導体基板の回転速度を抑制する回転速度制御手段とを備え、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をWとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±W/2の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記回転速度制御手段は、前記半導体基板の回転速度を抑制すべく前記基板駆動手段を制御する。
【0009】
また、本発明の半導体基板の洗浄装置は、半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を増減する吐出量調整手段と、前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるとき、前記吐出量調整手段を制御して前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を抑制させる吐出量制御手段とを備え、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をWとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±W/2の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記吐出量制御手段は、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を抑制すべく前記吐出量調整手段を制御する。
【0010】
また、本発明の半導体基板の洗浄装置は、半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段と、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を変化させる吐出方向調整手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板の少なくともエッジ近傍に吐出されるとき、前記吐出方向調整手段を制御して前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を前記半導体基板に対してほぼ直角に設定させる吐出方向制御手段とを備え、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をWとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±W/2の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記吐出方向制御手段は、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を前記半導体基板に対しほぼ直角に設定すべく前記吐出方向調整手段を制御する。
【0011】
本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、回転速度制御手段は基板駆動手段を制御して半導体基板の回転速度を抑制する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【0012】
また、本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出量制御手段は吐出量調整手段を制御して、ノズルから吐出される洗浄液の量を抑制する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【0013】
そして、本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出方向制御手段は吐出方向調整手段を制御してノズルから吐出される洗浄液の方向を半導体基板に対してほぼ直角に設定する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態例について図面を参照して説明する。
図1は本発明による半導体基板の洗浄装置の一例を示す構成図である。図中、図7と同一の要素には同一の符号が付されている。
図1に示したように、本実施の形態例の半導体基板の洗浄装置2は、回転可能に支持されたテーブル102に連結されてテーブル102を回転駆動し、テーブル102とともに基板駆動手段を構成するモーター6と、平面視略円形のウェハー104の表面に対して洗浄液110を吐出させるノズル108と、ノズル108の位置を制御して、ノズル108から吐出された洗浄液110がウェハー104に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段10とを含んでいる。
【0015】
ノズル108は不図示の支持手段によって、ウェハー104の中心を通過してウェハー104を直線的に横断させるべくウェハー面に平行に移動可能に支持され、また揺動可能に支持されている。洗浄位置設定手段10は、本実施の形態例では、ノズル駆動手段12を含み、ノズル駆動手段12は、ノズル108を駆動してウェハー104の直径方向に移動させる。
【0016】
本実施の形態例では、半導体基板の洗浄装置2はさらに、洗浄位置検出手段14および回転速度制御手段16を備えている。
洗浄位置検出手段14は、ノズル108からの洗浄液110がウェハー104のエッジ106近傍に吐出されるか否かを検出する。そして、回転速度制御手段16は、洗浄位置検出手段14による検出結果にもとづき、洗浄液110の、ウェハー104に対する入射位置がウェハー104のエッジ106近傍のとき、モーター6を制御してウェハー104の回転速度を抑制する。
【0017】
次に、このように構成された半導体基板の洗浄装置2の動作について説明する。
モーター6はテーブル102を回転駆動し、テーブル102上に保持されたウェハー104はテーブル102とともに回転する。一方、洗浄位置設定手段10のノズル駆動手段12は、ノズル108を駆動してウェハー104の直径方向に移動させ、これによりノズル108は、ウェハー104の中心を通過しウェハー104を直線的に横断して移動し、ウェハー104のおおむね直径の範囲で往復運動を繰り返す。その結果、ノズル108から吐出された洗浄液110がウェハー104に入射する位置が変化し、ウェハー表面の全体が洗浄液110により洗浄される。
