JP2020024137A - 液面検出センサと組み合わせて使用されるセンサターゲットカバー、および湿式処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光学式液面検出センサが液面の上昇を誤検出するのを防止することができるセンサターゲットカバーを提供する。【解決手段】センサターゲットカバー１５０は、光学式液面検出センサ１４５と組み合わせて使用される。センサターゲットカバー１５０は、反射板１８０と、反射板１８０を囲む内壁構造体１５４と、内壁構造体１５４を囲む外壁構造体１６４とを備える。内壁構造体１５４と外壁構造体１６４との間には隙間が形成されている。【選択図】図６

Description

本発明は、基板洗浄装置やバフ研磨装置などの湿式処理装置の液面検出センサと組み合わせて使用されるセンサターゲットカバーに関する。また、本発明は、そのようなセンサターゲットカバーおよび光学式液面検出センサを備えた湿式処理装置に関する。

化学機械研磨（ＣＭＰ）装置では、ウェーハなどの基板を研磨した後に基板が洗浄される。ＣＭＰ装置は、一般に、基板を化学機械的に研磨するＣＭＰユニットと、研磨された基板を洗浄するための洗浄ユニットを備えている。洗浄ユニットは、基板に薬液またはリンス液などの液体を供給しながら、基板にロールスポンジやペンスポンジなどの洗浄具を摺接させることで、基板の表面および裏面を洗浄する。

このような洗浄ユニットには、液体を排出するためのドレインポートが設けられている。基板の洗浄に使用された液体は、ドレインポートを通って排出される。しかしながら、ドレインポートが基板の破片などのごみで詰まってしまうと、液体は洗浄ユニットから排出されず、洗浄ユニット内に溜まってしまう。その結果、洗浄ユニット内に配置された洗浄具や、洗浄具を回転させるためのモータが液体に浸漬してしまう。

そこで、洗浄ユニットは、洗浄ユニット内の液面を検出する光学式液面検出センサを備えている。この光学式液面検出センサは、洗浄ユニット内に配置された反射板に向けて光を放ち、反射板から反射した光量を測定するように構成されている。液面が上昇していないとき、光学式液面検出センサは反射板からの反射光を受け取ることができるが、液面が上昇して反射板が液体中に没すると、空気と液体とでは屈折率が異なるため、光学式液面検出センサは反射板からの反射光を受け取ることができない。結果として、光学式液面検出センサによって測定される光量が低下する。光量の測定値は、信号処理部によってしきい値と比較され、光量の測定値がしきい値よりも低下したとき、信号処理部は洗浄ユニット内の液面の上昇を検出する。

特開２０１５−２３０９４０号公報

しかしながら、液面が上昇していないときに反射板に液体が付着したり、あるいは反射板が結露すると、光の反射の仕方が変わり、光学式液面検出センサによって測定される光量が低下することがある。結果として、信号処理部は液面の上昇を正しく検出することができない場合があった。

そこで、本発明は、光学式液面検出センサが液面の上昇を誤検出するのを防止することができるセンサターゲットカバーを提供することを目的とする。また、本発明は、そのようなセンサターゲットカバーおよび光学式液面検出センサを備えた湿式処理装置を提供することを目的とする。

一態様では、光学式液面検出センサと組み合わせて使用されるセンサターゲットカバーであって、反射板と、前記反射板を囲む内壁構造体と、前記内壁構造体を囲む外壁構造体とを備え、前記内壁構造体と前記外壁構造体との間には隙間が形成されているセンサターゲットカバーが提供される。

一態様では、前記外壁構造体の下端は、前記内壁構造体の下端よりも高い位置にあり、前記外壁構造体の上端は、前記内壁構造体の上端よりも高い位置にある。
一態様では、前記内壁構造体の内部空間は、前記反射板によって第１の部屋と第２の部屋に仕切られている。
一態様では、前記内壁構造体は、前記反射板に対向する内保護壁と、前記反射板および前記内保護壁の両側に配置された２つの内側壁とを備える。
一態様では、前記外壁構造体は、前記２つの内側壁の外側にそれぞれ配置された２つの外側壁と、前記内保護壁の外側に配置された外保護壁と、天井壁とを備える。
一態様では、前記２つの内側壁の外面と前記２つの外側壁の内面との間にはそれぞれ隙間が形成されており、前記内保護壁の外面と前記外保護壁の内面との間には隙間が形成されており、前記２つの内側壁および前記内保護壁のそれぞれの上端と前記天井壁の下面との間には隙間が形成されている。

一態様では、処理槽と、前記処理槽内に配置された基板保持部と、前記処理槽に配置されたドレインポートと、前記処理槽内に配置された液体供給ノズルと、前記処理槽内の液面を検出する光学式液面検出センサと、前記光学式液面検出センサに対面する上記センサターゲットカバーを備える湿式処理装置が提供される。

一態様では、前記センサターゲットカバーの下端と、前記処理槽の底部との間には隙間が形成されている。
一態様では、湿式処理装置は、前記処理槽内に配置された排気ポートをさらに備える。
一態様では、湿式処理装置は、前記処理槽の基板入口および基板出口よりも高い位置に配置されたクリーンエア供給装置をさらに備える。

一態様では、基板を研磨する研磨部と、研磨された基板を洗浄する複数の上記湿式処理装置を備えた洗浄部と、研磨された基板を前記研磨部から前記洗浄部へと搬送する搬送装置を備える、基板処理装置が提供される。

反射板は内壁構造体によって囲まれ、内壁構造体は外壁構造体によって囲まれている。したがって、内壁構造体および外壁構造体は、液体の反射板への付着を防止することができる。さらに、内壁構造体と内壁構造体との間には隙間が形成されているので、センサターゲットカバー内に空気の流れが形成される。この空気の流れは、センサターゲットカバー内の反射板での結露を防止することができる。通常、処理槽の内部は、モータなどの発熱源および基板の処理に使用される液体の存在に起因して、高温多湿の状態となる。このような高温多湿の環境下でも、上述したセンサターゲットカバーは、通気性がよいので、その内部に配置された反射板での結露を防止することができる。したがって、光学式液面検出センサは、処理槽内の液面を正確に検出することができる。

