JP3553542B2 - 半導体ウエハ研磨装置および方法 - Google Patents
半導体ウエハ研磨装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3553542B2 JP3553542B2 JP2001363793A JP2001363793A JP3553542B2 JP 3553542 B2 JP3553542 B2 JP 3553542B2 JP 2001363793 A JP2001363793 A JP 2001363793A JP 2001363793 A JP2001363793 A JP 2001363793A JP 3553542 B2 JP3553542 B2 JP 3553542B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- cleaning
- polishing
- unit
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は半導体ウエハ研磨装置および方法に係り、特に半導体ウエハを平坦かつ鏡面状に研磨した後に洗浄する洗浄機能を有する半導体ウエハ研磨装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平坦度を必要とする。
そこで、半導体ウエハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の１手段として半導体ウエハ研磨装置により研磨することが行われている。
【０００３】
従来、この種の半導体ウエハ研磨装置は、各々独立した回転数で回転するターンテーブルとトップリングとを有し、トップリングが一定の圧力をターンテーブルに与え、ターンテーブルとトップリングとの間に半導体ウエハを介在させて半導体ウエハの表面を平坦且つ鏡面に研磨している。
【０００４】
半導体ウエハの研磨をより良く行うために、通常ターンテーブル上の研磨布の上に研磨液が供給される。研磨液は、例えば１μｍ以下の粒径の酸化シリコン、酸化セリウム等の研磨材を含む液を用いる。また、研磨液には水・研磨材の他に研磨材の凝集を防ぐために分散材を少量入れたり、また物理的な研磨作用の他に化学的な研磨作用を得るために酸、アルカリ等を入れることもある。
【０００５】
研磨後の半導体ウエハ上には、ウエハの研磨粉の他に研磨材が多量に付着して汚れている。研磨直後の汚染粒子数は約１０万個／ウエハ程度もあり、これを効率良く１００個／ウエハ以下まで低減することが望まれている。
【０００６】
従来の半導体ウエハ研磨装置は、装置本体からの発塵が多いためにクリーンルームに設置することができなかった。研磨後の汚れた半導体ウエハは一旦乾燥してしまうと、洗浄しても汚れが落ちなくなってしまうため、研磨直後に水を入れた特殊なウエハキャリヤでクリーンルームに持ち込みウエハ洗浄機で洗浄していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体ウエハ研磨装置は、洗浄機と離れた位置に置かれており、しかも研磨後の半導体ウエハは水中に保管しながら運ぶため、クリーンルーム内での生産効率が悪かった。
【０００８】
また洗浄機についても、研磨後の半導体ウエハのダストは非常に多く、洗浄機を汚してしまうため、従来のクリーンルームに設置されたものを利用することができず、専用の洗浄機が必要となるため、設備費用が高くついた。
【０００９】
本発明は、クリーンルーム内に設置可能で、かつクリーンルームを汚染することなく研磨後の半導体ウエハを洗浄および乾燥した後に、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ払い出すことができる半導体ウエハ研磨装置および方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明の半導体ウエハ研磨装置の１態様は、側壁を有した筐体内にトップリングによって半導体ウエハを保持しつつターンテーブルに押しつけて半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設け、前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする。
ここで、前記隔壁の開口を開閉するシャッターを設けたことを特徴とする。
【００１１】
本発明の半導体ウエハ研磨装置の他の態様は、側壁を有しクリーンルーム内に設置可能な筐体の内部に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記筐体内で半導体ウエハを搬送する搬送機構を設けた半導体ウエハ研磨装置であって、前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように筐体内を排気する排気系統を設け、前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする。
ここで、前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする。
また、前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする。
また、前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする。
また、前記トップリングは回転可能であることを特徴とする。
また、前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハの反転機を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の半導体ウエハ研磨装置の他の態様は、クリーンルーム内に設置可能な半導体ウエハ研磨装置であって；側壁を有する筐体と；前記半導体ウエハを研磨する研磨部と；前記半導体ウエハを洗浄する洗浄部と；前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁と；研磨後の前記半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構とを備え；前記研磨部、前記洗浄部及び前記搬送機構は前記筐体内に収納され；前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする。
また、前記隔壁には開口が形成されており、前記搬送機構は、前記隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するように構成された。
また、前記隔壁で分離された前記研磨部から排気する排気系統を設けたことを特徴とする。
また、前記隔壁で分離された前記研磨部と前記洗浄部から独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の半導体ウエハ研磨方法の１態様は、半導体ウエハを研磨した後に洗浄する半導体ウエハ研磨方法であって、研磨装置をクリーンルーム内に設置し、研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハをウエハ支持台に置き、アームが該ウエハを保持し、該アームが隔壁の開口を通過し、該アームが該ウエハを洗浄部に渡し、前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする。
ここで、前記隔壁の開口にはシャッターが設けられ、前記ウエハを保持したアームが開口を通過する際には前記シャッターが開いていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の半導体ウエハ研磨方法の他の態様は、側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置で、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって；前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されている。
ここで、前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する。
また、前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする。
また、前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体デバイス製造方法の１態様は、側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構、及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置を用い半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法であって；前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されている。
ここで、前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する。
また、前記隔壁には前記開口を開閉するシャッターが設けられている。
また、前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする。
また、前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする。
また、前記研磨された半導体ウエハに対して光リソグラフィ処理をする工程を備えた。
