JPH1092781A

JPH1092781A - 基板の搬送方法及び装置

Info

Publication number: JPH1092781A
Application number: JP16059597A
Authority: JP
Inventors: Toshiro Maekawa; 敏郎前川; Toshimi Hamada; 聡美濱田; Riichiro Aoki; 利一郎青木; Shoichi Kodama; 祥一児玉; Hiromi Yajima; 比呂海矢島
Original assignee: Ebara Corp; Toshiba Corp
Current assignee: Ebara Corp; Toshiba Corp
Priority date: 1996-06-04
Filing date: 1997-06-03
Publication date: 1998-04-10

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板上を湿潤状態に保ちながら、半導
体基板搬送中に半導体基板上の処理液を他へこぼすこと
が無いような基板の搬送方法及び装置を提供する【解決手段】半導体基板、ガラス基板、液晶パネル等
の基板を処理工程間において搬送する前に、基板上に保
持される処理液の量を所定の目標量に調整する工程を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板の搬送方法及び
装置に係り、特に半導体ウエハ、ガラス基板、液晶パネ
ル等の基板を複数の工程を経て処理する際に、処理工程
間において基板を搬送する方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパの結像面の平坦
度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦化
することが必要となるが、この平坦化の一手段として所
定成分の研磨液を供給しながら機械的研磨を行なう化学
的機械的研磨処理（ＣＭＰ）などの処理方法が実用化さ
れている。

【０００３】また、半導体基板上に配線間距離より大き
なダストが存在すると、配線がショートするなどの不具
合が生じるため、半導体基板上に許容される残留ダスト
の大きさも配線間距離に比べ十分小さいことが要求され
る。そのために、半導体基板は処理後に洗浄することが
必要である。

【０００４】このように基板処理は複数の工程を経て行
われる。即ち、研磨が終わった、半導体基板は一枚一枚
洗浄されて所定位置に収容される。この枚葉洗浄を物理
洗浄方式で行なう方式としては、例えば、ナイロン・モ
ヘア等のブラシやＰＶＡ（ポリ・ヴィニル・アルコー
ル）スポンジで半導体基板の表面を擦るいわゆるスクラ
ビング洗浄や、超音波ジェット、高圧水等を噴射させ半
導体基板に当てる洗浄方法がある。さらに、キャビテー
ションを有する高圧水を半導体基板に噴射させる洗浄方
法があり、これらの洗浄方法を組み合わせて洗浄を行う
ことが一般的である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような複数の洗浄
工程間において半導体基板を搬送する場合は、半導体基
板を処理液で濡らした状態で行なう。半導体基板を最終
的に洗浄が終了するまでは濡れた状態にしておかない
と、ごみの再付着を招くことがあり、また、半導体基板
が生乾きになるとウォーターマークが生じるからであ
る。特に、ＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシン
グ）処理を終えた半導体基板では、一度半導体基板を乾
燥させると、付着したスラリーが固着して除去出来なく
なるため、洗浄工程間では積極的に湿潤状態を保持して
いる。

【０００６】ところで、このように洗浄工程間の半導体
基板の搬送を半導体基板が濡れたままの状態で行なう
と、特に最近の高スループット機におけるように搬送ス
ピードが速い場合は、搬送中に半導体基板上の処理液が
半導体基板よりこぼれ落ちることがある。こぼれ落ちた
処理液は、乾燥し、舞い上がった固形分はパーティクル
源となる。特に、洗浄工程で使用する洗浄液の種類が異
なる場合は、異種の処理液間で化学反応を起こすことも
ある。

【０００７】本発明は上述の事情に鑑みなされたもの
で、上記問題点を除去し、半導体基板上を湿潤状態に保
ちながら、半導体基板搬送中に半導体基板上の処理液を
他へこぼすことが無いような基板の搬送方法及び装置を
提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明は、上述した目
的を達成するためになされたもので、請求項１に記載の
発明は、半導体基板、ガラス基板、液晶パネル等の基板
を該基板の処理工程間において搬送する前に、基板上に
保持される処理液の量を所定の目標量に調整することを
特徴とする基板の搬送方法である。