ウェーハなどの基板を研磨し、研磨された基板を洗浄し、洗浄された基板を乾燥するための基板処理装置の一実施形態の概略図である。 図１に示す洗浄部の側面図である。 湿式処理装置の一実施形態を示す模式図である。 光学式液面検出センサおよびセンサターゲットカバーを示す斜視図である。 処理槽の正面壁が底部に固定されている状態を示す斜視図である。 図４に示すセンサターゲットカバーの斜視図である。 センサターゲットカバーの下方から見た斜視図である。 センサターゲットカバーの一部を破線で示した斜視図である。 支持部材に固定された光学式液面検出センサおよびセンサターゲットカバーを示す断面斜視図である。 処理槽内の液面が上昇したときの動作を示すフロチャートである。 センサターゲットカバー内に形成される空気の流れを示す図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、ウェーハなどの基板を研磨し、研磨された基板を洗浄し、洗浄された基板を乾燥するための基板処理装置の一実施形態の概略図である。図１に示すように、この基板処理装置は、略矩形状のハウジング１を備えており、ハウジング１の内部は隔壁１ａ，１ｂによってロード／アンロード部２と研磨部３と洗浄部４とに区画されている。基板処理装置は、基板処理動作を制御する動作制御部５を有している。

ロード／アンロード部２は、多数の基板（例えばウェーハ）を収納する基板カセットが載置されるフロントロード部２０を備えている。ロード／アンロード部２には、フロントロード部２０の並びに沿ってレール機構２１が敷設されており、このレール機構２１上に基板カセットの配列方向に沿って移動可能な搬送ロボット（ローダー）２２が設置されている。搬送ロボット２２はレール機構２１上を移動することによって、フロントロード部２０に搭載された基板カセットにアクセスできるようになっている。さらに搬送ロボット２２は上昇および下降ができるように構成されている。

研磨部３は、複数の基板を並列に研磨することができる複数の研磨ユニットを有する。本実施形態の研磨部３は、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。ただし、研磨ユニットの数は本実施形態に限定されない。

図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた第１研磨テーブル３０Ａと、基板を研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧し、研磨するための第１研磨ヘッド３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液（例えばスラリー）やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための第１液体供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うための第１ドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体を霧状にして研磨パッド１０の研磨面に噴射する第１アトマイザ３４Ａを備えている。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨パッド１０が取り付けられた第２研磨テーブル３０Ｂと、第２研磨ヘッド３１Ｂと、第２液体供給ノズル３２Ｂと、第２ドレッサ３３Ｂと、第２アトマイザ３４Ｂとを備えており、第３研磨ユニット３Ｃは、研磨パッド１０が取り付けられた第３研磨テーブル３０Ｃと、第３研磨ヘッド３１Ｃと、第３液体供給ノズル３２Ｃと、第３ドレッサ３３Ｃと、第３アトマイザ３４Ｃとを備えており、第４研磨ユニット３Ｄは、研磨パッド１０が取り付けられた第４研磨テーブル３０Ｄと、第４研磨ヘッド３１Ｄと、第４液体供給ノズル３２Ｄと、第４ドレッサ３３Ｄと、第４アトマイザ３４Ｄとを備えている。

第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、同一の構成を有している。第１研磨ユニット３Ａでは、基板の研磨は次のようにして行われる。研磨ヘッド３１Ａおよび研磨テーブル３０Ａをそれぞれ回転させ、液体供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０上に研磨液（スラリー）を供給する。この状態で、研磨ヘッド３１Ａは、基板を研磨パッド１０の研磨面に押し付ける。基板の表面は、研磨液の化学的作用と研磨液に含まれる砥粒の機械的作用により研磨される。研磨終了後は、ドレッサ３３Ａによる研磨面のドレッシング（コンディショニング）が行われ、さらにアトマイザ３４Ａから高圧の流体が研磨面に供給されて、研磨面に残留する研磨屑およびスラリーが除去される。第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄでも、同様にして基板の研磨が行われる。

第１研磨ユニット３Ａおよび第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。この第１リニアトランスポータ６は、４つの搬送位置（第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４）の間で基板を搬送する搬送装置である。また、第３研磨ユニット３Ｃおよび第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置されている。この第２リニアトランスポータ７は、３つの搬送位置（第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７）の間で基板を搬送する搬送装置である。

基板は、第１リニアトランスポータ６によって第１研磨ユニット３Ａおよび／または第２研磨ユニット３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａの研磨ヘッド３１Ａは、そのスイング動作により研磨テーブル３０Ａの上方位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、研磨ヘッド３１Ａと第１リニアトランスポータ６との間での基板の受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂの研磨ヘッド３１Ｂは研磨テーブル３０Ｂの上方位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、研磨ヘッド３１Ｂと第１リニアトランスポータ６との間での基板の受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃの研磨ヘッド３１Ｃは研磨テーブル３０Ｃの上方位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、研磨ヘッド３１Ｃと第２リニアトランスポータ７との間での基板の受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄの研磨ヘッド３１Ｄは研磨テーブル３０Ｄの上方位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、研磨ヘッド３１Ｄと第２リニアトランスポータ７との間での基板の受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２から基板を受け取るためのリフタ１１が配置されている。リフタ１１は搬送ロボット２２と第１リニアトランスポータ６との間に配置されている。基板はこのリフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、基板の搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１に基板が渡されるようになっている。

第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄部４との間には、基板を搬送するための搬送装置であるスイングトランスポータ１２が配置されている。第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７への基板の搬送は、スイングトランスポータ１２によって行われる。基板は、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃおよび／または第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。

スイングトランスポータ１２の側方には、図示しないフレームに設置された基板の仮置きステージ７２が配置されている。この仮置きステージ７２は、第１リニアトランスポータ６に隣接して配置されており、第１リニアトランスポータ６と洗浄部４との間に位置している。スイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４、第５搬送位置ＴＰ５、および仮置きステージ７２の間で基板を搬送する。

