JP6617036B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6617036B2
JP6617036B2 JP2016006971A JP2016006971A JP6617036B2 JP 6617036 B2 JP6617036 B2 JP 6617036B2 JP 2016006971 A JP2016006971 A JP 2016006971A JP 2016006971 A JP2016006971 A JP 2016006971A JP 6617036 B2 JP6617036 B2 JP 6617036B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
liquid flow
liquid
flow dispersion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016006971A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017130483A (ja
Inventor
建治 枝光
佳礼 藤谷
拓也 岸田
剛至 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2016006971A priority Critical patent/JP6617036B2/ja
Priority to PCT/JP2016/081336 priority patent/WO2017126178A1/ja
Priority to KR1020187018334A priority patent/KR102126143B1/ko
Priority to CN201680077170.7A priority patent/CN108475628B/zh
Priority to TW105136115A priority patent/TWI619161B/zh
Publication of JP2017130483A publication Critical patent/JP2017130483A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6617036B2 publication Critical patent/JP6617036B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機EL用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板(以下、単に基板と称する)に対して、処理液によって処理を行う基板処理装置に関する。
従来、この種の装置として、処理槽と、噴出管とを備えた基板処理装置がある。処理槽は、処理液を貯留し、基板を収容して処理液による処理を行う。噴出管は、処理槽に処理液を供給する。噴出管は、処理槽の底部であって、基板の左右両側に配置されている。一対の噴出管は、それぞれ処理槽の中央部に向かって処理液を供給する。供給された処理液は、処理槽の底部中央付近で上昇流を形成し、上方へ向かって流れる。噴出管から供給された処理液の流れのうち、基板面付近の流れは、左右から供給された処理液が上昇する基板面における中央部の狭い範囲で最も速くなり、流れが遅いところとの差異が大きく生じやすい。このような基板面付近における処理液の流れに大きな差異が生じると、液流が強い(速い)部分で処理が進むので、処理の面内均一性が悪化する。
そこで、複数対の噴出管を配置して、処理液を供給する噴出管を順次に切り換えて、供給された処理液の流れの差異を緩和する装置が提案されている(例えば、特許文献1,2参照)。
特開2008−288442号公報 特開平11−150091号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、複数対の噴出管を備え、処理液を供給する噴出管を切り換える必要があるので、構成が複雑化するとともに制御が煩雑になるという問題がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、簡単な構成で処理液の流れの差異を抑制し、処理の面内均一性を向上できる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、処理液により基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留し、基板を収容して基板に対して処理を行う処理槽と、前記処理槽の底部側であって、収容された基板の左右方向に配置され、前記処理槽の底面中央よりも手前の供給位置に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、前記一対の噴出管のそれぞれと、前記一対の噴出管に対応する前記供給位置との間に、前記処理槽の底面との間に隙間を空けて配置された液流分散部材と、起立姿勢の基板の下縁中央部を保持する中央部保持部と、基板の左右側の下縁を保持する一対の側部保持部とを備え、前記処理槽の上方にあたる待機位置と、前記処理装置の内部にあたる処理位置とにわたって移動可能なリフタとを備え、前記液流分散部材は、前記リフタで基板が配列されている方向に長軸を有し、前記液流分散部材は、前記供給位置と、前記リフタの側部保持部との間に配置されていることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、噴出管から供給された処理液は、液流分散部材により、処理槽の底面に沿った流れと、処理槽の中央に向かう斜め上方への流れに分けられる。したがって、中央部で上昇する液流と、この液流に斜め下方から合流する液流とに強い液流を分散させることができるので、その液流が基板面の中央部で比較的広い幅となって上昇する。その結果、基板面付近における処理液の流れの差異が緩和されるので、処理の面内均一性を向上できる。また、リフタで保持された基板の配列方向に液流分散部材が長軸を有するので、全ての基板面における処理の面内均一性を向上できる。供給位置より遠い位置に液流分散部材を配置すると、供給位置で処理液がある程度既に分散しているので、液流の幅を広げる効果が低くなる。一方、リフタの側部保持部より噴出管に近い位置に液流分散部材を配置すると、処理液が液流分散部材とリフタの側部保持部とによって遮断されるようになるので、処理液の流れが極めて悪くなる。したがって、供給位置と、リフタの側部保持部との間に液流分散部材を配置することにより、好適に処理液の液流を分散させることができる。