【０００９】この目標量としては、基板の搬送中及び次
の洗浄位置で処理液が掛けられる前に乾燥することがな
く、かつ、搬送中に処理液をこぼさないで済むような量
を設定する。このような方法により、複数の洗浄工程間
の搬送中での乾燥を防ぎつつ、被洗浄物上の処理液がこ
ぼれ落ちるのを防ぎあるいはその量を最小限に止め、汚
染源の生成を防止することができる。保持処理液量を調
整する方法としては、何らかのセンサを用いて基板上の
保持液量を観測し、所定値になったときに搬送を行なう
方法がある。

【００１０】請求項２に記載の発明は、前記調整工程
が、一定状態にある基板上に充分な量の処理液を供給し
た基準状態から、一定パターンの処理液排除動作を行な
うことにより処理液量を調整するものであることを特徴
とする請求項１に記載の基板の搬送方法である。ここに
おいて、保持量が一定であるような適当な基準状態を設
定し、その状態から、一定パターンの処理液排除動作を
行なえば、一定の処理液量が基板上に残ると考えられ
る。従って、液量検出などの複雑な操作を行なうことな
く、設備コストや手間を掛けずに保持液量の有効な調整
が可能である。

【００１１】請求項３に記載の発明は、前記基板の一定
状態が、基板を水平に静止させた状態であることを特徴
とする請求項２に記載の基板の搬送方法である。水平に
静止した状態で処理液を基板上に供給してからこれを止
めると、表面張力との均衡で決まる一定量の保持量が得
られる。請求項４に記載の発明は、前記基板の一定状態
が、基板を水平において一定速度で回転させた状態であ
ることを特徴とする請求項２に記載の基板の搬送方法で
ある。一定速度で回転させた状態は、特に低速であれば
充分基準状態として有効である。

【００１２】請求項５に記載の発明は、前記一定パター
ンの処理液排除動作が、基板の回転動作を含むことを特
徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の基板の搬送
方法である。基板を回転させることにより、遠心力のた
めに基板上の処理液は外方に移動して縁から落ちる。一
定にするパターンは、回転の速度の変化や排除処理時間
などを選ぶが、全ての因子を一定にする必要はなく、排
除量を調整するのに有効な因子を選択的に設定すればよ
い。

【００１３】前記一定パターンの処理液排除動作は、基
板の往復回転動作を含む。請求項６に記載の発明は、前
記一定パターンの処理液排除動作は、処理液排除部材を
基板に接近又は接触させる動作を含むことを特徴とする
請求項２乃至５のいずれかに記載の基板の搬送方法であ
る。前記処理液排除部材はブラシ又はスポンジ等の吸水
性部材であることを特徴とする。請求項７に記載の発明
は、前記の基板の処理工程のうち、前工程が化学的機械
的研磨処理であることを特徴とする請求項１乃至６のい
ずれかに記載の基板の搬送方法である。

【００１４】前記処理工程は、少なくとも一方が洗浄工
程であることを特徴とする。請求項８に記載の発明は、
半導体基板、ガラス基板、液晶パネル等の基板を段階的
に処理する複数の処理手段と、一つの処理手段から次の
処理手段に該基板を搬送する手段と、基板上に処理液を
供給する処理液供給手段と、基板を搬送する前に、基板
上に保持される処理液の量を所定の目標量に調整する制
御手段とを有することを特徴とする基板の搬送装置であ
る。前記制御手段は、一定状態にある基板上に充分な量
の処理液を供給した基準状態から、一定パターンの処理
液排除動作を行なうものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る基板の搬送方
法及び装置の実施例を図１乃至図３に基づいて説明す
る。図１は、本発明の基板の搬送方法を実施する洗浄装
置を備えたポリッシング装置の平面図であり、図２はそ
の側面図である。図１に示すように、ポリッシング装置
は、半導体基板１を研磨するための研磨部３０と、研磨
部３０で研磨された半導体基板１を洗浄するための洗浄
装置４０とを備えている。研磨部３０は、中央部に配置
されたターンテーブル２１と、半導体基板１を保持する
トップリング２３を有したポリッシングユニット２２
と、ドレッシングツール２６を有したドレッシングユニ
ット２５とを備えている。

【００１６】洗浄装置４０は、処理前の半導体基板（半
導体ウエハ）１の供給と回収を行なうロード／アンロー
ド・ステージ２と、半導体基板１を反転させるドライ反
転機３及びウェット反転機４と、半導体基板１を搬送す
る搬送装置５Ａ，５Ｂと、４つの洗浄機、即ち、第１次
洗浄機７，第２次洗浄機８，第３次洗浄機９，第４次洗
浄機１０とから構成されている。

