JP2002299294A

JP2002299294A - 化学的機械的研磨処理システム及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002299294A
Application number: JP2001099038A
Authority: JP
Inventors: Masaru Fukushima; 大福島; Fukugaku Minami; 学南幅; Hiroyuki Yano; 博之矢野
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-03-30
Filing date: 2001-03-30
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】ＣＭＰを行う際に用いられる研磨布に新規な
構造のものを採用することによって研磨速度の向上及び
ＣＭＰ用スラリの長寿命化、安全性の改善を図ることが
できるＣＭＰ処理システム及びこのシステムを用いた半
導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ＣＭＰを行う際に用いられる研磨布１１
３にＣＭＰ用スラリ１０６に含まれる酸化剤１１１の酸
化力を促進させる触媒機能を有する成分（カタラーゼ）
１１２を持たせる。研磨布１１３上に供給されたスラリ
１０６は研磨布の触媒機能によって活性化され、スラリ
が活性化されることによって化学的作用が強まり研磨速
度は飛躍的に向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、とくに、ＤＲＡＭや高速ロジックＬＳＩに
搭載するダマシン配線を形成するための化学的機械的研
磨（以下、ＣＭＰ(CHEMICAL Mechanical Polishing) と
いう）処理プロセスに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の製造分野において
は、半導体素子の微細化、構造の高度化に伴って、新し
い製造装置が開発されている。その中でも、ＣＭＰ装置
は、埋め込み金属配線、埋め込み素子分離などの埋め込
み構造の形成には欠くことのできない装置の一つとなっ
ている。ＣＭＰ装置を用いたプロセスでは、研磨速度を
高め、スループットを向上させることが課題の一つとな
っている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】一般に、メタルを研磨
する場合では、ＣＭＰ用スラリに酸化剤を添加し、研磨
面を研磨が容易な酸化物に変質させることによりその研
磨速度を高めている。このように研磨速度を上げるに
は、酸化剤が活性な状態であることが望ましいが、活性
な状態を維持することは難しく、徐々に研磨速度が低下
してしまう。そのため酸化剤を準活性な状態で使用・保
管することによってスラリの寿命を維持している。しか
しながら、準活性な状態のスラリは、理想的な活性状態
のスラリと比較して、研磨速度が小さくなってしまう。
本発明は、このような事情によりなされたものであり、
ＣＭＰを行う際に用いられる研磨布に新規な構造のもの
を採用することによって研磨速度の向上及びＣＭＰ用ス
ラリの長寿命化、安全性の改善を図ることができるＣＭ
Ｐ処理システム及びこのシステムを用いた半導体装置の
製造方法を提供する。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、ＣＭＰを行う
際に用いられる研磨布にＣＭＰ用スラリに含まれる酸化
剤の酸化力を促進させる触媒機能を持たせることを特徴
としている。研磨布上に供給されたスラリは、研磨布の
触媒機能によって活性化され、スラリが活性化されるこ
とによって、化学的作用が強まり研磨速度は、飛躍的に
向上する。本発明の化学的機械的研磨処理システムは、
化学的機械的研磨用スラリを被処理基板に供給する手段
と、前記被処理基板を前記化学的機械的研磨用スラリを
供給しながら研磨布により化学的機械的研磨する手段と
を具備し、前記研磨布は、前記化学的機械的研磨用スラ
リ中に含まれる酸化剤の酸化力を促進させる触媒作用を
有する成分を含有していることを特徴としている。前記
触媒作用のある成分は、少なくとも１種類以上含有して
いるようにしても良い。