また、請求項2に記載の発明は、処理液により基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留し、基板を収容して基板に対して処理を行う処理槽と、前記処理槽の底部側であって、収容された基板の左右方向に配置され、前記処理槽の底面中央よりも手前の供給位置に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、前記一対の噴出管のそれぞれと、前記一対の噴出管に対応する前記供給位置との間に、前記処理槽の底面との間に隙間を空けて配置された液流分散部材と、を備え、前記液流分散部材は、基板が配列されている方向の両端部に配置された取付機構によって前記処理槽の底面に配置され、前記取付機構は、フッ素樹脂で構成され、前記噴出管の外周面の一部位に取り付けられ、前記処理槽の中央部側に突出した連結部を備えた端部部材と、前記端部部材の間に配置されて前記液流分散部材を支持し、前記噴出管側へ突出した連結部を備えた支持部材と、前記端部部材の連結部と前記支持部材の連結部とを離間して対向させた状態で挿通され、前記端部部材と前記支持部材とを連結する連結管と、を備えていることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項2に記載の発明によれば、噴出管から供給された処理液は、液流分散部材により、処理槽の底面に沿った流れと、処理槽の中央に向かう斜め上方への流れに分けられる。したがって、中央部で上昇する液流と、この液流に斜め下方から合流する液流とに強い液流を分散させることができるので、その液流が基板面の中央部で比較的広い幅となって上昇する。その結果、基板面付近における処理液の流れの差異が緩和されるので、処理の面内均一性を向上できる。液流分散部材は、支持部材で支持され、支持部材を端部部材と連結管で連結させて構成された取付機構によって処理槽に取り付けられている。処理液が高温であるとフッ素樹脂製である取付機構が膨張するが、連結管は、端部部材の連結部と支持部材の連結部とを離間して対向させた状態で挿通されているので、膨張分を吸収できる。したがって、支持部材を安定して処理槽に取り付けることができつつも、取付機構の膨張により処理槽が破損することを防止できる。
また、本発明において、前記液流分散部材は、基板面方向における縦断面が円形状を呈することが好ましい(請求項)。
噴出管から供給された処理液を円滑に二方向へ分散させることができる。
また、本発明において、前記液流分散部材は、基板面方向における縦断面が三角形状を呈し、一つの頂点が前記噴出管側に向けられていることが好ましい(請求項)。
噴出管から供給された処理液を二方向へ分散させることができるとともに、三角形の辺の角度により液流の方向を制御しやすくできる。
また、本発明において、起立姿勢の基板の下縁中央部を保持する中央部保持部と、基板の左右側の下縁を保持する一対の側部保持部とを備え、前記処理槽の上方にあたる待機位置と、前記処理装置の内部にあたる処理位置とにわたって移動可能なリフタを備え、前記液流分散部材は、前記リフタで基板が配列されている方向に長軸を有することが好ましい(請求項)。
リフタで保持された基板の配列方向に液流分散部材が長軸を有するので、全ての基板面における処理の面内均一性を向上できる。
(削除)
(削除)
(削除)
(削除)
また、本発明において、前記液流分散部材は、前記処理槽に対して着脱自在に取り付けられていることが好ましい(請求項)。
液流分散部材を処理槽に対して着脱自在とすることで、液流分散部材の交換や清掃などのメンテナンスを容易に行うことができる。
本発明に係る基板処理装置によれば、噴出管から供給された処理液は、液流分散部材により、処理槽の底面に沿った流れと、処理槽の中央に向かう斜め上方への流れに分けられる。したがって、中央部で上昇する液流と、この液流に斜め下方から合流する液流とに強い液流を分散させることができるので、その液流が基板面の中央部で比較的広い幅となって上昇する。その結果、基板面付近における処理液の流れの差異が緩和されるので、処理の面内均一性を向上できる。また、リフタで保持された基板の配列方向に液流分散部材が長軸を有するので、全ての基板面における処理の面内均一性を向上できる。供給位置より遠い位置に液流分散部材を配置すると、供給位置で処理液がある程度既に分散しているので、液流の幅を広げる効果が低くなる。一方、リフタの側部保持部より噴出管に近い位置に液流分散部材を配置すると、処理液が液流分散部材とリフタの側部保持部とによって遮断されるようになるので、処理液の流れが極めて悪くなる。したがって、供給位置と、リフタの側部保持部との間に液流分散部材を配置することにより、好適に処理液の液流を分散させることができる。
