JPH08150559A - 半導体ウエハ研磨装置 - Google Patents
半導体ウエハ研磨装置Info
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- JPH08150559A JPH08150559A JP31928994A JP31928994A JPH08150559A JP H08150559 A JPH08150559 A JP H08150559A JP 31928994 A JP31928994 A JP 31928994A JP 31928994 A JP31928994 A JP 31928994A JP H08150559 A JPH08150559 A JP H08150559A
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 クリーンルーム内に設置可能で、かつクリー
ンルームを汚染することなく研磨後の半導体ウエハを洗
浄および乾燥した後に、通常クリーンルーム内で用いて
いるウエハキャリアで次工程へ払い出すことができる半
導体ウエハ研磨装置を提供する。 【構成】 側壁を有した筐体１内にトップリング５によ
って半導体ウエハを保持しつつターンテーブル３に押し
つけて半導体ウエハ４を研磨する研磨部２と、半導体ウ
エハ４を洗浄する洗浄部３０とを収納し、研磨部２と洗
浄部３０との間を分離する隔壁２２を設けるとともに隔
壁２２の開口２２ａを介して研磨後の半導体ウエハ４を
研磨部２から洗浄部３０へ搬送する搬送機構２４を設
け、研磨部２と洗浄部３０から各々独立に排気する排気
系統４６，４７を設けた。
ンルームを汚染することなく研磨後の半導体ウエハを洗
浄および乾燥した後に、通常クリーンルーム内で用いて
いるウエハキャリアで次工程へ払い出すことができる半
導体ウエハ研磨装置を提供する。 【構成】 側壁を有した筐体１内にトップリング５によ
って半導体ウエハを保持しつつターンテーブル３に押し
つけて半導体ウエハ４を研磨する研磨部２と、半導体ウ
エハ４を洗浄する洗浄部３０とを収納し、研磨部２と洗
浄部３０との間を分離する隔壁２２を設けるとともに隔
壁２２の開口２２ａを介して研磨後の半導体ウエハ４を
研磨部２から洗浄部３０へ搬送する搬送機構２４を設
け、研磨部２と洗浄部３０から各々独立に排気する排気
系統４６，４７を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ研磨装置に
係り、特に半導体ウエハを平坦かつ鏡面状に研磨した後
に洗浄する洗浄機能を有する半導体ウエハ研磨装置に関
する。
係り、特に半導体ウエハを平坦かつ鏡面状に研磨した後
に洗浄する洗浄機能を有する半導体ウエハ研磨装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平
坦度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦
化することが必要となるが、この平坦化法の１手段とし
て半導体ウエハ研磨装置により研磨することが行われて
いる。
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの
場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平
坦度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面を平坦
化することが必要となるが、この平坦化法の１手段とし
て半導体ウエハ研磨装置により研磨することが行われて
いる。
【０００３】従来、この種の半導体ウエハ研磨装置は、
各々独立した回転数で回転するターンテーブルとトップ
リングとを有し、トップリングが一定の圧力をターンテ
ーブルに与え、ターンテーブルとトップリングとの間に
半導体ウエハを介在させて半導体ウエハの表面を平坦且
つ鏡面に研磨している。
各々独立した回転数で回転するターンテーブルとトップ
リングとを有し、トップリングが一定の圧力をターンテ
ーブルに与え、ターンテーブルとトップリングとの間に
半導体ウエハを介在させて半導体ウエハの表面を平坦且
つ鏡面に研磨している。
【０００４】半導体ウエハの研磨をより良く行うため
に、通常ターンテーブル上の研磨布の上に研磨液が供給
される。研磨液は、例えば１μｍ以下の粒径の酸化シリ
コン、酸化セリウム等の研磨材を含む液を用いる。ま
た、研磨液には水・研磨材の他に研磨材の凝集を防ぐた
めに分散材を少量入れたり、また物理的な研磨作用の他
に化学的な研磨作用を得るために酸、アルカリ等を入れ
ることもある。
に、通常ターンテーブル上の研磨布の上に研磨液が供給
される。研磨液は、例えば１μｍ以下の粒径の酸化シリ
コン、酸化セリウム等の研磨材を含む液を用いる。ま
た、研磨液には水・研磨材の他に研磨材の凝集を防ぐた
めに分散材を少量入れたり、また物理的な研磨作用の他
に化学的な研磨作用を得るために酸、アルカリ等を入れ
ることもある。
【０００５】研磨後の半導体ウエハ上には、ウエハの研
磨粉の他に研磨材が多量に付着して汚れている。研磨直
後の汚染粒子数は約１０万個／ウエハ程度もあり、これ
を効率良く１００個／ウエハ以下まで低減することが望
まれている。
磨粉の他に研磨材が多量に付着して汚れている。研磨直
後の汚染粒子数は約１０万個／ウエハ程度もあり、これ
を効率良く１００個／ウエハ以下まで低減することが望
まれている。
【０００６】従来の半導体ウエハ研磨装置は、装置本体
からの発塵が多いためにクリーンルームに設置すること
ができなかった。研磨後の汚れた半導体ウエハは一旦乾
燥してしまうと、洗浄しても汚れが落ちなくなってしま
うため、研磨直後に水を入れた特殊なウエハキャリヤで
クリーンルームに持ち込みウエハ洗浄機で洗浄してい
た。
からの発塵が多いためにクリーンルームに設置すること
ができなかった。研磨後の汚れた半導体ウエハは一旦乾
燥してしまうと、洗浄しても汚れが落ちなくなってしま
