JP2019079927A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板を均一にエッチングする基板処理装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、基板処理槽と、処理液供給ノズルと、調圧プレートとを備える。処理液供給ノズルは、基板処理槽内の下方に設けられ、処理液を複数の吐出口から吐出する。調圧プレートは、処理液供給ノズルと基板処理槽内の基板との間に設けられ、処理液を通流させる複数の孔を有し、処理液供給ノズルから吐出された処理液の流入圧力を調整する。また、調圧プレートは、処理液供給ノズル側の面から突出し、処理液供給ノズル側の面を複数の区画領域に区画するリブを備える。【選択図】図４

Description

開示の実施形態は、基板処理装置に関する。
従来、例えば、窒素ガスなどを気泡として混合させた処理液を処理槽に供給する基板処理装置が知られている（特許文献１参照）。
特開２０１７−６９５２９号公報
しかしながら、上記基板処理装置では、気泡を混合させた処理液によって基板に均一な処理を行う点で改善の余地がある。
実施形態の一態様は、基板を均一にエッチングする基板処理装置を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、基板処理槽と、処理液供給ノズルと、調圧プレートとを備える。処理液供給ノズルは、基板処理槽内の下方に設けられ、処理液を複数の吐出口から吐出する。調圧プレートは、処理液供給ノズルと基板処理槽内の基板との間に設けられ、処理液を通流させる複数の孔を有し、処理液供給ノズルから吐出された処理液の流入圧力を調整する。また、調圧プレートは、処理液供給ノズル側の面から突出し、処理液供給ノズル側の面を複数の区画領域に区画するリブを備える。
実施形態の一態様によれば、基板を均一にエッチングすることができる。
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。 図２は、第１実施形態に係るエッチング用の処理槽の供給系の構成を示す概略ブロック図である。 図３は、第１実施形態に係る調圧プレートの概略平面図である。 図４は、図３のIV−IV概略断面図である。 図５は、処理液供給ノズルから吐出されたエッチング液に含まれる気泡の状態を示す概略模式図である。 図６は、第１実施形態に係る整流プレートの概略平面図である。 図７は、変形例に係る整流プレートの概略平面図である。 図８は、第１実施形態に係る気泡発生部の概略構成図である。 図９は、第２実施形態に係る調圧プレートの概略平面図である。 図１０は、第３実施形態に係る調圧プレートの概略平面図である。 図１１は、第４実施形態に係るエッチング用の処理槽の構成を示す概略ブロック図である。 図１２は、第４実施形態に係る気泡発生部の構成を示す概略構成図である。 図１３は、第５実施形態に係る気泡発生部をエッチング液の流れ方向から見た概略正面図である。 図１４は、図１３のXIV−XIV概略断面図である。 図１５は、図１３に示す状態から、混入部を９０度回転させた気泡発生部を示す図である。 図１６は、図１５のXVI−XVI概略断面図である。 図１７は、変形例に係る気泡発生部をエッチング液の流れ方向から見た概略正面図である。 図１８は、図１７のXVIII−XVIII概略断面図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
（第１実施形態）
図１に示すように、第１実施形態に係る基板処理装置１は、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御部１００とを有する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の概略平面図である。ここでは、水平方向に直交する方向を上下方向として説明する。
キャリア搬入出部２は、複数枚（例えば、２５枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入、および搬出を行う。
キャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ１０と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構１１と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック１２，１３と、キャリア９を載置するキャリア載置台１４とが設けられている。
キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ１０に搬入されたキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１２や、キャリア載置台１４に搬送する。すなわち、キャリア搬入出部２は、ロット処理部６で処理する前の複数枚の基板８を収容するキャリア９を、キャリアストック１２や、キャリア載置台１４に搬送する。
キャリアストック１２は、ロット処理部６で処理する前の複数枚の基板８を収容するキャリア９を、一時的に保管する。