実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。 液流分散部材を示す図である。 取付機構の平面図である。 取付機構の正面の一部を拡大した図である。 液流分散部材がない場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材を中心から50mmに配置した場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材を中心から60mmに配置した場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材を中心から70mmに配置した場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材を中心から80mmに配置した場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材を中心から90mmに配置した場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材を中心から100mmに配置した場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材を中心から110mmに配置した場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材を中心から100mmに配置し、底面との隙間を2.5mmとした場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材を中心から100mmに配置し、液流分散部材の径を30mmとした場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材を中心から100mmに配置し、液流分散部材の径を26mmとした場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材を中心から100mmに配置し、液流分散部材の径を18mmとした場合の液流を示す模式図である。 液流分散部材の第1の変形例を示す図である。 液流分散部材の第2の変形例を示す図である。
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
本実施例に係る基板処理装置は、複数枚の基板Wを一括して処理液により処理可能なバッチ式の装置であり、処理槽1と、オーバフロー槽3と、リフタ5とを備えている。
処理槽1は、処理液を貯留し、複数枚の基板Wを平行に配列した状態で収容して複数枚の基板Wに対して同時に処理を行う。処理槽1は、基板の配列方向の断面(図1)では底部の中央が低い谷になった形状をなし、処理液を供給する一対の噴出管7を備えている。一対の噴出管7は、処理槽1の底部側であって基板Wの配列の左右方向の側面部に配置されている。一対の噴出管7は、処理槽1の中央部よりも、噴出管7側に近い手前に位置する供給位置SPに向けてそれぞれ処理液を供給する。詳細は後述するが、供給位置SPと各噴出管7との間であって、処理槽1の底面には、一対の液流分散部材8が配置されている。
処理槽1の上縁の周囲には、オーバフロー槽3が配置されている。オーバフロー槽3は、処理槽1の上縁を越えて溢れた処理液を回収する。オーバフロー槽3は、処理槽1の一対の噴出管7と循環配管9によって連通接続されている。循環配管9は、オーバフロー槽3側から処理槽1側に向かって、ポンプ11と、インラインヒータ13と、フィルタ15とを備えている。ポンプ11は、オーバフロー槽3に貯留する処理液を循環配管9に吸い込み、処理液を噴出管7側へと圧送する。インラインヒータ13は、循環配管9を流通する処理液を処理温度に温調する。例えば、処理液が、基板Wに被着されている窒化膜(SiN)をエッチングする燐酸を含むものである場合、処理温度は、例えば、約160℃である。フィルタ15は、循環配管9を流通する処理液に含まれているパーティクルを濾過して除去する。
供給管17は、処理槽1の内壁に沿って延出され、処理槽1の底面に向けて一端側の開口部が向けられて配置されている。供給管17は、その他端側が処理液供給源19に連通接続されている。供給管17には、開閉弁21が設けられている。開閉弁21は、処理液供給源19から供給管17への処理液の流通を制御する。処理液供給源19は、処理液を貯留しており、開閉弁21が開放されることにより、常温の処理液を供給管17へ供給する。
リフタ5は、処理槽1の内部に相当する「処理位置」(図1に示す位置)と、処理槽1の上方に相当する「待機位置」(不図示)との間にわたって昇降移動する。リフタ5は、背板23と、中央部保持部25と、一対の側部保持部27とを有する。背板23は、処理槽1の内壁に沿った板状の部材である。中央部保持部25と、一対の側部保持部27は、背板23の下部に水平方向(紙面の奥手前方向)に延出して設けられて、複数枚の基板Wを平行に配列した状態で保持する。中央保持部25は、起立姿勢の基板Wの下縁中央部を当接して保持する。一対の側部保持部27は、起立姿勢の基板Wの左右側の下縁を当接して保持する。
制御部29は、図示しないCPUやメモリを内蔵している。制御部29は、リフタ5の昇降動作、ポンプ11のオンオフ動作、インラインヒータ13の温調動作、開閉弁21の開閉動作などを統括して制御する。
ここで、図2〜図4を参照して、液流分散部材8について詳細に説明する。なお、図2は、液流分散部材を示す図であり、図3は、取付機構の平面図であり、図4は、取付機構の正面の一部を拡大した図である。
液流分散部材8は、基板Wの面方向における縦断面が円形状を呈する円柱で構成され、紙面方向(基板Wが配列されている整列方向)に向かって長軸を配置されている。液流分散部材8は、噴出管7からの処理液の供給位置SPと側部保持部27との間に配置されている。また、液流分散部材8は、側面視では、処理槽1の底面と液流分散部材8の下面との間に隙間GPを空けて配置されている。液流分散部材8は、例えば、石英製であり、図3及び図4に示すように取付機構31によって処理槽1の底部に取り付けられている。
なお、上述した隙間GPの好適な値は、例えば、処理槽1の大きさや、液流分散部材8の径や構造、液流分散部材8の配置されている位置などによって異なる。ここでは、例えば、液流分散部材8の直径が22mm、処理槽1の幅が約300mm、液流分散部材8の配置位置が処理槽1の中心から50〜100mmである場合、隙間GPは約1.5mm程度であることが好ましい。