うため、研磨直後に水を入れた特殊なウエハキャリヤで
クリーンルームに持ち込みウエハ洗浄機で洗浄してい
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウエハ研
磨装置は、洗浄機と離れた位置に置かれており、しかも
研磨後の半導体ウエハは水中に保管しながら運ぶため、
クリーンルーム内での生産効率が悪かった。
磨装置は、洗浄機と離れた位置に置かれており、しかも
研磨後の半導体ウエハは水中に保管しながら運ぶため、
クリーンルーム内での生産効率が悪かった。
【０００８】また洗浄機についても、研磨後の半導体ウ
エハのダストは非常に多く、洗浄機を汚してしまうた
め、従来のクリーンルームに設置されたものを利用する
ことができず、専用の洗浄機が必要となるため、設備費
用が高くついた。
エハのダストは非常に多く、洗浄機を汚してしまうた
め、従来のクリーンルームに設置されたものを利用する
ことができず、専用の洗浄機が必要となるため、設備費
用が高くついた。
【０００９】本発明は、クリーンルーム内に設置可能
で、かつクリーンルームを汚染することなく研磨後の半
導体ウエハを洗浄および乾燥した後に、通常クリーンル
ーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ払い出す
ことができる半導体ウエハ研磨装置を提供することを目
的とする。
で、かつクリーンルームを汚染することなく研磨後の半
導体ウエハを洗浄および乾燥した後に、通常クリーンル
ーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ払い出す
ことができる半導体ウエハ研磨装置を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明は側壁を有した筐体内にトップリングによ
って半導体ウエハを保持しつつターンテーブルに押しつ
けて半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを
洗浄する洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部と
の間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介
して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部
へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部か
ら各々独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とす
るものである。
ため、本発明は側壁を有した筐体内にトップリングによ
って半導体ウエハを保持しつつターンテーブルに押しつ
けて半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを
洗浄する洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部と
の間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介
して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部
へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部か
ら各々独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とす
るものである。
【００１１】
【作用】本発明の半導体ウエハ研磨装置によれば、側壁
を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを１体に収納し、こ
れら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、クリ
ーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリー
ンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨した
後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウエ
ハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出す
ことができる。また、研磨部と洗浄部とがウエハを搬送
するための小さい開口部を有する隔壁で仕切られ、かつ
研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設
け、研磨部を洗浄部より低い圧力に保持するか又は隔壁
の開口部にシャッターが設けられているため研磨部で発
生する飛沫や研磨粉が洗浄部へ入ることを防止できる。
を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを１体に収納し、こ
れら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、クリ
ーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリー
ンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨した
後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウエ
ハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出す
ことができる。また、研磨部と洗浄部とがウエハを搬送
するための小さい開口部を有する隔壁で仕切られ、かつ
研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設