キャリア載置台１４に搬送され、ロット処理部６で処理する前の複数枚の基板８を収容するキャリア９からは、後述する基板搬送機構１５によって複数枚の基板８が搬出される。
また、キャリア載置台１４に載置され、基板８を収容していないキャリア９には、基板搬送機構１５から、ロット処理部６で処理した後の複数枚の基板８が搬入される。
キャリア搬入出部２は、キャリア載置台１４に載置され、ロット処理部６で処理した後の複数枚の基板８を収容するキャリア９を、キャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１３や、キャリアステージ１０に搬送する。
キャリアストック１３は、ロット処理部６で処理した後の複数枚の基板８を一時的に保管する。キャリアステージ１０に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。
ロット形成部３には、複数枚（例えば、２５枚）の基板８を搬送する基板搬送機構１５が設けられている。ロット形成部３は、基板搬送機構１５による複数枚（例えば、２５枚）の基板８の搬送を２回行い、複数枚（例えば、５０枚）の基板８からなるロットを形成する。
ロット形成部３は、基板搬送機構１５を用いて、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９からロット載置部４へ複数枚の基板８を搬送し、複数枚の基板８をロット載置部４に載置することで、ロットを形成する。
ロットを形成する複数枚の基板８は、ロット処理部６によって同時に処理される。ロットを形成するときは、複数枚の基板８の表面にパターンが形成されている面を互いに対向するようにロットを形成してもよく、また、複数枚の基板８の表面にパターンが形成されている面がすべて一方を向くようにロットを形成してもよい。
また、ロット形成部３は、ロット処理部６で処理が行われ、ロット載置部４に載置されたロットから、基板搬送機構１５を用いて複数枚の基板８をキャリア９へ搬送する。
基板搬送機構１５は、複数枚の基板８を支持するための基板支持部として、処理前の複数枚の基板８を支持する処理前基板支持部（不図示）と、処理後の複数枚の基板８を支持する処理後基板支持部（不図示）の２種類を有している。これにより、処理前の複数枚の基板８等に付着したパーティクル等が処理後の複数枚の基板８等に転着することを防止することができる。
基板搬送機構１５は、複数枚の基板８の搬送途中で、複数枚の基板８の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢、および垂直姿勢から水平姿勢に変更する。
ロット載置部４は、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットをロット載置台１６で一時的に載置（待機）する。
ロット載置部４には、搬入側ロット載置台１７と、搬出側ロット載置台１８とが設けられている。
搬入側ロット載置台１７には、処理前のロットが載置される。搬出側ロット載置台１８には、処理後のロットが載置される。
搬入側ロット載置台１７、および搬出側ロット載置台１８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて載置される。
ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間や、ロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。
ロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構１９が設けられている。ロット搬送機構１９は、ロット載置部４とロット処理部６とに沿わせて配置したレール２０と、ロットを保持しながらレール２０に沿って移動する移動体２１とを有する。
移動体２１には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８で形成されるロットを保持する基板保持体２２が設けられている。
ロット搬送部５は、搬入側ロット載置台１７に載置されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、受取ったロットをロット処理部６に受け渡す。
また、ロット搬送部５は、ロット処理部６で処理されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、受取ったロットを搬出側ロット載置台１８に受け渡す。
さらに、ロット搬送部５は、ロット搬送機構１９を用いてロット処理部６の内部においてロットの搬送を行う。
ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８で形成されたロットにエッチングや、洗浄や、乾燥などの処理を行う。
ロット処理部６には、ロットにエッチング処理を行う２台のエッチング処理装置２３と、ロットの洗浄処理を行う洗浄処理装置２４と、基板保持体２２の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置２５と、ロットの乾燥処理を行う乾燥処理装置２６とが並べて設けられている。なお、エッチング処理装置２３の台数は、２台に限られることはなく、１台でもよく、３台以上であってもよい。