洗浄部４は、研磨された基板を洗浄する第１洗浄ユニット７３Ａ，７３Ｂおよび第２洗浄ユニット７４Ａ，７４Ｂと、洗浄された基板を乾燥する乾燥ユニット７５Ａ，７５Ｂを備えている。第１洗浄ユニット７３Ａは第１洗浄ユニット７３Ｂの上方に配置されており、第２洗浄ユニット７４Ａは第２洗浄ユニット７４Ｂの上方に配置されている。乾燥ユニット７５Ａは乾燥ユニット７５Ｂの上方に配置されている。

洗浄部４は、基板を搬送するための搬送装置として第１搬送ロボット７７および第２搬送ロボット７８をさらに備えている。仮置きステージ７２に載置された基板は、第１搬送ロボット７７によって洗浄部４内に搬入される。第１搬送ロボット７７は、第１洗浄ユニット７３Ａ，７３Ｂと第２洗浄ユニット７４Ａ，７４Ｂとの間に配置されている。第１搬送ロボット７７は、基板を仮置きステージ７２から第１洗浄ユニット７３Ａまたは第１洗浄ユニット７３Ｂに搬送するように動作する。第２搬送ロボット７８は、第２洗浄ユニット７４Ａ，７４Ｂと乾燥ユニット７５Ａ，７５Ｂとの間に配置されている。

図２は、洗浄部４の側面図である。図２に示すように、第１洗浄ユニット７３Ａは第１洗浄ユニット７３Ｂの上方に配置されており、第２洗浄ユニット７４Ａは第２洗浄ユニット７４Ｂの上方に配置されている。乾燥ユニット７５Ａは乾燥ユニット７５Ｂの上方に配置されている。第１搬送ロボット７７は、第１昇降軸８０に支持されており、第１昇降軸８０上を上下動可能に構成されている。第２搬送ロボット７８は、第２昇降軸８１に支持されており、第２昇降軸８１上を上下動可能に構成されている。

第１搬送ロボット７７は、基板を第１洗浄ユニット７３Ａまたは第１洗浄ユニット７３Ｂから、第２洗浄ユニット７４Ａまたは第２洗浄ユニット７４Ｂに搬送するように動作する。第２搬送ロボット７８は、基板を第２洗浄ユニット７４Ａまたは第２洗浄ユニット７４Ｂから、乾燥ユニット７５Ａまたは乾燥ユニット７５Ｂに搬送するように動作する。

洗浄部４は、２台の第１洗浄ユニット７３Ａ，７３Ｂ、２台の第２洗浄ユニット７４Ａ，７４Ｂ、および２台の乾燥ユニット７５Ａ，７５Ｂを備えているので、２枚の基板を並列して洗浄および乾燥する２つの洗浄レーンを構成することができる。「洗浄レーン」とは、洗浄部４の内部において、一つの基板が複数の洗浄ユニットおよび乾燥ユニットによって洗浄および乾燥される処理経路のことである。例えば、図２に示すように、１つの基板を、第１洗浄ユニット７３Ａ、第２洗浄ユニット７４Ａ、および乾燥ユニット７５Ａの順で搬送し（第１の洗浄レーン）、これと並列して、他の基板を、第１洗浄ユニット７３Ｂ、第２洗浄ユニット７４Ｂ、および乾燥ユニット７５Ｂの順で搬送することができる（第２の洗浄レーン）。このように、２つの並列する洗浄レーンは、２枚の基板を並列に洗浄および乾燥することができる。

２つの並列する洗浄レーンにおいて、複数の基板を所定の時間差を設けて洗浄および乾燥してもよい。所定の時間差で洗浄することの利点は次の通りである。第１搬送ロボット７７および第２搬送ロボット７８は、複数の洗浄レーンで兼用されている。このため、複数の洗浄または乾燥処理が同時に終了した場合には、搬送ロボットが即座に基板を搬送できず、スループットを悪化させてしまう。このような問題を回避するために、複数の基板を所定の時間差で洗浄および乾燥することによって、処理された基板を速やかに搬送ロボット７７，７８によって搬送することができる。

本実施形態では、第１洗浄ユニット７３Ａ，７３Ｂおよび第２洗浄ユニット７４Ａ，７４Ｂは、ロールスポンジ型の洗浄機である。ロールスポンジ型の洗浄機は、基板を回転させながら、かつ基板の上方および下方に配置された２つのロールスポンジを回転させながら、２つのロールスポンジを基板の上面および下面に接触させるように構成されている。本実施形態では、第１洗浄ユニット７３Ａ，７３Ｂおよび第２洗浄ユニット７４Ａ，７４Ｂは、同一の構造を有している。

一実施形態では、第１洗浄ユニット７３Ａ，７３Ｂまたは第２洗浄ユニット７４Ａ，７４Ｂは、ペンスポンジ型の洗浄機であってもよい。ペンスポンジ型の洗浄機は、基板を回転させながら、かつペン型スポンジを回転させながら、ペン型スポンジを基板の上面に接触させ、さらにペン型スポンジを基板の半径方向に移動させるように構成されている。基板の洗浄中は、基板の上面には洗浄液が供給される。

乾燥ユニット７５Ａ，７５Ｂは、純水ノズルおよびＩＰＡノズルを基板の半径方向に移動させながら、純水ノズルおよびＩＰＡノズルから純水とＩＰＡ蒸気（イソプロピルアルコールとＮ_２ガスとの混合物）を基板の上面に供給することで基板を乾燥させるＩＰＡタイプの乾燥機である。乾燥ユニット７５Ａ，７５Ｂは、他のタイプの乾燥機であってもよい。例えば、基板を高速で回転させるスピンドライタイプの乾燥機を使用することもできる。

