KR200156133Y1 - 웨이퍼 배면 클리닝장치 - Google Patents

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Abstract

본 고안은 웨이퍼 배면 클리닝장치에 관한 것으로, 종래의 클리닝장치가 웨이퍼의 배면 중앙부의 이물을 완벽하게 제거하지 못하게 되는 문제점이 있어 이를 해결하기 위한 것이다. 이와 같은 본 고안에 의해 웨이퍼 배면 클리닝장치는내부에 진공라인(12)이 구비된 회전척(12)을 하향 설치하고, 상기 회전척(12)의 하부에 웨이퍼(19)의 배면 가장자리를 파지하는 원호형 파지부(14, 14')를 일체로 상향 형성하며, 상기 원호형 파지부(14, 14')에 파지되는 웨이퍼(19)의 중앙부에 순수를 분사하도록 다수개의 노즐(16, 16')이 상기 회전척(11)의 하부에 상향 설치되어 구성된다. 이와 같은 본 고안에 의하면 웨이퍼(19) 배면의 이물이 완벽하게 제거되어 웨이퍼의 생산수율이 크게 향상되는 이점이 있다.

Description

웨이퍼 배면 클리닝장치
제1도의 (a)는 종래 기술에 의한 웨이퍼 배면 클리닝장치의 개략구성을 보인 구성도.
제1도의 (b)는 회전척의 상면을 보인 평면도.
제2도는 본 고안에 의한 웨이퍼 배면 클리닝장치의 개략구성을 보인 구성도.
제3도는 본 고안에 의한 웨이퍼 배면 클리닝장치의 회전척의 저면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 회전척 12 : 진공라인
13 : 회전플랜지 14,14' : 원호형 파지부
15(15a, 15b, 15c), 15'(15'a, 15'b, 15'c) : 웨이퍼접촉면
16,16' : 분사노즐 19 : 웨이퍼
본 고안은 웨이퍼 배면 클리닝장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 배면 중앙부의 이물질을 확실하게 제거하도록 진공척을 구성한 웨이퍼 배면 클리닝장치에 관한 것이다.
제1도의 (a)는 종래 기술에 의한 웨이퍼 배면 클리닝장치의 개략구성을 보인 구성도이고, 제1도의 (b)는 회전척의 상면을 보인 평면도이다.
이에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 의한 웨이퍼 배면 클리닝장치는 구동수단(미도시)에 의한 회전되고 그 내부에 진공라인(2)을 구히반 회전척(1)과, 상기 회전척(1)에 진공에 의해 부착되어 있는 웨이퍼(5)의 하면에 순수를 분사시키는 다수개의 노즐(4)을 포함하여 구성된다.
상기 회전척(1)은 원형으로 형성된 것으로 그 상면에 상기 진공라인(2)과 연통되는 진공흡착부(1')가 형성되어 있다. 그리고 제1도의 (b)에 도시되어 있는 회전척(1)의 빗금친 부분은 웨이퍼(5)와 회전척(1)이 접촉되는 부분이다.
상기 노즐(4)은 웨이퍼(5)의 배면에 순수를 분사하도록 상향 형성되어 있다.
도면중 미설명 부호 3은 회전플랜지이다.
이와 같이 구성된 종래 기술에 의한 웨이퍼 배면 클리닝장치에 의해 웨이퍼(5) 배면의 이물을 제거하는 과정을 살펴보면 다음과 같다.
트랙라인(Track Line)을 따라 웨이퍼(5)라 로딩되면 컨베이어 밸트에 의해 운반되어 진공흡착부(1')가 형성되어 있는 회전척(1)의 상면 중앙에 놓여지게 된다. 이와 같이 되면 진공라인(2)을 통해 진공흡착부(1')를 진공상태로 만들어 웨이퍼(5)를 회전척(1)의 상면에 부착시키고 회전척(1)을 고속으로 회전시킨다. 이와 같은 상태에서 노즐(4)을 통해 순수를 웨이퍼(5)의 배면에 분사하여 준다.
또한 이와 같이 순수를 노즐을 통해 분사하는 방법이외에도 질소(N2)건(gun)을 사용하여 질소를 블로우잉(Blowing)하여 이물질을 제거하는 방법도 사용된다.
그리고, 웨이퍼 표면을 척으로 파지하고 배면을 스크러빙(Scrubbong)하는 방법도 있다.
그러나 상기와 같은 종래 기술에 의해 웨이퍼배면의 이물질을 제거하는 데는 다음과 같은 문제점들이 있다.
즉, 제1도에 도시된 바와 같은 장치를 사용하여 웨이퍼(5)의 배면을 클리닝하는데 있어서는 웨이퍼(5)가 회전척(1)에 의해 부착되어 회전하게 되므로 클리닝을 위한 순수가 분사되는 부분은 웨이퍼(5)가 회전척(1)과 접촉되는 부분을 제외한 웨이퍼(5) 배면의 가장자리 부분이다. 따라서 웨이퍼(5)의 중앙부에 있는 이물은 전혀 제거되지 않게 된다.
그리고 웨이퍼 배변 전체의 이물질을 제거하기 위해서 상기한 바와 같이 웨이퍼의 표면을 척으로 파지하고 이면을 스크러빙하게 되면 웨이퍼 배면의 이물질이 완전히 제거되기는 하나 웨이퍼의 표면에 미치게 되는 데미지가 크기 때문에 특허 런(run) 웨이퍼에 적용하기에는 무리가 따랐다.
따라서, 본 고안의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼 배면 중앙부의 이물을 웨이퍼 표면에 손상을 주지 않으면서 완벽하게 제거할 수 있도록 된 웨이퍼 배면 클리닝장치를 제공하는 것이다.
