JPH06103678B2 - 半導体基板の加工方法 - Google Patents

半導体基板の加工方法

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JPH06103678B2
JPH06103678B2 JP62300421A JP30042187A JPH06103678B2 JP H06103678 B2 JPH06103678 B2 JP H06103678B2 JP 62300421 A JP62300421 A JP 62300421A JP 30042187 A JP30042187 A JP 30042187A JP H06103678 B2 JPH06103678 B2 JP H06103678B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明はシリコン半導体基板の加工方法に係り、特に
異方性面に汚染物質ゲッタリング用の損傷が設けられた
基板を製造するための半導体基板の加工方法に関する。
（従来の技術） 半導体デバイスの製造に使用されるシリコンウエハは従
来、第12図に示すような工程で製造されている。すなわ
ち、まずシリコン単結晶棒（シリコンインゴット）をス
ライスしてウエハを切出す。次にこのウエハの両面をラ
ッピング及びエッチング処理した後、裏面にのみホーニ
ングによって損傷を与える。この後、洗浄を行ない、さ
らに鏡面ポリッシュを行って鏡面ウエハが製造される。
ところで、上記ホーニングによる損傷の形成は次のよう
な理由で行われている。半導体デバイスの高密度化、微
細化が進につれて、ウエハの高品位化に対する要求が非
常に強くなっている。ウエハの高品位化に対する施策と
して、ウエハの裏面に損傷（ダメージ）を与え、ウエハ
自体のゲッタリング能力を持たせる方法が良く知られて
いる。ウエハの裏面ダメージ、すわなちバックサイドダ
メージ（BSD）を与える方法として、上記のようなホー
ニングがある。これはSiO2等の微粒子をウエハの裏面に
吹付けて損傷を与え、傷跡を形成するものである。とこ
ろが、この方法によれば数μｍもの大きな傷跡が形成さ
れる場合があり、このような傷跡が存在しているウエハ
を酸化等のデバイス・プロセスに投入すると、そこから
シリコン塵が発生し、これが微粒子としてウエハ表面に
付着する。このウエハ汚染により微細加工プロセスに大
きな悪影響が与えられ、デバイス歩留り低下の主要な原
因なる。
また、裏面に上記のようなBSDを持たないウエハでは上
記のような問題は発生しないが、ウエハとしてのゲッタ
リング能力がないため、偶発的なプロセス変動や汚染が
あった場合にはその影響がウエハ表面側に直接現われて
しまう。例えば、酸化工程の際に、酸化誘起積層欠陥
（OSF）等が表面に発生する。この結果、接合リークが
増大したり、イメージセンサ等では画像欠陥が発生し、
デバイス歩留りの大幅な低下を招く。
（発明が解決しようとする問題点） このように従来では、裏面に損傷を持つ基板を製造する
際にその損傷の傷跡が大きくなりすぎ、その後のプロセ
スに悪影響を及ぼすという問題がある。
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、微細なゲッタリング用の裏面損傷が形成でき、後
のプロセスに悪影響を及ぼすことがない半導体基板を製
造することができ、かつ従来方法よりも工程を簡略でき
る半導体基板の加工方法を提供することにある。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） この発明の半導体基板の加工方法は、シリコン単結晶イ
ンゴットをスライスしてシリコン基板を形成する工程
と、上記基板の両面をラッピング及びエッチング処理す
る工程と、上記基板を処理液中に浸漬し、この処理液を
介して基板の表面に超音波を伝播させることにより基板
表面の洗浄を行なうと共に表面にゲッタリング用の損傷
を与える工程とからなることを特徴としている。
（作用） この発明では、処理液中を伝播する超音波が半導体基板
の表面に当たることにより損傷が形成され、この損傷が
バックサイドダメージとして作用する。このとき、基板
が同時に洗浄される。
（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の方法を実施例により説
明する。
第１図はこの発明方法の工程をまとめて示す図である。
すなわち、まずシリコン単結晶棒（シリコンインゴッ
ト）をスライスしてウエハを切出す。次にこのウエハの
両面をラッピング及びエッチング処理してダメージを取
り除いた後、洗浄が行なわれる。この洗浄は次のような
方法により行われる。
第２図は上記洗浄を行なう際に使用される処理装置の正
面図である。図において、10は処理槽であり、この処理
槽10の底部には供給口11から超純水が供給されるように
なっており、処理槽10からオーバーフローした超純水は
上部から排出されるようになっている。また、上記処理
槽10の底部には超音波振動子及び超音波振動板からなる
超音波発生部12が設けられており、ここで発生した超音
波は上記処理槽10内の超純水中に伝播されるようになっ
ている。さらに、上記処理槽10内の上記供給口11の上部
には、多数の開口部を有する底板13が設けられており、
この底板13上に洗浄すべき複数枚のウエハ14がウエハキ
ャリア15に収納された状態で設置されるようになってい
る。
このような構成の処理装置において、処理槽10を超純水
で満たし、超音波発生部12を動作させて処理を行なう。
この場合、超音波出力は50W〜500Wの範囲内で選択さ
れ、周波数は10KHz〜100KHzの範囲内で選択される。こ
のとき、超純水中を伝播する超音波が各ウエハ14に当た
ることにより、両面に損傷が形成されると同時に表面の
洗浄が行われる。
ここで上記底板13として第３図（ａ）に示すように五角