【００１７】第１次洗浄機７は、研磨部３０で研磨され
た半導体基板１を最初に洗浄する洗浄機であり、半導体
基板１を把持及び回転させつつ、洗浄液を半導体基板１
の両面に介在させて、半導体基板１の両面に洗浄具を当
接させて半導体基板１の両面洗浄を行う。第２次洗浄機
８は、第１次洗浄機７で洗浄された半導体基板１を２番
目に洗浄する洗浄機であり、第１次洗浄機７と同様に構
成している。第３次洗浄機９は、第２次洗浄機８で洗浄
された半導体基板１を３番目に洗浄する洗浄機であり、
具体的構成は図３に示す。第４次洗浄機１０は、第３次
洗浄機９で洗浄された半導体基板１を最後に洗浄及び乾
燥する洗浄機であり、第３次洗浄機９と同様な基板回転
機構と、半導体基板１上を水平に揺動可能な洗浄液供給
ノズルとを有し、半導体基板１を回転させた状態で、前
記ノズルから超音波振動された洗浄液を半導体基板１の
表面に噴射させて、前記ノズルを揺動させつつ半導体基
板１の表面を洗浄し、次に前記洗浄液の供給と前記ノズ
ルの揺動を止めて、スピン乾燥によって洗浄液で濡れた
半導体基板１の表面の乾燥を行う。

【００１８】図１に示すポリッシング装置において、研
磨前の半導体基板１を収納したカセット５０がロード／
アンロード・ステージ２にセットされると、搬送装置５
Ａがカセット５０から１枚の半導体基板１を取り出して
ドライ反転機３に受け渡す。ドライ反転機３は半導体基
板１を反転する。搬送装置５Ｂがドライ反転機３から半
導体基板１を受け取って研磨部３０における受け渡し装
置（図示せず）上に載置する。次に、半導体基板１は受
け渡し装置から受け渡し装置の上方に移動してきたトッ
プリング２３に受け渡される。半導体基板１を保持した
トップリング２３は、ターンテーブル２１上に移動して
半導体基板１をターンテーブル２１の表面の研磨面に圧
接し、各々独立に回転するターンテーブル２１とトップ
リング２３によって半導体基板１の表面を研磨する。そ
の後再びトップリング２３は受け渡し装置の上方に移動
し、研磨後の半導体基板１が受け渡し装置に渡される。

【００１９】受け渡し装置上の半導体基板１は、搬送装
置５Ｂによってウエット反転機４に受け渡されて反転さ
れた後に、搬送装置５Ｂ及び５Ａによって、第１次〜第
４次洗浄機７〜１０に順次送られ、ここで洗浄及び乾燥
された後、搬送装置５Ａによってロード／アンロード・
ステージ２上のカセット５０に戻される。

【００２０】図３は、第１次〜第４次洗浄機７〜１０に
使用可能な洗浄機の一例を示し、半導体基板１を保持し
て所要の回転数で水平回転するスピンチャック１１と、
表面を洗浄する洗浄部材１２を装着した回転可能な洗浄
具１３と、先端に前記洗浄具を有する昇降可能な揺動ア
ーム１４と、半導体基板１の被洗浄面に洗浄液（処理
液）を噴射する洗浄液ノズル１５と、洗浄具を洗浄する
自己洗浄ステージ１６とから構成されている。洗浄具１
３は回転軸２７により揺動アーム１４の先端部分に回転
可能に支持され、アーム１４内に設けた駆動機構（図示
せず）により所定回転数で回転するようになっている。

【００２１】前記自己洗浄ステージ１６は、上面が水平
である洗浄ステージ１９と、洗浄ステージ１９を支持す
る支柱１８と、洗浄ステージ１９の上面に取付けられ洗
浄部材１２が当接する、例えば石英製の洗浄プレート１
７と、洗浄部材１２に洗浄液を噴射するノズル２０とか
ら構成されている。自己洗浄ステージ１６においては、
半導体基板１の洗浄後、揺動アーム１４を揺動させて洗
浄具１３を自己洗浄ステージ１６上に移動させ、続けて
降下させ、洗浄部材１２を洗浄プレート１７に当接させ
る。そして、洗浄部材１２を回転させ、かつノズル２０
から洗浄液を供給しながら、洗浄部材１２を洗浄プレー
ト１７に所定の圧力で押圧することにより、洗浄部材１
２を自己洗浄する。