エッチング処理装置２３は、エッチング用の処理槽２７と、リンス用の処理槽２８と、基板昇降機構２９，３０とを有する。
エッチング用の処理槽２７には、エッチング用の処理液（以下、「エッチング液」という。）が貯留される。リンス用の処理槽２８には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。なお、エッチング用の処理槽２７の詳細については後述する。
基板昇降機構２９,３０には、ロットを形成する複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
エッチング処理装置２３は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構２９で受取り、受取ったロットを基板昇降機構２９で降下させることでロットを処理槽２７のエッチング液に浸漬させてエッチング処理を行う。
その後、エッチング処理装置２３は、基板昇降機構２９を上昇させることでロットを処理槽２７から取り出し、基板昇降機構２９からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。
そして、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３０で受取り、受取ったロットを基板昇降機構３０で降下させることでロットを処理槽２８のリンス用の処理液に浸漬させてリンス処理を行う。
その後、エッチング処理装置２３は、基板昇降機構３０を上昇させることでロットを処理槽２８から取り出し、基板昇降機構３０からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。
洗浄処理装置２４は、洗浄用の処理槽３１と、リンス用の処理槽３２と、基板昇降機構３３,３４とを有する。
洗浄用の処理槽３１には、洗浄用の処理液（ＳＣ−１等）が貯留される。リンス用の処理槽３２には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。基板昇降機構３３,３４には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
乾燥処理装置２６は、処理槽３５と、処理槽３５に対して昇降する基板昇降機構３６とを有する。
処理槽３５には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構３６には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
乾燥処理装置２６は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３６で受取り、受取ったロットを基板昇降機構３６で降下させて処理槽３５に搬入し、処理槽３５に供給した乾燥用の処理ガスでロットの乾燥処理を行う。そして、乾燥処理装置２６は、基板昇降機構３６でロットを上昇させ、基板昇降機構３６からロット搬送機構１９の基板保持体２２に、乾燥処理を行ったロットを受け渡す。
基板保持体洗浄処理装置２５は、処理槽３７を有し、処理槽３７に洗浄用の処理液、および乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構１９の基板保持体２２に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体２２の洗浄処理を行う。
制御部１００は、基板処理装置１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６）の動作を制御する。制御部１００は、スイッチなどからの信号に基づいて、基板処理装置１の各部の動作を制御する。
制御部１００は、例えばコンピュータからなり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体３８を有する。記憶媒体３８には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。
制御部１００は、記憶媒体３８に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体３８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部１００の記憶媒体３８にインストールされたものであってもよい。
コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体３８としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
次に、エッチング用の処理槽２７について図２を参照し説明する。図２は、第１実施形態に係るエッチング用の処理槽２７の構成を示す概略ブロック図である。ここでは、水平方向のうち、処理槽２７において複数の基板８が配置される方向、すなわち、基板８に対して垂直な方向を前後方向とし、水平方向のうち、前後方向に直交する方向を左右方向として説明する。
本実施形態では、エッチング液として、所定濃度の薬剤（リン酸（Ｈ３ＰＯ４））の水溶液（以下、「リン酸水溶液」という。）にシリコン溶液が混合された液が使用される。なお、エッチング液は、リン酸処理液に限られることはない。