【０００５】前記酸化剤は、少なくとも１種類以上含有
しているようにしても良い。前記酸化剤は、過酸化水
素、過硫酸塩、過ヨウ素塩酸の少なくとも１種類である
ようにしても良い。前記触媒作用は、前記化学的機械的
研磨用スラリと前記研磨布とが接触した瞬間からこの化
学的機械的研磨用スラリが前記被処理基板に到達するま
で触媒効果を発揮するようにしても良い。前記触媒作用
のある成分は、鉄、銀、チタン、ルテニウム、白金から
なる金属又はカタラーゼからなる酵素の中から選ばれた
少なくとも１種類からなるようにしても良い。前記触媒
作用のある成分の含有率は、前記研磨布に対してそれぞ
れ０．１ｗｔ％（１００ｐｐｍ）以上であるようにして
も良い。前記触媒作用のある成分は、前記研磨布の所定
の領域に格子状、ドーナツ状に存在しているか、あるい
は前記研磨布のすべての領域に均一に存在しているよう
にしても良い。また、半導体装置の製造方法は、半導体
基板に形成された絶縁膜表面に配線溝を形成する工程
と、この配線溝内部を含めて前記絶縁膜上に金属膜を堆
積させる工程と、上記の化学的機械的研磨処理システム
により、前記金属膜を研磨してこの金属膜を前記配線溝
に埋め込む工程とを具備したことを特徴としている。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図１乃至図３、図７及び図８
を参照して第１の実施例を説明する。この実施例では、
１種類の触媒を全面に均一に含有した研磨布を用い、そ
の１種類の酸化剤に対する触媒作用を利用して、半導体
基板上にタングステン（Ｗ）ダマシン配線を形成する工
程を説明する。図１は、ダマシン配線を形成する製造工
程断面図である。ＭＯＳトランジスタなどの半導体素子
（図示しない）を形成したシリコンなどの半導体基板１
００上にシリコン酸化膜などの層間絶縁膜１０１を形成
する。次に、層間絶縁膜１０１をパターニングして深さ
３００ｎｍの配線溝１０４を形成する。この配線溝１０
４の底面には半導体基板１００の表面が露出しており、
その露出している領域には、ソース／ドレイン領域など
の不純物拡散領域（図示しない）が形成されている。そ
の後、配線溝１０４の内部を含めて、層間絶縁膜１０１
の表面にＴｉ／ＴｉＮライナ１０２を２０ｎｍ程度スパ
ッタリングにより堆積させる。さらに、Ｔｉ／ＴｉＮラ
イナ１０２の上にＷ膜１０３をＣＶＤ法により３５０ｎ
ｍ程度堆積させる（図１（ａ））。

【０００７】次に、Ｗ膜１０３及びＴｉ／ＴｉＮライナ
１０２の基板表面に露出している不要部分を本発明のＣ
ＭＰ法により除去することにより、Ｔｉ／ＴｉＮライナ
１０２に被覆され、配線溝１０４に埋め込まれたＷ膜か
らなる埋め込み配線１０５が形成される（図１
（ｂ））。図７は、ＣＭＰ処理システムの概略図であ
る。ＣＭＰ処理システムの各部は、筐体内にセットさ
れ、ＣＭＰ装置であるＣＭＰ部２、ＣＭＰ後のウエハを
洗浄する洗浄部（洗浄装置）３及び被処理基板であるシ
リコン半導体などのウエハを供給し送り出すロード／ア
ンロード部４が設けられている。ロード／アンロード部
４から供給されたウエハは、ＣＭＰ部２に供給される。
ＣＭＰ部２は、ターンテーブル（ＴＴ）１０８上のＣＭ
Ｐユニット２２及びドレッシングユニット２３とから構
成されている。このユニットで研磨布の荒れた表面を回
復させるドレッシングと呼ばれる表面処理を行う。

【０００８】洗浄部３は、ウエハを搬送する搬送ロボッ
ト、ウエハを反転させる反転機両面ロール洗浄機やペン
シル洗浄機などのウエハ洗浄機が収納されている。ＣＭ
Ｐ部２から搬送されたウエハは、洗浄され、乾燥されて
ロード／アンロード部４に搬送され、そこから外部に搬
出されて次の製造工程に送られる。図８は、ＣＭＰユニ
ット２２の概略図である。ターンテーブル１０８上には
研磨布１１３が取り付けられ、所定の回転数で回転して
いる。そして、この研磨布１１３にやはり回転する駆動
シャフト１０９に取り付けられたトップリング（ＴＲ）
１１０に固定されたウエハを押し付け、スラリタンク
（図示しない）より導出したスラリ供給ノズル１０７か
ら供給されるスラリ１０６を加工点に滴下しながらＣＭ
Ｐを行う。ここで、上記ＣＭＰを従来技術で行った場合
を説明する。従来技術によるＣＭＰ処理では、スラリの
主要成分は、酸化剤に過酸化水素：３ｗｔ％、研磨粒子
にシリカ：５ｗｔ％を用いる。研磨布には、例えば、Ｉ
Ｃ１０００（ロデール社）を用いる。