本発明の半導体ウエハ研磨装置の１態様は、側壁を有した筐体内にトップリングによって半導体ウエハを保持しつつターンテーブルに押しつけて半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設け、前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする。
ここで、前記隔壁の開口を開閉するシャッターを設けたことを特徴とする。
本発明の半導体ウエハ研磨装置の他の態様は、側壁を有しクリーンルーム内に設置可能な筐体の内部に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記筐体内で半導体ウエハを搬送する搬送機構を設けた半導体ウエハ研磨装置であって、前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように筐体内を排気する排気系統を設け、前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする。
ここで、前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする。
また、前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする。
また、前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする。
また、前記トップリングは回転可能であることを特徴とする。
また、前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハの反転機を有することを特徴とする。
本発明の半導体ウエハ研磨装置の他の態様は、クリーンルーム内に設置可能な半導体ウエハ研磨装置であって；側壁を有する筐体と；前記半導体ウエハを研磨する研磨部と；前記半導体ウエハを洗浄する洗浄部と；前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁と；研磨後の前記半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構とを備え；前記研磨部、前記洗浄部及び前記搬送機構は前記筐体内に収納され；前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥 を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする。
また、前記隔壁には開口が形成されており、前記搬送機構は、前記隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するように構成された。
また、前記隔壁で分離された前記研磨部から排気する排気系統を設けたことを特徴とする。
また、前記隔壁で分離された前記研磨部と前記洗浄部から独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とする。
本発明の半導体ウエハ研磨方法の１態様は、半導体ウエハを研磨した後に洗浄する半導体ウエハ研磨方法であって、研磨装置をクリーンルーム内に設置し、研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハをウエハ支持台に置き、アームが該ウエハを保持し、該アームが隔壁の開口を通過し、該アームが該ウエハを洗浄部に渡し、前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする。
ここで、前記隔壁の開口にはシャッターが設けられ、前記ウエハを保持したアームが開口を通過する際には前記シャッターが開いていることを特徴とする。
本発明の半導体ウエハ研磨方法の他の態様は、側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置で、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって；前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納する。
ここで、前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する。
また、前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする。
また、前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする。
本発明の半導体デバイス製造方法の１態様は、側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構、及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置を用い半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法であって；前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納する。
ここで、前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する。
また、前記隔壁には前記開口を開閉するシャッターが設けられている。
また、前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする。
また、前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする。
また、前記研磨された半導体ウエハに対して光リソグラフィ処理をする工程を備えた。
【００１６】
【作用】
本発明の半導体ウエハ研磨装置によれば、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを１体に収納し、これら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、クリーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリーンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨した後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出すことができる。また、研磨部と洗浄部とがウエハを搬送するための小さい開口部を有する隔壁で仕切られ、かつ研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設け、研磨部を洗浄部より低い圧力に保持するか又は隔壁の開口部にシャッターが設けられているため研磨部で発生する飛沫や研磨粉が洗浄部へ入ることを防止できる。
【００１７】
【実施例】
以下、本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を図１及び図２を参照して説明する。図１は半導体ウエハ研磨装置の立面図、図２は半導体ウエハ研磨装置の平面図である。
【００１８】
図１及び図２において、符号１は側壁を有した筐体であり、筐体１内には、半導体ウエハを研磨する研磨部２と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部３０とが収納されている。そして、研磨部２と洗浄部３０とは隔壁２２によって分離されている。
【００１９】
研磨部２には、ターンテーブル３と、半導体ウエハ４を保持しつつターンテーブル３に押しつけるトップリング５とを備えた研磨機構６が設置されている。前記ターンテーブル３はモータＭ１ に連結されるとともにその上面には研磨布７が貼設されている。またトップリング５はトップリング回転用モータＭ２ とトップリング昇降用シリンダ１１とを備えたトップリングヘッド８に連結されており、トップリング５は昇降可能になっているとともにその軸心の回わりに回転可能になっている。そして、トップリングヘッド８はガイドレール９上を左右に移動可能になっている。なお、研磨布７には、その上面に砥液供給ノズル１０より研磨材を含む砥液が供給されるようになっている。
【００２０】
一方、研磨機構６に半導体ウエハ４を供給する供給機構１２は、第１ウエハ搬送機構１３と、ウエハ反転機１４と、第２ウエハ搬送機構１５とから構成されており、第１ウエハ搬送機構１３によってウエハカセット置き場１６に置かれたウエハカセット１７から半導体ウエハ４を取り出してウエハ反転機１４に渡し、このウエハ反転機１４によって半導体ウエハ４を反転させて研磨面を下に向けた後に、この半導体ウエハ４を第１ウエハ搬送機構１３によって受け取って第２ウエハ搬送機構１５に渡すようになっている。
【００２１】
前記第２ウエハ搬送機構１５は、ウエハ保持部材１９と、ウエハ保持部材昇降用スクリューロッド２０とから構成され、第１ウエハ搬送機構１３から受け取った半導体ウエハ４をトップリング５に渡すようになっている。
【００２２】
前記トップリング５で保持されターンテーブル３に押しつけられて研磨された半導体ウエハ４は、研磨終了後にトップリング５に保持された状態でトップリングヘッド８のガイドレール９上の移動によりウエハ支持台２１の真上まで搬送される。そして、半導体ウエハ４はトップリング５から離脱され、ウエハ支持台２１上に置かれる。
【００２３】
また、研磨部２と洗浄部３０とを分離する隔壁２２には、開口２２ａが形成されており、この開口２２ａに隣接して開口２２ａを開閉するためのシャッター２３が設置されている。さらに、隔壁２２に隣接してウエハ反転機２４が設置されている。ウエハ反転機２４は、ウエハ反転軸２５、ウエハ反転用アクチュエータ２６、ウエハ反転用アーム２７とから構成され、アクチュエータ２６により反転軸２５を介して反転用アーム２７が回転させられるようになっている。