け、研磨部を洗浄部より低い圧力に保持するか又は隔壁
の開口部にシャッターが設けられているため研磨部で発
生する飛沫や研磨粉が洗浄部へ入ることを防止できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の
一実施例を図１及び図２を参照して説明する。図１は半
導体ウエハ研磨装置の立面図、図２は半導体ウエハ研磨
装置の平面図である。
一実施例を図１及び図２を参照して説明する。図１は半
導体ウエハ研磨装置の立面図、図２は半導体ウエハ研磨
装置の平面図である。
【００１３】図１及び図２において、符号１は側壁を有
した筐体であり、筐体１内には、半導体ウエハを研磨す
る研磨部２と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部３０とが
収納されている。そして、研磨部２と洗浄部３０とは隔
壁２２によって分離されている。
した筐体であり、筐体１内には、半導体ウエハを研磨す
る研磨部２と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部３０とが
収納されている。そして、研磨部２と洗浄部３０とは隔
壁２２によって分離されている。
【００１４】研磨部２には、ターンテーブル３と、半導
体ウエハ４を保持しつつターンテーブル３に押しつける
トップリング５とを備えた研磨機構６が設置されてい
る。前記ターンテーブル３はモータＭ1 に連結されると
ともにその上面には研磨布７が貼設されている。またト
ップリング５はトップリング回転用モータＭ2 とトップ
リング昇降用シリンダ１１とを備えたトップリングヘッ
ド８に連結されており、トップリング５は昇降可能にな
っているとともにその軸心の回わりに回転可能になって
いる。そして、トップリングヘッド８はガイドレール９
上を左右に移動可能になっている。なお、研磨布７に
は、その上面に砥液供給ノズル１０より研磨材を含む砥
液が供給されるようになっている。
体ウエハ４を保持しつつターンテーブル３に押しつける
トップリング５とを備えた研磨機構６が設置されてい
る。前記ターンテーブル３はモータＭ1 に連結されると
ともにその上面には研磨布７が貼設されている。またト
ップリング５はトップリング回転用モータＭ2 とトップ
リング昇降用シリンダ１１とを備えたトップリングヘッ
ド８に連結されており、トップリング５は昇降可能にな
っているとともにその軸心の回わりに回転可能になって
いる。そして、トップリングヘッド８はガイドレール９
上を左右に移動可能になっている。なお、研磨布７に
は、その上面に砥液供給ノズル１０より研磨材を含む砥
液が供給されるようになっている。
【００１５】一方、研磨機構６に半導体ウエハ４を供給
する供給機構１２は、第１ウエハ搬送機構１３と、ウエ
ハ反転機１４と、第２ウエハ搬送機構１５とから構成さ
れており、第１ウエハ搬送機構１３によってウエハカセ
ット置き場１６に置かれたウエハカセット１７から半導
体ウエハ４を取り出してウエハ反転機１４に渡し、この
ウエハ反転機１４によって半導体ウエハ４を反転させて
研磨面を下に向けた後に、この半導体ウエハ４を第１ウ
エハ搬送機構１３によって受け取って第２ウエハ搬送機
構１５に渡すようになっている。
する供給機構１２は、第１ウエハ搬送機構１３と、ウエ
ハ反転機１４と、第２ウエハ搬送機構１５とから構成さ
れており、第１ウエハ搬送機構１３によってウエハカセ
ット置き場１６に置かれたウエハカセット１７から半導
体ウエハ４を取り出してウエハ反転機１４に渡し、この
ウエハ反転機１４によって半導体ウエハ４を反転させて
研磨面を下に向けた後に、この半導体ウエハ４を第１ウ
エハ搬送機構１３によって受け取って第２ウエハ搬送機
構１５に渡すようになっている。
【００１６】前記第２ウエハ搬送機構１５は、ウエハ保
持部材１９と、ウエハ保持部材昇降用スクリューロッド
２０とから構成され、第１ウエハ搬送機構１３から受け
取った半導体ウエハ４をトップリング５に渡すようにな
っている。
持部材１９と、ウエハ保持部材昇降用スクリューロッド
２０とから構成され、第１ウエハ搬送機構１３から受け
取った半導体ウエハ４をトップリング５に渡すようにな
っている。
【００１７】前記トップリング５で保持されターンテー
ブル３に押しつけられて研磨された半導体ウエハ４は、
研磨終了後にトップリング５に保持された状態でトップ
リングヘッド８のガイドレール９上の移動によりウエハ
支持台２１の真上まで搬送される。そして、半導体ウエ
ハ４はトップリング５から離脱され、ウエハ支持台２１
上に置かれる。
ブル３に押しつけられて研磨された半導体ウエハ４は、
研磨終了後にトップリング５に保持された状態でトップ
リングヘッド８のガイドレール９上の移動によりウエハ
支持台２１の真上まで搬送される。そして、半導体ウエ
ハ４はトップリング５から離脱され、ウエハ支持台２１
上に置かれる。
【００１８】また、研磨部２と洗浄部３０とを分離する
隔壁２２には、開口２２ａが形成されており、この開口
２２ａに隣接して開口２２ａを開閉するためのシャッタ
ー２３が設置されている。さらに、隔壁２２に隣接して
ウエハ反転機２４が設置されている。ウエハ反転機２４
は、ウエハ反転軸２５、ウエハ反転用アクチュエータ２
６、ウエハ反転用アーム２７とから構成され、アクチュ
エータ２６により反転軸２５を介して反転用アーム２７
が回転させられるようになっている。
隔壁２２には、開口２２ａが形成されており、この開口
２２ａに隣接して開口２２ａを開閉するためのシャッタ
ー２３が設置されている。さらに、隔壁２２に隣接して
ウエハ反転機２４が設置されている。ウエハ反転機２４
は、ウエハ反転軸２５、ウエハ反転用アクチュエータ２
６、ウエハ反転用アーム２７とから構成され、アクチュ
エータ２６により反転軸２５を介して反転用アーム２７
が回転させられるようになっている。
【００１９】前記ウエハ反転機２４では、シャッター２
３が開いているときに反転用アーム２７が回転してウエ