【0018】
そして、本実施の形態例では、洗浄位置検出手段14は、ノズル108からの洗浄液110がウェハー104のエッジ近傍に吐出されるか否かを、ノズル108の位置を検出することにより検出する。
回転速度制御手段16は、この検出結果にもとづき、洗浄液110の入射位置がウェハー104のエッジ106近傍のとき、モーター6を制御してウェハー104の回転速度を抑制する。
たとえば、ウェハー表面における洗浄液110の、ウェハー直径方向における幅Wが10mm以下の場合、ウェハー104のエッジ位置を中心とする、ウェハー直径方向における約±5mmの範囲内に洗浄液110の入射位置があるとき、回転速度制御手段16は、ウェハー104の回転速度を抑制すべくモーター6を制御する。なお、洗浄液110は上述のように幅をもって吐出されるが、ここで入射位置とは、洗浄液110がウェハー104の表面に当たっている箇所の中心Cをいう。
【0019】
図2はウェハー104の回転速度の変化を示すグラフである。図中、横軸はウェハー104の中心からの距離を表し、縦軸は回転速度を表している。また、直線Bはノズル108の移動方向および移動経路を示している。ウェハーの半径が100mmの場合、回転速度制御手段16による制御の結果、ウェハー104は、洗浄液110の入射位置が−95mm〜95mmの範囲内にあるときは高速に回転し、95mmから105mm、および−95〜−105mmの範囲内あるときは、たとえば1/3程度の低速回転となる。
【0020】
したがって、洗浄液110がウェハー104のエッジ106に入射しても洗浄液110の飛散は少なく、洗浄液110が、ウェハー104周辺に設けた覆い112に付着することを抑えることができる。その結果、覆い112に付着した洗浄液110の落下による再汚染を防止でき、かつウェハー104の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【0021】
図3の(A)は洗浄前のウェハー表面の汚染状態を示す平面図、(B)は実施の形態例による洗浄を行った後のウェハー表面の汚染状態を示す平面図である。
図中、個々の点が個々の汚染物質を表している。
図3の(A)と(B)とを比較して分かるように、また、従来の洗浄方式の場合を示す図9の(B)と図3の(B)とを比較して分かるように、本実施の形態例による洗浄では、ウェハー104の周辺部(エッジ部)においても汚染物質が充分に除去されている。
【0022】
なお、洗浄位置検出手段14による洗浄位置の検出は、たとえば、ウェハー104のエッジ近傍にスイッチを設け、ノズル108がエッジ部に移動したとき、スイッチの可動部がノズル108に押圧されてスイッチがオン・オフするようにして実現したり、あるいは、光や音波がノズル108の移動により遮断さることを利用して実現することができる。また、光や音波を利用する場合には、ノズル108から吐出された洗浄液110により光や音波が遮られるようにして、たとえばウェハー表面に近い箇所で洗浄液110の吐出位置を検出することも可能である。
【0023】
次に、本発明の第2の実施の形態例について説明する。
図4は本発明の第2の実施の形態例を示す構成図である。図中、図1と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する説明はここでは省略する。
第2の実施の形態例の半導体基板の洗浄装置18は、ノズル108から吐出される洗浄液110の量を増減する吐出量調整手段20、および洗浄位置検出手段14により、洗浄液110の吐出位置がウェハー104のエッジ106近傍であることを検出したとき、吐出量調整手段20を制御してノズル108から吐出される洗浄液110の量を抑制させる吐出量制御手段22を備えている。
【0024】
この半導体基板の洗浄装置18は次のように動作する。
モーター6はテーブル102を回転駆動し、テーブル102上に保持されたウェハー104はテーブル102とともに回転する。一方、洗浄位置設定手段10のノズル駆動手段12は、ノズル108を駆動してウェハー104の直径方向に移動させ、これによりノズル108は、ウェハー104の中心を通過しウェハー104を直線的に横断して移動し、往復運動を繰り返す。その結果、ノズル108から吐出された洗浄液110がウェハー104に入射する位置が変化し、ウェハー表面の全体が洗浄液110により洗浄される。
【0025】
そして、洗浄位置検出手段14は、ノズル108からの洗浄液110がウェハー104のエッジ近傍に吐出されるか否かを、ノズル108の位置を検出することにより検出する。
吐出量制御手段22は、この検出結果にもとづき、洗浄液110の吐出位置がウェハー104のエッジ106近傍のとき、吐出量調整手段20を制御してノズル108から吐出される洗浄液110の量を抑制する。
【0026】
たとえば、ウェハー表面における洗浄液110の、ウェハー直径方向における幅Wが10mm以下の場合、ウェハー104のエッジ位置を中心とする、ウェハー直径方向における約±5mmの範囲内に洗浄液110の吐出位置があるとき、吐出量制御手段22は吐出量を抑制すべく吐出量調整手段20を制御する。
ウェハーの半径が100mmであるとすると、洗浄液110の吐出量は、ウェハーの中心を0として洗浄液110の吐出位置が−95mm〜95mmの範囲内にあるときは通常の吐出量であり、洗浄液110の吐出位置が95mmから105mm、および−95〜−105mmの範囲内あるときは、たとえば1/3程度の吐出量となる。
【0027】
したがって、洗浄液110がウェハー104のエッジ106に入射しても洗浄液110の飛散は少なく、洗浄液110が、ウェハー104周辺に設けた覆い112に付着することを抑えることができる。その結果、覆い112に付着した洗浄液110の落下による再汚染を防止でき、かつウェハー104の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【0028】
次に、本発明の第3の実施の形態例について説明する。
図5は本発明の第3の実施の形態例を示す構成図である。図中、図1と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する説明はここでは省略する。