エッチング用の処理槽２７は、リン酸水溶液供給部４０と、リン酸水溶液排出部４１と、純水供給部４２と、シリコン供給部４３と、窒素供給部４４と、内槽４５と、外槽４６と、調圧プレート４７と、整流プレート４８とを有する。
リン酸水溶液供給部４０は、リン酸水溶液供給源４０Ａと、リン酸水溶液供給ライン４０Ｂと、第１流量調整器４０Ｃとを有する。
リン酸水溶液供給源４０Ａは、リン酸水溶液を貯留するタンクである。リン酸水溶液供給ライン４０Ｂは、リン酸水溶液供給源４０Ａと外槽４６とを接続し、リン酸水溶液供給源４０Ａから外槽４６にリン酸水溶液を供給する。
第１流量調整器４０Ｃは、リン酸水溶液供給ライン４０Ｂに設けられ、外槽４６へ供給されるリン酸水溶液の流量を調整する。第１流量調整器４０Ｃは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
純水供給部４２は、純水供給源４２Ａと、純水供給ライン４２Ｂと、第２流量調整器４２Ｃとを有する。純水供給部４２は、エッチング液を加熱することにより蒸発した水分を補給するために外槽４６に純水（ＤＩＷ）を供給する。
純水供給ライン４２Ｂは、純水供給源４２Ａと外槽４６とを接続し、純水供給源４２Ａから外槽４６に所定温度の純水を供給する。
第２流量調整器４２Ｃは、純水供給ライン４２Ｂに設けられ、外槽４６へ供給される純水の流量を調整する。第２流量調整器４２Ｃは、開閉弁、流量制御弁、流量計などから構成される。
シリコン供給部４３は、シリコン供給源４３Ａと、シリコン供給ライン４３Ｂと、第３流量調整器４３Ｃとを有する。
シリコン供給源４３Ａは、シリコン溶液、例えばコロイダルシリコンを分散させたシリコン溶液を貯留するタンクである。シリコン供給ライン４３Ｂは、シリコン供給源４３Ａと外槽４６とを接続し、シリコン供給源４３Ａから外槽４６にシリコン溶液を供給する。
第３流量調整器４３Ｃは、シリコン供給ライン４３Ｂに設けられ、外槽４６へ供給されるシリコン溶液の流量を調整する。第３流量調整器４３Ｃは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
窒素供給部４４は、窒素供給源４４Ａと、窒素供給ライン４４Ｂと、第４流量調整器４４Ｃとを有する。窒素供給部４４は、エッチング液に不活性ガスである窒素を供給する。
窒素供給源４４Ａは、窒素（Ｎ２）を貯留するタンクである。窒素供給ライン４４Ｂは、窒素供給源４４Ａと後述する循環ライン５０とを接続し、窒素供給源４４Ａから循環ライン５０を流れるエッチング液に窒素を供給する。
第４流量調整器４４Ｃは、窒素供給ライン４４Ｂに設けられ、循環ライン５０へ供給する窒素の流量を調整する。第４流量調整器４４Ｃは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
内槽４５は、上部が開放され、エッチング液が上部付近まで供給される。内槽４５では、基板昇降機構２９によってロット（複数枚の基板８）がエッチング液に浸漬され、基板８にエッチング処理が行われる。内槽４５は、基板処理槽を構成する。
内槽４５の下方には、前後方向に沿って処理液供給ノズル４９が設けられる。処理液供給ノズル４９は、左右方向に２本設けられる。なお、処理液供給ノズル４９の数は、これに限定されず、１本であってもよく、３本以上であってもよい。
処理液供給ノズル４９には、左方向および右方向に向けて気泡を含むエッチング液を吐出する吐出口４９Ａが複数形成される。吐出口４９Ａは、前後方向に沿って複数形成される。なお、吐出口４９Ａは、例えば、左斜め上方および右斜め上方に向けてエッチング液を吐出してもよい。
また、内槽４５には、処理液供給ノズル４９と基板８との間に、調圧プレート４７および整流プレート４８が設けられる。調圧プレート４７は、整流プレート４８よりも下方側に設けられる。すなわち、調圧プレート４７は、整流プレート４８と処理液供給ノズル４９との間に設けられる。
調圧プレート４７および整流プレート４８は、石英や、アモルファスカーボンなどの耐薬品性の部材で構成される。
ここで、調圧プレート４７について、図３および図４を参照し説明する。図３は、第１実施形態に係る調圧プレート４７の概略平面図である。図４は、図３のIV−IV概略断面図である。
調圧プレート４７には、上下方向に沿って孔４７Ａが形成される。孔４７Ａは、左右方向および前後方向に複数形成され、エッチング液を通流させる。調圧プレート４７は、処理液供給ノズル４９（図２参照）から吐出されたエッチング液の流入圧力を調整し、水平方向（前後方向および左右方向）におけるエッチング液の流入圧力を調整する。すなわち、調圧プレート４７は、孔４７Ａから上方に流出するエッチング液の流入圧力を均一化することができる。なお、孔４７Ａの形状は、円形であるが、これに限られず、例えば、楕円形や矩形であってもよい。
調圧プレート４７は、処理液供給ノズル４９側の面（以下、「裏面」という。）から処理液供給ノズル４９に向けて突出するリブ４７Ｂを有する。
リブ４７Ｂは、調圧プレート４７の裏面の周縁に沿って形成される第１リブ４７Ｃと、前後方向に沿って形成される第２リブ４７Ｄとを有する。第１リブ４７Ｃは、調圧プレート４７の裏面の全周に形成される。