取付機構31は、フッ素樹脂で構成され、端部部材33と、支持部材35と、連結管37とを備えている。端部部材33は、噴出管7の両端部のうちの外周面の一部位に嵌め付けられる嵌め付け部39を備えている。噴出管7は処理槽1の底部側であって基板Wの配列の左右方向の側面部に配置されているので、端部部材33は処理槽1の、基板Wの配列方向左右側の側面の底部でかつ基板W配列方向の両端側に取り付けられ配置される。また、端部部材33は、図1、図4の断面において処理槽1の底面の中央部側(谷側)に突出した連結部41が形成されている。支持部材35は、処理槽1の底面の形状に沿った形状を呈し、基板W配列方向の両端側の底部において基板W配列方向の左右の端部部材33の間に配置され、二本の液流分散部材8を側面に固定されて支持している。また、支持部材35は、噴出管7側へ突出した連結部43が形成されている。端部部材33と、支持部材35は、それぞれの連結部41,43を離間して対向させた状態で、連結管37を連結部41,43に挿通することにより互いに連結される。連結管37はフッ素樹脂の中でも柔軟性のある素材、例えばPFAで作成され、端部部材33と支持部材35は硬質の素材、例えばPTFEで作成される。かかる構造により、液流分散部材8は、処理槽1に対して容易に着脱自在に取り付けられ、液流分散部材8の交換や清掃等のメンテナンスを容易に行うことができる。
処理液が高温であるとフッ素樹脂製である取付機構31は膨張するが、連結管37は、端部部材33の連結部41と支持部材35の連結部43とを離間して対向させた状態で挿通されているので、各部の熱膨張による寸法変動分を吸収できる。したがって、支持部材35を安定して処理槽1に取り付けることができつつも、取付機構31の膨張により処理槽1が破損することを防止できる。
本実施例によると、図2に示すように、噴出管7から供給位置SPに向けて供給された処理液の流れTLが、液流分散部材8により、処理槽1の中央へ向かう底面側の流れTL1と、処理槽1の中央に向かう斜め上方への流れTL2(換言すると、流れTL1に斜め下方から合流する流れTL2)との二つに大きく分散される。したがって、処理槽1の中央部で上昇する処理液の流れTL1と、この液流TL1に斜め下方から合流する液流TL2とに強い液流を分散させることができるので、その液流TL1とTL2とが基板W面の中央部で比較的広い幅となって上昇する。その結果、基板W面付近における処理液の流れの差異が緩和されるので、処理の面内均一性を向上できる。
次に、図5〜図16のシミュレーション結果を参照して、上述した液流分散部材8の効果について説明する。
なお、図5は、液流分散部材がない場合の液流を示す模式図である。また、図6は、液流分散部材を中心から50mmに配置した場合の液流を示す模式図であり、図7は、液流分散部材を中心から60mmに配置した場合の液流を示す模式図であり、図8は、液流分散部材を中心から70mmに配置した場合の液流を示す模式図であり、図9は、液流分散部材を中心から80mmに配置した場合の液流を示す模式図であり、図10は、液流分散部材を中心から90mmに配置した場合の液流を示す模式図であり、図11は、液流分散部材を中心から100mmに配置した場合の液流を示す模式図であり、図12は、液流分散部材を中心から110mmに配置した場合の液流を示す模式図であり、図13は、液流分散部材を中心から100mmに配置し、底面との隙間を2.5mmとした場合の液流を示す模式図であり、図14は、液流分散部材を中心から100mmに配置し、液流分散部材の径を30mmとした場合の液流を示す模式図であり、図15は、液流分散部材を中心から100mmに配置し、液流分散部材の径を26mmとした場合の液流を示す模式図であり、図16は、液流分散部材を中心から100mmに配置し、液流分散部材の径を18mmとした場合の液流を示す模式図である。これらのシミュレーションにおける噴出管7からの処理液の流量は、毎分40リットルとし、供給位置SPは、中心から45mm付近としている。
図5は、液流分散部材8を備えていない処理槽1であり、ここでは基準(従来例)となるものである。この図5から明らかなように、噴出管7から供給された処理液は、処理槽1の中央で上昇する流速が速い領域HVRと、この領域HVRから側方に離れた流速が遅い領域LVRとが縦筋状に生じている。つまり、基板W面付近の流れは、左右から供給された処理液が上昇する基板W面における中央部の狭い範囲で最も流速が速くなり、流速が遅いところとの差異が大きく生じている。なお、図中の符号WDは、基板W面の中央部における流速が速い上昇流の幅を示し、この場合は、比較的狭い上昇流の幅WDとなっていることがわかる。
液流分散部材8の直径:22mm、設置位置:中心から50mm、隙間GP:1.5mmとした場合が図6であり、設置位置だけを中心から60mmとしたのが図7であり、設置位置だけを中心から70mmとしたのが図8であり、設置位置だけを中心から80mmとしたのが図9であり、設置位置だけを中心から90mmとしたのが図10であり、設置位置だけを中心から100mmとしたのが図11であり、設置位置だけを中心から110mmとしたのが図12である。
上記の例から、図5と比較して、上昇流の幅WDが広く優位性があると判断できるのは、図6から図12の場合である。但し、図12は、基板Wの上方へ抜けていく上昇流が弱く、この面では不適であると判断できる。なお、図示省略しているが、設置位置を中心から45mmよりも中心側に近づけると、上昇流の幅WDが図5と差異がなくなり、優位性が認められなかった。これらの結果から、液流分散部材8の設置位置は、供給位置SPと側部保持部27との間が好適である。