本実施形態では、２台の第１洗浄ユニット７３Ａ，７３Ｂと、２台の第２洗浄ユニット７４Ａ，７４Ｂと、２台の乾燥ユニット７５Ａ，７５Ｂが設けられているが、本発明はこの実施形態に限らず、第１洗浄ユニット、第２洗浄ユニット、および乾燥ユニットをそれぞれ３台以上としてもよい。つまり、３つ以上の洗浄レーンを設けてもよい。一実施形態では、洗浄レーンは１つであってもよい。また、第２洗浄ユニット７４Ａ，７４Ｂと乾燥ユニット７５Ａ，７５Ｂとの間に、複数の第３洗浄ユニットをさらに設けてもよい。

次に、図１を参照して基板処理装置の動作の一例について説明する。搬送ロボット２２は、基板カセットから基板を取り出してリフタ１１に渡す。第１リニアトランスポータ６はリフタ１１から基板を取り出し、基板は第１リニアトランスポータ６および／または第２リニアトランスポータ７を経由して研磨ユニット３Ａ〜３Ｄのうちの少なくとも１つに搬送される。基板は、研磨ユニット３Ａ〜３Ｄのうちの少なくとも１つで研磨される。

研磨された基板は、第１リニアトランスポータ６または第２リニアトランスポータ７、スイングトランスポータ１２、第１搬送ロボット７７を経由して第１洗浄ユニット７３Ａおよび第２洗浄ユニット７４Ａに搬送され、研磨された基板はこれら第１洗浄ユニット７３Ａおよび第２洗浄ユニット７４Ａによって順次洗浄される。さらに、洗浄された基板は搬送ロボット７８によって乾燥ユニット７５Ａに搬送され、ここで洗浄された基板が乾燥される。上述したように、基板は、第１洗浄ユニット７３Ｂ、第２洗浄ユニット７４Ｂ、および乾燥ユニット７５Ｂに搬送される場合もある。

乾燥された基板は、搬送ロボット２２によって乾燥ユニット７５Ａから取り出され、フロントロード部２０上の基板カセットに戻される。このようにして、研磨、洗浄、および乾燥を含む一連の処理が基板に対して行われる。

第１洗浄ユニット７３Ａ，７３Ｂおよび第２洗浄ユニット７４Ａ，７４Ｂは、湿式処理装置である。図３は、湿式処理装置としての第２洗浄ユニット７４Ａの一実施形態を示す模式図である。図３に示す第２洗浄ユニット７４Ａは、ウェーハなどの基板Ｗを洗浄するための基板洗浄装置の一実施形態である。第２洗浄ユニット７４Ａは、処理槽１０１と、処理槽１０１内に配置された基板保持部１１０と、基板保持部１１０に保持された基板Ｗの表面を洗浄する洗浄具としてのロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂとを備えている。基板保持部１１０は、基板Ｗの周縁部を保持する保持ローラー１１１を備えている。各保持ローラー１１１は、自身の軸心を中心に回転可能に構成されている。保持ローラー１１１が基板Ｗの周縁部を保持しながら、各保持ローラー１１１がその軸心を中心に回転することで、基板Ｗが回転する。

ロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂは、基板Ｗの上側と下側に配置されている。ロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂの軸心は水平に延びており、自身の軸心を中心に回転可能に構成されている。さらに、ロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂは基板Ｗの上面および下面に近づく方向および離れる方向に移動可能に構成されている。

ロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂに近接して２つの液体供給ノズル１１５Ａ，１１５Ｂが配置されている。液体供給ノズル１１５Ａ，１１５Ｂは処理槽１０１内に配置されている。液体供給ノズル１１５Ａは、基板保持部１１０に保持された基板Ｗの上面を向いており、液体供給ノズル１１５Ｂは基板保持部１１０に保持された基板Ｗの下面を向いている。液体供給ノズル１１５Ａ，１１５Ｂは、基板Ｗの上面および下面に液体を供給するように構成されている。液体は、薬液または純水などの処理液、および／または純水などのリンス液である。薬液およびリンス液を別々に供給するための４つ以上の液体供給ノズルを設けてもよい。基板Ｗの処理に使用される液体の種類は、本実施形態に限定されず、基板処理の目的に基づいて適宜選択される。

基板Ｗは次のようにして洗浄される。保持ローラー１１１は、基板Ｗの周縁部を保持しながら自身の軸心を中心に回転することで、基板Ｗを回転させる。液体供給ノズル１１５Ａ，１１５Ｂは薬液または純水などの処理液を回転する基板Ｗの上面および下面に供給しながら、回転するロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂが基板Ｗの上面および下面に接触する。ロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂは、処理液の存在下で基板Ｗの上面および下面をスクラブする。所定の時間が経過すると、ロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂは基板Ｗから離れる。次いで、液体供給ノズル１１５Ａ，１１５Ｂは、純水などのリンス液を回転する基板Ｗの上面および下面に供給し、基板Ｗの上面および下面をリンスする。このようにして基板Ｗの処理（洗浄）が行われる。

処理槽１０１の底部１０２にはドレインポート１１８が配置されている。基板Ｗの洗浄（処理）に使用された処理液およびリンス液などの液体は、処理槽１０１からドレインポート１１８を通って排出される。処理槽１０１の底部１０２はドレインポート１１８に向かって僅かに傾いており、液体がドレインポート１１８に向かって流れるようになっている。ドレインポート１１８は処理槽１０１の底部１０２から上方に突出している。ドレインポート１１８の全体には多数の穴が形成されており、ドレインポート１１８自体はストレーナとしても機能する。すなわち、液体は、ドレインポート１１８の穴を通ってドレインポート１１８内に流入する。本実施形態では、ドレインポート１１８は円筒形状を有しているが、他の形状を有してもよい。一実施形態では、ドレインポート１１８は、処理槽１０１の側壁１０３または側壁１０４または背面壁１０６の下端に設けられてもよい。

処理槽１０１の底部１０２には排気ポート１２１がさらに配置されている。排気ポート１２１は、図示しない真空ポンプに接続されている。排気ポート１２１は、処理槽１０１の内部空間から空気を常に排気しており、これにより処理槽１０１内には負圧が形成されている。処理槽１０１の底部１０２上の液体が排気ポート１２１内に進入しないように、排気ポート１２１は処理槽１０１の底部１０２から上方に突出している。本実施形態では、排気ポート１２１は処理槽１０１の底部１０２に設けられているが、一実施形態では、処理槽１０１の側壁１０３または側壁１０４または背面壁１０６に設けられてもよい。