第２リブ４７Ｄは、左右方向に並んで複数形成され、調圧プレート４７の裏面を複数の領域に区画する。すなわち、調圧プレート４７の裏面は、リブ４７Ｂによって、複数の領域（以下、「区画領域」という。）に区画される。複数の区画領域は、左右方向に並んで形成される。
調圧プレート４７の裏面をリブ４７Ｂ（第１リブ４７Ｃおよび第２リブ４７Ｄ）によって複数の区画領域に区画することで、図５に示すように、区画領域に入った気泡（図５中、「Ｂ」で示す。）が、他の区画領域に移動することが抑制される。図５は、処理液供給ノズル４９から吐出されたエッチング液に含まれる気泡Ｂの状態を示す概略模式図である。
各区画領域は、複数の孔４７Ａを含むように形成される。孔４７Ａには、処理液供給ノズル４９側の開口部に面取部４７Ｅが形成される。面取部４７Ｅは、処理液供給ノズル４９側の開口部の全周に形成される。これにより、エッチング液に含まれる気泡が、調圧プレート４７の裏面側の開口部付近に留まることを抑制し、孔４７Ａにおけるエッチング液の流通性を向上させることができる。
次に、整流プレート４８について図６を参照し説明する。図６は、第１実施形態に係る整流プレート４８の概略平面図である。
整流プレート４８には、左右方向に沿ってスリット４８Ａが形成される。スリット４８Ａは、調圧プレート４７の孔４７Ａとは異なる形状に形成される。スリット４８Ａは、前後方向に並んで複数形成される。スリット４８Ａは、内槽４５内の基板８に対して均一なエッチング液の平行流を発生させる。すなわち、整流プレート４８は、エッチング液の流れを整流する。
処理液供給ノズル４９側のスリット４８Ａの開口部には、調圧プレート４７と同様に、面取部（不図示）が形成される。面取部は、処理液供給ノズル４９側の開口部の全周に形成される。これにより、エッチング液に含まれる気泡が、処理液供給ノズル４９側のスリット４８Ａの開口部付近に留まることを抑制し、スリット４８Ａにおけるエッチング液の流通性を向上させることができる。
なお、整流プレート４８は、図７に示すように、隣接するスリット４８Ａ間を仕切る仕切部４８Ｂが、エッチング液の流れによって撓むことを抑制するために、前後方向に沿って形成される補強部４８Ｃを設けてもよい。図７は、変形例に係る整流プレート４８の概略平面図である。
図２に戻り、外槽４６は、内槽４５の上部周囲に設けられるとともに上部が開放される。外槽４６には、内槽４５からオーバーフローしたエッチング液が流入する。また、外槽４６には、純水供給部４２から純水が供給される。また、外槽４６には、シリコン供給部４３からシリコン溶液が供給される。
外槽４６には、保温プレート４６Ａが設けられる。保温プレート４６Ａは、外槽４６の外側の側壁に脱着可能に設けられる。保温プレート４６Ａは、ＰＴＦＥ（polytetrafluoroethylene）などの耐薬品性の部材によって構成される。保温プレート４６Ａは、外槽４６内のエッチング液を保温する。
また、保温プレート４６Ａは、外槽４６の容積を変更する調整プレートとしても機能する。例えば、保温プレート４６Ａを取り付けることで、保温プレート４６Ａを取り付けない場合と比較して、外槽４６の容積を小さくし、エッチング処理で使用するエッチング液を少なくすることができる。また、厚さの異なる保温プレート４６Ａを外槽４６に脱着することで、外槽４６の容積を調整することができ、エッチング処理で使用するエッチング液の量を調整することができる。
外槽４６と内槽４５とは循環ライン５０によって接続される。循環ライン５０の一端は、外槽４６に接続され、循環ライン５０の他端は、内槽４５内に設置された処理液供給ノズル４９に接続される。循環ライン５０は、処理液供給路を構成する。
循環ライン５０には、外槽４６側から順に、ポンプ５１、ヒーター５２、フィルタ５３、気泡発生部５４が設けられる。外槽４６内のエッチング液はヒーター５２によって加温されて処理液供給ノズル４９から内槽４５内に流入する。ヒーター５２は、内槽４５に供給されるエッチング液を、エッチング処理に適した所定温度に加温する。
ポンプ５１を駆動させることにより、エッチング液は、外槽４６から循環ライン５０を経て内槽４５内に送られる。また、エッチング液は、内槽４５からオーバーフローすることで、再び外槽４６へと流出する。このようにして、エッチング液の循環路５５が形成される。すなわち、循環路５５は、外槽４６、循環ライン５０、内槽４５によって形成される。循環路５５では、内槽４５を基準として外槽４６がヒーター５２よりも上流側に設けられる。
また、フィルタ５３と気泡発生部５４との間の循環ライン５０には、窒素供給ライン４４Ｂが接続され、循環ライン５０を流れるエッチング液に窒素が混入される。
気泡発生部５４は、図８に示すように、スタティックミキサーであり、窒素供給ライン４４Ｂからエッチング液に混入された窒素を複数のエレメント５４Ａを回転させることで微細化し、径を小さくした気泡を循環ライン５０内で発生させる。図８は、第１実施形態に係る気泡発生部５４の概略構成図である。
図２に戻り、リン酸水溶液排出部４１は、エッチング処理で使用されたエッチング液の全部、または一部を入れ替える際にエッチング液を排出する。リン酸水溶液排出部４１は、排出ライン４１Ａと、第５流量調整器４１Ｂと、冷却タンク４１Ｃとを有する。