形の開口部16を有するものや、第３図（ｂ）に示すよう
なメッシュ状のものを使用することができる。上記のよ
うに底板13上にウエハキャリア15を設置し、ウエハキャ
リア15の下部から超純水を供給することにより、処理槽
10内での超純水のよどみの発生が防止される。これによ
り、損傷を形成する際に発生した微粒子や表面に付着し
ていた微粒子は、超純水の置換が速やかに行われること
によりウエハ14に再付着することなく、オーバーフロー
する超純水と共に処理槽外部に排出される。
上記方法により洗浄及び損傷の形成が終了した後は鏡面
ポリッシュ及び再洗浄を行なうことにより鏡面ウエハが
製造される。
ところで、上記の洗浄及び損傷の形成工程の際に、超音
波出力は50W〜500Wの範囲内で、周波数は10KHz〜100KHz
の範囲内でそれぞれ選択することが必要である。上記範
囲外の周波数ではウエハに損傷が入りにくくなり、また
出力が50W以下の場合には損傷が入りにくく、500W以上
では損傷が大きくなり、ウエハ表面に大きな傷跡が残っ
てしまう。
このようにして製造されたウエハと従来の方法で製造さ
れたウエハとを1000℃の乾燥酸素雰囲気中で16時間酸化
を行ない、表面に現われる微粒子を評価した。従来ウエ
ハでは直径が５インチのウエハ１枚当り0.3μｍ〜0.5μ
ｍの微粒子が100〜103（個／cm2）の割合いで付着して
いたのに対して、この実施例方法によるウエハでは10
（個／cm2）以下の割合いで付着していた。この結果、
この発明の方法で製造されたウエハの微粒子発生率は大
幅に押さえられている。その理由は、従来方法ではホー
ニングの際に多量の微粒子が発生し、これが洗浄工程を
経てもウエハ表面に付着したままの状態になるのに対
し、上記方法では超音波による損傷を与えると同時に洗
浄を行なうようにしているので微粒子の付着が大幅に押
さえられている。
また、上記方法において洗浄時に加える超音波の周波数
を5KHzから500KHzの範囲内で、また出力を10Wから1000W
の範囲内でそれぞれ変化させてウエハを製造し、製造さ
れたウエハを1000℃の乾燥酸素雰囲気中で16時間酸化を
行ない、表面（鏡面側）及び裏面に発生するOSF（酸化
誘起積層欠陥）の密度を評価した。
第４図は超音波出力を200Wに固定して周波数を変化した
場合の結果を示す。図中の特性曲線Ａは鏡面OSF密度で
あり、曲線Ｂは裏面OSF密度である。同図から明らかな
ように周波数が10KHz以下及び100KHz以上のときには損
傷が入りにくくなり、鏡面OSF密度が増加し、ゲッタリ
ング能力が低下する。
第５図は周波数38Hzに固定して超音波出力を変化した場
合の結果を示す。図中の特性曲線Ａは鏡面OSF密度であ
り、曲線Ｂは裏面OSF密度である。同図から明らかなよ
うに出力が50W以下では裏面に損傷が入らず、また500W
以上になると裏面の損傷が大きくなってその後の鏡面ポ
リッシュだけでは損傷が取除けず、表面側のOSF密度が
増加することがわかる。従って、裏面ではゲッタリング
能力を持ち、表面側は無欠陥であり、かつ微粒子の発生
しないウエハを製造するこめは、各ウエハに印加する超
音波として、周波数10KHz〜100KHz、出力50W〜500Wの範
囲内でそれぞれ選択することが必要である。
このように上記実施例の方法によれば、微細なゲッタリ
ング用の裏面損傷が形成でき、かつウエハに付着してい
る微粒子を極めて少なくすることができので、この後の
プロセスに悪影響を及ぼすことはない。しかも上記実施
例の方法では、洗浄と損傷の形成とを同時に行なうこと
ができるため、従来方法よりも工程を簡略することがで
きる。
第６図は上記第１図の工程の方法において、ウエハの洗
浄を行なう際に使用可能な他の処理装置の正面図であ
る。この処理装置では、この処理槽10内に超純水を供給
する供給口11を処理槽10の底部の２箇所に設けることに
より、処理槽10内での超純水の置換がより効果的に行わ
れるようにしたものである。
ところで、上記第２図及び第６図の処理装置では、底板
13を設け、この底板13上にウエハキャリア15を載置し、
超音波発生部12と底板13との間から超純水を供給するよ
うにしているため、ウエハキャリア15を超音波発生部12
の上に直接載置する場合に比べて各ウエハ14に付着して
いる微粒子の再付着を防止することができるという効果
もある。
第７図は、上記第２図及び第６図のような処理装置にお
いて、底板13を設けた場合と設けない場合とでの、微粒
子除去率を比べた特性図である。図中の特性Ａは底板を
設けない場合のものであり、特性Ａは底板を設けた場合
のものである。この特性から明らかなように、底板を設
けた方が微粒子除去率は格段に向上している。
第８図は上記第１図の方法において、ウエハの洗浄を行
なう際に使用可能なさらに他の処理装置の正面図であ
る。この処理装置では、処理槽10内に複数枚の各ウエハ
14を水平状態で載置するウエハキャリア21を設けると共
に処理槽10の上部に反射板22を設けるようにしたもので
ある。しかも、上記ウエハキャリア21に載置される各ウ
エハ相互の間隔が、超音波発生部12で発生され超純水中
を伝播する図中の波形で示した超音波の定在波の周期λ
/2に整合するようにウエハキャリア21の位置が調整され
ており、かつ各ウエハの裏面位置がこの定在波の節とな
るようにウエハキャリア21が調整されている。例えば、
使用する超音波の周波数を100KHzとし、超純水での音速
を1.5×103（m/sec）とすると、このときの超音波の定
在波の周期λ/2は7.5mmとなる。すなわち、この場合、
各ウエハは7.5mmの間隔でウエハキャリア21に載置され
る。
第９図は上記第１図の方法において、ウエハの洗浄を行
なう際に使用可能なさらに別の処理装置の正面図であ
る。この処理装置では、処理槽10内に複数枚のウエハ14
が収納されたウエハキャリア15の全体を例えばステンレ