【０００９】そして、研磨荷重（ＤＦ）：３００ｇ／ｃ
ｍ²、トップリング（ＴＲ）回転数：１００ｒｐｍ、タ
ーンテーブル（ＴＴ）回転数：１００ｒｐｍ、スラリフ
ロー：２００ｃｃ／分の条件でシリコンウエハに対して
ＣＭＰ処理を行う。このときのＷの研磨速度は、７０ｎ
ｍ／ｍｉｎしか得られず、プロセスマージン（ウエハ全
面にＷ残りがないように十分な時間をかけること）を考
慮すると、３６０秒間の研磨が必要である。これは、全
く実用的なレベルではない。また、従来の研磨速度の向
上を図る方法としては、スラリ中に過酸化水素水の触媒
として、カタラーゼ（つまり、触媒作用のある成分）を
少量添加すると、Ｗの研磨速度は、２００ｎｍ／ｍｉｎ
になり、１５０秒間研磨するだけで、Ｗダマシン配線が
形成される。しかし、触媒作用は、スラリを保管してい
る状態でも常に働くため、徐々に過酸化水素水は消費さ
れて、研磨の段階で有効な過酸化水素水がなくなり、高
い研磨速度がほとんど得られなくなる。また、この成分
を用いると、触媒作用による酸素発生が起こるため、気
体が多く発生する。このようなスラリを保管すること
は、安全性の面からも問題が多い。このため、研磨する
直前で過酸化水素を活性な状態にすることが理想的であ
る。本発明はこの点に注目したものである。

【００１０】そこで、本発明の研磨布を用いる。すなわ
ち、この実施例では、酸化剤である過酸化水素の触媒
（触媒作用のある成分）としてカタラーゼを研磨布に含
有させる。これにより、スラリ中にカタラーゼを入れる
ことなく、スラリ中の過酸化水素水（Ｈ₂Ｏ₂）は、必
要な場所で酸化力のあるＨＯへ活性化される。図２は、
ウエハ研磨中の触媒作用を有する成分を含んだ研磨布の
概略斜視図である。回転する研磨布１１３上にノズル１
０７から酸化剤１１１を含んだスラリ１０６が供給され
る。研磨布１１３には触媒作用のある成分１１２として
カタラーゼが含まれており、ウエハは、この上に押し付
けられてＣＭＰ処理が行われる。スラリ中の過酸化水素
水は、カタラーゼにより、研磨布上で酸化力のあるＨＯ
へ活性化されるので、ＣＭＰ処理の研磨速度は、安定的
に向上する。このような研磨布を用いることによって、
Ｗの研磨速度を２００ｎｍ／ｍｉｎに安定させることが
でき、従来の半分の時間で安全且つ安定した処理が可能
となる。本発明は、研磨布を変えるだけでスラリコスト
の低減、プロセス時間の短縮など大きなメリットが得ら
れる。

【００１１】図３に示すように、カタラーゼの含有率
（触媒濃度）は、研磨速度との関係から１００ｐｐｍ
（０．１ｗｔ％）以上は必要である。図３は、ＣＭＰ処
理における研磨速度の触媒作用を有する成分（カタラー
ゼ）の研磨布に対する触媒濃度の依存性を示す特性図で
あり、縦軸が研磨速度(Removal Rate)（ｎｍ／ｍｉｎ）
を表し、横軸が触媒濃度（ｗｔ％）を表している。カタ
ラーゼを使用しない（０ｐｐｍ）従来技術あるいはカタ
ラーゼの触媒濃度が１０ｐｐｍ程度以下では研磨速度が
７０ｎｍ／ｍｉｎ程度に過ぎないのに、触媒濃度が１０
０ｐｐｍ以上である本発明の場合では１５０（ｎｍ／ｍ
ｉｎ）以上の高い研磨速度が得られている。しかも、保
存状態にあるスラリには触媒作用を有する成分が含まれ
ていないので長期間スラリがこの成分によって劣化する
ことはない。