排出ライン４１Ａは、循環ライン５０に接続される。第５流量調整器４１Ｂは、排出ライン４１Ａに設けられ、排出されるエッチング液の排出量を調整する。第５流量調整器４１Ｂは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。冷却タンク４１Ｃは、排出ライン４１Ａを流れてきたエッチング液を一時的に貯留するとともに冷却する。
なお、第１流量調整器４０Ｃ〜第５流量調整器４１Ｂを構成する開閉弁の開閉や、流量制御弁の開度は、制御部１００からの信号に基づいてアクチュエータ（不図示）が動作することで、変更される。すなわち、第１流量調整器４０Ｃ〜第５流量調整器４１Ｂを構成する開閉弁や、流量制御弁は、制御部１００によって制御される。
基板処理装置１では、リブ４７Ｂによって調圧プレート４７の裏面が複数の区画領域に区画される。これにより、区画領域間における気泡の移動を抑制することができ、調圧プレート４７の孔４７Ａを通って上方へ流れる気泡に偏りが発生することを抑制することができる。例えば、調圧プレート４７が左右方向に傾いて取り付けられた場合であっても、区画領域間における気泡の移動がリブ４７Ｂによって抑制され、各区画領域に含まれる孔４７Ａから流出するエッチング液の流れを均一化することができる。そのため、基板処理装置１は、基板８の表面を均一にエッチングすることができる。
また、基板処理装置１では、気泡発生部５４によって窒素の気泡が微細化され、微細化された気泡を含むエッチング液が処理液供給ノズル４９から内槽４５に吐出される。これにより、基板処理装置１は、微細化された気泡を含むエッチング液でエッチング処理を行うことができ、基板８に形成されるパターンを均一にエッチングできる。
また、基板処理装置１では、調圧プレート４７に形成された孔４７Ａの裏面側の開口部に面取部４７Ｅが形成される。これにより、エッチング液に含まれる気泡が、調圧プレート４７の裏面側の開口部付近に留まることを抑制することができる。従って、基板処理装置１は、孔４７Ａにおけるエッチング液の流通性を向上させることができる。
また、基板処理装置１では、基板８と調圧プレート４７との間に整流プレート４８が設けられ、整流プレート４８に形成されたスリット４８Ａによってエッチング液の流れを整流する。これにより、基板処理装置１は、整流されたエッチング液によってエッチング処理を行うことができる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１について図９を参照し説明する。図９は、第２実施形態に係る調圧プレート４７の概略平面図である。ここでは、第１実施形態と異なる箇所を中心に説明し、第１実施形態と同じ構成については、同じ符号を付して詳しい説明は省略する。
調圧プレート４７では、左右方向の中心側から、左右方向の両端側となるにつれて区画領域の面積が小さくなる。すなわち、左右方向の両端に形成される区画領域の面積は、他の区画領域の面積よりも小さい。
具体的には、左右方向におけるリブ４７Ｂ（第１リブ４７Ｃおよび第２リブ４７Ｄ）間の距離が均一ではなく、左右方向の両端の区画領域を形成する第１リブ４７Ｃと第２リブ４７Ｄとの長さＬ１が、他の区画領域を形成する第２リブ４７Ｄ間の長さＬ２、Ｌ３よりも短い。
左右方向の両端に形成される区画領域には、処理液供給ノズル４９の吐出口４９Ａ（図２参照）から吐出されたエッチング液が直接流入することに加えて、内槽４５の左右方向の側壁に当たったエッチング液も流入する。
そのため、例えば、左右方向の両端に形成された区画領域と、他の区画領域とを同じ面積にすると、左右方向の両端に形成された区画領域に流入する気泡が多くなり、各区画領域に流入する気泡に偏りが生じるおそれがある。
基板処理装置１では、調圧プレート４７において、左右方向の両端に形成される区画領域の面積を、他の区画領域の面積よりも小さくする。これにより、各区画領域に流入する気泡に偏りが生じることを抑制することができ、調圧プレート４７の孔４７Ａを通って上方に流れる気泡に偏りが生じることを抑制することができる。従って、基板処理装置１は、基板８の表面を均一にエッチングすることができる。
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る基板処理装置１について図１０を参照し説明する。図１０は、第３実施形態に係る調圧プレート４７の概略平面図である。ここでは、第１実施形態と異なる箇所を中心に説明し、第１実施形態と同じ構成については、同じ符号を付して詳しい説明は省略する。
調圧プレート４７は、リブ４７Ｂとして、第１リブ４７Ｃと、前後方向に沿って形成される第２リブ４７Ｄと、左右方向に沿って形成される第３リブ４７Ｆとを有する。第２リブ４７Ｄおよび第３リブ４７Ｆは、互いに交差するように形成される。すなわち、リブ４７Ｂは、格子状に形成される。
これにより、調圧プレート４７の裏面には、リブ４７Ｂによって左右方向および前後方向に区画された区画領域が形成される。
なお、リブ４７Ｂは、例えば、第３リブ４７Ｆを左右方向から傾斜した方向に沿って形成してもよい。すなわち、格子状の区画領域が形成されればよく、区画領域の形状は限定されない。例えば、区画領域の形状は、正方形や、長方形や、平行四辺形などであってもよく、また、異なる形状が組み合わされてもよい。