【００２４】
前記ウエハ反転機２４では、シャッター２３が開いているときに反転用アーム２７が回転してウエハ支持台２１上の半導体ウエハ４を吸着し、その後、反転用アーム２７が逆転して半導体ウエハ４を反転させるとともに洗浄部３０に搬送する。
【００２５】
洗浄部３０は、半導体ウエハ４の１次洗浄を行う１次洗浄装置３１と、半導体ウエハ４の２次洗浄を行う２次洗浄装置４０とを備えている。前記１次洗浄装置３１は、半導体ウエハ４の外周部を保持して回転させる複数のローラ３２と、半導体ウエハ４を洗浄する洗浄用スポンジローラ３３と、洗浄水供給管３４とから構成されている。半導体ウエハ４はローラ３２により保持されつつ一部のローラの駆動モータによる回転駆動により回転される。回転している半導体ウエハ４に対して回転している洗浄用スポンジローラ３３が押し当てられ、そこに洗浄水が供給されて１次洗浄が行われる。そして、１次洗浄が終わった半導体ウエハ４は第３ウエハ搬送機構３５によって２次洗浄装置４０に搬送される。
【００２６】
第３ウエハ搬送機構３５は、ウエハ保持台３６と、ウエハ保持台３６上に設けられたウエハ保持部材３７と、ウエハ保持台回転モータ３８と、ウエハ保持台昇降用スクリューロッド３９とから構成される。ウエハ保持部材３７はウエハ保持台３６上で、図で矢印で示すように水平方向に動き、ウエハ保持台３６から離れた所にある半導体ウエハ４の受渡しが可能になっている。そして、１次洗浄後の半導体ウエハ４を受け取った第３ウエハ搬送機構３５は、ウエハ保持部材３７を引っ込めて半導体ウエハ４をウエハ保持台３６の上方に移動し、ウエハ保持台３６が回転しつつ下降し、ウエハ保持部材３７を再び押し出すことにより、半導体ウエハ４を２次洗浄装置４０に渡すようになっている。
【００２７】
前記２次洗浄装置４０は、ウエハ保持台４１と、ウエハ保持台回転モータ４２と、洗浄用スポンジ４３と、洗浄水供給管４４とから構成されている。そして、ウエハ保持台４１で半導体ウエハ４を支持しつつ回転させながら洗浄水供給管４４から洗浄水をウエハ表面に供給し、洗浄用スポンジ４３を押し当てて洗浄する。洗浄後、スポンジ４３を退避させ、洗浄水の供給を停止し、回転モータ４２の回転数を上げてウエハ保持台４１を高速で回転させ半導体ウエハ４のスピン乾燥を行う。
【００２８】
２次洗浄および乾燥を終了した半導体ウエハ４を再び第３ウエハ搬送機構３５のウエハ保持部材３７が受け取り、ウエハ保持台３６の上方に半導体ウエハ４を移動させた後、ウエハ保持台３６が回転しつつ上昇し、ウエハ保持部材３７が押し出されて研磨済みウエハカセット４５に半導体ウエハ４を収納するようになっている。
また、研磨部２と洗浄部３０には、研磨部２と洗浄部３０とから各々独立に排気するための排気ダクト４６，４７が設置されている。
【００２９】
次に、前述のように構成された半導体ウエハ研磨装置の動作を説明する。
まず、第１搬送機構１３の舌部１３ａによってウエハカセット置き場１６に置かれたウエハカセット１７から半導体ウエハ４を取り出してウエハ反転機１４に渡す。ウエハ反転機１４によって半導体ウエハ４を反転させて研磨面を下に向けた後に、再び第１搬送機構１３が半導体ウエハ４を受け取って第２搬送機構１５に渡す。
【００３０】
次に、トップリングヘッド８がガイドレール９上を移動して、トップリング５が第２ウエハ搬送機構１５のウエハ保持部材１９の上に位置し、ウエハ保持部材１９が上昇して保持している研磨対象の半導体ウエハ４をトップリング５に渡す。
【００３１】
トップリング５は半導体ウエハ４を保持したまま移動してターンテーブル３上の研磨位置に位置する。そしてターンテーブル３とトップリング５が回転し、ターンテーブル３上に貼着された研磨布７上に砥液供給ノズル１０から研磨材を含む砥液が供給され、トップリング５が下降し、トップリング５に保持された半導体ウエハ４が研磨布７に押しつけられて研磨が行われる。
【００３２】
研磨終了後、半導体ウエハ４を保持したままトップリングヘッド８が移動してトップリング５がウエハ支持台２１の真上に位置する。そして、トップリング５から半導体ウエハ４が離脱され、半導体ウエハ４がウエハ支持台２１上に置かれる。トップリング５は次の研磨に向けて第２ウエハ搬送機構１５に向かって移動する。
【００３３】
研磨後の半導体ウエハ４がウエハ支持台２１に置かれた時点でシャッター２３が開き、ウエハ反転機２４のウエハ反転用アーム２７が回転して半導体ウエハ４上に移動して半導体ウエハ４を吸着する。
【００３４】
上記の回転により、研磨後の半導体ウエハ４を保持したアーム２７が逆回転して、半導体ウエハ４を１次洗浄装置３１に渡す。なお、隔壁２２の開口２２ａは半導体ウエハ４を保持したアーム２７が通過可能な形状になっている。半導体ウエハ４およびアーム２７が開口２２ａを通過して洗浄部３０側に移動した時点でシャッター２３が閉じて開口２２ａを閉塞する。
【００３５】
アーム２７によって１次洗浄装置３１に半導体ウエハ４が渡された後、アーム２７は下方に退避する。１次洗浄装置３１において、半導体ウエハ４はローラ３２により保持されつつ一部のローラ３２の回転により回転される。そして、回転している半導体ウエハ４に回転している洗浄用スポンジローラ３３が押し当てられ、そこに洗浄水供給管３４から洗浄水が供給されて１次洗浄が行われる。
【００３６】
１次洗浄後の半導体ウエハ４は第３ウエハ搬送機構３５に受け取られる。半導体ウエハ４を受け取った後、ウエハ搬送機構３５では、ウエハ保持部材３７を引っ込めて半導体ウエハ４をウエハ保持台３６の上方に移動し、ウエハ保持台３６が回転しつつ下降し、ウエハ保持部材３７を再び押し出すことにより半導体ウエハ４を２次洗浄装置４０に渡す。
【００３７】
２次洗浄装置４０において、ウエハ保持台４１によって半導体ウエハ４を回転させながら洗浄水供給管４４から洗浄水をウエハ表面に供給し、洗浄用スポンジ４３を押し当てて洗浄する。洗浄後、スポンジ４３を退避させ、洗浄水の供給を停止し、回転モータ４２の回転数を高くしてウエハ保持台４１を高速で回転させ半導体ウエハ４のスピン乾燥を行う。
【００３８】
２次洗浄および乾燥を終了した半導体ウエハ４を再び第３ウエハ搬送機構３５のウエハ保持部材３７が受け取り、ウエハ保持台３６の上方に半導体ウエハ４を移動させた後、ウエハ保持台３６が回転しつつ上昇し、ウエハ保持部材３７が押し出されて研磨済みウエハカセット４５に半導体ウエハ４を収納する。
【００３９】
以上の工程で研磨および洗浄が行われる間に研磨部２と洗浄部３０が隔壁２２とシャッター２３で仕切られていることにより、研磨部２で発生する研磨砥液の飛沫や研磨粉が洗浄部３０に入ることを防いでいる。この構造に合わせて排気ダクト４６，４７を含む排気系統が研磨部２と洗浄部３０から個別に排気できるように設けられている。又、研磨部の圧力を洗浄部の圧力より低く保持することによって隔壁のシャッターを省略することもできる。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを１体に収納し、これら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、クリーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリーンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨した後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出すことができる。
【００４１】
また本発明によれば、研磨部と洗浄部とが隔壁と、隔壁に設けられたシャッターで仕切られ、かつ研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統が設けられているため、研磨部で発生する飛沫や研磨粉が洗浄部へ入ることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を示す立面図である。
【図２】本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 筐体
２ 研磨部
３ ターンテーブル
５ トップリング
６ 研磨機構
７ 研磨布
８ トップリングヘッド
１２ 供給機構
１３ 第１ウエハ搬送機構
１４ ウエハ反転機
１５ 第２ウエハ搬送機構
２２ 隔壁
２３ シャッター
２４ ウエハ反転機
３０ 洗浄部
３１ １次洗浄装置
３５ 第３ウエハ搬送機構
４０ ２次洗浄装置
４６，４７ 排気ダクト
【産業上の利用分野】
本発明は半導体ウエハ研磨装置および方法に係り、特に半導体ウエハを平坦かつ鏡面状に研磨した後に洗浄する洗浄機能を有する半導体ウエハ研磨装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。特に０．５μｍ以下の光リソグラフィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像面の平坦度を必要とする。
そこで、半導体ウエハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の１手段として半導体ウエハ研磨装置により研磨することが行われている。
【０００３】
従来、この種の半導体ウエハ研磨装置は、各々独立した回転数で回転するターンテーブルとトップリングとを有し、トップリングが一定の圧力をターンテーブルに与え、ターンテーブルとトップリングとの間に半導体ウエハを介在させて半導体ウエハの表面を平坦且つ鏡面に研磨している。
【０００４】