상기와 같은 본 고안의 목적은, 웨이퍼를 회전시키면서 그 배면을 향해 세정용 순수를 분사하여 세정하기 위한 웨이퍼 배면 클리닝장치에 있어서, 외부의 진공라인과 연결되어 회전가능하게 지지되어 있고 웨이퍼 상면측에서 배면측으로 하향 설치된 진공라인과 이 진공라인을 통해 배기되게 연장되고 웨이퍼의 배면 가장자리를 파지하도록 원호형으로 형성된 둘 이상의 파지부와 각 파지부에 형성되어 웨이퍼의 배면 가장자리를 진공으로 흡착하는 복수의 흡착면을 가지는 회전척과 이 회전척에 지지된 웨이퍼의 배면을 향해 밑에서 위로 세정액을 분사하는 복수의 노즐을 포함하는 세정액 분사수단이 구비된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 배면 클리닝장치에 의해 달성된다.
상기한 바와 같은 본 고안에 의한 웨이퍼 배면 클리닝장치를 첨부된 도면에 도시된 실시례를 참고하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 고안에 의한 웨이퍼 배면 클리닝장치의 개략구성을 보인 구성도이고 제3도는 본 고안에 의한 웨이퍼 배면 클리닝장치의 회전척의 저면도이다.
이에 도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 웨이퍼 배면 클리닝장치는 내부에 진공라인(12)이 구비된 회전척(11)을 하향 설치하고, 상기 회전척(11)의 하부에 웨이퍼(19)의 배면 가장자리를 파지하는 원호형 파지부(14, 14')를 일체로 상향 형성하며, 상기 원호형 파지부(14, 14')에 파지되는 웨이퍼(19)의 중앙부에 순수를 분사하도록 다수개의 노즐(16, 16')이 상기 회전척(11)의 하부에 상향 설치되어 구성된다.
상기 원호형 파지부(14, 14')는 웨이퍼(19)를 안전되게 파지하도록 다수개가 형성되며, 그 내부에 상기 회전척(11)의 진공라인(12)이 연결되어 있어 웨이퍼(19)의 가장자리를 진공으로 흡착하도록 구성된다. 이와 같은 원호형 파지부(14, 14')에는 웨이퍼 접착면(15: 15a, 15b, 15c; 15': 15'a, 15'b, 15'c)이 다수개 형성되어 있다. 본 고안의 도면에서는 상기 원호형 파지부(14, 14')가 복수개 형성된 것을 도시하고 있다.
도면 중 미설명 부호 13은 회전플랜지이다.
상기와 같이 구성된 본 고안에 의한 웨이퍼배면 클리닝장치는 웨이퍼(19) 배면 중앙부의 이물을 제거하는 것으로, 일반적인 웨이퍼 제조공정 중에 웨이퍼(19) 배면 가장자리에 있는 이물을 종래와 같은 방법으로 제거한 후에 사용되는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면 웨이퍼(19) 배면의 이물을 완벽하게 제거할 수 있도록 되는 것이다.
이와 같은 본 고안 장치의 작동을 설명하면, 먼저 종래의 장치에서 웨이퍼(19) 배면 가장자리의 이물을 제거하고 본 고안의 장치로 웨이퍼(19)를 이동시켜 웨이퍼(19) 배면 중앙부의 이물을 제거하게 된다. 즉, 상기 원호형 파지부(14, 14')에 웨이퍼(19)를 얹어 진공흡착력으로 상기 웨이퍼 흡착면(15, 15')에 흡착한 후 소정의 속도로 웨이퍼(19)를 회전시키면서 분사노즐(16, 16')로 순수를 분사시켜 웨이퍼(19) 배면 중앙부를 세정하게 된다. 이때, 웨이퍼(19)는 그 가장자리가 상기 웨이퍼 파지부(14, 14')의 웨이퍼 접착면(15, 15')과 접촉하여 있게 되므로 이 부분을 제외한 웨이퍼(19)의 중앙부에는 상기 노즐(16, 16')로 분사되는 순수에 의해 이물이 완전히 세정된다. 그리고 순수의 분사에 의한 세정이 끝나게 되면 웨이퍼(19)를 회전시키면서 건조시키고, 핫플레이트 히팅(Hot Plate Heating)과정을 거친 후 언로딩되어 다음의 공정으로 전달된다.
위에서 상세히 설명한 바와 같은 본 고안에 의한 웨이퍼 배면 클리닝장치에 의하면 종래의 장치에서 웨이퍼 배면 가장자리의 이물을 제거한 후에, 본 고안의 장치를 사용하여 웨이퍼 배면 중앙부의 이물을 제거할 수 있게 되므로 웨이퍼 배면의 이물을 완벽하게 제거할 수 있게 되어 웨이퍼의 수율을 크게 증가시키는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. (2회 정정) 웨이퍼를 회전시키면서 그 배면을 향해 세정용 순수를 분사하여 세정하기 위한 웨이퍼 배면 클리닝장치에 있어서, 외부의 진공라인과 연결되어 회전가능하게 지지되어 있고 웨이퍼 상면측에서 배면측으로 하향 설치된 진공라인과 이 진공라인을 통해 배기되게 연장되고 웨이퍼의 배면 가장자리를 파지하도록 원호형으로 형성된 둘 이상의 파지부와 각 파지부에 형성되어 웨이퍼의 배면 가장자리를 진공으로 흡착하는 복수의 흡착면을 가지는 회전척과, 이 회전척에 지지된 웨이퍼의 배면을 향해 밑에서 위로 세정액을 분사하는 복수의 노즐을 포함하는 세정액 분사수단이 구비된 것을 특징으로 웨이퍼 배면 클리닝장치.
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KR100429096B1 (ko) * 2001-04-28 2004-04-28 주식회사 라셈텍 양면 동시세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치

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