【００２２】ポリッシング装置においては、前述したよ
うに、処理する半導体基板１はロード／アンロード・ス
テージ２から搬送装置５Ａによりドライ反転機３に搬送
され、ここで表裏面を逆にした後、次に搬送装置５Ｂに
より研磨部３０に送られ、研磨部３０で研磨処理され
る。研磨後の半導体基板１は、搬送装置５Ｂによりウェ
ット反転機４に搬送され、ここで純水によりリンスされ
て湿潤状態に保たれながら半導体基板１の表面を上に反
転した後、搬送装置５Ｂにより第１次及び第２次洗浄機
７，８に順次送られる。次に搬送装置５Ａにより第３次
及び第４次洗浄機９，１０に順次送られる。搬送装置５
Ａ，５Ｂは半導体基板１上の純水を落とさないように水
平状態を保って、純水がそのままの位置に止まるよう搬
送する。最終的には第４次洗浄機１０によって乾燥さ
れ、ロード／アンロード・ステージ２上のカセット５０
に戻される。

【００２３】次に、各洗浄機７〜１０における洗浄工程
について、図４を参照して説明する。被洗浄物である半
導体基板１は搬送装置５Ａ，５Ｂのアーム等によりスピ
ンチャック１１（図３参照）上に搬送され、被洗浄面が
上向きに保持される（ｓｔ１）。次に、保持された半導
体基板１をスピンチャック１１で所定回転数で回転させ
ると同時に、洗浄液ノズル１５から半導体基板１のほぼ
中央に向けて洗浄液（処理液）を供給し、洗浄を開始す
る（ｓｔ２）。

【００２４】揺動アーム１４を上昇させることにより、
洗浄具１３を自己洗浄ステージ１６から取り出し、上昇
位置のまま揺動アーム１４を揺動させることにより、洗
浄具１３を半導体基板１のほぼ中心位置まで移動させ
る。次に揺動アーム１４を下降させ、洗浄部材１２を半
導体基板１に当接させる。

【００２５】スピンチャック１１で支持され回転する半
導体基板１の被洗浄面に洗浄部材１２を揺動アーム１４
によって半導体基板１に所定の圧力で押し付ける。この
とき、洗浄部材１２は独立して回転している。揺動アー
ム１４を半導体基板１の外周部まで所定速度で揺動させ
ることによりスクラブ洗浄する。

【００２６】半導体基板１の外周まで揺動した揺動アー
ム１４を揺動停止後、上昇させて洗浄部材１２を半導体
基板１の被洗浄面から離す。上昇させた揺動アーム１４
を再び半導体基板１の中心位置まで揺動させれば、この
洗浄動作を繰り返し行うことができる。洗浄動作が終了
すると、アーム１４を上昇させ、スピンチャック１１の
回転を止める（ｓｔ３）。

【００２７】図５に示す従来の搬送方法では、この洗浄
動作終了後、半導体基板１の回転を停止させて（ｓｔ
３）から、洗浄液ノズル１５からの洗浄液の供給を継続
し（ｓｔ４）、その後に供給を停止していた（ｓｔ
５）。何故ならば半導体基板１は常に湿潤状態を保って
いなければならず、半導体基板１の回転が停止する前に
洗浄液の供給を停止すると、半導体基板１上の洗浄液が
振り切られてしまうからである。

【００２８】一方、本発明の搬送方法では、洗浄終了
（ｓｔ３）から、半導体基板１が停止した後、半導体基
板１へ洗浄液を継続して供給する（ｓｔ４）。ここまで
のシーケンスには、従来と変化はないが、搬送装置５
Ａ，５Ｂが半導体基板１をスピンチャック１１から取り
出して搬送する前に、半導体基板１上の洗浄液を物理的
方法で排除して半導体基板１上に保持される洗浄液の量
を調整する工程を行なう。すなわち、洗浄液の供給を止
め（ｓｔ５）、リンスを停止した後、さらに半導体基板
１を洗浄工程の際の回転数よりも低い回転数で回転させ
る（ｓｔ６）。これによって、次の洗浄等の処理を行な
うまでの待機時や搬送中にも半導体基板１の湿潤状態を
保つことができるとともに、搬送中に洗浄液がこぼれに
くい程度の保持量とする。さらに、半導体基板１の回転
を停止し、搬送装置５Ｂがスピンチャック１１から半導
体基板１を取り出し、後段の処理装置に送る。なお、待
機時間が長い場合には、一定時間だけ低速回転を行った
後に回転を停止して待機を継続する。