半導体ウエハの研磨をより良く行うために、通常ターンテーブル上の研磨布の上に研磨液が供給される。研磨液は、例えば１μｍ以下の粒径の酸化シリコン、酸化セリウム等の研磨材を含む液を用いる。また、研磨液には水・研磨材の他に研磨材の凝集を防ぐために分散材を少量入れたり、また物理的な研磨作用の他に化学的な研磨作用を得るために酸、アルカリ等を入れることもある。
【０００５】
研磨後の半導体ウエハ上には、ウエハの研磨粉の他に研磨材が多量に付着して汚れている。研磨直後の汚染粒子数は約１０万個／ウエハ程度もあり、これを効率良く１００個／ウエハ以下まで低減することが望まれている。
【０００６】
従来の半導体ウエハ研磨装置は、装置本体からの発塵が多いためにクリーンルームに設置することができなかった。研磨後の汚れた半導体ウエハは一旦乾燥してしまうと、洗浄しても汚れが落ちなくなってしまうため、研磨直後に水を入れた特殊なウエハキャリヤでクリーンルームに持ち込みウエハ洗浄機で洗浄していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体ウエハ研磨装置は、洗浄機と離れた位置に置かれており、しかも研磨後の半導体ウエハは水中に保管しながら運ぶため、クリーンルーム内での生産効率が悪かった。
【０００８】
また洗浄機についても、研磨後の半導体ウエハのダストは非常に多く、洗浄機を汚してしまうため、従来のクリーンルームに設置されたものを利用することができず、専用の洗浄機が必要となるため、設備費用が高くついた。
【０００９】
本発明は、クリーンルーム内に設置可能で、かつクリーンルームを汚染することなく研磨後の半導体ウエハを洗浄および乾燥した後に、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ払い出すことができる半導体ウエハ研磨装置および方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明の半導体ウエハ研磨装置の１態様は、側壁を有した筐体内にトップリングによって半導体ウエハを保持しつつターンテーブルに押しつけて半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設け、前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする。
ここで、前記隔壁の開口を開閉するシャッターを設けたことを特徴とする。
【００１１】
本発明の半導体ウエハ研磨装置の他の態様は、側壁を有しクリーンルーム内に設置可能な筐体の内部に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記筐体内で半導体ウエハを搬送する搬送機構を設けた半導体ウエハ研磨装置であって、前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように筐体内を排気する排気系統を設け、前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする。
ここで、前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする。
また、前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする。
また、前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする。
また、前記トップリングは回転可能であることを特徴とする。
また、前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハの反転機を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の半導体ウエハ研磨装置の他の態様は、クリーンルーム内に設置可能な半導体ウエハ研磨装置であって；側壁を有する筐体と；前記半導体ウエハを研磨する研磨部と；前記半導体ウエハを洗浄する洗浄部と；前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁と；研磨後の前記半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構とを備え；前記研磨部、前記洗浄部及び前記搬送機構は前記筐体内に収納され；前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする。
また、前記隔壁には開口が形成されており、前記搬送機構は、前記隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するように構成された。
また、前記隔壁で分離された前記研磨部から排気する排気系統を設けたことを特徴とする。
また、前記隔壁で分離された前記研磨部と前記洗浄部から独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の半導体ウエハ研磨方法の１態様は、半導体ウエハを研磨した後に洗浄する半導体ウエハ研磨方法であって、研磨装置をクリーンルーム内に設置し、研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハをウエハ支持台に置き、アームが該ウエハを保持し、該アームが隔壁の開口を通過し、該アームが該ウエハを洗浄部に渡し、前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする。
ここで、前記隔壁の開口にはシャッターが設けられ、前記ウエハを保持したアームが開口を通過する際には前記シャッターが開いていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の半導体ウエハ研磨方法の他の態様は、側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置で、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって；前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されている。
ここで、前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する。
また、前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする。
また、前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする。
【００１５】
本発明の半導体デバイス製造方法の１態様は、側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構、及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置を用い半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法であって；前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されている。
ここで、前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する。
また、前記隔壁には前記開口を開閉するシャッターが設けられている。
また、前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする。
また、前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする。
また、前記研磨された半導体ウエハに対して光リソグラフィ処理をする工程を備えた。
本発明の半導体ウエハ研磨装置の１態様は、側壁を有した筐体内にトップリングによって半導体ウエハを保持しつつターンテーブルに押しつけて半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設け、前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする。
ここで、前記隔壁の開口を開閉するシャッターを設けたことを特徴とする。
本発明の半導体ウエハ研磨装置の他の態様は、側壁を有しクリーンルーム内に設置可能な筐体の内部に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記筐体内で半導体ウエハを搬送する搬送機構を設けた半導体ウエハ研磨装置であって、前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように筐体内を排気する排気系統を設け、前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする。
ここで、前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする。
また、前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする。
また、前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする。
また、前記トップリングは回転可能であることを特徴とする。
また、前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする。
また、前記研磨部には前記半導体ウエハの反転機を有することを特徴とする。