処理槽１０１の両側には、基板Ｗを処理槽１０１内に搬入するための第１搬送ロボット７７と、基板Ｗを処理槽１０１から搬出するための第２搬送ロボット７８が配置されている。処理槽１０１の２つの側壁１０３，１０４には基板入口１２８および基板出口１２９がそれぞれ形成されている。これらの基板入口１２８および基板出口１２９は、それぞれ入口シャッター１３２および出口シャッター１３３で覆われている。これらシャッター１３２，１３３は図示しないアクチュエータで開閉されるようになっている。

基板入口１２８および基板出口１２９は、空気取り入れ口としても機能する。入口シャッター１３２および出口シャッター１３３が閉じているとき、処理槽１０１は完全に密閉されてはいない。すなわち、入口シャッター１３２および出口シャッター１３３が閉じているときでも、空気は、入口シャッター１３２と基板入口１２８との間の僅かな隙間、および出口シャッター１３３と基板出口１２９との間の僅かな隙間から処理槽１０１内に流入し、処理槽１０１内に空気の流れを形成する。入口シャッター１３２および出口シャッター１３３のうちのいずれかが開いたとき、大量の空気が基板入口１２８または基板出口１２９を通って処理槽１０１内に流入し、排気ポート１２１を通じて処理槽１０１から排出される。このとき、処理槽１０１内には空気の強い流れが形成される。

処理槽１０１の上方には、クリーンエア供給装置１４０が配置されている。このクリーンエア供給装置１４０は、ＨＥＰＡフィルタまたはＵＬＰＡフィルタと、ファンとを備えたファンフィルタユニットである。クリーンエア供給装置１４０は、周囲の空気から塵や粒子を取り除き、清浄化された空気の流れを形成する。クリーンエア供給装置１４０は、処理槽１０１の基板入口１２８および基板出口１２９よりも高い位置に配置される。クリーンエア供給装置１４０によって清浄化された空気は、上述の基板入口１２８および基板出口１２９、あるいは入口シャッター１３２と基板入口１２８との間の僅かな隙間、および出口シャッター１３３と基板出口１２９との間の僅かな隙間を介して処理槽１０１内に流入し、さらに排気ポート１２１に向かって流れる。処理槽１０１は、清浄空気の環境下に置かれ、これにより処理槽１０１内で処理される基板Ｗの汚染が防止される。尚、クリーンエア供給装置１４０の設置場所は、処理槽１０１の上方としたがこれに代えて、第１搬送ロボット７７および第２搬送ロボット７８のそれぞれが上下方向に移動する空間の最上部（例えば洗浄部４の天井部）で計２箇所に設置してもよい。

上述したように、ドレインポート１１８はストレーナとしても機能する。このため、基板の破片や異物によりドレインポート１１８が詰まることがある。ドレインポート１１８が詰まると、薬液や純水などの基板Ｗの処理に使用された液体を処理槽１０１から排出することができない。結果として、処理槽１０１内の液面が上昇し、処理槽１０１内の清浄度が低下してしまう。

そこで、処理槽１０１内の液面を検出するための光学式液面検出センサ１４５が処理槽１０１の底部１０２に設けられている。光学式液面検出センサ１４５は処理槽１０１の内部を向いて配置されている。さらに、処理槽１０１の底部１０２には、光学式液面検出センサ１４５に対面するセンサターゲットカバー１５０が設けられている。光学式液面検出センサ１４５は、信号処理部１４８に電気的に接続されており、光学式液面検出センサ１４５から出力された信号は信号処理部１４８に送られるようになっている。

図４は、光学式液面検出センサ１４５およびセンサターゲットカバー１５０を示す斜視図である。光学式液面検出センサ１４５およびセンサターゲットカバー１５０の両方は、支持部材１５２に固定されている。この支持部材１５２は、処理槽１０１の底部１０２に固定されており、処理槽１０１の底部１０２から上方に突出している。光学式液面検出センサ１４５は、支持部材１５２の外面に固定されており、センサターゲットカバー１５０は支持部材１５２の頂面に固定されている。センサターゲットカバー１５０の下端と処理槽１０１の底部１０２との間には隙間Ｇが形成されている。処理槽１０１内の液面が上昇すると、液体は隙間Ｇからセンサターゲットカバー１５０内に進入するようになっている。

センサターゲットカバー１５０は、内壁構造体１５４と、内壁構造体１５４を囲む外壁構造体１６４とを備える。内壁構造体１５４は２つの内側壁１５５を有し、外壁構造体１６４は、２つの内側壁１５５の外側にそれぞれ配置された２つの外側壁１６５と、２つの外側壁１６５に接続された天井壁１６７を有している。内壁構造体１５４は天井壁を有しない。外壁構造体１６４の下端は、内壁構造体１５４の下端よりも高い位置にあり、外壁構造体１６４の上端は、内壁構造体１５４の上端よりも高い位置にある。外壁構造体１６４の幅は、内壁構造体１５４の幅よりも大きい。

図５は、処理槽１０１の正面壁１０５が底部１０２に固定されている状態を示す斜視図である。上述した図４は、処理槽１０１の正面壁１０５が取り外された状態を示している。図５に示すように、正面壁１０５には光学式液面検出センサ１４５の外形に沿った形状の切り欠き１０５ａが形成されている。光学式液面検出センサ１４５がこの切り欠き１０５ａ内に位置した状態で、正面壁１０５は底部１０２に固定される。正面壁１０５は、支持部材１５２の外面および底部１０２に隙間なく接触しており、処理槽１０１内の液体が切り欠き１０５ａを通って外部に漏れないようになっている。