本発明の半導体基板の洗浄装置24は、ノズル108から吐出される洗浄液110の方向を変化させる吐出方向調整手段26を含んでいる。この吐出方向調整手段26により、ノズル108の揺動角が調整され、ウェハー104の表面状態などに応じて高い洗浄効果が得られるよう、ノズル108の姿勢は適切に傾斜させた状態に設定され、洗浄液110はウェハー表面に対して斜めから入射する。
【0029】
半導体基板の洗浄装置24は、さらに、洗浄位置検出手段14により洗浄液110の入射位置がウェハー104のエッジ106近傍であることを検出したとき、吐出方向調整手段26を制御してノズル108から吐出される洗浄液110の方向をウェハー104に対してほぼ直角に設定させる吐出方向制御手段28を備えている。
【0030】
本実施の形態例では、上記実施の形態例の場合と同様、回転するウェハー104に対し、直径方向に往復運動するノズル108から洗浄液110が吐出されるが、ノズル108は通常、洗浄効果を高めるべく、吐出方向調整手段26により、姿勢が傾斜した状態に設定され、洗浄液110はウェハー表面に対し斜めに入射する。
【0031】
そして、吐出方向制御手段28は、洗浄位置検出手段14により洗浄液110の入射位置がウェハー104のエッジ106近傍であることを検出したとき、吐出方向調整手段26を制御してノズル108から吐出される洗浄液110の方向をウェハー104に対してほぼ直角に設定させ、洗浄液110をウェハー表面に対してほぼ直角に入射させる。
たとえば、ウェハー表面における洗浄液110の、ウェハー直径方向における幅Wが10mm以下の場合、ウェハー104のエッジ位置を中心とする、ウェハー直径方向における約±5mmの範囲内に洗浄液110の入射位置があるとき、吐出方向制御手段28は上述のように洗浄液110を直角に入射させるべく吐出方向調整手段26を通じてノズル108の姿勢を制御する。
【0032】
図6は、洗浄液110がウェハー表面に対して直角に入射する場合の洗浄液110の飛散状態を矢印により示す部分拡大側面図である。図6と図8とを比較すると、エッジ106に入射した洗浄液110は、斜めに入射した場合(図8)は上方も含む広い範囲に飛散するが、直角に入射した場合(図6)は飛散しても主に下方に飛散する。
【0033】
したがって、洗浄液110がウェハー104のエッジ106に入射しても洗浄液110の飛散は少なく、洗浄液110が、ウェハー104周辺に設けた覆い112に付着することを抑えることができる。その結果、覆い112に付着した洗浄液110の落下による再汚染を防止でき、かつウェハー104の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【0034】
なお、第3の実施の形態例では、洗浄液110のウェハー104に対する入射位置は、たとえばノズル108の位置とともに、ノズル108の傾斜角を用いて正確に検出することができる。あるいは、上述のように、光や音波を用いて、ウェハー表面部で洗浄液110の位置を直接検出することも可能である。
【0035】
上記実施の形態例では、いずれの場合も、ノズル108を移動させて洗浄位置を変化させるとしたが、ノズル108は固定として、ウェハー104側を移動させることで洗浄位置を変化させてもよく、その場合にも本発明は無論有効である。
また、上記実施の形態例では平面視略円形の半導体基板を回転させて洗浄を行うとしたが、半導体基板は円形に限らず、たとえば矩形であっても、洗浄位置が半導体基板のエッジ106近傍のとき、半導体基板の回転速度や、洗浄液110の吐出量を抑制したり、洗浄液110の入射方向を半導体基板に対してほぼ直角とすることで同様の効果を得ることができる。
【0036】
さらに、第2および第3の実施の形態例では、ウェハー104を回転させつつ洗浄を行うとしたが、ウェハー104は静止させ、ノズル108のみを移動させて洗浄を行う場合にも、洗浄液110の入射位置が半導体基板のエッジ106近傍のとき吐出量を抑えたり、入射方向を制御することで洗浄液110の飛散を抑えることができ、このような場合にも本発明は有効である。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、回転速度制御手段は基板駆動手段を制御して半導体基板の回転速度を抑制する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【0038】
また、本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出量制御手段は吐出量調整手段を制御して、ノズルから吐出される洗浄液の量を抑制する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【0039】
そして、本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出方向制御手段は吐出方向調整手段を制御してノズルから吐出される洗浄液の方向を半導体基板に対してほぼ直角に設定する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体基板の洗浄装置の一例を示す構成図である。
【図2】ウェハーの回転速度の変化を示すグラフである。
【図3】(A)は洗浄前のウェハー表面の汚染状態を示す平面図、(B)は実施の形態例による洗浄を行った後のウェハー表面の汚染状態を示す平面図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態例を示す構成図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態例を示す構成図である。
【図6】洗浄液がウェハー表面に対して直角に入射する場合の洗浄液の飛散状態を示す部分拡大側面図である。
【図7】従来の枚葉式ウェハー洗浄装置の一例を示す要部断面側面図である。
【図8】洗浄液がウェハー表面に対して斜めに入射する場合の洗浄液の飛散状態を矢印により示す部分拡大側面図である。
【図9】(A)は洗浄前のウェハー表面の汚染状態を示す平面図、(B)は従来の方式による洗浄を行った場合のウェハー表面の汚染状態を示す平面図である。
【符号の説明】
2……半導体基板の洗浄装置、6……モーター、10……洗浄位置設定手段、12……ノズル駆動手段、14……洗浄位置検出手段、16……回転速度制御手段、18……半導体基板の洗浄装置、20……吐出量調整手段、22……吐出量制御手段、24……半導体基板の洗浄装置、26……吐出方向調整手段、28……吐出方向制御手段、102……回転テーブル、104……半導体ウェハー(ウェハー)、106……エッジ、108……ノズル、110……洗浄液、112……覆い。