【００１２】次に、図４乃至図６、図１１を参照して第
２の実施例を説明する。図４は、半導体装置の製造工程
断面図、図５及び図１１は、触媒作用を有する成分を含
んだ研磨布の表面状態を説明する斜視図、図６は、ウエ
ハ研磨中の触媒作用を有する成分を含んだ研磨布の概略
斜視図である。この実施例では、２種類の触媒作用を有
する成分を含んだ研磨布使用する。この成分は、従来か
ら知られている材料を素材とする研磨布の所定の領域に
塗布形成する。図５に示すように、研磨布（ＩＣ１０
０）２１３の表面には、横方向に第１の触媒作用を有す
る成分２１２ａである銀を帯状に複数列配列し、縦方向
に第２の触媒作用を有する成分２１２ｂである鉄を帯状
に複数列配列し、第１及び第２の触媒作用を有する成分
を合わせて格子状に配列させる。そして、この研磨布を
用い、２種類の酸化剤に対する触媒作用を利用して、ア
ルミニウム（Ａｌ）ダマシン配線を形成する。

【００１３】図４は、Ａｌダマシン配線の形成方法の工
程を説明する図である。ＭＯＳトランジスタなどの半導
体素子（図示しない）を形成した半導体基板２００上に
シリコン酸化膜などの層間絶縁膜２０１をＣＶＤ法など
により堆積させる。次に、この層間絶縁膜２０１をパタ
ーニングして深さ３００ｎｍ程度の配線みぞ２０４を形
成する。次に、配線溝２０４の内部を含む層間絶縁膜２
０１の表面にＮｂライナ２０２を２０ｎｍ程度スパッタ
リング法などにより堆積させる。さらに、このＮｂライ
ナ２０２上にＡｌ膜２０３をスパッタリング法などによ
り４００ｎｍ程度堆積させる（図４（ａ））。次に、Ａ
ｌ膜２０３及びＮｂライナ２０２の層間絶縁膜２０１上
にある不要部分を本発明のＣＭＰ法により除去して、配
線溝２０４にＮｂライナ２０２で被覆されたＡｌ埋め込
み配線２０５を形成する（図４（ｂ））。この実施例で
用いられるＣＭＰ用スラリの主要成分は、酸化剤に過硫
酸アンモニウム：１％と過酸化水素水：１％、酸化抑止
剤にキノリン酸：０．５％、研磨粒子にアルミナ：３％
を用いた。

【００１４】上記ＣＭＰは、次のように行われる。ター
ンテーブル上には研磨布２１３が取り付けられ、所定の
回転数で回転している。そして、この研磨布２１３にや
はり回転する駆動シャフトに取り付けられたトップリン
グに固定されたウエハを押し付け、スラリ供給ノズル２
０７から供給されるスラリ２０６を加工点に滴下しなが
らＣＭＰを行う。このスラリを用いて従来の研磨布（Ｉ
Ｃ１０００）と触媒作用のないスラリと用いた場合で
は、ＤＦ：３００ｇ／ｃｍ²、ＴＲ：８０ｒｐｍ、Ｔ
Ｔ：８０ｒｐｍの条件で、Ａｌの研磨速度は、２００ｎ
ｍ／ｍｉｎしか得られない。さらに、この従来技術で
は、プロセスマージンを考慮すると、１８０秒間の研磨
が必要である。また、Ｎｂは、ほとんど削れないため、
Ｎｂを取り除く別のプロセスが必要となる。

【００１５】そこで、この実施例では、図５に示すよう
に、研磨布に過硫酸の触媒２１２ａである銀（第１の触
媒作用を有する成分）と、過酸化水素水の触媒である鉄
（第２の触媒作用を有する成分）を含有する研磨布を使
用する。また、エロージョン（Ｅｒｏｓｉｏｎ）抑制な
どの観点から従来の硬い研磨布（ＩＣ１０００）に本発
明の触媒作用を有する触媒作用を有する成分を含んだ研
磨布を格子状に組み合わせている。スラリ２０６中に含
まれる過硫酸は、銀の触媒作用により、必要な場所で酸
化力のあるＳ₂Ｏ₈へに変化し活性化される（図６
（ａ））。これによりＡｌの研磨速度は、４００ｎｍ／
ｍｉｎになり、研磨時間が半減する。また、過酸化水素
水も鉄の触媒作用により、必要な場所で酸化力のあるＨ
Ｏへ変化し活性化される（図６（ｂ）参照）。これによ
り、Ｎｂの研磨速度も飛躍的に向上するため、Ｎｂを取
り除く別のプロセスを省略することができる。本発明
は、半導体製造工程の大きな課題の一つであるコスト低
減の観点からインパクトが大きいものである。