図６は、図４に示すセンサターゲットカバー１５０の斜視図であり、図７はセンサターゲットカバー１５０の下方から見た斜視図であり、図８は、センサターゲットカバー１５０の一部を破線で示した斜視図である。センサターゲットカバー１５０は、センサターゲットとしての反射板１８０を備えている。反射板１８０は、内壁構造体１５４に囲まれている。内壁構造体１５４は、反射板１８０に対向する内保護壁１５８と、反射板１８０および内保護壁１５８の両側に配置された２つの内側壁１５５とを備えている。内保護壁１５８は２つの内側壁１５５の間に配置されており、内保護壁１５８の両端は２つの内側壁１５５にそれぞれ接続されている。

内壁構造体１５４は外壁構造体１６４に囲まれている。外壁構造体１６４は、２つの内側壁１５５の外側にそれぞれ配置された２つの外側壁１６５と、内保護壁１５８の外側に配置された外保護壁１６８と、天井壁１６７とを備えている。外保護壁１６８は２つの外側壁１６５の間に配置されており、外保護壁１６８の両端は２つの外側壁１６５にそれぞれ接続されている。２つの外側壁１６５と、外保護壁１６８は、天井壁１６７に固定されている。２つの外側壁１６５および外保護壁１６８は、天井壁１６７から下方に延びている。内保護壁１５８は、反射板１８０と外保護壁１６８との間に配置されている。内保護壁１５８と外保護壁１６８は、反射板１８０に液体が付着することを防止する二重の保護壁を構成している。

内壁構造体１５４と外壁構造体１６４との間にスペーサ１７１，１７２が配置されている。より具体的には、２つの内側壁１５５の上部の一方側には２つの第１スペーサ１７１がそれぞれ固定されている。さらに、２つの内側壁１５５の上部の他方側には２つの第２スペーサ１７２がそれぞれ固定されている。第１スペーサ１７１および第２スペーサ１７２は、２つの内側壁１５５から外側に突出するとともに、２つの内側壁１５５の上端から上方に突出している。各外側壁１６５は第１スペーサ１７１および第２スペーサ１７２に接続されており、外保護壁１６８は２つの第２スペーサ１７２に接続されている。天井壁１６７の下面は、２つの第１スペーサ１７１および２つの第２スペーサ１７２に接続されている。天井壁１６７の下面および外側壁１６５の上端は、内側壁１５５の上端および内保護壁１５８の上端よりも高い位置にある。

内壁構造体１５４と外壁構造体１６４は、２つの第１スペーサ１７１および２つの第２スペーサ１７２によって連結され、２つの第１スペーサ１７１および２つの第２スペーサ１７２によって内壁構造体１５４と外壁構造体１６４との間に隙間が形成されている。より具体的には、内側壁１５５の外面と外側壁１６５の内面との間には隙間Ｈ１が形成され、内保護壁１５８の外面と外保護壁１６８の内面との間には隙間Ｈ２が形成され、内側壁１５５および内保護壁１５８のそれぞれの上端と天井壁１６７の下面との間には隙間Ｈ３が形成されている。内壁構造体１５４の内部空間は、これら隙間Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を通じて外部空間に連通している。

本実施形態では、反射板１８０、内壁構造体１５４、外壁構造体１６４、第１スペーサ１７１、および第２スペーサ１７２は、アクリル樹脂などの透明な樹脂から構成されている。

図９は、支持部材１５２に固定された光学式液面検出センサ１４５およびセンサターゲットカバー１５０を示す断面斜視図である。図９に示すように、天井壁１６７は、支持部材１５２に固定されている。本実施形態では、センサターゲットカバー１５０の天井壁１６７のみが支持部材１５２に接触し、センサターゲットカバー１５０の全体が支持部材１５２に支持されている。上述したように、センサターゲットカバー１５０の下端（すなわち、２つの内側壁１５５および内保護壁１５８の下端）は、処理槽１０１の底部１０２から隙間Ｇを介して離間している。

光学式液面検出センサ１４５は、光を発する光源（例えばＬＥＤ：発光ダイオード）と、光検出器とを有する。支持部材１５２は、通孔１５２ａを有しており、光学式液面検出センサ１４５は通孔１５２ａを覆うように支持部材１５２に固定されている。反射板１８０の一方の面は、光学式液面検出センサ１４５に対向しており、反射板１８０の他方の面は内保護壁１５８に対向している。内壁構造体１５４の内部空間は、反射板１８０によって第１の部屋１７６と第２の部屋１７７に仕切られている。第１の部屋１７６は、２つの内側壁１５５と反射板１８０とに囲まれ、第２の部屋１７７は、反射板１８０と２つの内側壁１５５と内保護壁１５８とに囲まれている。支持部材１５２の通孔１５２ａは第１の部屋１７６内に位置している。

反射板１８０は、光学式液面検出センサ１４５と内保護壁１５８との間に配置されている。光学式液面検出センサ１４５は、光を通孔１５２ａを通じて反射板１８０に導き、反射板１８０から反射した光量を測定するように構成されている。光学式液面検出センサ１４５は、光量の測定値を信号処理部１４８に送る。信号処理部１４８は、光量の測定値に基づいて処理槽１０１内の液面の上昇を検出するように構成されている。

処理槽１０１内の液体がドレインポート１１８を通じて正常に排出されているとき、すなわち処理槽１０１内の液面が上昇していないとき、光学式液面検出センサ１４５は反射板１８０からの反射光を受け取ることができる。処理槽１０１内の液面が上昇すると、液体は隙間Ｇを通ってセンサターゲットカバー１５０内に進入し、反射板１８０が液中に浸漬される。空気と液体とでは屈折率が異なるため、光学式液面検出センサ１４５は反射板１８０からの反射光を受け取ることができない。結果として、光学式液面検出センサ１４５によって測定される光量が低下する。信号処理部１４８は、光量の測定値を光学式液面検出センサ１４５から受け取り、光量の測定値を予め設定されたしきい値と比較し、光量の測定値がしきい値よりも低いときに、処理槽１０１内の液面上昇を決定する。