供給位置SPより処理槽1の中心側にあたる噴出管7よりも遠い位置に液流分散部材8を配置すると、供給位置SPで処理液がある程度既に分散しているので、上昇流の幅WDを広げる効果が低くなる。一方、側部保持部27の位置を含む噴出管7に近い位置に液流分散部材8を配置すると、処理液が液流分散部材8と側部保持部27とによって遮断されるようになるので、処理液の流れが極めて悪くなる。
液流分散部材8の直径:22mm、設置位置:中心から100mm、隙間GP:2.5mmとした場合が図13である。図11の場合とは、隙間GPが異なる。
液流分散部材8は、処理槽1の底面に密着させると、底面に沿った液流が遮断されるので、不適切であることはわかる。しかし、図11と図13との比較から、隙間GPが広すぎると、処理槽1の底面に沿った流れが強いままであるので、上昇流の幅WDをあまり広げられないことがわかる。したがって、処理槽1の底面からの隙間GPも重要なパラメータであることがわかる。
液流分散部材8の直径:30mm、設置位置:中心から100mm、隙間GP:1.5mmとした場合が図14であり、液流分散部材8の直径だけ26mmにしたのが図15であり、液流分散部材8の直径だけを18mmにしたのが図16である。これらは、図11の場合とは液流分散部材8の直径が異なる。
図11と、図14から図16とを比較すると、液流分散部材8の大きさも重要なパラメータであることがわかる。つまり、側部保持部27との関係で、斜め上方へ向かう液流が大きく変化するので、上昇流の幅WDに影響する。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例では、液流分散部材8を縦断面形状が円形状の円柱である場合を例にとって説明したが、本発明の液流分散部材8はこのような形状に限定されない。
例えば、図17及び図18のような液流分散部材8であってもよい。なお、図17は、液流分散部材の第1の変形例を示す図であり、図18は、液流分散部材の第2の変形例を示す図である。
液流分散部材8Aは、図17のように縦断面が三角形状を呈する。液流分散部材8Aのうちの一つの頂点は、噴出管7に向けられている。このような液流分散部材8Aであっても、噴出管7から供給された処理液を二方向へ分散させることができるとともに、三角形の辺の角度により液流の方向を制御しやすくできる。
液流分散部材8Bは、図18のように縦断面がL字状を呈する。液流分散部材8Bの頂部は、噴出管7に向けられている。このような液流分散部材8Bであっても、上記同様の効果を奏することができる。
(2)上述した実施例では、液流分散部材8が上述した構成の取付機構31で取り付けられているが、本発明はこのような液流分散部材8を取付機構31で取り付けることに限定されるものではない。例えば、液流分散部材8を処理槽1の内壁に直接的に取り付ける構成としてもよい。
(3)上述した実施例では、処理液として燐酸を含むものを例にとって説明したが、本発明は処理液が燐酸を含むものに限定されるものではない。処理液は、例えば、硫酸・過酸化水素水の混合液などであってもよい。
(4)上述した実施例では、処理槽1の周囲にオーバフロー槽3を備えているが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、処理槽1を囲うチャンバを備え、処理槽1から溢れた処理液をチャンバの底部で回収する構成であってもよい。
(5)上述した実施例では、液流分散部材8は処理槽1の底面に沿う方向に設けていたが、例えば処理槽1の底面から鉛直方向に立てて設けてもよい。この場合、リフタ5に保持された複数枚の基板Wの配列の側方、すなわち図1におけるリフタ5の左右側の位置に設けることができる。図1の奥行方向にあっては、複数枚の基板Wの間の位置に設けることが好ましい。
(6)さらに面内均一性を向上するために、上述した実施例に加えてさらに処理槽1の上部の処理液を撹拌あるいは流れを均一化する構成を付加することができる。例えば、リフタ5に保持された複数枚の基板Wの配列の側方、すなわち図1におけるリフタ5の左右側の位置であって、基板Wの上方に、基板Wの配列の方向に液流分散部材を設けて流れを均一化してもよい。あるいは、処理槽1の上部に向けて処理液をシャワー状に供給するノズルを設けて、処理槽1上部の処理液の撹拌を促進するようにしてもよい。
W … 基板
1 … 処理槽
3 … オーバフロー槽
5 … リフタ
7 … 噴出管
8,8A,8B … 液流分散部材
SP … 供給位置
9 … 循環配管
11 … ポンプ
23 … 背板
25 … 中央部保持部
27 … 側部保持部
29 … 制御部
GP … 隙間
31 … 取付機構
33 … 端部部材
35 … 支持部材
37 … 連結管
39 … 嵌め付け部
41,43 … 連結部
TL … 処理液の流れ
TL1 … 処理液の底面側の流れ
TL2 … 処理液の斜め上方への流れ
HVR … 流速が速い領域
LVR … 流速が遅い領域
WD … 上昇流の幅

Claims (6)

  1. 処理液により基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、
    処理液を貯留し、基板を収容して基板に対して処理を行う処理槽と、
    前記処理槽の底部側であって、収容された基板の左右方向に配置され、前記処理槽の底面中央よりも手前の供給位置に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、
    前記一対の噴出管のそれぞれと、前記一対の噴出管に対応する前記供給位置との間に、前記処理槽の底面との間に隙間を空けて配置された液流分散部材と、
    起立姿勢の基板の下縁中央部を保持する中央部保持部と、基板の左右側の下縁を保持する一対の側部保持部とを備え、前記処理槽の上方にあたる待機位置と、前記処理装置の内部にあたる処理位置とにわたって移動可能なリフタとを備え、
    前記液流分散部材は、前記リフタで基板が配列されている方向に長軸を有し、