【００２９】搬送前の半導体基板１上の洗浄液を排除す
る工程は、この例では、搬送前に半導体基板１を低い回
転数で回転させることにより半導体基板１上の洗浄液を
落とすことによって行われる。基板を回転させることに
より、遠心力のために基板上の洗浄液は外方に移動して
縁から落ちる。回転の速度の変化や排除処理時間などを
一定とすれば、常に一定の液量が基板上に残る。

【００３０】ウエハチャックはＡＣサーボモータにより
容易に回転数は制御し得、発明者等の実験によればＣＭ
Ｐ研磨後の酸化膜付き半導体基板の場合、５００ｒｐｍ
で５秒程度の回転数で回転させれば、搬送中のこぼれが
ほとんどなく、しかも、乾燥してパーティクルが落ちな
くなるようなこともないという結果が出ている。

【００３１】なお、処理液を所定量に制御する方法とし
ては、上記の例に限られるものではなく、例えば、図３
の洗浄機で、半導体基板１を往復回転（一方向の回転
と、その逆方向の回転とを交互に行う）させてもよい。

【００３２】また、図６に示すように、搬送装置５Ａ，
５Ｂに処理液を所定量に制御する手段を設けてもよい。
即ち、搬送装置５Ａ，５Ｂは、可動部を２組有し、それ
ぞれの可動部はアーム部ａ，ｂ，ｃとハンドｄとを有す
る。アーム部ａ，ｂ，ｃは、それぞれ独立に水平方向ｈ
に移動可能で、またそれぞれ水平面内で独立に回転可能
である。またアーム部ａは上下方向ｊに移動可能であ
る。

【００３３】ハンドｄは、アーム部ｃの先端に、その回
転軸を水平方向にした状態にて回転可能に設けてある。
ハンドｄは半導体基板１を把持する。ハンドｄが半導体
基板１上の処理液を所定量に制御する動作を洗浄機７上
で行うときは、半導体基板１上から除かれた処理液が他
の洗浄機等の処理装置に対して飛散しないように、洗浄
機７は洗浄室７ａにより囲まれている。

【００３４】図６に示す搬送装置の動作について説明す
ると、洗浄機７で半導体基板１を洗浄後、半導体基板１
を搬送装置５Ａ（又は５Ｂ）により後段の処理装置へ搬
送する前に、洗浄室７ａ内で搬送装置５Ａ（又は５Ｂ）
のアーム部ａ，ｂ，ｃ及びハンドｄを用いて、半導体基
板１を水平面内にて回転（例えば約３０°の回転角度範
囲内を往復揺動する）させ、又は水平方向に（ｈ方向）
移動させ、又はハンドｄを回転させて、半導体基板１を
水平面に対して所定角度傾動させる等によって、半導体
基板１を運動させ、半導体基板１上の洗浄液を落とすこ
とにより洗浄液を所定量除去する。

【００３５】さらに、処理液を所定量に制御する方法と
して、図３の洗浄機において、洗浄部材１２で半導体基
板１面の処理液を荷重を掛けることなく拭き取る方法も
採用可能である。また洗浄部材１２はブラシ又はスポン
ジ等の吸水性部材で構成し、半導体基板１上の処理液を
吸水させて所定量除去してもよい。

【００３６】図７及び図８は、半導体基板上の処理液の
量を所定の量に制御する際に、処理液の量を検知する例
を示す図である。図７に示す例においては、スピンチャ
ック１１の基板載置面１１ｓにロードセル３５を設置し
ている。ロードセル３５はスピンチャック１１及びシャ
フト内を通って、スリップリング（図示せず）を介して
外部の制御装置に接続されている。本例においては、ス
ピンチャック１１の把持爪１１ａを開いてから、半導体
基板１と半導体基板１上の処理液の全体の重量をロード
セル３５によって計測する。半導体基板１の重量は予め
計測されていて既知であるため、半導体基板１上の処理
液の量を知ることができる。本実施例によれば、半導体
基板１上の処理液の量を計測によって正確に測定し、予
め定めた量と比べて過不足があれば、処理液の除去作業
又は洗浄液ノズル１５からの供給作業を行い、所定量に
調節することができる。なお、ロードセルを用いた本構
成を搬送装置に適用してもよい。即ち、ウエハハンド上
のウエハ載置面にロードセルを取り付けてもよい。