反射板１８０に液体が付着したり、反射板１８０が結露すると、処理槽１０１内の液面が上昇していないにもかかわらず、光学式液面検出センサ１４５によって測定される光量が低下する。結果として、信号処理部１４８は、液面上昇を誤検出してしまう。特に、本実施形態のように、回転する基板Ｗに液体を供給しながら基板Ｗを処理するとき、液体が基板Ｗから飛散して、反射板１８０に付着しやすい。

本実施形態によれば、反射板１８０は内壁構造体１５４によって囲まれ、内壁構造体１５４は外壁構造体１６４によって囲まれている。したがって、内壁構造体１５４および外壁構造体１６４は、液体の反射板１８０への付着を防止することができる。さらに、内壁構造体１５４と外壁構造体１６４との間には隙間が形成されているので、センサターゲットカバー１５０内に空気の流れが形成される。この空気の流れは、センサターゲットカバー１５０内の反射板１８０での結露を防止することができる。通常、処理槽１０１の内部は、モータなどの発熱源および基板Ｗの処理に使用される液体の存在に起因して、高温多湿の状態となる。このような高温多湿の環境下でも、上述したセンサターゲットカバー１５０は、通気性がよいので、その内部に配置された反射板１８０での結露を防止することができる。したがって、光学式液面検出センサ１４５は、処理槽１０１内の液面を正確に検出することができる。

図１０は、処理槽１０１内の液面が上昇したときの動作を示すフロチャートである。処理槽１０１内の液面が何らかの原因で上昇すると（ステップ１）、液体はセンサターゲットカバー１５０内に進入する。反射板（センサターゲット）１８０が液中に浸漬されると（ステップ２）、光学式液面検出センサ１４５によって測定される光量が低下する（ステップ３）。信号処理部１４８は、光量の測定値が予め設定されたしきい値よりも低いときに、図１に示す動作制御部５に液面上昇信号を送信する（ステップ４）。動作制御部５は、液面上昇信号を受け取ると、液体供給ノズル１１５Ａ，１１５Ｂに接続されたバルブ（図示せず）を閉じる（ステップ５）。これにより、処理槽１０１内の液面の上昇が停止される（ステップ６）。

次に、図３に示す湿式処理装置の一例である第２洗浄ユニット７４Ａの動作の一実施形態を説明する。排気ポート１２１から処理槽１０１内の空気を排気している状態で、入口シャッター１３２が開く。出口シャッター１３３は閉じたままである。入口シャッター１３２が開くと、クリーンエア供給装置（ファンフィルタユニット）１４０から供給された清浄な空気が大量に基板入口１２８から処理槽１０１内に流入し、処理槽１０１内に空気の強い流れが形成される。このとき、センサターゲットカバー１５０内にも空気の流れが形成される。さらに、処理槽１０１内に流入した清浄な空気によって、処理槽１０１内の温度が低下する。

第１搬送ロボット７７は、そのハンド７７ａに載置された処理すべき基板Ｗを基板入口１２８から処理槽１０１内に搬入する。基板保持部１１０の保持ローラー１１１が基板Ｗを受け取ると、第１搬送ロボット７７のハンド７７ａは処理槽１０１の外に移動する。次いで入口シャッター１３２が閉じる。保持ローラー１１１は、基板Ｗの周縁部を保持しながら自身の軸心を中心に回転することで、基板Ｗを回転させる。液体供給ノズル１１５Ａ，１１５Ｂは薬液または純水などの処理液を回転する基板Ｗの上面および下面に供給しながら、回転するロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂが基板Ｗの上面および下面に接触する。ロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂは、処理液の存在下で基板Ｗの上面および下面をスクラブする。所定の時間が経過すると、ロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂは基板Ｗから離れる。次いで、液体供給ノズル１１５Ａ，１１５Ｂは、純水などのリンス液を回転する基板Ｗの上面および下面に供給し、基板Ｗの上面および下面をリンスする。このようにして基板Ｗの処理（洗浄）が行われる。

基板Ｗの処理が終了した後、出口シャッター１３３が開く。クリーンエア供給装置（ファンフィルタユニット）１４０から供給された清浄な空気は大量に基板出口１２９から処理槽１０１内に流入し、処理槽１０１内に空気の強い流れが形成される。このとき、センサターゲットカバー１５０内にも空気の流れが形成される。さらに、処理槽１０１内に流入した清浄な空気によって、処理槽１０１内の温度が低下する。第２搬送ロボット７８はそのハンド７８ａで基板Ｗを保持ローラー１１１から取り出し、処理槽１０１から搬出する。そして、出口シャッター１３３が閉じる。

基板Ｗの処理前、基板Ｗの処理中、および基板Ｗの処理後、処理槽１０１内の空気は排気ポート１２１から排気され続ける。入口シャッター１３２および出口シャッター１３３が閉じているときでも、空気は、入口シャッター１３２と基板入口１２８との間の僅かな隙間、および出口シャッター１３３と基板出口１２９との間の僅かな隙間から処理槽１０１内に流入し、処理槽１０１内に空気の流れを形成する。したがって、処理槽１０１内の空気が排気ポート１２１から排気され続けている限り、処理槽１０１内には空気の流れが形成される。この空気の流れは、センサターゲットカバー１５０内にも空気の流れを形成する。

図１１は、センサターゲットカバー１５０内に形成される空気の流れを示す図である。図１１に示すように、空気は、センサターゲットカバー１５０の内壁構造体１５４と外壁構造体１６４との間の隙間を通ってセンサターゲットの第１の部屋１７６および第２の部屋１７７（図９参照）の両方を通過する。このような空気の流れは、反射板１８０での結露を防止することができる。

本発明者は、反射板１８０の結露が除去される様子を観察するための実験を行った。実験では、上述した実施形態に係るセンサターゲットカバー１５０と、隙間のない密閉されたセンサターゲットカバーが用いられた。実験は、周囲の温度が２３．５℃の下で、排気ポート１２１から処理槽１０１内の空気を排気しながら行われた。２つのセンサターゲットカバーの反射板を意図的に結露させた状態で実験を開始した。隙間のないセンサターゲットカバーの反射板は、実験開始から２時間経過しても結露が解消されなかったが、本実施形態に係るセンサターゲットカバー１５０の反射板１８０の結露は、実験開始から３０分後にほぼ解消された。この実験結果から、内壁構造体１５４と外壁構造体１６４との間の隙間は、反射板１８０の結露の除去に大きく寄与することが分かった。