ス製でなる球形状の蓋体23で覆い、超音波をこの蓋体23
で反射させることによって効率良く超音波を各ウエハ14
に照射させるようにしたものである。
ところで、上記方法ではウエハの洗浄及び損傷の形成を
行なう際に、両面を洗浄しかつ同時に両面のゲッタリッ
グ用の損傷を形成する場合について説明したが、これは
各ウエハそれぞれの裏面の洗浄と裏面にのみ損傷を形成
するようにしてもよい。
第10図は上記第１図の方法において、ウエハの洗浄を行
なう際にそれぞれの裏面のみを洗浄するために使用され
る処理装置の構成を示すものであり、第10図（ａ）は斜
示図、第10図（ｂ）は側面図である。図において、30は
処理槽であり、この処理槽30の底部には供給口31及び排
出口32が設けられており、供給口31から処理槽30内に超
純水が供給され、処理槽10からオーバーフローした超純
水は排出口32から排出されるようになっている。また、
上記処理槽30の底部には超音波振動板及び超音波振動板
からなる超音波発生部33が設けられており、ここで発生
した超音波は上記処理槽30内の超純水中に伝播されるよ
うになっている。さらに、上記処理槽10内には複数枚の
ウエハ34を垂直状態で保持するウエハキャリア35が設置
されるようになっている。
上記ウエハキャリア35は、ウエハ34が挿入されたとき、
各ウエハ34の表面側がウエハキャリア35の壁部と接した
状態となり、超音波を伝播する超純水が入り込まない構
造となっている。このため、この装置を使用すれば各ウ
エハ34の裏面のみが洗浄され、かつ裏面のみに損傷を与
えられる。
第11図は上記第１図の方法において、ウエハの洗浄を行
なう際にそれぞれの裏面のみを洗浄するために使用され
る処理装置の構成を示すものであり、第11図（ａ）は斜
示図、第11図（ｂ）はこの装置を上から見た上面図、第
11図（ｃ）は側面図である。図において、40は処理槽で
あり、この処理槽40内には超純水が供給口41から供給さ
れ、処理槽40からオーバーフローした超純水は排出口42
から排出されるようになっている。また、上記処理槽40
内には複数枚のウエハを垂直状態で保持する複数個のウ
エハキャリア43が設置されるようになっている。さらに
ウエハキャリア相互間及び処理槽40の側壁面には超音波
振動子及び超音波振動板からなる超音波発生部44がそれ
ぞれ設けられており、ここで発生した超音波が処理槽40
内の超純水中に伝播されるようになっている。
ここで、２枚のウエハ45は．表面側を接触させた状態で
各ウエハキャリア43内に挿入されるようになっている。
なお、上記各ウエハキャリア43は上部キャリアと下部キ
ャリアとに別れており、各２枚のウエハ45を下部キャリ
アに挿入した後に上部キャリアをかぶせることによって
各ウエハの周囲だけを囲むようにされている。
このような処理装置を用いて処理を行なえば、ウエハの
表面側には超音波を伝播する超純水が回り込まず、損傷
が与えられることはない。ウエハの表面側にはこの後の
工程で素子が形成されるものであるが、この方法によれ
ば、ウエハの表面側にはゲッタリング用の損傷が与えら
れない。このため、表面側に欠陥が残り、この欠陥がこ
の後に形成される素子の信頼性に悪影響を与える恐れが
ない。また、両面に損傷を与えた場合には、素子が形成
される表面側の鏡面ポリッシュを裏面側よりも長時間行
なう必要があるが、この方法の場合には表面側に損傷が
与えられないので、鏡面ポリッシュに要する時間の短縮
を図ることができる。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではな
く、種々の変形が可能であることはいうまでもない。例
えば、上記実施例では各ウエハの洗浄並びに損傷の形成
の際に超音波を伝播させる処理液として超純水を使用す
る場合について説明したが、これは超純水のみではな
く、超高純度の酸性溶液や有機溶液等を使用することも
できる。また、前記第１図の方法において、洗浄及び損
傷を与える工程の前にウエハ表面を機械的もしくは化学
的方法によって鏡面化するようにしてもよい。
［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明の方法によれば、微細なゲ
ッタリング用の裏面損傷が形成でき、後のプロセスに悪
影響を及ぼすことがない半導体基板を製造することがで
き、かつ従来方法よりも工程を簡略できる半導体基板の
加工方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明方法の工程をまとめて示す図、第２図
は上記方法を実施する際に使用される処理装置の正面
図、第３図は第２図装置の一部の構成を示す図、第４図
及び第５図はそれぞれ上記方法を説明するための特性
図、第６図は上記方法を実施する際に使用される此の処
理装置の正面図、第７図は上記第２図及び第６図のよう
な処理装置における微粒子除去率の特性図、第８図は上
記方法を実施する際に使用されるさらに他の処理装置の
正面図、第９図は上記方法を実施する際に使用される別
の処理装置の正面図、第10図は上記方法を実施する際に
使用されるさらに別の処理装置の構成を示し、第10図
（ａ）は斜示図、第10図（ｂ）は側面図、第11図は上記
方法を実施する際に使用されるもう１つの別の処理装置
の構成を示し、第11図（ａ）は斜示図、第11図（ｂ）は
上面図、第11図（ｃ）は側面図、第12図は従来方法の工
程をまとめて示す図である。 10,30,40…処理槽、11,31,41…供給口、12,33,44…超音
波発生部、13…底板、14,34,45…ウエハ、15,21,35,43
…ウエハキャリア、22…反射板、23…蓋体、32,42…排