    前記液流分散部材は、前記供給位置と、前記リフタの側部保持部との間に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 処理液により基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、
    処理液を貯留し、基板を収容して基板に対して処理を行う処理槽と、
    前記処理槽の底部側であって、収容された基板の左右方向に配置され、前記処理槽の底面中央よりも手前の供給位置に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、
    前記一対の噴出管のそれぞれと、前記一対の噴出管に対応する前記供給位置との間に、前記処理槽の底面との間に隙間を空けて配置された液流分散部材と、を備え、
    前記液流分散部材は、基板が配列されている方向の両端部に配置された取付機構によって前記処理槽の底面に配置され、
    前記取付機構は、フッ素樹脂で構成され、前記噴出管の外周面の一部位に取り付けられ、前記処理槽の中央部側に突出した連結部を備えた端部部材と、前記端部部材の間に配置されて前記液流分散部材を支持し、前記噴出管側へ突出した連結部を備えた支持部材と、前記端部部材の連結部と前記支持部材の連結部とを離間して対向させた状態で挿通され、前記端部部材と前記支持部材とを連結する連結管と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
    前記液流分散部材は、基板面方向における縦断面が円形状を呈することを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
    前記液流分散部材は、基板面方向における縦断面が三角形状を呈し、一つの頂点が前記噴出管側に向けられていることを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項2または3に記載の基板処理装置において、
    起立姿勢の基板の下縁中央部を保持する中央部保持部と、基板の左右側の下縁を保持する一対の側部保持部とを備え、前記処理槽の上方にあたる待機位置と、前記処理装置の内部にあたる処理位置とにわたって移動可能なリフタを備え、
    前記液流分散部材は、前記リフタで基板が配列されている方向に長軸を有することを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項1からのいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記液流分散部材は、前記処理槽に対して着脱自在に取り付けられていることを特徴とする基板処理装置。
JP2016006971A 2016-01-18 2016-01-18 基板処理装置 Active JP6617036B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016006971A JP6617036B2 (ja) 2016-01-18 2016-01-18 基板処理装置
PCT/JP2016/081336 WO2017126178A1 (ja) 2016-01-18 2016-10-21 基板処理装置
KR1020187018334A KR102126143B1 (ko) 2016-01-18 2016-10-21 기판 처리 장치
CN201680077170.7A CN108475628B (zh) 2016-01-18 2016-10-21 基板处理装置
TW105136115A TWI619161B (zh) 2016-01-18 2016-11-07 基板處理裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016006971A JP6617036B2 (ja) 2016-01-18 2016-01-18 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017130483A JP2017130483A (ja) 2017-07-27
JP6617036B2 true JP6617036B2 (ja) 2019-12-04

Family

ID=59362654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016006971A Active JP6617036B2 (ja) 2016-01-18 2016-01-18 基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6617036B2 (ja)
KR (1) KR102126143B1 (ja)
CN (1) CN108475628B (ja)
TW (1) TWI619161B (ja)
WO (1) WO2017126178A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6985957B2 (ja) 2018-02-21 2021-12-22 キオクシア株式会社 半導体処理装置
JP7002969B2 (ja) 2018-03-19 2022-01-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06177030A (ja) * 1992-12-02 1994-06-24 Daido Steel Co Ltd 成膜基盤処理装置
JPH09171987A (ja) * 1995-12-18 1997-06-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3039494B2 (ja) 1997-11-17 2000-05-08 日本電気株式会社 Wet処理槽及びその給液方法