【００１６】また、従来の研磨布との組み合わせによる
プロセスも可能であることも本発明の優れている点であ
る。研磨布は、硬さや表面の状態により特性が大きく変
化するため、その使用にはそれぞれの研磨布に適した様
々な工夫が施されている。したがって、なるべくなら研
磨布を替えたくない。例えば、主要の研磨を従来の研磨
布（ＩＣ１０００）で行いたい場合、ウエハと接する研
磨布（ＩＣ１０００）にスラリが流れ込むときには十分
な触媒作用が起きているように、本発明の触媒作用を有
する成分を含んだ研磨布と従来の研磨布（ＩＣ１００
０）の配置を考えれば良い。つまり、ウエハと接触しな
い研磨布の部分に触媒機能を設けることも可能である。
これも本発明の特徴である。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々変形して実施可能である。例えば、
図１１（ａ）に示すように、第１の触媒領域と第２の触
媒領域を交互にドーナツ状に配置したり、図１１（ｂ）
に示すように、第１及び第２の触媒を均一に研磨布に配
置することができる。

【００１７】次に、図９及び図１０を参照して本発明の
作用効果を説明する。図９は、ＣＭＰ処理における研磨
速度(Removal Rate)（ｎｍ／ｍｉｎ）とスラリの寿命
（日）との関係を示す特性図、図１０は、本発明の触媒
作用を有する成分の作用を説明する研磨布の断面図であ
る。本発明のスラリ（１）には、ＣＭＰ用スラリに安定
な状態の酸化剤が加えられている。準活性な状態の従来
のスラリ（２）には、酸化剤が加えられていない。ま
た、活性な状態のスラリ（３）には、活性な状態の酸化
剤（触媒で活性化した酸化剤）が加えられている。

【００１８】本発明では、スラリが研磨布上に供給され
ると、その中の安定の状態の酸化剤は、研磨布中の触媒
によって活性な状態の酸化剤に変化して研磨処理特性を
向上させる。しかも、通常使用しないときは、触媒と接
触していないので、時間による劣化が殆ど無い。準活性
な状態のスラリ（２）には、酸化剤が加えられていない
ので、長寿命（１０日を経過しても実質的に変質しな
い）ではあるが、酸化剤がない分研磨処理特性が他のス
ラリ（１）、（３）より劣っている（研磨速度が２９０
ｎｍ／ｍｉｎ程度、スラリ１及び初期状態のスラリ
（３）は、およそ５００ｎｍ／ｍｉｎである）。活性な
状態のスラリ（３）には、活性な状態の酸化剤が加えら
れているので、処理後も反応が進んで次第にスラリとし
ての機能を果たさなくなる（最終的な研磨速度が１００
ｎｍ／ｍｉｎ程度になる）。

【００１９】

【発明の効果】研磨布上に供給されたＣＭＰ用スラリ
は、研磨布に含まれる触媒作用を有する成分の触媒機能
によって活性化される。スラリが活性化されることによ
って、化学的作用が強まり研磨速度が飛躍的に向上す
る。このように、研磨布に触媒機能を付けることによっ
てスラリコストの低減やプロセス時間の短縮などメリッ
トは大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のダマシン配線を形成する製造工程断面
図。