本発明の半導体ウエハ研磨装置の他の態様は、クリーンルーム内に設置可能な半導体ウエハ研磨装置であって；側壁を有する筐体と；前記半導体ウエハを研磨する研磨部と；前記半導体ウエハを洗浄する洗浄部と；前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁と；研磨後の前記半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構とを備え；前記研磨部、前記洗浄部及び前記搬送機構は前記筐体内に収納され；前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥 を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする。
また、前記隔壁には開口が形成されており、前記搬送機構は、前記隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するように構成された。
また、前記隔壁で分離された前記研磨部から排気する排気系統を設けたことを特徴とする。
また、前記隔壁で分離された前記研磨部と前記洗浄部から独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とする。
本発明の半導体ウエハ研磨方法の１態様は、半導体ウエハを研磨した後に洗浄する半導体ウエハ研磨方法であって、研磨装置をクリーンルーム内に設置し、研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハをウエハ支持台に置き、アームが該ウエハを保持し、該アームが隔壁の開口を通過し、該アームが該ウエハを洗浄部に渡し、前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする。
ここで、前記隔壁の開口にはシャッターが設けられ、前記ウエハを保持したアームが開口を通過する際には前記シャッターが開いていることを特徴とする。
本発明の半導体ウエハ研磨方法の他の態様は、側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置で、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって；前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納する。
ここで、前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する。
また、前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする。
また、前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする。
本発明の半導体デバイス製造方法の１態様は、側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構、及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置を用い半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法であって；前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納する。
ここで、前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する。
また、前記隔壁には前記開口を開閉するシャッターが設けられている。
また、前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする。
また、前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする。
また、前記研磨された半導体ウエハに対して光リソグラフィ処理をする工程を備えた。
【００１６】
【作用】
本発明の半導体ウエハ研磨装置によれば、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを１体に収納し、これら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、クリーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリーンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨した後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出すことができる。また、研磨部と洗浄部とがウエハを搬送するための小さい開口部を有する隔壁で仕切られ、かつ研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設け、研磨部を洗浄部より低い圧力に保持するか又は隔壁の開口部にシャッターが設けられているため研磨部で発生する飛沫や研磨粉が洗浄部へ入ることを防止できる。
【００１７】
【実施例】
以下、本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を図１及び図２を参照して説明する。図１は半導体ウエハ研磨装置の立面図、図２は半導体ウエハ研磨装置の平面図である。
【００１８】
図１及び図２において、符号１は側壁を有した筐体であり、筐体１内には、半導体ウエハを研磨する研磨部２と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部３０とが収納されている。そして、研磨部２と洗浄部３０とは隔壁２２によって分離されている。
【００１９】
研磨部２には、ターンテーブル３と、半導体ウエハ４を保持しつつターンテーブル３に押しつけるトップリング５とを備えた研磨機構６が設置されている。前記ターンテーブル３はモータＭ１ に連結されるとともにその上面には研磨布７が貼設されている。またトップリング５はトップリング回転用モータＭ２ とトップリング昇降用シリンダ１１とを備えたトップリングヘッド８に連結されており、トップリング５は昇降可能になっているとともにその軸心の回わりに回転可能になっている。そして、トップリングヘッド８はガイドレール９上を左右に移動可能になっている。なお、研磨布７には、その上面に砥液供給ノズル１０より研磨材を含む砥液が供給されるようになっている。
【００２０】
一方、研磨機構６に半導体ウエハ４を供給する供給機構１２は、第１ウエハ搬送機構１３と、ウエハ反転機１４と、第２ウエハ搬送機構１５とから構成されており、第１ウエハ搬送機構１３によってウエハカセット置き場１６に置かれたウエハカセット１７から半導体ウエハ４を取り出してウエハ反転機１４に渡し、このウエハ反転機１４によって半導体ウエハ４を反転させて研磨面を下に向けた後に、この半導体ウエハ４を第１ウエハ搬送機構１３によって受け取って第２ウエハ搬送機構１５に渡すようになっている。
【００２１】
前記第２ウエハ搬送機構１５は、ウエハ保持部材１９と、ウエハ保持部材昇降用スクリューロッド２０とから構成され、第１ウエハ搬送機構１３から受け取った半導体ウエハ４をトップリング５に渡すようになっている。
【００２２】
前記トップリング５で保持されターンテーブル３に押しつけられて研磨された半導体ウエハ４は、研磨終了後にトップリング５に保持された状態でトップリングヘッド８のガイドレール９上の移動によりウエハ支持台２１の真上まで搬送される。そして、半導体ウエハ４はトップリング５から離脱され、ウエハ支持台２１上に置かれる。
【００２３】
また、研磨部２と洗浄部３０とを分離する隔壁２２には、開口２２ａが形成されており、この開口２２ａに隣接して開口２２ａを開閉するためのシャッター２３が設置されている。さらに、隔壁２２に隣接してウエハ反転機２４が設置されている。ウエハ反転機２４は、ウエハ反転軸２５、ウエハ反転用アクチュエータ２６、ウエハ反転用アーム２７とから構成され、アクチュエータ２６により反転軸２５を介して反転用アーム２７が回転させられるようになっている。
【００２４】
前記ウエハ反転機２４では、シャッター２３が開いているときに反転用アーム２７が回転してウエハ支持台２１上の半導体ウエハ４を吸着し、その後、反転用アーム２７が逆転して半導体ウエハ４を反転させるとともに洗浄部３０に搬送する。
【００２５】
洗浄部３０は、半導体ウエハ４の１次洗浄を行う１次洗浄装置３１と、半導体ウエハ４の２次洗浄を行う２次洗浄装置４０とを備えている。前記１次洗浄装置３１は、半導体ウエハ４の外周部を保持して回転させる複数のローラ３２と、半導体ウエハ４を洗浄する洗浄用スポンジローラ３３と、洗浄水供給管３４とから構成されている。半導体ウエハ４はローラ３２により保持されつつ一部のローラの駆動モータによる回転駆動により回転される。回転している半導体ウエハ４に対して回転している洗浄用スポンジローラ３３が押し当てられ、そこに洗浄水が供給されて１次洗浄が行われる。そして、１次洗浄が終わった半導体ウエハ４は第３ウエハ搬送機構３５によって２次洗浄装置４０に搬送される。
【００２６】
第３ウエハ搬送機構３５は、ウエハ保持台３６と、ウエハ保持台３６上に設けられたウエハ保持部材３７と、ウエハ保持台回転モータ３８と、ウエハ保持台昇降用スクリューロッド３９とから構成される。ウエハ保持部材３７はウエハ保持台３６上で、図で矢印で示すように水平方向に動き、ウエハ保持台３６から離れた所にある半導体ウエハ４の受渡しが可能になっている。そして、１次洗浄後の半導体ウエハ４を受け取った第３ウエハ搬送機構３５は、ウエハ保持部材３７を引っ込めて半導体ウエハ４をウエハ保持台３６の上方に移動し、ウエハ保持台３６が回転しつつ下降し、ウエハ保持部材３７を再び押し出すことにより、半導体ウエハ４を２次洗浄装置４０に渡すようになっている。
【００２７】