基板処理装置１では、調圧プレート４７の裏面に格子状のリブ４７Ｂが形成される。これにより、各区画領域では、左右方向および前後方向における気泡の移動が抑制される。これにより、調圧プレート４７の孔４７Ａを通って上方へ流れる気泡に偏りが発生することをより抑制することができる。従って、基板処理装置１は、基板８の表面をより均一にエッチングすることができる。
（第４実施形態）
次に、第４実施形態に係る基板処理装置１について図１１を参照し説明する。図１１は、第４実施形態に係るエッチング用の処理槽２７の構成を示す概略ブロック図である。ここでは、第１実施形態と異なる箇所を中心に説明し、第１実施形態と同じ構成については、同じ符号を付して詳しい説明は省略する。
第４実施形態に係る基板処理装置１では、気泡発生部６０としてベンチュリー管が用いられる。窒素供給ライン４４Ｂは、窒素供給源４４Ａと気泡発生部６０とを接続する。
気泡発生部６０は、図１２に示すように、縮径部６１と、混入部６２と、拡径部６３とを有する。図１２は、第４実施形態に係る気泡発生部６０の構成を示す概略構成図である。気泡発生部６０では、エッチング液の流れ方向に沿って順に、縮径部６１、混入部６２、拡径部６３が設けられる。
縮径部６１は、循環ライン５０に接続され、下流側となるにつれて管内の径が小さくなるように形成される。混入部６２は、縮径部６１と拡径部６３との間に設けられ、窒素供給ライン４４Ｂ（図１１参照）に接続される。混入部６２には、窒素供給ライン４４Ｂから供給された窒素が流れる孔６２Ａが形成される。混入部６２を介して供給された窒素は、エッチング液に混入される。拡径部６３は、下流側となるにつれて管内の径が大きくなるように形成される。
気泡発生部６０は、拡径部６３において圧力が増加する際に、混入部６２によってエッチング液に混入された窒素の気泡を崩壊させて気泡を微細化する。
基板処理装置１では、気泡発生部６０としてベンチュリー管が用いられることで、エッチング液に混入された窒素の気泡が微細化される。これにより、基板処理装置１は、基板８に形成されるパターンを均一にエッチングできる。
（第５実施形態）
次に、第５実施形態に係る基板処理装置１について図１３および図１４を参照し説明する。図１３は、第５実施形態に係る気泡発生部７０をエッチング液の流れ方向から見た概略正面図である。図１４は、図１３のXIV−XIV概略断面図である。ここでは、第４実施形態と異なる箇所を中心に説明し、第４実施形態と同じ構成については、同じ符号を付して詳しい説明は省略する。
第５実施形態に係る基板処理装置１では、気泡発生部７０として、流路面積を変更可能なベンチュリー管が用いられる。流路面積は、エッチング液の流れ方向に対して垂直な面の面積である。
気泡発生部７０は、支持部７１と、混入部７２とを有する。支持部７１は、管状に形成され、循環ライン５０に接続される。支持部７１には、混入部７２の一部が挿入される挿入孔７１Ａが形成される。支持部７１は、混入部７２を回動可能に支持する。支持部７１は、エッチング液が流れる流路を形成するとともに、混入部７２を回動可能に支持する。
混入部７２は、窒素供給ライン４４Ｂ（図１１参照）に接続される。混入部７２には、窒素供給ライン４４Ｂから供給された窒素が流れる孔７２Ａが形成される。混入部７２は、エッチング液が流れる流路を形成する支持部７１内に突出する板状の絞り部７２Ｂを有する。絞り部７２Ｂは、調整部を構成する。
絞り部７２Ｂは、混入部７２が回動すると、混入部７２とともに回動し、図１３〜図１６に示すように、回動に伴い流路面積を変更する。図１３および図１４の気泡発生部７０は、絞り部７２Ｂによって流路面積を小さくした状態である。図１５は、図１３に示す状態から、混入部７２を９０度回転させた気泡発生部７０を示す図である。図１６は、図１５のXVI−XVI概略断面図である。
絞り部７２Ｂを図１３に示す状態から９０度回転することで、図１５に示すように流路面積は大きくなる。
気泡発生部７０は、絞り部７２Ｂによって流路面積を変更することで、発生させる気泡の径を変更することができる。例えば、図１３および図１４に示す流路面積が小さい状態では、図１５および図１６に示す流路面積が大きい状態よりも、気泡がより微細化され、気泡の径が小さくなる。
混入部７２は、モータなどのアクチュエータによって回動されてもよく、手動によって回動されてもよい。なお、混入部７２の回動位置、すなわち絞り部７２Ｂによる流路面積は、発生させる気泡の径に応じて適宜設定することができる。
基板処理装置１では、絞り部７２Ｂを回動させることで流路面積を変更し、気泡発生部７０によって発生させる気泡の径を変更することができる。これにより、エッチング処理の内容（基板８に形成されるパターンや、エッチング液の種類など）に応じてエッチング液に含まれる気泡の径を変更することができる。従って、基板処理装置１は、エッチング処理に適した径の気泡を含むエッチング液によってエッチング処理を行うことができる。また、混入部７２を回動することで、気泡の径を変更することができるため、基板処理装置１は、気泡の径の調整を容易に行うことができる。