出口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土屋 憲彦 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 窪田 敦子 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (56)参考文献 特開 昭64−67922（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−240638（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−60022（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−68672（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】シリコン単結晶インゴットをスライスして
    シリコン基板を形成する工程と、 上記基板の両面をラッピング及びエッチング処理する工
    程と、 ２枚の基板の一方面側を互いに接触させた状態で複数の
    基板を処理液中に浸漬し、この処理液を介して各基板に
    超音波を伝播させることにより基板の洗浄を行なうと共
    に各基板の他方面側にのみゲッタリング用の損傷を与え
    る工程と を具備したことを特徴とする半導体基板の加工方法。
JP62300421A 1987-11-28 1987-11-28 半導体基板の加工方法 Expired - Fee Related JPH06103678B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817163B2 (ja) * 1990-04-12 1996-02-21 株式会社東芝 エピタキシャルウェーハの製造方法
DE69127582T2 (de) * 1990-05-18 1998-03-26 Fujitsu Ltd Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrates und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung unter Verwendung dieses Substrates
US5090432A (en) * 1990-10-16 1992-02-25 Verteq, Inc. Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system
JPH0521413A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板洗浄装置及び半導体基板洗浄方法
US5178173A (en) * 1991-08-01 1993-01-12 Robert J. Pace Ultrasonic contact lens cleaning device
US5456759A (en) * 1992-08-10 1995-10-10 Hughes Aircraft Company Method using megasonic energy in liquefied gases
JP2839801B2 (ja) * 1992-09-18 1998-12-16 三菱マテリアル株式会社 ウェーハの製造方法
US5424224A (en) * 1993-01-19 1995-06-13 Texas Instruments Incorporated Method of surface protection of a semiconductor wafer during polishing
JP2853506B2 (ja) * 1993-03-24 1999-02-03 信越半導体株式会社 ウエーハの製造方法
US5409594A (en) * 1993-11-23 1995-04-25 Dynamotive Corporation Ultrasonic agitator
US5520205A (en) * 1994-07-01 1996-05-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for wafer cleaning with rotation
US5762084A (en) * 1994-07-15 1998-06-09 Ontrak Systems, Inc. Megasonic bath
US5534076A (en) * 1994-10-03 1996-07-09 Verteg, Inc. Megasonic cleaning system
JPH08162425A (ja) * 1994-12-06 1996-06-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
US5593505A (en) * 1995-04-19 1997-01-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface
JP3923107B2 (ja) * 1995-07-03 2007-05-30 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハの製造方法およびその装置
US6532976B1 (en) 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
JPH09270400A (ja) * 1996-01-31 1997-10-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの製造方法
KR100211074B1 (ko) * 1996-03-13 1999-07-15 구본준 웨이퍼 습식 처리장치
JP3252702B2 (ja) * 1996-03-28 2002-02-04 信越半導体株式会社 気相エッチング工程を含む半導体単結晶鏡面ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される半導体単結晶鏡面ウエーハ