TWM277765U (en) * 2005-04-11 2005-10-11 Bi-Jen Chen Improvement of mounting of water draining flange on floor
JP4907400B2 (ja) * 2006-07-25 2012-03-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4916382B2 (ja) 2007-05-18 2012-04-11 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理方法及び基板処理装置
TWI406330B (zh) * 2007-09-26 2013-08-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及基板處理方法
JP5179282B2 (ja) * 2007-09-27 2013-04-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2009141022A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2009231669A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5890198B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP5829458B2 (ja) * 2011-08-25 2015-12-09 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP5923300B2 (ja) * 2011-12-28 2016-05-24 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5952007B2 (ja) * 2012-01-27 2016-07-13 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017126178A1 (ja) 2017-07-27
KR102126143B1 (ko) 2020-06-23
CN108475628A (zh) 2018-08-31
TW201727733A (zh) 2017-08-01
KR20180086499A (ko) 2018-07-31
TWI619161B (zh) 2018-03-21
CN108475628B (zh) 2022-10-14
JP2017130483A (ja) 2017-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6509104B2 (ja) 基板液処理装置
KR102381166B1 (ko) 기판액 처리 장치, 기판액 처리 방법 및 기억 매체
US10607849B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program
US20190148176A1 (en) Substrate processing apparatus
US11699601B2 (en) Substrate processing method
US20090242517A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP6617036B2 (ja) 基板処理装置
US20190096711A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2007049022A (ja) 基板処理方法及びその装置
JP6777704B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP7212767B2 (ja) 基板処理装置
JP2009238802A (ja) 基板処理装置
JPWO2016204106A1 (ja) 基板処理装置
TWI710048B (zh) 基板處理裝置
JP4924226B2 (ja) 表面加工方法及び表面加工装置
JP2005244162A (ja) 基板処理装置
JP6211877B2 (ja) 基板処理システム
JP6961058B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI804053B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR100911598B1 (ko) 버블 발생유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 에칭 장치
JP2019009364A (ja) 基板キャリア
JP2007105626A (ja) 基板処理装置
KR101205599B1 (ko) 반도체 제조장치
KR100835199B1 (ko) 기판 가공 장치
JP2012119603A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190807

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191002

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191023

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191111

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6617036

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250