【図２】本発明に用いるウエハ研磨中の触媒作用を有す
る成分を含んだ研磨布の概略斜視図。

【図３】ＣＭＰ処理における研磨速度の触媒作用を有す
る成分の研磨布に対する触媒濃度の依存性を示す特性
図。

【図４】本発明のダマシン配線を形成する製造工程断面
図。

【図５】本発明の触媒作用を有する成分を含んだ研磨布
の表面状態を説明する図。

【図６】本発明に用いるウエハ研磨中の触媒作用を有す
る成分を含んだ研磨布の概略斜視図。

【図７】本発明のＣＭＰ処理システムの概略図。

【図８】本発明のＣＭＰ処理システムのＣＭＰユニット
の概略図。

【図９】ＣＭＰ処理における研磨速度とスラリ寿命との
関係を示す特性図

【図１０】本発明の触媒作用を有する成分の作用を説明
する研磨布の断面図。

【図１１】図５とは異なる表面状態を示す本発明の研磨
布の斜視図。

【符号の説明】

２・・・ＣＭＰ部、３・・・洗浄部、４・・・ロー
ド／アンロード、２２・・・ＣＭＰユニット、２３
・・・ドレッシングユニット、１００、２００・・・半
導体基板、１０１、２０１・・・層間絶縁膜、１０
２・・・Ｔｉ／ＴｉＮライナ、１０３・・・タングス
テン（Ｗ）膜、１０４、２０４・・・配線溝、１０
５、２０５・・・埋め込み配線、１０６、２０６・・・
ＣＭＰ用スラリ、１０７、２０７・・・スラリ供給ノズ
ル、１０８・・・ターンテーブル、１０９・・・駆動
シャフト、１１０・・・トップリング、１１１・・
・酸化剤、１１２、２１２ａ、２１２ｂ・・・触媒作用
を有する成分、１１３、２１３・・・研磨布、２０
２・・・Ｎｂライナ、２０３・・・アルミニウム（Ａ
ｌ）膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/28 Ｈ０１Ｌ 21/28 Ｈ 21/306 21/306 Ｍ 21/3205 21/88 ＢＫ (72)発明者矢野博之神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内Ｆターム(参考） 3C047 GG15 3C058 AA07 AA09 CB01 CB03 DA12 DA17 4M104 AA01 BB13 BB14 CC01 DD06 DD16 DD37 DD43 DD75 EE09 EE16 FF13 FF17 FF18 FF22 GG09 HH20 5F033 HH08 HH17 HH18 HH19 HH33 JJ08 JJ17 JJ18 JJ19 JJ33 KK01 MM01 MM12 MM13 PP06 PP15 QQ09 QQ48 QQ50 RR04 SS11 WW00 XX34 5F043 AA22 DD16 GG03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】化学的機械的研磨用スラリを被処理基板
に供給する手段と、前記被処理基板を前記化学的機械的研磨用スラリを供給
しながら研磨布により化学的機械的研磨する手段とを具
備し、前記研磨布は、前記化学的機械的研磨用スラリ中に含ま
れる酸化剤の酸化力を促進させる触媒作用を有する成分
を含有していることを特徴とする化学的機械的研磨処理
システム。
【請求項２】前記触媒作用のある成分は、少なくとも
１種類以上含有していることを特徴とする請求項１に記
載の化学的機械的研磨処理システム。
【請求項３】前記酸化剤は、少なくとも１種類以上含
有していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載の記載の化学的機械的研磨処理システム。
【請求項４】前記酸化剤は、過酸化水素、過硫酸塩、
過ヨウ素塩酸の少なくとも１種類であることを特徴とす
る請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の化学的機械
的研磨処理システム。
【請求項５】前記触媒作用は、前記化学的機械的研磨
用スラリと前記研磨布とが接触した瞬間からこの化学的
機械的研磨用スラリが前記被処理基板に到達するまで触
媒効果を発揮することを特徴とする請求項１乃至請求項
４のいずれかに記載の化学的機械的研磨処理システム。
【請求項６】前記触媒作用のある成分は、鉄、銀、チ
タン、ルテニウム、白金からなる金属又はカタラーゼか
らなる酵素の中から選ばれた少なくとも１種類からなる
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいづれかに記
載の化学的機械的研磨処理システム。
【請求項７】前記触媒作用のある成分の含有率は、前
記研磨布に対してそれぞれ０．１ｗｔ％以上であること
を特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の
化学的機械的研磨処理システム。
【請求項８】前記触媒作用のある成分は、前記研磨布
の所定の領域に格子状、ドーナツ状に存在しているか、
あるいは前記研磨布のすべての領域に均一に存在してい
ることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに
記載の化学的機械的研磨処理システム。
【請求項９】半導体基板に形成された絶縁膜表面に配
線溝を形成する工程と、この配線溝内部を含めて前記絶縁膜上に金属膜を堆積さ
せる工程と、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の化学的機械的
研磨処理システムにより、前記金属膜を研磨してこの金
属膜を前記配線溝に埋め込む工程とを具備したことを特
徴とする半導体装置の製造方法。