ハ支持台２１上の半導体ウエハ４を吸着し、その後、反
転用アーム２７が逆転して半導体ウエハ４を反転させる
とともに洗浄部３０に搬送する。
３が開いているときに反転用アーム２７が回転してウエ
ハ支持台２１上の半導体ウエハ４を吸着し、その後、反
転用アーム２７が逆転して半導体ウエハ４を反転させる
とともに洗浄部３０に搬送する。
【００２０】洗浄部３０は、半導体ウエハ４の１次洗浄
を行う１次洗浄装置３１と、半導体ウエハ４の２次洗浄
を行う２次洗浄装置４０とを備えている。前記１次洗浄
装置３１は、半導体ウエハ４の外周部を保持して回転さ
せる複数のローラ３２と、半導体ウエハ４を洗浄する洗
浄用スポンジローラ３３と、洗浄水供給管３４とから構
成されている。半導体ウエハ４はローラ３２により保持
されつつ一部のローラの駆動モータによる回転駆動によ
り回転される。回転している半導体ウエハ４に対して回
転している洗浄用スポンジローラ３３が押し当てられ、
そこに洗浄水が供給されて１次洗浄が行われる。そし
て、１次洗浄が終わった半導体ウエハ４は第３ウエハ搬
送機構３５によって２次洗浄装置４０に搬送される。
を行う１次洗浄装置３１と、半導体ウエハ４の２次洗浄
を行う２次洗浄装置４０とを備えている。前記１次洗浄
装置３１は、半導体ウエハ４の外周部を保持して回転さ
せる複数のローラ３２と、半導体ウエハ４を洗浄する洗
浄用スポンジローラ３３と、洗浄水供給管３４とから構
成されている。半導体ウエハ４はローラ３２により保持
されつつ一部のローラの駆動モータによる回転駆動によ
り回転される。回転している半導体ウエハ４に対して回
転している洗浄用スポンジローラ３３が押し当てられ、
そこに洗浄水が供給されて１次洗浄が行われる。そし
て、１次洗浄が終わった半導体ウエハ４は第３ウエハ搬
送機構３５によって２次洗浄装置４０に搬送される。
【００２１】第３ウエハ搬送機構３５は、ウエハ保持台
３６と、ウエハ保持台３６上に設けられたウエハ保持部
材３７と、ウエハ保持台回転モータ３８と、ウエハ保持
台昇降用スクリューロッド３９とから構成される。ウエ
ハ保持部材３７はウエハ保持台３６上で、図で矢印で示
すように水平方向に動き、ウエハ保持台３６から離れた
所にある半導体ウエハ４の受渡しが可能になっている。
そして、１次洗浄後の半導体ウエハ４を受け取った第３
ウエハ搬送機構３５は、ウエハ保持部材３７を引っ込め
て半導体ウエハ４をウエハ保持台３６の上方に移動し、
ウエハ保持台３６が回転しつつ下降し、ウエハ保持部材
３７を再び押し出すことにより、半導体ウエハ４を２次
洗浄装置４０に渡すようになっている。
３６と、ウエハ保持台３６上に設けられたウエハ保持部
材３７と、ウエハ保持台回転モータ３８と、ウエハ保持
台昇降用スクリューロッド３９とから構成される。ウエ
ハ保持部材３７はウエハ保持台３６上で、図で矢印で示
すように水平方向に動き、ウエハ保持台３６から離れた
所にある半導体ウエハ４の受渡しが可能になっている。
そして、１次洗浄後の半導体ウエハ４を受け取った第３
ウエハ搬送機構３５は、ウエハ保持部材３７を引っ込め
て半導体ウエハ４をウエハ保持台３６の上方に移動し、
ウエハ保持台３６が回転しつつ下降し、ウエハ保持部材
３７を再び押し出すことにより、半導体ウエハ４を２次
洗浄装置４０に渡すようになっている。
【００２２】前記２次洗浄装置４０は、ウエハ保持台４
１と、ウエハ保持台回転モータ４２と、洗浄用スポンジ
４３と、洗浄水供給管４４とから構成されている。そし
て、ウエハ保持台４１で半導体ウエハ４を支持しつつ回
転させながら洗浄水供給管４４から洗浄水をウエハ表面
に供給し、洗浄用スポンジ４３を押し当てて洗浄する。
洗浄後、スポンジ４３を退避させ、洗浄水の供給を停止
し、回転モータ４２の回転数を上げてウエハ保持台４１
を高速で回転させ半導体ウエハ４のスピン乾燥を行う。
１と、ウエハ保持台回転モータ４２と、洗浄用スポンジ
４３と、洗浄水供給管４４とから構成されている。そし
て、ウエハ保持台４１で半導体ウエハ４を支持しつつ回
転させながら洗浄水供給管４４から洗浄水をウエハ表面
に供給し、洗浄用スポンジ４３を押し当てて洗浄する。
洗浄後、スポンジ４３を退避させ、洗浄水の供給を停止
し、回転モータ４２の回転数を上げてウエハ保持台４１
を高速で回転させ半導体ウエハ４のスピン乾燥を行う。
【００２３】２次洗浄および乾燥を終了した半導体ウエ
ハ４を再び第３ウエハ搬送機構３５のウエハ保持部材３
７が受け取り、ウエハ保持台３６の上方に半導体ウエハ
４を移動させた後、ウエハ保持台３６が回転しつつ上昇
し、ウエハ保持部材３７が押し出されて研磨済みウエハ
カセット４５に半導体ウエハ４を収納するようになって
いる。また、研磨部２と洗浄部３０には、研磨部２と洗
浄部３０とから各々独立に排気するための排気ダクト４
６，４７が設置されている。
ハ４を再び第３ウエハ搬送機構３５のウエハ保持部材３
７が受け取り、ウエハ保持台３６の上方に半導体ウエハ
４を移動させた後、ウエハ保持台３６が回転しつつ上昇
し、ウエハ保持部材３７が押し出されて研磨済みウエハ
カセット４５に半導体ウエハ４を収納するようになって
いる。また、研磨部２と洗浄部３０には、研磨部２と洗
浄部３０とから各々独立に排気するための排気ダクト４
６，４７が設置されている。
【００２４】次に、前述のように構成された半導体ウエ
ハ研磨装置の動作を説明する。まず、第１搬送機構１３
の舌部１３ａによってウエハカセット置き場１６に置か
れたウエハカセット１７から半導体ウエハ４を取り出し
てウエハ反転機１４に渡す。ウエハ反転機１４によって
半導体ウエハ４を反転させて研磨面を下に向けた後に、
再び第１搬送機構１３が半導体ウエハ４を受け取って第
２搬送機構１５に渡す。
ハ研磨装置の動作を説明する。まず、第１搬送機構１３
の舌部１３ａによってウエハカセット置き場１６に置か
れたウエハカセット１７から半導体ウエハ４を取り出し
てウエハ反転機１４に渡す。ウエハ反転機１４によって
半導体ウエハ４を反転させて研磨面を下に向けた後に、