なお、図１７および図１８に示すように、気泡発生部７０は、窒素が流れる孔７５Ａが形成された棒状の混入部７５を流路内に突出させ、流路内に突出する混入部７５の突出量を変更することで、流路面積を変更してもよい。図１７は、変形例に係る気泡発生部７０をエッチング液の流れ方向から見た概略正面図である。図１８は、図１７のXVIII−XVIII概略断面図である。例えば、気泡発生部７０は、混入部７５を上下方向に移動させることで、流路面積を変更する。これにより、基板処理装置１は、エッチング液に含まれる気泡の径を変更することができる。混入部７５は、モータなどのアクチュエータによって突出量が変更されてもよく、手動によって変更されてもよい。混入部７５は、調整部を構成する。
なお、変形例に係る気泡発生部７０では、長さが異なる混入部７５を取り換えることで、突出量を変更し、流路面積を変更してもよい。
なお、上記実施形態を適宜組み合わせて適用してもよい。例えば、基板処理装置１は、図９に示す調圧プレート４７と、図１３および図１４に示す気泡発生部７０とを有してもよい。
また、上記実施形態では、循環ライン５０に、気泡発生部５４、６０、７０を設け、気泡を含んだエッチング液を処理液供給ノズル４９から吐出させたが、これに限られることはない。例えば、処理液供給ノズル４９とは別に気泡発生ノズルを内槽４５に設け、窒素供給部４４から気泡発生ノズルを介して内槽４５に窒素を供給し、内槽４５内で気泡を発生させてもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
１ 基板処理装置
６ ロット処理部
８ 基板
２３ エッチング処理装置
２７ エッチング用の処理槽
４４ 窒素供給部
４５ 内槽（基板処理槽）
４７ 調圧プレート
４７Ａ 孔
４７Ｂ リブ
４７Ｃ 第１リブ
４７Ｄ 第２リブ
４７Ｅ 面取部
４７Ｆ 第３リブ
４８ 整流プレート
４８Ａ スリット
４９ 処理液供給ノズル
５０ 循環ライン（処理液供給路）
５４ 気泡発生部
６０ 気泡発生部
７０ 気泡発生部
７２ 混入部
７２Ｂ 絞り部（調整部）
７５ 混入部（調整部）

Claims (8)

  1. 基板処理槽と、
    前記基板処理槽内の下方に設けられ、処理液を複数の吐出口から吐出する処理液供給ノズルと、
    前記処理液供給ノズルと前記基板処理槽内の基板との間に設けられ、前記処理液を通流させる複数の孔を有し、前記処理液供給ノズルから吐出された前記処理液の流入圧力を調整する調圧プレートと
    を備え、
    前記調圧プレートは、
    前記処理液供給ノズル側の面から突出し、前記処理液供給ノズル側の面を複数の区画領域に区画するリブを備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記調圧プレートは、
    格子状の前記リブ
    を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記複数の区画領域のうち、前記基板処理槽の側壁側の区画領域は、他の区画領域よりも面積が小さい
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 前記調圧プレートは、
    前記処理液供給ノズル側の孔の端部に面取部
    を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 前記調圧プレートと前記基板との間に設けられ、スリットを有し、前記基板への前記処理液の流れを整流する整流プレート
    を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記処理液を前記処理液供給ノズルに供給する処理液供給路において気泡を発生させる気泡発生部
    を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 前記気泡発生部は、
    前記気泡の径を調整する調整部
    を備えることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記調整部は、
    流路面積を変更する
    ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
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CN111081609A (zh) * 2019-12-26 2020-04-28 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种清洗刻蚀系统
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
US6199568B1 (en) * 1997-10-20 2001-03-13 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating tank, and substrate treating apparatus having the treating tank
US20020063169A1 (en) * 2000-06-26 2002-05-30 Applied Materials, Inc. Wafer spray configurations for a single wafer processing apparatus
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