前記２次洗浄装置４０は、ウエハ保持台４１と、ウエハ保持台回転モータ４２と、洗浄用スポンジ４３と、洗浄水供給管４４とから構成されている。そして、ウエハ保持台４１で半導体ウエハ４を支持しつつ回転させながら洗浄水供給管４４から洗浄水をウエハ表面に供給し、洗浄用スポンジ４３を押し当てて洗浄する。洗浄後、スポンジ４３を退避させ、洗浄水の供給を停止し、回転モータ４２の回転数を上げてウエハ保持台４１を高速で回転させ半導体ウエハ４のスピン乾燥を行う。
【００２８】
２次洗浄および乾燥を終了した半導体ウエハ４を再び第３ウエハ搬送機構３５のウエハ保持部材３７が受け取り、ウエハ保持台３６の上方に半導体ウエハ４を移動させた後、ウエハ保持台３６が回転しつつ上昇し、ウエハ保持部材３７が押し出されて研磨済みウエハカセット４５に半導体ウエハ４を収納するようになっている。
また、研磨部２と洗浄部３０には、研磨部２と洗浄部３０とから各々独立に排気するための排気ダクト４６，４７が設置されている。
【００２９】
次に、前述のように構成された半導体ウエハ研磨装置の動作を説明する。
まず、第１搬送機構１３の舌部１３ａによってウエハカセット置き場１６に置かれたウエハカセット１７から半導体ウエハ４を取り出してウエハ反転機１４に渡す。ウエハ反転機１４によって半導体ウエハ４を反転させて研磨面を下に向けた後に、再び第１搬送機構１３が半導体ウエハ４を受け取って第２搬送機構１５に渡す。
【００３０】
次に、トップリングヘッド８がガイドレール９上を移動して、トップリング５が第２ウエハ搬送機構１５のウエハ保持部材１９の上に位置し、ウエハ保持部材１９が上昇して保持している研磨対象の半導体ウエハ４をトップリング５に渡す。
【００３１】
トップリング５は半導体ウエハ４を保持したまま移動してターンテーブル３上の研磨位置に位置する。そしてターンテーブル３とトップリング５が回転し、ターンテーブル３上に貼着された研磨布７上に砥液供給ノズル１０から研磨材を含む砥液が供給され、トップリング５が下降し、トップリング５に保持された半導体ウエハ４が研磨布７に押しつけられて研磨が行われる。
【００３２】
研磨終了後、半導体ウエハ４を保持したままトップリングヘッド８が移動してトップリング５がウエハ支持台２１の真上に位置する。そして、トップリング５から半導体ウエハ４が離脱され、半導体ウエハ４がウエハ支持台２１上に置かれる。トップリング５は次の研磨に向けて第２ウエハ搬送機構１５に向かって移動する。
【００３３】
研磨後の半導体ウエハ４がウエハ支持台２１に置かれた時点でシャッター２３が開き、ウエハ反転機２４のウエハ反転用アーム２７が回転して半導体ウエハ４上に移動して半導体ウエハ４を吸着する。
【００３４】
上記の回転により、研磨後の半導体ウエハ４を保持したアーム２７が逆回転して、半導体ウエハ４を１次洗浄装置３１に渡す。なお、隔壁２２の開口２２ａは半導体ウエハ４を保持したアーム２７が通過可能な形状になっている。半導体ウエハ４およびアーム２７が開口２２ａを通過して洗浄部３０側に移動した時点でシャッター２３が閉じて開口２２ａを閉塞する。
【００３５】
アーム２７によって１次洗浄装置３１に半導体ウエハ４が渡された後、アーム２７は下方に退避する。１次洗浄装置３１において、半導体ウエハ４はローラ３２により保持されつつ一部のローラ３２の回転により回転される。そして、回転している半導体ウエハ４に回転している洗浄用スポンジローラ３３が押し当てられ、そこに洗浄水供給管３４から洗浄水が供給されて１次洗浄が行われる。
【００３６】
１次洗浄後の半導体ウエハ４は第３ウエハ搬送機構３５に受け取られる。半導体ウエハ４を受け取った後、ウエハ搬送機構３５では、ウエハ保持部材３７を引っ込めて半導体ウエハ４をウエハ保持台３６の上方に移動し、ウエハ保持台３６が回転しつつ下降し、ウエハ保持部材３７を再び押し出すことにより半導体ウエハ４を２次洗浄装置４０に渡す。
【００３７】
２次洗浄装置４０において、ウエハ保持台４１によって半導体ウエハ４を回転させながら洗浄水供給管４４から洗浄水をウエハ表面に供給し、洗浄用スポンジ４３を押し当てて洗浄する。洗浄後、スポンジ４３を退避させ、洗浄水の供給を停止し、回転モータ４２の回転数を高くしてウエハ保持台４１を高速で回転させ半導体ウエハ４のスピン乾燥を行う。
【００３８】
２次洗浄および乾燥を終了した半導体ウエハ４を再び第３ウエハ搬送機構３５のウエハ保持部材３７が受け取り、ウエハ保持台３６の上方に半導体ウエハ４を移動させた後、ウエハ保持台３６が回転しつつ上昇し、ウエハ保持部材３７が押し出されて研磨済みウエハカセット４５に半導体ウエハ４を収納する。
【００３９】
以上の工程で研磨および洗浄が行われる間に研磨部２と洗浄部３０が隔壁２２とシャッター２３で仕切られていることにより、研磨部２で発生する研磨砥液の飛沫や研磨粉が洗浄部３０に入ることを防いでいる。この構造に合わせて排気ダクト４６，４７を含む排気系統が研磨部２と洗浄部３０から個別に排気できるように設けられている。又、研磨部の圧力を洗浄部の圧力より低く保持することによって隔壁のシャッターを省略することもできる。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、側壁を有した筐体内に研磨部と洗浄部とを１体に収納し、これら研磨部と洗浄部とを隔壁により分離したため、クリーンルーム内に装置全体を設置することができ、クリーンルーム内を汚染することなく半導体ウエハを研磨した後に洗浄をし、通常クリーンルーム内で用いているウエハキャリアで次工程へ乾燥した半導体ウエハを払い出すことができる。
【００４１】
また本発明によれば、研磨部と洗浄部とが隔壁と、隔壁に設けられたシャッターで仕切られ、かつ研磨部と洗浄部から各々独立に排気する排気系統が設けられているため、研磨部で発生する飛沫や研磨粉が洗浄部へ入ることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を示す立面図である。
【図２】本発明に係る半導体ウエハ研磨装置の一実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 筐体
２ 研磨部
３ ターンテーブル
５ トップリング
６ 研磨機構
７ 研磨布
８ トップリングヘッド
１２ 供給機構
１３ 第１ウエハ搬送機構
１４ ウエハ反転機
１５ 第２ウエハ搬送機構
２２ 隔壁
２３ シャッター
２４ ウエハ反転機
３０ 洗浄部
３１ １次洗浄装置
３５ 第３ウエハ搬送機構
４０ ２次洗浄装置
４６，４７ 排気ダクト
Claims (52)
- 側壁を有した筐体内にトップリングによって半導体ウエハを保持しつつターンテーブルに押しつけて半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設け、
前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする半導体ウエハ研磨装置。 - 前記隔壁の開口を開閉するシャッターを設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 側壁を有しクリーンルーム内に設置可能な筐体の内部に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記筐体内で半導体ウエハを搬送する搬送機構を設けた半導体ウエハ研磨装置であって、前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように筐体内を排気する排気系統を設け、
前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする半導体ウエハ研磨装置。 - 前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする請求項４記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記研磨部には前記半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする請求項６記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記トップリングは回転可能であることを特徴とする請求項６記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記研磨部には前記半導体ウエハの反転機を有することを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハ研磨装置。
- クリーンルーム内に設置可能な半導体ウエハ研磨装置であって；
側壁を有する筐体と；
前記半導体ウエハを研磨する研磨部と；
前記半導体ウエハを洗浄する洗浄部と；
前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁と；
研磨後の前記半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構とを備え；
前記研磨部、前記洗浄部及び前記搬送機構は前記筐体内に収納され；
前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする；
半導体ウエハ研磨装置。 - 前記隔壁には開口が形成されており、前記搬送機構は、前記隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するように構成された、請求項１１に記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記隔壁で分離された前記研磨部から排気する排気系統を設けたことを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記隔壁で分離された前記研磨部と前記洗浄部から独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 半導体ウエハを研磨した後に洗浄する半導体ウエハ研磨方法であって、