再び第１搬送機構１３が半導体ウエハ４を受け取って第
２搬送機構１５に渡す。
【００２５】次に、トップリングヘッド８がガイドレー
ル９上を移動して、トップリング５が第２ウエハ搬送機
構１５のウエハ保持部材１９の上に位置し、ウエハ保持
部材１９が上昇して保持している研磨対象の半導体ウエ
ハ４をトップリング５に渡す。
ル９上を移動して、トップリング５が第２ウエハ搬送機
構１５のウエハ保持部材１９の上に位置し、ウエハ保持
部材１９が上昇して保持している研磨対象の半導体ウエ
ハ４をトップリング５に渡す。
【００２６】トップリング５は半導体ウエハ４を保持し
たまま移動してターンテーブル３上の研磨位置に位置す
る。そしてターンテーブル３とトップリング５が回転
し、ターンテーブル３上に貼着された研磨布７上に砥液
供給ノズル１０から研磨材を含む砥液が供給され、トッ
プリング５が下降し、トップリング５に保持された半導
体ウエハ４が研磨布７に押しつけられて研磨が行われ
る。
たまま移動してターンテーブル３上の研磨位置に位置す
る。そしてターンテーブル３とトップリング５が回転
し、ターンテーブル３上に貼着された研磨布７上に砥液
供給ノズル１０から研磨材を含む砥液が供給され、トッ
プリング５が下降し、トップリング５に保持された半導
体ウエハ４が研磨布７に押しつけられて研磨が行われ
る。
【００２７】研磨終了後、半導体ウエハ４を保持したま
まトップリングヘッド８が移動してトップリング５がウ
エハ支持台２１の真上に位置する。そして、トップリン
グ５から半導体ウエハ４が離脱され、半導体ウエハ４が
ウエハ支持台２１上に置かれる。トップリング５は次の
研磨に向けて第２ウエハ搬送機構１５に向かって移動す
る。
まトップリングヘッド８が移動してトップリング５がウ
エハ支持台２１の真上に位置する。そして、トップリン
グ５から半導体ウエハ４が離脱され、半導体ウエハ４が
ウエハ支持台２１上に置かれる。トップリング５は次の
研磨に向けて第２ウエハ搬送機構１５に向かって移動す
る。
【００２８】研磨後の半導体ウエハ４がウエハ支持台２
１に置かれた時点でシャッター２３が開き、ウエハ反転
機２４のウエハ反転用アーム２７が回転して半導体ウエ
ハ４上に移動して半導体ウエハ４を吸着する。
１に置かれた時点でシャッター２３が開き、ウエハ反転
機２４のウエハ反転用アーム２７が回転して半導体ウエ
ハ４上に移動して半導体ウエハ４を吸着する。
【００２９】上記の回転により、研磨後の半導体ウエハ
４を保持したアーム２７が逆回転して、半導体ウエハ４
を１次洗浄装置３１に渡す。なお、隔壁２２の開口２２
ａは半導体ウエハ４を保持したアーム２７が通過可能な
形状になっている。半導体ウエハ４およびアーム２７が
開口２２ａを通過して洗浄部３０側に移動した時点でシ
ャッター２３が閉じて開口２２ａを閉塞する。
４を保持したアーム２７が逆回転して、半導体ウエハ４
を１次洗浄装置３１に渡す。なお、隔壁２２の開口２２
ａは半導体ウエハ４を保持したアーム２７が通過可能な
形状になっている。半導体ウエハ４およびアーム２７が
開口２２ａを通過して洗浄部３０側に移動した時点でシ
ャッター２３が閉じて開口２２ａを閉塞する。
【００３０】アーム２７によって１次洗浄装置３１に半
導体ウエハ４が渡された後、アーム２７は下方に退避す
る。１次洗浄装置３１において、半導体ウエハ４はロー
ラ３２により保持されつつ一部のローラ３２の回転によ
り回転される。そして、回転している半導体ウエハ４に
回転している洗浄用スポンジローラ３３が押し当てら
れ、そこに洗浄水供給管３４から洗浄水が供給されて１
次洗浄が行われる。
導体ウエハ４が渡された後、アーム２７は下方に退避す
る。１次洗浄装置３１において、半導体ウエハ４はロー
ラ３２により保持されつつ一部のローラ３２の回転によ
り回転される。そして、回転している半導体ウエハ４に
回転している洗浄用スポンジローラ３３が押し当てら
れ、そこに洗浄水供給管３４から洗浄水が供給されて１
次洗浄が行われる。
【００３１】１次洗浄後の半導体ウエハ４は第３ウエハ
搬送機構３５に受け取られる。半導体ウエハ４を受け取
った後、ウエハ搬送機構３５では、ウエハ保持部材３７
を引っ込めて半導体ウエハ４をウエハ保持台３６の上方
に移動し、ウエハ保持台３６が回転しつつ下降し、ウエ
ハ保持部材３７を再び押し出すことにより半導体ウエハ
４を２次洗浄装置４０に渡す。
搬送機構３５に受け取られる。半導体ウエハ４を受け取
った後、ウエハ搬送機構３５では、ウエハ保持部材３７
を引っ込めて半導体ウエハ４をウエハ保持台３６の上方
に移動し、ウエハ保持台３６が回転しつつ下降し、ウエ
ハ保持部材３７を再び押し出すことにより半導体ウエハ
４を２次洗浄装置４０に渡す。
【００３２】２次洗浄装置４０において、ウエハ保持台
４１によって半導体ウエハ４を回転させながら洗浄水供
給管４４から洗浄水をウエハ表面に供給し、洗浄用スポ
ンジ４３を押し当てて洗浄する。洗浄後、スポンジ４３
を退避させ、洗浄水の供給を停止し、回転モータ４２の
回転数を高くしてウエハ保持台４１を高速で回転させ半
導体ウエハ４のスピン乾燥を行う。
４１によって半導体ウエハ４を回転させながら洗浄水供
給管４４から洗浄水をウエハ表面に供給し、洗浄用スポ
ンジ４３を押し当てて洗浄する。洗浄後、スポンジ４３
を退避させ、洗浄水の供給を停止し、回転モータ４２の
回転数を高くしてウエハ保持台４１を高速で回転させ半
導体ウエハ４のスピン乾燥を行う。
【００３３】２次洗浄および乾燥を終了した半導体ウエ
ハ４を再び第３ウエハ搬送機構３５のウエハ保持部材３
７が受け取り、ウエハ保持台３６の上方に半導体ウエハ
４を移動させた後、ウエハ保持台３６が回転しつつ上昇
し、ウエハ保持部材３７が押し出されて研磨済みウエハ
カセット４５に半導体ウエハ４を収納する。
ハ４を再び第３ウエハ搬送機構３５のウエハ保持部材３
７が受け取り、ウエハ保持台３６の上方に半導体ウエハ
４を移動させた後、ウエハ保持台３６が回転しつつ上昇
し、ウエハ保持部材３７が押し出されて研磨済みウエハ