Claims (9)
- 半導体基板を保持して回転させる基板駆動手段と、前記半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、
前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、
前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、
前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるとき、前記基板駆動手段を制御して前記半導体基板の回転速度を抑制する回転速度制御手段と
を備え、
前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をWとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±W/2の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記回転速度制御手段は、前記半導体基板の回転速度を抑制すべく前記基板駆動手段を制御する
半導体基板の洗浄装置。 - 前記半導体基板は平面視略円形であり、前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、前記半導体基板に対する入射位置を、前記半導体基板の直径方向に移動させる
請求項1記載の半導体基板の洗浄装置。 - 前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルを前記半導体基板の直径方向に移動させるノズル駆動手段を含んでいる
請求項2記載の半導体基板の洗浄装置。 - 半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、
前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、
前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を増減する吐出量調整手段と、
前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、
前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるとき、前記吐出量調整手段を制御して前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を抑制させる吐出量制御手段と
を備え、
前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をWとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±W/2の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記吐出量制御手段は、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を抑制すべく前記吐出量調整手段を制御する
半導体基板の洗浄装置。 - 前記半導体基板は平面視略円形であり、前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、前記半導体基板に対する入射位置を、前記半導体基板の直径方向に移動させる
請求項4記載の半導体基板の洗浄装置。 - 前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルを前記半導体基板の直径方向に移動させるノズル駆動手段を含んでいる
請求項5記載の半導体基板の洗浄装置。 - 半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段と、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を変化させる吐出方向調整手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、
前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、
前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、
前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板の少なくともエッジ近傍に吐出されるとき、前記吐出方向調整手段を制御して前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を前記半導体基板に対してほぼ直角に設定させる吐出方向制御手段と
を備え、
前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をWとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±W/2の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記吐出方向制御手段は、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を前記半導体基板に対しほぼ直角に設定すべく前記吐出方向調整手段を制御する
半導体基板の洗浄装置。 - 前記半導体基板は平面視略円形であり、前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、前記半導体基板に対する入射位置を、前記半導体基板の直径方向に移動させる
請求項7記載の半導体基板の洗浄装置。 - 前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルを前記半導体基板の直径方向に移動させるノズル駆動手段を含んでいる
請求項8記載の半導体基板の洗浄装置。
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