【００３７】図８に示す例においては、スピンチャック
１１の上方に超音波変位センサ３６を設置している。超
音波変位センサ３６によって、センサ３６から半導体基
板１上の処理液の液面までの距離ｈを計測する。センサ
３６から半導体基板１の上面までの距離は予め計測され
ていて既知であるため、半導体基板１上の処理液の液膜
の厚さを知り、処理液の量を知ることができる。本実施
例によれば、半導体基板１上の処理液の量を計測によっ
て正確に測定し、予め定めた量と比べて過不足があれ
ば、処理液の除去作業又は洗浄液ノズル１５からの供給
作業を行い、所定量に調節することができる。本実施例
においては、計測中にスピンチャック１１の把持爪１１
ａを開く必要はない。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数の洗浄工程間の搬送時に、基板の乾燥を防止しつつ基
板の洗浄液がこぼれ落ちないように保持液量を調整する
ので、搬送中にこぼれた液が乾燥して汚染源になること
を防止することができるとともに、搬送中及び待機中の
適当な時間の間に基板が乾燥してウォーターマークを発
生させることもない。また、静止状態で洗浄液を供給し
て基準状態とし、ここから一定のパターンの液排除動作
を行なうことにより、液量調整を簡単な装置構成で行な
うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の基板の搬送方法の一実施例を説明す
るための基板の洗浄装置を示す平面図である。

【図２】同じく側面図である。

【図３】洗浄機を示す斜視図である。

【図４】この発明の洗浄工程の流れを示すフロー図であ
る。

【図５】従来の洗浄工程の流れを示すフロー図である。

【図６】搬送装置の一例を示す側面図である。

【図７】半導体基板上の処理液の量を所定の量に制御す
る際に、処理液の量を検知する一例を示す断面図であ
る。

【図８】半導体基板上の処理液の量を所定の量に制御す
る際に、処理液の量を検知する他の例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１半導体基板２ロード／アンロード・ユニット３，４反転機５Ａ，５Ｂ搬送装置７，８，９，１０洗浄機１１スピンチャック１２洗浄部材１３洗浄具１４揺動アーム１５洗浄液ノズル２１ターンテーブル２３トップリング３０研磨部４０洗浄装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者青木利一郎神奈川県川崎市幸区堀川町72番地株式会社東芝川崎事業所内 (72)発明者児玉祥一神奈川県川崎市幸区堀川町72番地株式会社東芝川崎事業所内 (72)発明者矢島比呂海神奈川県川崎市幸区堀川町72番地株式会社東芝川崎事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板、ガラス基板、液晶パネル等
の基板を処理工程間において搬送する前に、基板上に保
持される処理液の量を所定の目標量に調整する工程を行
なうことを特徴とする基板の搬送方法。
【請求項２】前記調整工程は、一定状態にある基板上
に充分な量の処理液を供給した基準状態から、一定パタ
ーンの処理液排除動作を行なうことにより処理液量を調
整するものであることを特徴とする請求項１に記載の基
板の搬送方法。
【請求項３】前記基板の一定状態は、基板を水平に静
止させた状態であることを特徴とする請求項２に記載の
基板の搬送方法。
【請求項４】前記基板の一定状態は、基板を水平かつ
一定速度で回転させた状態であることを特徴とする請求
項２に記載の基板の搬送方法。
【請求項５】前記一定パターンの処理液排除動作は、
基板の回転動作を含むことを特徴とする請求項２乃至４
のいずれかに記載の基板の搬送方法。
【請求項６】前記一定パターンの処理液排除動作は、
処理液排除部材を基板に接近又は接触させる動作を含む
ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の基
板の搬送方法。
【請求項７】前記の基板の処理工程のうち、前工程が
化学的機械的研磨処理であることを特徴とする請求項１
乃至６のいずれかに記載の基板の搬送方法。
【請求項８】半導体基板、ガラス基板、液晶パネル等
の基板を段階的に処理する複数の処理手段と、一つの処
理手段から次の処理手段に該基板を搬送する手段と、基
板上に処理液を供給する処理液供給手段と、基板を搬送
する前に、基板上に保持される処理液の量を所定の目標
量に調整する制御手段とを有することを特徴とする基板
の搬送装置。