カセット４５に半導体ウエハ４を収納する。
【００３４】以上の工程で研磨および洗浄が行われる間
に研磨部２と洗浄部３０が隔壁２２とシャッター２３で
仕切られていることにより、研磨部２で発生する研磨砥
液の飛沫や研磨粉が洗浄部３０に入ることを防いでい
る。この構造に合わせて排気ダクト４６，４７を含む排
気系統が研磨部２と洗浄部３０から個別に排気できるよ
うに設けられている。又、研磨部の圧力を洗浄部の圧力
より低く保持することによって隔壁のシャッターを省略
することもできる。
に研磨部２と洗浄部３０が隔壁２２とシャッター２３で
仕切られていることにより、研磨部２で発生する研磨砥
液の飛沫や研磨粉が洗浄部３０に入ることを防いでい
る。この構造に合わせて排気ダクト４６，４７を含む排
気系統が研磨部２と洗浄部３０から個別に排気できるよ
うに設けられている。又、研磨部の圧力を洗浄部の圧力
より低く保持することによって隔壁のシャッターを省略
することもできる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、側
壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを１体に収納し、
これら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、ク
リーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリ
ーンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨し
た後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウ
エハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出
すことができる。
壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを１体に収納し、
これら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、ク
リーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリ
ーンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨し
た後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウ
エハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出
すことができる。
【００３６】また本発明によれば、研磨部と洗浄部とが
隔壁と、隔壁に設けられたシャッターで仕切られ、かつ
研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統が設け
られているため、研磨部で発生する飛沫や研磨粉が洗浄
部へ入ることを防止できる。
隔壁と、隔壁に設けられたシャッターで仕切られ、かつ
研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統が設け
られているため、研磨部で発生する飛沫や研磨粉が洗浄
部へ入ることを防止できる。
【図１】本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例
を示す立面図である。
を示す立面図である。
【図２】本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【符号の説明】 １ 筐体 ２ 研磨部 ３ ターンテーブル ５ トップリング ６ 研磨機構 ７ 研磨布 ８ トップリングヘッド １２ 供給機構 １３ 第１ウエハ搬送機構 １４ ウエハ反転機 １５ 第２ウエハ搬送機構 ２２ 隔壁 ２３ シャッター ２４ ウエハ反転機 ３０ 洗浄部 ３１ １次洗浄装置 ３５ 第３ウエハ搬送機構 ４０ ２次洗浄装置 ４６，４７ 排気ダクト
フロントページの続き (72)発明者 矢島 比呂海 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 日向 和明 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内 (72)発明者 児玉 祥一 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 井本 幸男 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 青木 利一郎 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 小寺 雅子 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 重田 厚 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 三島 志朗 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 河野 義介 大分県大分市大字松岡3500番地 株式会社 東芝大分工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 側壁を有した筐体内にトップリングによ
って半導体ウエハを保持しつつターンテーブルに押しつ
けて半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを
洗浄する洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部と
の間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介