上述した本実施形態に係るセンサターゲットカバー１５０および光学式液面検出センサ１４５を備えた湿式処理装置の例としては、図３に示すロールスポンジ１１２Ａ，１１２Ｂを備えた基板洗浄装置に加えて、ペンスポンジを備えた基板洗浄装置、および回転する基板にスラリーを供給しながら基板を仕上げ研磨するバフ研磨装置、あるいは基板の周縁部を研磨または研削する周縁部加工装置など、基板より小型の洗浄具や加工工具により回転する基板を処理する装置が挙げられる。

一実施形態では、外壁構造体１６４の２つの外側壁１６５を省略し、図６，図８に示す隙間Ｈ１，Ｈ３をなくしてもよい。この場合は、図７に示す隙間Ｈ２から空気がセンサターゲットカバー１５０内に流入する。さらに、一実施形態では、外壁構造体１６４の外保護壁１６８を省略し、図７に示す隙間Ｈ２をなくしてもよい。この場合は、図６，図８に示す隙間Ｈ１，Ｈ３から空気がセンサターゲットカバー１５０内に流入する。

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。

１ ハウジング
２ ロード／アンロード部
３ 研磨部
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ 研磨ユニット
４ 洗浄部
５ 動作制御部
６ 第１リニアトランスポータ
７ 第２リニアトランスポータ
１０ 研磨パッド
１１ リフタ
１２ スイングトランスポータ
２０ フロントロード部
２１ レール機構
２２ 搬送ロボット（ローダー）
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ 研磨テーブル
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ 研磨ヘッド
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ 液体供給ノズル
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ ドレッサ
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ アトマイザ
７２ 仮置きステージ
７３Ａ，７３Ｂ 第１洗浄ユニット
７４Ａ，７４Ｂ 第２洗浄ユニット
７５Ａ，７５Ｂ 乾燥ユニット
７７ 第１搬送ロボット
７８ 第２搬送ロボット
８０ 第１昇降軸
８１ 第２昇降軸
１０１ 処理槽
１０２ 底部
１０３，１０４ 側壁
１０５ 正面壁
１０５ａ 切り欠き
１１０ 基板保持部
１１１ 保持ローラー
１１２Ａ，１１２Ｂ ロールスポンジ（洗浄具）
１１５Ａ，１１５Ｂ 液体供給ノズル
１１８ ドレインポート
１２１ 排気ポート
１２５ 第１搬送ロボット
１２６ 第２搬送ロボット
１２８ 基板入口
１２９ 基板出口
１３２ 入口シャッター
１３３ 出口シャッター
１４０ クリーンエア供給装置
１４５ 光学式液面検出センサ
１４８ 信号処理部
１５０ センサターゲットカバー
１５２ 支持部材
１５４ 内壁構造体
１５５ 内側壁
１５８ 内保護壁
１６４ 外壁構造体
１６５ 外側壁
１６７ 天井壁
１６８ 外保護壁
１７１ 第１スペーサ
１７２ 第２スペーサ
１８０ 反射板

Claims (11)

1. 光学式液面検出センサと組み合わせて使用されるセンサターゲットカバーであって、
   反射板と、
   前記反射板を囲む内壁構造体と、
   前記内壁構造体を囲む外壁構造体とを備え、
   前記内壁構造体と前記外壁構造体との間には隙間が形成されているセンサターゲットカバー。
2. 前記外壁構造体の下端は、前記内壁構造体の下端よりも高い位置にあり、前記外壁構造体の上端は、前記内壁構造体の上端よりも高い位置にある、請求項１に記載のセンサターゲットカバー。
3. 前記内壁構造体の内部空間は、前記反射板によって第１の部屋と第２の部屋に仕切られている、請求項１または２に記載のセンサターゲットカバー。
4. 前記内壁構造体は、前記反射板に対向する内保護壁と、前記反射板および前記内保護壁の両側に配置された２つの内側壁とを備える、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のセンサターゲットカバー。
5. 前記外壁構造体は、前記２つの内側壁の外側にそれぞれ配置された２つの外側壁と、前記内保護壁の外側に配置された外保護壁と、天井壁とを備える、請求項４に記載のセンサターゲットカバー。
6. 前記２つの内側壁の外面と前記２つの外側壁の内面との間にはそれぞれ隙間が形成されており、前記内保護壁の外面と前記外保護壁の内面との間には隙間が形成されており、前記２つの内側壁および前記内保護壁のそれぞれの上端と前記天井壁の下面との間には隙間が形成されている、請求項５に記載のセンサターゲットカバー。
7. 処理槽と、
   前記処理槽内に配置された基板保持部と、
   前記処理槽に配置されたドレインポートと、
   前記処理槽内に配置された液体供給ノズルと、
   前記処理槽内の液面を検出する光学式液面検出センサと、
   前記光学式液面検出センサに対面するセンサターゲットカバーを備え、
   前記センサターゲットカバーは請求項１乃至６のいずれか一項に記載のセンサターゲットカバーである、湿式処理装置。
8. 前記センサターゲットカバーの下端と、前記処理槽の底部との間には隙間が形成されている、請求項７に記載の湿式処理装置。
9. 前記処理槽内に配置された排気ポートをさらに備えた、請求項７または８に記載の湿式処理装置。
10. 前記処理槽の基板入口および基板出口よりも高い位置に配置されたクリーンエア供給装置をさらに備えた、請求項７乃至９のいずれか一項に記載の湿式処理装置。
11. 基板を研磨する研磨部と、
    研磨された基板を洗浄する複数の湿式処理装置を備えた洗浄部と、
    研磨された基板を前記研磨部から前記洗浄部へと搬送する搬送装置を備え、
    前記湿式処理装置は、請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の湿式処理装置である、基板処理装置。

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