US6063301A (en) * 1997-08-01 2000-05-16 Seiko Epson Corporation Crystal display processing method and crystal wafer manufacturing method
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
JP3055475B2 (ja) * 1996-11-08 2000-06-26 日本電気株式会社 マイクロ波励起の洗浄方法およびその装置
KR100226489B1 (ko) * 1996-12-28 1999-10-15 김영환 웨이퍼 지지 및 이송 기구
US5816274A (en) * 1997-04-10 1998-10-06 Memc Electronic Materials, Inc. Apparartus for cleaning semiconductor wafers
US20010013355A1 (en) * 1998-10-14 2001-08-16 Busnaina Ahmed A. Fast single-article megasonic cleaning process for single-sided or dual-sided cleaning
US6311702B1 (en) * 1998-11-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaner
US6214704B1 (en) 1998-12-16 2001-04-10 Memc Electronic Materials, Inc. Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage
US6227944B1 (en) * 1999-03-25 2001-05-08 Memc Electronics Materials, Inc. Method for processing a semiconductor wafer
US6338805B1 (en) 1999-07-14 2002-01-15 Memc Electronic Materials, Inc. Process for fabricating semiconductor wafers with external gettering
US6245677B1 (en) * 1999-07-28 2001-06-12 Noor Haq Backside chemical etching and polishing
US6460551B1 (en) * 1999-10-29 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Megasonic resonator for disk cleaning and method for use thereof
JP2002093765A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Kaijo Corp 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP3453366B2 (ja) * 2001-01-25 2003-10-06 株式会社半導体先端テクノロジーズ 基板の洗浄装置および洗浄方法
KR20030015769A (ko) * 2001-08-17 2003-02-25 주식회사 실트론 배면에 게터링 수단을 가진 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그제조방법
JP2004207503A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Canon Inc 処理装置
US7040332B2 (en) * 2003-02-28 2006-05-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for megasonic cleaning with reflected acoustic waves
JP4591316B2 (ja) * 2005-11-07 2010-12-01 株式会社デンソー 超音波洗浄方法及び超音波洗浄装置
JP4827587B2 (ja) * 2006-03-31 2011-11-30 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコンウェーハの製造方法
US8327861B2 (en) * 2006-12-19 2012-12-11 Lam Research Corporation Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts
US8562748B1 (en) 2009-01-30 2013-10-22 WD Media, LLC Multiple cleaning processes in a single tank
US8163093B1 (en) * 2009-02-11 2012-04-24 Wd Media, Inc. Cleaning operations with dwell time
JP2017055012A (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 株式会社東芝 デバイスの製造方法
US10596604B2 (en) 2016-09-27 2020-03-24 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus using multistage ultrasonic lens cleaning for improved water removal