して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部
へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部か
ら各々独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とす
る半導体ウエハ研磨装置。 - 【請求項２】 前記洗浄部は、半導体ウエハに洗浄液を
供給しつつ洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハ
を乾燥する乾燥手段と、洗浄及び乾燥した半導体ウエハ
を収納するウエハカセットと、前記各手段間で半導体ウ
エハを搬送する搬送手段とからなることを特徴とする請
求項１記載の半導体ウエハ研磨装置。 - 【請求項３】 前記隔壁の開口を開閉するシャッターを
設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体ウ
エハ研磨装置。
Priority Applications (19)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31928994A JP3315544B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 半導体ウエハ研磨装置および方法 |
| DE19544328.4A DE19544328B4 (de) | 1994-11-29 | 1995-11-28 | Poliervorrichtung |
| US08/563,295 US5679059A (en) | 1994-11-29 | 1995-11-28 | Polishing aparatus and method |
| KR1019950044550A KR100452734B1 (ko) | 1994-11-29 | 1995-11-29 | 폴리싱장치,폴리싱방법,및반도체웨이퍼제조방법 |
| TW085103097A TW308713B (ja) | 1994-11-29 | 1996-03-15 | |
| US08/767,060 US5885138A (en) | 1993-09-21 | 1996-12-16 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US08/884,410 US6500051B1 (en) | 1994-11-29 | 1997-06-27 | Polishing apparatus and method |
| US09/233,039 US6273802B1 (en) | 1993-09-19 | 1999-01-20 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US09/804,234 US6425806B2 (en) | 1993-09-21 | 2001-03-13 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US09/804,231 US6443808B2 (en) | 1993-09-21 | 2001-03-13 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US09/804,232 US6547638B2 (en) | 1993-09-21 | 2001-03-13 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US09/804,233 US6439971B2 (en) | 1993-09-21 | 2001-03-13 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US10/255,793 US6997782B2 (en) | 1994-11-29 | 2002-09-27 | Polishing apparatus and a method of polishing and cleaning and drying a wafer |
| US10/372,224 US6966821B2 (en) | 1993-09-21 | 2003-02-25 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| KR1020030060722A KR100495980B1 (ko) | 1994-11-29 | 2003-09-01 | 폴리싱장치 및 폴리싱방법 |
| US11/221,924 US20060009130A1 (en) | 1993-09-21 | 2005-09-09 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US11/294,365 US7198552B2 (en) | 1994-11-29 | 2005-12-06 | Polishing apparatus |
| US11/980,667 US7708618B2 (en) | 1993-09-21 | 2007-10-31 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
| US11/980,663 US20080090501A1 (en) | 1993-09-21 | 2007-10-31 | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31928994A JP3315544B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 半導体ウエハ研磨装置および方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001363793A Division JP3553542B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体ウエハ研磨装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08150559A true JPH08150559A (ja) | 1996-06-11 |
| JP3315544B2 JP3315544B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=18108548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31928994A Expired - Lifetime JP3315544B2 (ja) | 1993-09-19 | 1994-11-29 | 半導体ウエハ研磨装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3315544B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000006021A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-11 | Asahi Glass Co Ltd | 板状体の加工装置 |
| US6294059B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-09-25 | Ebara Corporation | Substrate plating apparatus |
| JP2002509367A (ja) * | 1998-01-20 | 2002-03-26 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハ処理装置に用いられる洗浄／バフ研磨装置 |
| US6743395B2 (en) | 2000-03-22 | 2004-06-01 | Ebara Corporation | Composite metallic ultrafine particles and process for producing the same |
| JP4772679B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2011-09-14 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び基板処理装置 |
| WO2017094406A1 (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 株式会社 荏原製作所 | 基板処理装置の排気装置 |
| CN107571146A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-12 | 芜湖鸣人热能设备有限公司 | 热能设备表面打磨工作室 |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP31928994A patent/JP3315544B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6294059B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-09-25 | Ebara Corporation | Substrate plating apparatus |
| US6929722B2 (en) | 1997-09-17 | 2005-08-16 | Ebara Corporation | Substrate plating apparatus |
| JP2002509367A (ja) * | 1998-01-20 | 2002-03-26 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハ処理装置に用いられる洗浄／バフ研磨装置 |
| JP2000006021A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-11 | Asahi Glass Co Ltd | 板状体の加工装置 |
| US6743395B2 (en) | 2000-03-22 | 2004-06-01 | Ebara Corporation | Composite metallic ultrafine particles and process for producing the same |
| US6871773B2 (en) | 2000-03-22 | 2005-03-29 | Ebara Corp. | Composite metallic ultrafine particles and process for producing the same |
| JP4772679B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2011-09-14 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び基板処理装置 |
| WO2017094406A1 (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 株式会社 荏原製作所 | 基板処理装置の排気装置 |
| CN107571146A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-12 | 芜湖鸣人热能设备有限公司 | 热能设备表面打磨工作室 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3315544B2 (ja) | 2002-08-19 |
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