研磨装置をクリーンルーム内に設置し、研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハをウエハ支持台に置き、アームが該ウエハを保持し、該アームが隔壁の開口を通過し、該アームが該ウエハを洗浄部に渡し、
前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されていることを特徴とする半導体ウエハ研磨方法。 - 前記隔壁の開口にはシャッターが設けられ、前記ウエハを保持したアームが開口を通過する際には前記シャッターが開いていることを特徴とする請求項１５記載の半導体ウエハ研磨方法。
- 側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置で、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって；
前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；
研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；
研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；
前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されている；
半導体ウエハ研磨方法。 - 前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する、請求項１７に記載の半導体ウエハ研磨方法。
- 前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする、請求項１７又は１８に記載の半導体ウエハ研磨方法。
- 前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする、請求項１７又は１８に記載の半導体ウエハ研磨方法。
- 側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構、及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置を用い半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法であって；
前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；
研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；
研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；
前記洗浄部は、研磨後の半導体ウエハを洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の半導体ウエハを乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間で半導体ウエハを搬送する搬送手段とを備え、該洗浄手段と乾燥手段と搬送手段とは互いを仕切る隔壁がなく同一雰囲気内に配置されている；
半導体デバイス製造方法。 - 前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する、請求項２１に記載の半導体デバイス製造方法。
- 前記隔壁には前記開口を開閉するシャッターが設けられている、請求項２１又は２２に記載の半導体デバイス製造方法。
- 前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする、請求項２１乃至２３のいずれか１項に記載の半導体デバイス製造方法。
- 前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする、請求項２１乃至２３のいずれか１項に記載の半導体デバイス製造方法。
- 前記研磨された半導体ウエハに対して光リソグラフィ処理をする工程を備えた、請求項２１乃至２５のいずれか１項に記載の半導体デバイス製造方法。
- 側壁を有した筐体内にトップリングによって半導体ウエハを保持しつつターンテーブルに押しつけて半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁を設けるとともに該隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構を設け、前記研磨部と前記洗浄部から各々独立に排気する排気系統を設け、
前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする半導体ウエハ研磨装置。 - 前記隔壁の開口を開閉するシャッターを設けたことを特徴とする請求項２７記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 側壁を有しクリーンルーム内に設置可能な筐体の内部に半導体ウエハを研磨する研磨部と、半導体ウエハを洗浄する洗浄部とを収納し、前記筐体内で半導体ウエハを搬送する搬送機構を設けた半導体ウエハ研磨装置であって、前記研磨部の圧力を前記洗浄部の圧力より低く保持するように筐体内を排気する排気系統を設け、
前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする半導体ウエハ研磨装置。 - 前記研磨部にはターンテーブルを有することを特徴とする請求項２９記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記ターンテーブルはモータに連結していることを特徴とする請求項３０記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記研磨部には前記半導体ウエハを保持するトップリングを有することを特徴とする請求項２９記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記トップリングは昇降可能であることを特徴とする請求項３２記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記トップリングは回転可能であることを特徴とする請求項３２記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記研磨部には砥液供給ノズルがあることを特徴とする請求項２９記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記研磨部には前記半導体ウエハの反転機を有することを特徴とする請求項２９記載の半導体ウエハ研磨装置。
- クリーンルーム内に設置可能な半導体ウエハ研磨装置であって；
側壁を有する筐体と；
前記半導体ウエハを研磨する研磨部と；
前記半導体ウエハを洗浄する洗浄部と；
前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁と；
研磨後の前記半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構とを備え；
前記研磨部、前記洗浄部及び前記搬送機構は前記筐体内に収納され；
前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との 間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする；
半導体ウエハ研磨装置。 - 前記隔壁には開口が形成されており、前記搬送機構は、前記隔壁の開口を介して研磨後の半導体ウエハを前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するように構成された、請求項３７に記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記隔壁で分離された前記研磨部から排気する排気系統を設けたことを特徴とする、請求項３７又は３８に記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 前記隔壁で分離された前記研磨部と前記洗浄部から独立に排気する排気系統を設けたことを特徴とする、請求項３７又は３８に記載の半導体ウエハ研磨装置。
- 半導体ウエハを研磨した後に洗浄する半導体ウエハ研磨方法であって、
研磨装置をクリーンルーム内に設置し、研磨部で研磨し、研磨後の半導体ウエハをウエハ支持台に置き、アームが該ウエハを保持し、該アームが隔壁の開口を通過し、該アームが該ウエハを洗浄部に渡し、
前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納することを特徴とする半導体ウエハ研磨方法。 - 前記隔壁の開口にはシャッターが設けられ、前記ウエハを保持したアームが開口を通過する際には前記シャッターが開いていることを特徴とする請求項４１記載の半導体ウエハ研磨方法。
- 側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置で、半導体ウエハを研磨する半導体ウエハの研磨方法であって；
前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；
研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；