US10682675B2 (en) 2016-11-01 2020-06-16 Texas Instruments Incorporated Ultrasonic lens cleaning system with impedance monitoring to detect faults or degradation
US11237387B2 (en) 2016-12-05 2022-02-01 Texas Instruments Incorporated Ultrasonic lens cleaning system with foreign material detection
US10663418B2 (en) 2017-02-03 2020-05-26 Texas Instruments Incorporated Transducer temperature sensing
US10695805B2 (en) 2017-02-03 2020-06-30 Texas Instruments Incorporated Control system for a sensor assembly
US11042026B2 (en) 2017-02-24 2021-06-22 Texas Instruments Incorporated Transducer-induced heating and cleaning
US11420238B2 (en) 2017-02-27 2022-08-23 Texas Instruments Incorporated Transducer-induced heating-facilitated cleaning
US10780467B2 (en) 2017-04-20 2020-09-22 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus for surface wetting control
US11607704B2 (en) * 2017-04-20 2023-03-21 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus for electrostatic control of expelled material for lens cleaners
US10908414B2 (en) 2017-05-10 2021-02-02 Texas Instruments Incorporated Lens cleaning via electrowetting

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4144099A (en) * 1977-10-31 1979-03-13 International Business Machines Corporation High performance silicon wafer and fabrication process
JPS54110783A (en) * 1978-02-20 1979-08-30 Hitachi Ltd Semiconductor substrate and its manufacture
JPS551114A (en) * 1978-06-19 1980-01-07 Hitachi Ltd Method and device for washing wafer
JPS55121644A (en) * 1979-03-13 1980-09-18 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method of fabricating semiconductor substrate
JPS5660022A (en) * 1979-10-22 1981-05-23 Nec Corp Processing method and device for semiconductor wafer
JPH065675B2 (ja) * 1983-08-26 1994-01-19 コマツ電子金属株式会社 半導体デバイス用シリコン基板の製造方法
JPS61240638A (ja) * 1985-04-18 1986-10-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製法
JPS6332938A (ja) * 1986-07-25 1988-02-12 Hitachi Cable Ltd 化合物半導体ウエ−ハの製造方法
JPH0650739B2 (ja) * 1987-09-08 1994-06-29 日本電気株式会社 半導体装置のゲッタリング方法
US4902350A (en) * 1987-09-09 1990-02-20 Robert F. Orr Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers
JPH01143224A (ja) * 1987-11-28 1989-06-05 Toshiba Corp 半導体基板の表面処理方法
JPH01143223A (ja) * 1987-11-28 1989-06-05 Toshiba Corp 半導体基板の表面処理方法

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Publication number Publication date
US5071776A (en) 1991-12-10
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JPH01143218A (ja) 1989-06-05

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