研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；
前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納する；
半導体ウエハ研磨方法。 - 前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する、請求項４３に記載の半導体ウエハ研磨方法。
- 前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする、請求項４３又は４４に記載の半導体ウエハ研磨方法。
- 前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする、請求項４３又は４４に記載の半導体ウエハ研磨方法。
- 側壁を有した筐体内に収納された研磨部、洗浄部、搬送機構、及び前記研磨部と前記洗浄部を分離する隔壁を有し、クリーンルーム内に設置された、半導体ウエハ研磨装置を用い半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法であって；
前記半導体ウエハを前記研磨部で研磨する研磨工程と；
研磨された前記半導体ウエハを前記洗浄部で洗浄する洗浄工程と；
研磨後の前記半導体ウエハを、前記隔壁に形成された開口を介して、前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送工程を備え；
前記洗浄部は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄装置と、前記半導体ウエ ハの２次洗浄および乾燥を行なう２次洗浄装置と、前記１次洗浄装置と２次洗浄装置との間で前記半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え、前記搬送手段は洗浄および乾燥後の半導体ウエハをウエハカセットに収納する；
半導体デバイス製造方法。 - 前記洗浄工程は、前記半導体ウエハの１次洗浄を行なう１次洗浄工程と、前記１次洗浄後の半導体ウエハの２次洗浄を行なう２次洗浄工程とを有する、請求項４７に記載の半導体デバイス製造方法。
- 前記隔壁には前記開口を開閉するシャッターが設けられている、請求項４７又は４８に記載の半導体デバイス製造方法。
- 前記研磨部から排気系統により排気することを特徴とする、請求項４７乃至４９のいずれか１項に記載の半導体デバイス製造方法。
- 前記研磨部と前記洗浄部から排気系統により独立して排気することを特徴とする、請求項４７乃至４９のいずれか１項に記載の半導体デバイス製造方法。
- 前記研磨された半導体ウエハに対して光リソグラフィ処理をする工程を備えた、請求項４７乃至５１のいずれか１項に記載の半導体デバイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001363793A JP3553542B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体ウエハ研磨装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001363793A JP3553542B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体ウエハ研磨装置および方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31928994A Division JP3315544B2 (ja) | 1993-09-19 | 1994-11-29 | 半導体ウエハ研磨装置および方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004037458A Division JP3669997B2 (ja) | 2004-02-13 | 2004-02-13 | 半導体ウエハ研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184735A JP2002184735A (ja) | 2002-06-28 |
| JP3553542B2 true JP3553542B2 (ja) | 2004-08-11 |
Family
ID=19174080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001363793A Expired - Lifetime JP3553542B2 (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体ウエハ研磨装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3553542B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6378890B2 (ja) * | 2013-03-01 | 2018-08-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法 |
-
2001
- 2001-11-29 JP JP2001363793A patent/JP3553542B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002184735A (ja) | 2002-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11285517B2 (en) | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and substrate processing apparatus | |
| US9144881B2 (en) | Polishing apparatus and polishing method | |
| TWI616239B (zh) | 擦洗器 | |
| US6500051B1 (en) | Polishing apparatus and method | |
| JPH09117857A (ja) | ポリッシング装置 | |
| TW201935520A (zh) | 處理基板的表面的裝置及方法 | |
| US20090017733A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US6929529B2 (en) | Polishing apparatus | |
| JP2015023248A (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 | |
| US10926376B2 (en) | Method and apparatus for polishing a substrate, and method for processing a substrate | |
| JP7078489B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
| JP2019216207A (ja) | 基板処理方法 | |
| US10376929B2 (en) | Apparatus and method for polishing a surface of a substrate | |
| JP2007507078A (ja) | Ｃｍｐプロセスを用いたウエハ清浄装置 | |
| JP3315544B2 (ja) | 半導体ウエハ研磨装置および方法 | |
| TW201922413A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| JP2000176386A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JP3553542B2 (ja) | 半導体ウエハ研磨装置および方法 | |
| JP3891641B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| JP6625461B2 (ja) | 研磨装置 | |
| JP3669997B2 (ja) | 半導体ウエハ研磨装置 | |
| JP2021130145A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
| JP3862435B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
| JPH11135463A (ja) | 処理装置及びその方法 | |
| KR20190054965A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031216 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040213 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040413 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040428 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120514 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140514 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |